KR20120088129A - 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 N형 반도체층; 상기 N형 반도체층 상에 구비된 활성층; 상기 활성층 상에 구비되며, 적어도 하나의 트랜치(trench)를 구비한 P형 반도체층; 및 상기 P형 반도체층의 트랜치를 매립하여 구비된 반사 패턴을 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.

Description

발광 다이오드 및 그의 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 기본적으로 P형 반도체와 N형 반도체의 접합인 PN 접합 다이오드이다.
상기 발광 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합한 뒤, 상기 P형 반도체와 N형 반도체에 전압을 인가하여 전류를 흘려주면, 상기 P형 반도체의 정공은 상기 N형 반도체 쪽으로 이동하고, 이와는 반대로 상기 N형 반도체의 전자는 상기 P형 반도체 쪽으로 이동하여 상기 전자 및 정공은 상기 PN 접합부로 이동하게 된다.
상기 PN 접합부로 이동된 전자는 전도대(conduction band)에서 가전대(valence band)로 떨어지면서 정공과 결합하게 된다. 이때 상기 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 차이에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 상기 에너지가 빛의 형태로 방출된다.
이러한 발광 다이오드는 빛을 발하는 반도체 소자로서 친환경, 저 전압, 긴 수명 및 저 가격 등의 특징이 있으며, 종래에는 표시용 램프나 숫자와 같은 단순 정보표시에 많이 응용되어 왔으나, 최근에는 산업기술의 발전, 특히 정보표시 기술과 반도체 기술의 발전으로 디스플레이 분야, 조명 장치, 자동차 헤드램프, 프로젝터 등 다방면에 걸쳐서 사용되기에 이르렀다.
이러한 발광 다이오드는 일반적으로 기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층이 순차적으로 적층된 형태로 제공된다.
상기 발광 다이오드 중 극자외선(Deep UltraViolet) 발광 다이오드는 상기 P형 반도체층, 예컨대, P-GaN층에서 극자외선이 거의 흡수되므로 상기 N형 반도체층을 통해 상기 기판 측으로 광이 추출되는 플립 칩 형태로 제조된다.
이때, 상기 극자외선 발광 다이오드의 발광층에서 발광된 광은 상기 기판 측 뿐만 아니라 상기 P형 반도체층으로도 진행하게 된다. 이로 인해 상기 극자외선 발광 다이오드, 특히 플립 칩 형태로 제조되는 극자외선 발광 다이오드는 발광된 광이 P형 반도체층에 흡수되어 외부 광 추출 효율이 낮아지는 문제점을 안고 있다.
본 발명의 목적은 외부 광추출 효율이 높은 발광 다이오드 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 N형 반도체층; 상기 N형 반도체층 상에 구비된 활성층; 상기 활성층 상에 구비되며, 적어도 하나의 트랜치(trench)를 구비한 P형 반도체층; 및 상기 P형 반도체층의 트랜치를 매립하여 구비된 반사 패턴을 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.
상기 P형 반도체층은 P-GaN층을 포함할 수 있다.
상기 P형 반도체층은 상기 P-GaN층과 활성층 사이에 P-AlGaN층을 더 포함하고, 상기 P-GaN층 상에 P++층을 더 포함하며, 상기 트랜치는 상기 P++층의 표면으로부터 상기 P-GaN층의 일부까지 또는 상기 P-AlGaN층의 일부까지 식각한 트랜치일 수 있다.
상기 반사 패턴은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 P형 반도체층에 적어도 하나의 트랜치를 형성하는 단계; 및 상기 트랜치를 매립하여 상기 트랜치 내에 반사 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법이 제공된다.
상기 발광 다이오드 제조 방법은 상기 P형 반도체층을 형성하고, 상기 반사 패턴을 형성하는 단계 이전에, 적어도 상기 활성층 및 P형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 N형 반도체층의 일부를 노출시키는 메사 식각을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 P형 반도체층을 형성하는 단계는 상기 활성층 상에 P-GaN층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 제조 방법은 상기 P-GaN층을 형성하기 이전에 상기 활성층 상에 P-AlGaN층을 형성하는 단계 또는 상기 P-GaN층 상에 P++층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 외부 광추출 효율이 높은 발광 다이오드 및 그의 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 보여주는 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 A 영역을 확대한 확대도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 칩을 보여주는 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 보여주는 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 A 영역을 확대한 확대도들이다.
