KR102050056B1 - 발광 소자 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 claims description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 272
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 5
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 4
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
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- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
실시 예의 발광 소자는 기판과, 기판 위에 제1 도전형 반도체층, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고, 제2 도전형 반도체층은 활성층 위에 배치된 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층; 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층 위에 배치된 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층; 및 제2 도전형 AlbGa1-bN 층 위에 배치되며, 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층의 일부가 노출되도록 패턴을 갖는 제2 도전형 GaN층을 포함하고, a와 b는 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층과 제2 도전형 AlbGa1-bN 층 사이에 제2 도전형 캐리어 가스가 생성되도록 결정된다.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.
도 1은 기존의 발광 소자의 단면도로서, 기판(10), 발광 구조물(20) 및 p형 전극(30)으로 구성된다.
도 1의 발광 소자에서, 발광 구조물(20)은 기판(10) 위에 배치되며, n형 반도체층(22), 활성층(24) 및 p형 반도체층(26)으로 구성된다. n형 반도체층(22)과 p형 반도체층(26)은 통상적으로 GaN으로 이루어진다. 그러나, 활성층(24)으로부터 405 ㎚ 보다 적은 자외선(UV:Ultra violet) 파장 대역의 광이 방출될 경우 GaN은 UV 광을 흡수할 수 있으므로, n형 반도체층(22)과 p형 반도체층(26) 각각은 GaN보다 광의 흡수가 적은 AlGaN으로 구현될 수 있다. 그러나, p형 반도체층(26)이 AlGaN층(26A)만으로 구현될 경우 p형 AlGaN층(26A)과 p형 전극(30) 사이에 전기적인 특성이 악화되므로, p형 AlGaN층(26A)과 p형 전극(30) 사이에 p형 GaN층(26B)이 더 배치될 수도 있다.
이 경우, p형 GaN층(26B)에서 자외선 파장 대역의 광이 덜 흡수되도록, p형 GaN층(26B)의 면적을 줄이기 위해, p형 GaN층(26B)은 도시된 바와 같은 패턴을 가질 수 있다. 그러나, p형 GaN층(26B)이 패턴을 가질 경우, p형 GaN층(26B)에서 흡수되는 광량은 감소될 수 있으나, 패턴에 의해 정공이 국부적으로 스프레딩되어, 발광이 부분적으로 일어나는 문제점이 발생할 수 있다.
실시 예는 정공의 스프레딩이 개선된 발광 소자를 제공한다.
실시 예의 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 제1 도전형 반도체층, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 활성층 위에 배치된 제2 도전형 AlaGa1-aN 층; 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층 위에 배치된 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층; 및 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 위에 배치되며, 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층의 일부가 노출되도록 패턴을 갖는 제2 도전형 GaN층을 포함하고, 함량비 a와 b는 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층과 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 사이에 제2 도전형 캐리어 가스가 생성되도록 결정될 수 있다.
상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형 캐리어 가스는 정공 가스일 수 있다.
a는 b보다 클 수 있다. 예를 들어, a-b ≥ 0.1일 수 있다.
a는 0.4 내지 0.6이고, b는 0.3 내지 0.5일 수 있다.
상기 제2 도전형 GaN층의 패턴은 격자 모양일 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 메사 식각에 의해 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 GaN 층 위에 배치된 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 서브 마운트; 상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층; 상기 제1 금속층과 상기 제1 전극 사이에 배치되어, 상기 제1 도전형 반도체층을 상기 제1 금속층에 전기적으로 연결시키는 제1 범프; 및 상기 제2 금속층과 상기 제2 전극 사이에 배치되어, 상기 제2 도전형 반도체층을 상기 제2 금속층에 전기적으로 연결시키는 제2 범프를 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는, 상기 활성층과 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층 사이에 배치된 전자 차단층을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는, 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층과 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층과의 경계에 접하여 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 측에 위치하며, 상기 정공 가스가 생성된 정공 가스 층을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자는 알루미늄의 농도가 서로 다른 2개의 AlGaN층을 활성층과 p형 GaN 층 사이에 배치하여 2개의 AlGaN 층 사이에서 정공 가스를 생성함으로써 정공의 스프레딩을 개선시켜 광이 국부적이 아니라 전체적으로 발광되도록 할 수 있다.
도 1은 기존의 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 a=0.6일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이다.
도 5a 및 도 5b는 a=0.4일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이다.
도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 9는 실시 예에 의한 공기 살균 장치의 사시도를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 헤드 램프를 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 2는 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 a=0.6일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이다.
도 5a 및 도 5b는 a=0.4일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이다.
도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 9는 실시 예에 의한 공기 살균 장치의 사시도를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 헤드 램프를 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 실시 예에 의한 발광 소자(100A)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다. 도 2에서 p형 GaN층(126C)의 패턴을 보이기 위해, 제2 전극(144)은 투명하게 도시되었지만 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 소자(100A)는 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 전자 차단층(EBL:Electron Blocking Layer)(130), 제1 및 제2 전극(142, 144)을 포함한다.
기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판(110)과 발광 구조물(120) 간의 열 팽창 계수의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(110, 120) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(112)이 배치될 수 있다. 버퍼층(112)은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층(112)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(120)은 버퍼층(112) 상에 순차적으로 적층되어 배치되는 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다.
제1 도전형 반도체층(122)은 기판(110) 위에 배치되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(124)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(124)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(124)은 100 ㎚ 내지 400 ㎚ 자외선 파장 대역의 광을 방출한다. 이 경우, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlGaN으로 구현되어 자외선 광의 흡수를 최소화시킬 수 있다.
또한, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 전자 차단층(130)이 더 배치될 수 있다. 전자 차단층(130)의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)의 장벽층의 밴드 갭 에너지보다 클 수 있다. 전자 차단층(130)은 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 활성층(124)으로 공급되는 제1 도전형 캐리어인 전자가 제2 도전형 반도체층(126)으로 유입되는 것을 차단하는 역할을 수행한다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 위에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.
발광 구조물(120)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
만일, 활성층(124)으로부터 자외선 파장 대역의 광이 방출될 경우, 실시 예에 의하면 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A), 제2 도전형 AlbGa1-bN층(126B) 및 제2 도전형 GaN층(126C)을 포함할 수 있다. 여기서, 함량비 a와 b에 대해서는 후술된다.
제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)은 활성층(124)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 사이에 배치되고, 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)은 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 GaN층(또는, 제2 도전형 InAlGaN층)(126C) 사이에 배치된다. 또한, 제2 도전형 GaN층(126C)은 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 위에 배치되며, 제2 도전형 AlbGa1-bN 층(126B)의 일부가 노출되도록 패턴을 갖는다. 예를 들어, 제2 도전형 GaN층(126C)의 패턴은 도 2에 예시된 바와 같이 관통 홀(126C-1)과 로드(rod)(126C-2)로 이루어진 격자 모양일 수 있지만 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
제2 도전형 반도체층(126)이 제2 도전형 GaN층(126C)만으로 이루어지지 않고 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)을 더 포함하는 이유는, 활성층(124)에서 방출된 자외선 광은 GaN보다는 AlGaN에서 흡수가 덜 되기 때문이다. 또한, 제2 도전형 반도체층(126)이 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)만으로 이루어지지 않고 제2 도전형 GaN층(126C)을 더 포함하는 이유는, 제2 전극(144)으로부터의 제2 도전형 캐리어가 활성층(124)에 더 많이 공급되도록 하기 위함이다. 이 경우, 제2 도전형 GaN층(126C)에서 자외선 파장 대역의 광이 덜 흡수되도록, 제2 도전형 GaN층(126C)의 면적을 줄이기 위해, 제2 도전형 GaN층(126C)은 도시된 바와 같은 패턴을 가질 수 있다.
전술한 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)의 a와 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)의 b는 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)의 사이에서 제2 도전형 캐리어 가스가 생성될 수 있는 값으로 결정된다.