도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 기판(110), N형 반도체층(120), 활성층(130), P형 반도체층(140) 및 반사 패턴(150)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 성장 기판일 수 있다. 상기 기판(110)은 특별히 한정되지 않으며, 사파이어, 스피넬 또는 탄화실리콘 기판 등일 수 있다.
상기 N형 반도체층(120)은 상기 기판(110) 상에 구비될 수 있다. 상기 N형 반도체층(120)은 N형 불순물이 도핑된 (Al, In, Ga)N 계열의 Ⅲ족 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 N형 반도체층(120)은 N형 불순물이 도핑된 AlGaN층, 즉, N-AlGaN층을 포함하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 N형 반도체층(120)은 단일 층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 N형 반도체층(120)은 초격자층을 포함할 수 있다. 상기 N형 반도체층(120)은 도 1에 도시된 바와 같이 그 일부 표면이 노출된 형태로 구비될 수 있다. 상기 N형 반도체층(120)의 일부 표면의 노출은 상기 활성층(130) 및 P형 반도체층(140)의 일부를 메사 식각하여 형성할 수 있다. 상기 메사 식각 시 상기 N형 반도체층(120)의 일부도 식각될 수 있다.
이때, 상기 기판(110)과 상기 N형 반도체층(120) 사이에 버퍼층(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 상기 기판(110)과 N형 반도체층(120) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위해 구비될 수 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 AlN을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(미도시)은 단일층 또는 복수층으로 이루어질 수 있으며, 복수층으로 이루어질 경우, 저온 버퍼층과 고온 버퍼층을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 활성층(130)은 상기 N형 반도체층(120) 상에 구비될 수 있다. 상기 활성층(130)은 단일층 또는 복수층으로 이루어질 수 있다. 상기 활성층(130)은 하나의 웰층(미도시)을 포함하는 단일 양자웰 구조일 수도 있고, 웰층(미도시)과 장벽층(미도시)이 교대로 반복되어 적층된 구조인 다중 양자웰 구조로 구비될 수 있다. 이때, 상기 웰층(미도시) 또는 장벽층(미도시)은 각각 또는 둘 다 초격자 구조로 이루어질 수 있다.
상기 P형 반도체층(140)은 상기 활성층(130) 상에 구비될 수 있다. 상기 P형반도체층(140)은 P형 불순물이 도핑된 (Al, In, Ga)N 계열의 Ⅲ족 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 P형 반도체층(140)은 P형 불순물이 도핑된 P-GaN층을 포함하여 이루어질 수 있다.
이때, 상기 P형 반도체층(140)은 단일 층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 P형 반도체층(140)은 초격자층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 P형 반도체층(140)은 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 세 개의 층을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 P형 반도체층(140)은 상기 활성층(130) 상에 P형 불순물이 도핑된 AlGaN층인 P-AlGaN층(142), 상기 P-AlGaN층(142) 상에 구비된 P-GaN층(144) 및 상기 P-GaN층(144) 상에 P형 불순물이 고농도로 도핑된 P++층(146)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 기판(110), N형 반도체층(120), 활성층(130) 및 P형 반도체층(140)에 관한 설명은 상기에서 설명한 사항으로 한정되지 않으며 다양한 물질 또는 다양한 형태로 변경될 수 있다. 즉, 상기 발광 다이오드(100)는 상기 N형 반도체층(120), 활성층(130) 및 P형 반도체층(140)을 이루는 물질 또는 형태 등을 변경하여 적색 발광 다이오드, 청색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 자외선 발광 다이오드 또는 극자외선 발광 다이오드 등이 될 수 있다.
한편, 상기 P형 반도체층(140)은 적어도 하나의 트랜치(trench)(148), 바람직하게는 일정한 간격으로 이격되고, 일정한 폭 및 깊이를 갖는 복 수개의 트랜치(148)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 트랜치(148)는, 도 1에 도시한 바와 같이 상기 P형 반도체층(140)이 단일 층으로 이루어질 경우, 상기 활성층(130)이 노출되지 않도록 상기 P형 반도체층(140)의 두께보다 얇은 깊이로 구비될 수 있다. 또한, 상기 트랜치(148)는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 P형 반도체층(120)이 복수 층, 예컨대, 상기 P++층(146), P-GaN층(144) 및 P-AlGaN층(142)을 포함하는 세 층으로 이루어진 경우, 도 2a에 도시된 바와 같이 최하층인 상기 P-AlGaN층(142)은 식각되지 않고, 중간층인 상기 P-GaN층(144)의 일부가 식각된 깊이로 구비될 수 있고, 도 2b에 도시된 바와 같이 최하층인 상기 P-AlGaN층(142)의 일부도 식각된 형태로 구비될 수도 있다.
즉, 상기 트랜치(148)는 상기 P형 반도체층(120)의 표면, 예컨대, 상기 P++층(146)의 표면으로부터 일정 깊이, 예컨대, 상기 P형 반도체층(120)의 중간층에 해당하는 상기 P-GaN층(144)의 일부까지 또는 상기 P형 반도체층(120)의 최하층에 해당하는 상기 P-AlGaN층(142)의 일부까지 식각된 형태로 구비될 수 있다.
이때, 상기 트랜치(148)는 평면(상기 P형 반도체층(120)의 표면을 상부에서 보았을 때의 면)상에서 복수 개가 형성되되, 일차원 또는 이차원으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 트랜치(148)는 길이가 긴 도랑 형태로 구비될 수도 있고, 상기 트랜치(148)는 평면상이 사각형 또는 원형인 홈 형태로, 상기 P형 반도체층(120)에 이차원으로 배열된 형태로 구비될 수 있다.
상기 반사 패턴(150)은 상기 트랜치(148)를 매립한 형태로 구비될 수 있다. 상기 반사 패턴(150)은 광을 반사할 수 있는 어떤 물질을 포함하여 이루어져도 무방하나, 상기 발광 다이오드(100)가 발광하는 광의 파장, 즉, 상기 활성층(130)에서 발광하는 파장에 따라 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예컨대, 상기 발광 다이오드(100)가 극자외선을 발광하는 극자외선 발광 다이오드인 경우, 상기 반사 패턴(150)은 극자외선의 전 파장대를 반사할 수 있는 알루미늄을 포함하는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는, 상기 반사 패턴(150)이 알루미늄 등과 같은 금속으로 이루어져 있으므로 인해 누설 전류 등이 발생하지 않는다고 한다면, 상기 반사 패턴(150)의 최하부, 즉, 상기 트랜치(148)의 밑면과 상기 활성층(130) 사이의 이격 간격이 작을 수 록 상기 발광 다이오드(100)의 외부 광추출 효율은 높아질 수 있다.
이는 상기 활성층(130)에서 발광된 광 중 상기 P형 반도체층(140) 방향 쪽으로 진행된 광이 상기 P형 반도체층(140)에 흡수되는 것을 최소화하고, 상기 반사 패턴(150)에 의해 반사되어 상기 기판(110) 방향으로 진행한 광을 많아지게 하기 때문이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 칩을 보여주는 단면도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(1000)은 도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명한 발광 다이오드(100), 특히 극자외선을 발광하는 극자외선 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
이때, 상기 발광 다이오드 칩(1000)은 도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명한 발광 다이오드(100)의 상기 N형 반도체층(120)의 노출된 표면 상에 N측 접촉 전극(162) 및 상기 N측 접촉 전극(162) 상에 구비된 N측 패드(164)를 포함할 수 있고, 상기 P형 반도체층(140)의 표면 상에 P측 접촉 전극(172) 및 상기 P측 접촉 전극(172) 상에 구비된 P측 패드(174)를 포함할 수 있으며, 상기 N측 패드(164) 및 P측 패드(174) 상에 각각 N측 범프(166) 및 P측 범프(176)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 N측 접촉 전극(162) 및 P측 접촉 전극(172)은 ITO, ZnO 또는 IZO 등과 같은 TCO 또는 Ni/Au 등과 같은 오믹 콘택층을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 N측 패드(164) 및 P측 패드(174)는 Ni, Cr, Ti, Al, Ag 또는 Au 등을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 N측 범프(166) 및 P측 범프(176)는 Au를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(1000)은 일측 표면 상에 N 전극(182) 및 P 전극(184)을 구비한 서브 마운트(180) 상에 상기 발광 다이오드(100)의 상기 N측 범프(166) 및 P측 범프(176)이 서로 대향하도록 위치한 후, 상기 N측 범프(166) 및 P측 범프(176)를 각각 N 전극(192) 및 P 전극(194)에 접합하여 형성될 수 있다.