실시 예에 의하면, 전술한 제1 도전형이 n형이고, 제2 도전형이 p형인 경우, p형 AlaGa1 - aN층(126A)과 p형 AlbGa1 - bN층(126B)의 사이에서 2차원 정공 가스(2-Dimensional hole gas)가 생성되도록, 함량비 a와 b는 결정될 수 있다. 이를 위해, a는 b보다 클 수 있으며, a-b≥0.1일 수 있다. 여기서, 2차원 정공 가스가 생성되는 정공 가스 층(127)은 p형 AlbGa1 - bN 층(126B)과 p형 AlaGa1 - aN 층(126A)과의 경계(125)에 접하여 p형 AlbGa1 - bN 층(126B) 측에 위치할 수 있지만 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 정공 가스 층(127)이 p형 AlbGa1 - bN 층(126B)과 p형 AlaGa1 - aN 층(126A)의 경계(125)를 기준으로 p형 AlbGa1 - bN 층(126B) 측에 치우쳐 위치한 도 3에 예시된 바와 달리, 정공 가스 층(127)은 경계(125)에 접하여 p형 AlbGa1-bN 층(126B) 측과 p형 AlaGa1 - aN 층(126A) 측에 모두 위치할 수도 있다.
p형 AlaGa1 - aN층(126A)의 밴드 갭 에너지는 a에 따라 달라지고, p형 AlbGa1 - bN층(126B)의 밴드 갭 에너지는 b에 따라 달라지며, 활성층(124)의 밴드 갭 에너지는 활성층(124)에서 방출되는 광의 파장에 따라 달라진다. 이때, p형 AlaGa1 - aN층(126A)의 밴드 갭 에너지와 p형 AlbGa1 - bN층(126B)의 밴드 갭 에너지가 활성층(124)의 밴드 갭 에너지보다 클 때, 활성층(124)에서 방출된 광이 p형 AlaGa1 - aN층(126A)과 p형 AlbGa1-bN층(126B)에서 흡수되지 않고 투과될 수 있다. 이를 고려하여, a와 b의 최소값이 결정된다. 만일, a와 b 각각이 0.3보다 작을 경우 활성층(124)에서 방출된 광은 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)에서 투과되지 않고 흡수될 수도 있다. 따라서, a와 b 각각은 0.3보다 클 수 있다. 예를 들어, a는 0.4 내지 0.6이고, b는 0.3 내지 0.5일 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 a=0.6일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이고, 도 5a 및 도 5b는 a=0.4일 때 b의 변화량에 따른 전자의 밀도와 정공의 밀도를 위치에 따라 각각 나타내는 그래프이다. 각 그래프에서, Y축은 캐리어 밀도를 나타내고 X축은 발광 소자(100A)의 위치를 나타낸다. 즉, AlaGa1 - aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층(126B)의 경계(125)에서 X=0이 된다.
도 4a를 참조하면, a=0.6일때 b=0.7이면 AlaGa1 - aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1-bN 층(126B)의 경계(125)(X=0)에서 정공 가스가 아니라 전자 가스가 최대로 발생됨을 알 수 있다. 그러나, a=0.6일 때 b가 a보다 적은 0.3이거나 0.5인 경우, AlaGa1-aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B)의 경계(125)(X=0)에서 전자 가스가 발생하지 않는다.
또한, 도 4b를 참조하면, a=0.6일 때 b가 0.3이거나 0.5이면 AlaGa1 - aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층(126B)의 경계(125)(X=0)를 기준으로 제2 도전형 AlbGa1-bN 층(126B) 측에 위치한 정공 가스 층(127)에서 정공 가스가 최대로 발생함을 알 수 있다. 그러나, a=0.6일 때, b가 a보다 큰 0.7인 경우 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 사이의 정공 가스 층(127)에서 정공 가스가 발생하지 않음을 알 수 있다.
따라서, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, a=0.6일 때, b는 a보다 0.1 이상으로 적은 0.3 내지 0.5일 수 있다.