이때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(1000)은 도 3에 도시된 바와 같이 상기 발광층(130)에 발광된 광 중 상기 기판(110) 방향으로 진행하는 광(192)뿐만 아니라 상기 P형 반도체층(140) 방향으로 진행하다가 상기 반사 패턴(150)에 반사되어 상기 기판(110) 방향으로 진행하는 광(192)을 방출할 수 있으므로, 종래의 상기 반사 패턴(150)이 없는 발광 다이오드 칩에 비해 높은 외부 광 추출 효율을 가질 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 4를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법은 우선 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)은 그 종류가 제한되지 않으나, 이후 설명하는 바와 같이 상기 기판(110) 상에 반도체층을 성장시키기 위해서는 사파이어 기판인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 기판(110) 상에 N형 반도체층(120), 활성층(130) 및 P형 반도체층(140)을 순차적으로 형성할 수 있다. 이때, 상기 N형 반도체층(120), 활성층(130) 및 P형 반도체층(140) 각각은 도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 각각 단일 층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있다.
예컨대, 상기 P형 반도체층(140)은 단일 층, 즉, P-GaN층을 포함하여 형성할 수 있고, 복수 층, 즉, P-AlGaN층, P-GaN층 및 P++층 순으로 적층된 형태로 형성할 수 있다. 그로므로 상기 P형 반도체층(140)을 형성하는 공정은 상기 활성층(130) 상에 P-GaN층을 형성하는 공정을 포함할 수도 있고, 상기 활성층(130) 상에 상기 P-AlGaN층을 형성하고, 이어서 상기 P-AlGaN층 상에 상기 P-GaN층을 형성하고, 상기 P-GaN층 상에 상기 P++층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(110)과 N형 반도체층(120) 사이, 상기 N형 반도체층(120)과 활성층(130) 사이 및 상기 활성층(130)과 P형 반도체층(140) 사이에 다른 층들을 더 포함하여 형성할 수 있다.
이때, 상기 N형 반도체층(120), 활성층(130) 및 P형 반도체층(140)은 MOCVD법, 분자 빔 성장법, 엑피텍셜 성장법 등 공지의 반도체층 형성 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
도 5를 참조하여 설명하면, 이어서, 상기 P형 반도체층(140)을 식각하여 적어도 하나의 트랜치(148)를 형성하는 공정을 진행한다.
이때, 상기 트랜치(148)는 복수 개로 구비되는 것이 바람직하다. 상기 트랜치(148)를 복수 개 구비하는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 각 트랜치(148)들의 간격이 일정한 간격을 유지하면서 일정 폭 및 일정 깊이로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 트랜치(148)는 다양한 방법으로 형성할 수 있으나, 상기 P형 반도체층(140) 상에 패턴(미도시)을 형성한 후, 상기 패턴(미도시)을 마스크로 하여 건식 식각(dry etching)법으로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 트랜치(148) 내에 광을 반사할 수 있는 물질을 매립하여 반사 패턴(150)을 형성한다. 이때, 상기 광을 반사할 수 있는 물질은 광을 반사할 수 있는 어떠한 물질을 이용하여도 무방하나, 상기 발광 다이오드가 발광하는 광의 파장에 따라 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예컨대, 상기 발광 다이오드(100)가 극자외선을 발광하는 극자외선 발광 다이오드인 경우, 상기 광을 반사할 수 있는 물질은 상기 극자외선의 전 파장대를 반사할 수 있는 알루미늄을 포함하는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 트랜치(148) 내에 상기 반사 패턴(150)을 매립하는 방법은 다양한 방법, 예컨대, 상기 트랜치(148)가 형성된 기판 상에 상기 광을 반사할 수 있는 물질을 증착 또는 형성하여 상기 트랜치(148) 내부를 충진한 후, 화학적 기계적 평탄화법 등을 이용하여 평탄화하는 방법을 이용할 수 있다.