또한, 도 5a를 참조하면, a=0.4일때 b가 a보다 큰 0.5 또는 0.7이면 AlaGa1-aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층(126B) 사이의 경계(125)에서 전자 가스가 최대로 발생됨을 알 수 있다. 그러나, a=0.4일 때 b가 a보다 적은 0.3인 경우, AlaGa1 - aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층(126B) 사이의 경계(X=0)(125)에서 전자 가스가 발생하지 않는다.
또한, 도 5b를 참조하면, a=0.4일 때 b가 a보다 큰 0.5이거나 0.7이면 AlaGa1-aN 층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층(126B)의 경계(125)(X=0)에서 정공 가스가 발생하지 않음을 알 수 있다. 그러나, a=0.4일 때, b가 a보다 작은 0.3인 경우 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 사이의 정공 가스 층(127)에서 정공 가스가 최대로 발생함을 알 수 있다.
결국, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, a=0.4일 때, b는 a보다 0.1 이상으로 적은 0.3일 수 있다.
p형 GaN층(126C)이 패턴을 가짐으로 인해 정공의 스프레딩이 국부적으로 일어난다. 따라서, 실시 예에 의하면, AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 사이의 정공 가스 층(127)에서 정공 가스가 발생하도록 a와 b를 전술한 바와 같이 결정하여 정공의 스프레딩이 국부적으로 일어나지 않도록 한다.
한편, 제1 전극(142)은 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치된다. 제1 전극(142)은 예를 들어 AlN 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는다. 즉, 활성층(124)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질이든지 제1 전극(142)을 형성할 수 있다.
또한, 제1 전극(142)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(142)의 아래에 배치될 수도 있다.
또한, 제2 전극(144)은 제2 도전형 반도체층(126)의 제2 도전형 GaN층(126C)에 접해 있으며, 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(144)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(144)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제2 전극(144)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제2 전극(144)은 제2 도전형 GaN층(126C)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 제2 전극(144)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제2 전극(144)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
한편, 도 2 및 도 3에 예시된 실시 예에 의한 발광 소자(100A)는 수평형 구조이지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면 발광 소자는 수직형이나 플립 본딩 구조를 가질 수도 있다.
도 6은 플립 본딩 구조를 갖는 실시 예에 의한 발광 소자(100B)의 단면도를 나타낸다.
도 2 및 도 3에 예시된 발광 소자(100A)는 수평형 구조이기 때문에, 활성층(124)에서 방출된 광은 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(144)을 통해 출사된다. 이를 위해, 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(144)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제1 도전형 반도체층(122), 버퍼층(112) 및 기판(110)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
그러나, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)는 플립 칩 본딩 구조이기 때문에, 활성층(124)에서 방출된 광은 기판(110), 버퍼층(112) 및 제1 도전형 반도체층(122)을 통해 출사된다. 이를 위해, 기판(110), 버퍼층(112) 및 제1 도전형 반도체층(122)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(144)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 예시된 발광 소자(100A)와 달리, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)는 플립 칩 본딩 구조이므로, 제1 및 제2 범프(146A, 146B), 제1 및 제2 금속층(또는, 전극 패드)(148A, 148B), 보호층(150) 및 서브 마운트(160)를 더 포함한다. 이러한 차이점을 제외하면, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)는 도 2 및 도 3에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 부분에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하며 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
서브 마운트(160)는 예를 들어 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열전도도가 우수한 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 또한, 서브 마운트(160) 내에 제너 다이오드 형태의 정전기(ESD:Electro Static Discharge) 방지를 위한 소자가 포함될 수도 있다.
제1 및 제2 금속층(148A, 148B)은 서브 마운트(160) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 범프(146A)는 제1 금속층(148A)과 제1 전극(142) 사이에 배치되고, 제2 범프(146B)는 제2 금속층(148B)과 제2 전극(144) 사이에 배치된다.
제1 전극(142)은 제1 범프(146A)를 통해 서브 마운트(160)의 제1 금속층(148A)에 연결되며, 제2 전극(144)은 제2 범프(146B)를 통해 서브 마운트(160)의 제2 금속층(148B)에 연결된다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 전극(142)과 제1 범프(146A) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 금속층(148A)와 제1 범프(146A) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프(146A)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 전극(144)과 제2 범프(146B) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 금속층(148B)와 제2 범프(146B) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프(146B)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.
만일, 서브 마운트(160)가 Si과 같이 전기적 전도성을 갖는 물질로 구현된 경우, 도 6에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 금속층(148A, 148B)와 서브 마운트(160) 사이에 보호층(150)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 보호층(150)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
도 7은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자(100C)의 단면도를 나타낸다.
도 7에 예시된 수직형 본딩 구조의 발광 소자 칩(100C)은 지지 기판(171), 반사층(174), 발광 구조물(120) 및 제1 전극(172)을 포함한다. 비록 도시되지는 않았지만, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 전자 차단층이 더 배치될 수 있다.
지지 기판(171)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 기판(171)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 국한되지 않는다. 만일, 지지 기판(171)이 도전형일 경우, 지지 기판(171)의 전체는 반사층(174)과 함께 p형 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.
예를 들어, 지지 기판(171)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
반사층(174)은 활성층(124)에서 방출된 빛을 상부로 반사시키는 역할을 하며, 지지 기판(171) 위에 배치되며, 약 2500 옹스르통(Å)의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 반사층(174)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광 소자의 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
도 7에서 활성층(124)에서 방출된 광은 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 전극(172)을 통해 출사된다. 이를 위해, 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 전극(172)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제2 도전형 반도체층(126)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다. 또한, 도 7에 예시된 발광 소자(100C)에서, 발광 구조물(120)은 도 2 및 도 3에 예시된 발광 구조물(120)과 동일하므로 동일한 참조부호를 사용하였으며, 이에 대한 중복되는 설명을 생략한다.
전술한 발광 소자(100A, 100B, 100C)에서 제2 도전형 GaN층(126C)이 패턴을 갖는다고 하더라도, 제2 도전형 AlaGa1 - aN층(126A)과 제2 도전형 AlbGa1 - bN층(126B) 사이의 정공 가스 층(127)에서 정공 가스가 발생하기 때문에, 제2 도전형 GaN층(126C)의 패턴에 기인하는 정공의 스프레딩이 국부적으로 일어나는 현상이 개선된다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100B), 기판(210), 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B), 절연물(230), 제1 및 제2 와이어(242, 244) 및 몰딩 부재(250)를 포함한다. 발광 소자(100B)는 도 6에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 도 6에 예시된 발광 소자(100B) 이외에 도 2, 도 3 또는 도 7에 예시된 발광 소자(100A, 100C) 중 어느 하나가 도 8에 예시된 바와 같이 발광 소자 패키지(200)로 구현될 수 있음은 물론이다.
제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)는 기판(210) 위에 배치된다. 여기서, 기판(210)은 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)일 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 발광 소자(100B)가 자외선 광을 방출할 경우 방열 특성을 향상시키기 위해, 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)는 알루미늄 재질로 구현될 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
도 8에서 서브 마운트(160)는 제2 패키지 몸체(220B) 위에 배치된 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 서브 마운트(160)는 제2 패키지 몸체(220B)가 아니라 제1 패키지 몸체(220A) 위에 배치될 수도 있다. 발광 소자(100B)의 제1 및 제2 금속층(148A, 148B)은 제1 및 제2 와이어(242, 244)에 의해 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)에 각각 연결된다. 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)가 전기적 전도성을 갖는 알루미늄 재질로 구현될 경우, 절연물(230)은 제1 패키지 몸체(220A)와 제2 패키지 몸체(220B)를 전기적으로 서로 분리시키는 역할을 한다.