도 6을 참조하여 설명하면, 이어서, 상기 트랜치(148) 및 반사 패턴(150)을 형성한 후, 상기 N형 반도체층(120)의 일부가 노출되도록 상기 P형 반도체층(140)과 활성층(130)의 일부를 식각하는 메사 식각을 실시하여 발광 다이오드(100)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 메사 식각 시 상기 N형 반도체층(120)의 일부도 식각될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은 상기 트랜치(148) 및 반사 패턴(150)을 먼저 형성한 후, 상기 P형 반도체층(140)의 일부를 식각하는 메사 식각을 실시하므로써 상기 메사 식각 시 상기 반사 패턴(150)의 일부도 같이 식각될 수 있다. 이때, 도 5 및 도 6에서 도시하고 있는 것과는 달리 상기 트랜치(148)를 형성하기 이전에 상기 P형 반도체층(140) 및 활성층(130)의 일부를 식각하는 메사 식각을 먼저 실시한 후, 메사 식각된 상기 P형 반도체층(140)에 상기 트랜치(148) 및 반사 패턴(150)을 형성하는 방법으로 상기 발광 다이오드(100)를 형성할 수 있다.
한편, 도 3을 참조하여 설명한 상기 발광 다이오드 칩(1000)은 상기에서 상술한 바와 같이 상기 발광 다이오드(100)를 제조한 후, 상기 발광 다이오드(100)의 상기 N형 반도체층(120)의 노출된 표면 상에는 상기 N측 접촉 전극(162), N측 패드(164) 및 N측 범프(166)를, 상기 P형 반도체층(130)의 표면 상에는 상기 P측 접촉 전극(172), P측 패드(174) 및 P측 범프(176)를 형성하고, 일측 표면 상에 N 전극(182) 및 P 전극(184)을 구비한 서브 마운트(180)를 마련한 후, 상기 발광 다이오드(100)의 상기 N측 범프(166)와 N 전극(182)이 서로 대향하고, 상기 P측 범프(176)와 P 전극(184)이 서로 대향하도록 상기 발광 다이오드(100)와 서브 마운트(180)를 정렬한 후, 상기 N측 범프(166)와 N 전극(182) 및 상기 P측 범프(176)와 P 전극(184)을 서로 접합하여 형성할 수 있다.
이상 본 발명을 상기 실시 예들을 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 당업자라면, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정, 변경을 할 수 있으며 이러한 수정과 변경 또한 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
110 : 기판 120 : N형 반도체층
130 : 활성층 140 : P형 반도체층
148 : 트랜치 150 : 반사 패턴

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 구비된 N형 반도체층;
    상기 N형 반도체층 상에 구비된 활성층;
    상기 활성층 상에 구비되며, 적어도 하나의 트랜치(trench)를 구비한 P형 반도체층; 및
    상기 P형 반도체층의 트랜치를 매립하여 구비된 반사 패턴을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 P형 반도체층은 P-GaN층을 포함하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 P형 반도체층은 상기 P-GaN층과 활성층 사이에 P-AlGaN층을 더 포함하고, 상기 P-GaN층 상에 P++층을 더 포함하며,
    상기 트랜치는 상기 P++층의 표면으로부터 상기 P-GaN층의 일부까지 또는 상기 P-AlGaN층의 일부까지 식각한 트랜치인 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 반사 패턴은 알루미늄을 포함하는 발광 다이오드.
  5. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 P형 반도체층에 적어도 하나의 트랜치를 형성하는 단계; 및
    상기 트랜치를 매립하여 상기 트랜치 내에 반사 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 P형 반도체층을 형성하고, 상기 반사 패턴을 형성하는 단계 이전에,
    적어도 상기 활성층 및 P형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 N형 반도체층의 일부를 노출시키는 메사 식각을 실시하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 P형 반도체층을 형성하는 단계는 상기 활성층 상에 P-GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 발광 다이오드 제조 방법은 상기 P-GaN층을 형성하기 이전에 상기 활성층 상에 P-AlGaN층을 형성하는 단계 또는 상기 P-GaN층 상에 P++층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
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