제1 도전형 반도체층(122)은 제1 전극(142), 제1 범프(146A), 제1 금속층(148A), 제1 와이어(242) 및 제1 패키지 몸체(220A)를 통해 기판(210)과 연결된다. 또한, 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 전극(144), 제2 범프(146B), 제2 금속층(148B), 제2 와이어(244) 및 제2 패키지 몸체(220B)를 통해 기판(210)과 연결된다.
몰딩 부재(250)는 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)에 의해 형성된 캐비티에 채워져 발광 소자(100B)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(250)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100B)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 살균 장치에 이용되거나 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 공기 살균 장치(500)의 사시도를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 공기 살균 장치(500)는, 케이싱(501)의 일면에 실장된 발광 모듈부(510)와, 방출된 자외선 파장 대역의 광을 난반사시키는 난반사 반사 부재(530a, 530b)와, 발광 모듈부(510)에서 필요한 가용전력을 공급하는 전원 공급부(520)를 포함한다.
먼저 케이싱(501)은 장방형 구조로 이루어지며 발광 모듈부(510)와 난반사 반사부재(530a, 530b) 및 전원 공급부(520)를 모두 내장하는 일체형 즉 콤팩트한 구조로 형성될 수 있다. 또한, 케이싱(501)은 공기 살균 장치(500) 내부에서 발생된 열을 외부로 방출시키기에 효과적인 재질 및 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 케이싱(501)의 재질은 Al, Cu 및 이들의 합금 중 어느 하나의 재질로 이루어 질 수 있다. 따라서, 케이싱(501)의 외기와의 열전달 효율이 향상되어, 방열 특성이 개선될 수 있다.
또는, 케이싱(501)은 특유한 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 케이싱(501)은 예를 들어 코러게이션(corrugation) 또는 메쉬(mesh) 또는 불특정 요철 무늬 형상으로 돌출 형성되는 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 따라서, 케이싱(501)의 외기와의 열전달 효율이 더욱 향상되어 방열 특성이 개선될 수 있다.
한편, 이러한 케이싱(501)의 양단에는 부착판(550)이 더 배치될 수 있다. 부착판(550)은 도 9에 예시된 바와 같이 케이싱(501)을 전체 설비 장치에 구속시켜 고정하는데 사용되는 브라켓 기능의 부재를 의미한다. 이러한 부착판(550)은 케이싱(501)의 양단에서 일측 방향으로 돌출 형성될 수 있다. 여기서, 일측 방향은 심자외선이 방출되고 난반사가 일어나는 케이싱(501)의 내측 방향일 수 있다.
따라서, 케이싱(501)으로부터 양단 상에 구비된 부착판(550)은 전체 설비 장치와의 고정 영역을 제공하여, 케이싱(501)이 보다 효과적으로 고정 설치될 수 있도록 한다.
부착판(550)은 나사 체결 수단, 리벳 체결 수단, 접착 수단 및 탈착 수단 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있으며, 이들 다양한 결합 수단의 방식은 당업자의 수준에서 자명하므로, 여기서 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 발광 모듈부(510)는 전술한 케이싱(501)의 일면 상에 실장 되는 형태로 배치된다. 발광 모듈부(510)는 공기 중의 미생물을 살균 처리하도록 자외선 특히 심자외선 광을 방출하는 역할을 한다. 이를 위해, 발광 모듈부(510)는 기판(512)과, 기판(512)에 탑재된 다수의 발광 소자 패키지(200)를 포함한다. 여기서, 발광 소자 패키지(200)는 도 8에 예시된 발광 소자 패키지(200)에 해당할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
기판(512)은 케이싱(501)의 내면을 따라 단일 열로 배치되어 있으며, 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(512)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 기판(512)은 도 8에 예시된 기판(210)에 해당할 수 있다.
다음으로, 난반사 반사부재(530a, 530b)는 전술한 발광 모듈부(510)에서 방출된 심자외선 광을 강제로 난반사시키도록 형성되는 반사판 형태의 부재를 의미한다. 이러한 난반사 반사부재(530a, 530b)의 전면 형상 및 배치 형상은 다양한 형상을 가질 수 있다. 난반사 반사부재(530a, 530b)의 면상 구조(예: 곡률반경 등)를 조금씩 변경하여 설계함에 따라, 난반사된 심자외선이 중첩되게 조사되어 조사 강도가 강해지거나, 또는 조사 영역되는 영역의 폭이 확장될 수 있다.
전원 공급부(520)는 전원을 도입 받아 전술된 발광 모듈부(510)에서 필요한 가용전력을 공급하는 역할을 한다. 이러한 전원 공급부(520)는 전술한 케이싱(501) 내에 배치될 수 있다. 도 9에 예시된 바와 같이, 전원 공급부(520)는 난반사 반사부재(530a, 530b)와 발광 모듈부(510) 사이의 이격 공간의 내벽 쪽에 배치될 수 있다. 외부 전원을 전원 공급부(520) 측으로 도입시키기 위해 상호 간을 전기적으로 연결하는 전원 연결부(540)가 더 배치될 수 있다.
도 9에 예시된 바와 같이, 전원 연결부(540)의 형태는 면상일 수 있으나, 외부의 전원 케이블(미도시)이 전기적으로 접속될 수 있는 소켓 또는 케이블 슬롯의 형태를 가질 수 있다. 그리고 전원 케이블은 플렉시블한 연장 구조를 가져, 외부 전원과의 연결이 용이한 형태로 이루어질 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치(800)를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830, 835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850, 860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서, 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840) 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 기판(830)과 발광 소자 패키지(835)는 도 8에 도시된 실시 예(200)일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(840)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)에 액정 표시 패널(Liquid crystal display)이 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 헤드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다.
도 11을 참조하면, 헤드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903) 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 도 8에 도시된 실시 예(200)일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치(1000)를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 조명 장치(1000)는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700) 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치(1000)는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
광원 모듈(1200)은 도 2 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100A, 100B, 100C), 또는 도 8에 도시된 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230) 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)와 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650) 및 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 110: 기판 20, 120: 발광 구조물
30: p형 전극 100A, 100B, 100C: 발광 소자
112: 버퍼층 125: 경계
127: 정공 가스 층 130: 전자 차단층
142, 144, 172: 전극 146A, 146B: 제1 및 제2 범프
148A, 148B: 제1 및 제2 금속층
150: 보호층 160: 서브 마운트
171: 지지 기판 174: 반사층
200: 발광 소자 패키지 210: 기판
220A, 220B: 패키지 몸체 230: 절연물
242, 244: 와이어 250: 몰딩 부재
500: 공기 살균 장치 501: 케이싱
510: 발광 모듈부 530a, 530b: 난반사 반사 부재
520: 전원 공급부 800: 표시 장치
810: 바텀 커버 820: 반사판
830, 835, 901: 발광 모듈 840: 도광판
850, 860: 프리즘 시트 870: 디스플레이 패널
872: 화상 신호 출력 회로 880: 컬러 필터
900: 헤드 램프 902: 리플렉터
903: 쉐이드 904: 렌즈
1000: 조명 장치 1100: 커버
1200: 광원 모듈 1400: 방열체
1600: 전원 제공부 1700: 내부 케이스
1800: 소켓
30: p형 전극 100A, 100B, 100C: 발광 소자
112: 버퍼층 125: 경계
127: 정공 가스 층 130: 전자 차단층
142, 144, 172: 전극 146A, 146B: 제1 및 제2 범프
148A, 148B: 제1 및 제2 금속층
150: 보호층 160: 서브 마운트
171: 지지 기판 174: 반사층
200: 발광 소자 패키지 210: 기판
220A, 220B: 패키지 몸체 230: 절연물
242, 244: 와이어 250: 몰딩 부재
500: 공기 살균 장치 501: 케이싱
510: 발광 모듈부 530a, 530b: 난반사 반사 부재
520: 전원 공급부 800: 표시 장치
810: 바텀 커버 820: 반사판
830, 835, 901: 발광 모듈 840: 도광판
850, 860: 프리즘 시트 870: 디스플레이 패널
872: 화상 신호 출력 회로 880: 컬러 필터
900: 헤드 램프 902: 리플렉터
903: 쉐이드 904: 렌즈
1000: 조명 장치 1100: 커버
1200: 광원 모듈 1400: 방열체
1600: 전원 제공부 1700: 내부 케이스
1800: 소켓
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 위에 제1 도전형 반도체층, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고,
상기 제2 도전형 반도체층은
상기 활성층 위에 배치된 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층;
상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층 위에 배치된 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층; 및
상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 위에 배치되며, 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층의 일부가 노출되도록 패턴을 갖는 제2 도전형 GaN층을 포함하고,
함량비 a와 b는 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층과 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 사이에 제2 도전형 캐리어 가스가 생성되도록 결정되는 발광 소자. - 제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형 캐리어 가스는 정공 가스인 발광 소자.
- 제1 항에 있어서, a는 b보다 큰 발광 소자.
- 제3 항에 있어서, a-b ≥ 0.1인 발광 소자.
- 제3 항에 있어서, a는 0.4 내지 0.6이고, b는 0.3 내지 0.5인 발광 소자.
- 제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 GaN층의 패턴은 격자 모양인 발광 소자.
- 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자는
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 메사 식각에 의해 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 GaN 층 위에 배치된 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자. - 제7 항에 있어서, 상기 발광 소자는
서브 마운트;
상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층;
상기 제1 금속층과 상기 제1 전극 사이에 배치되어, 상기 제1 도전형 반도체층을 상기 제1 금속층에 전기적으로 연결시키는 제1 범프; 및
상기 제2 금속층과 상기 제2 전극 사이에 배치되어, 상기 제2 도전형 반도체층을 상기 제2 금속층에 전기적으로 연결시키는 제2 범프를 더 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서, 상기 활성층과 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층 사이에 배치된 전자 차단층을 더 포함하는 발광 소자.
- 제2 항에 있어서, 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층과 상기 제2 도전형 AlaGa1 - aN 층과의 경계에 접하여 상기 제2 도전형 AlbGa1 - bN 층 측에 위치하며, 상기 정공 가스가 생성된 정공 가스 층을 더 포함하는 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130107967A KR102050056B1 (ko) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130107967A KR102050056B1 (ko) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150029163A KR20150029163A (ko) | 2015-03-18 |
| KR102050056B1 true KR102050056B1 (ko) | 2019-11-28 |
Family
ID=53023717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130107967A KR102050056B1 (ko) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102050056B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102387253B1 (ko) * | 2015-06-15 | 2022-04-18 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 |
| CN107887487B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-04-10 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| KR102524809B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2023-04-24 | 삼성전자주식회사 | 자외선 반도체 발광소자 |
| CN110459658A (zh) * | 2018-05-08 | 2019-11-15 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978330B1 (ko) | 2005-09-05 | 2010-08-26 | 파나소닉 전공 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자를 사용한 조명 장치 |
| US20120267655A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Invenlux Limited | Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same |
| KR101238459B1 (ko) | 2008-03-26 | 2013-02-28 | 파나소닉 주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100869962B1 (ko) * | 2006-12-07 | 2008-11-24 | 한국전자통신연구원 | 전류 확산층을 포함하는 발광소자의 제조방법 |
| KR20110097082A (ko) * | 2010-02-24 | 2011-08-31 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| KR20120088129A (ko) * | 2011-01-31 | 2012-08-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
| KR101904034B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2018-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 |
-
2013
- 2013-09-09 KR KR1020130107967A patent/KR102050056B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978330B1 (ko) | 2005-09-05 | 2010-08-26 | 파나소닉 전공 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자를 사용한 조명 장치 |
| KR101238459B1 (ko) | 2008-03-26 | 2013-02-28 | 파나소닉 주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| US20120267655A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Invenlux Limited | Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150029163A (ko) | 2015-03-18 |
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