TW201312792A - 發光二極體結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明實施例係提供一種LED結構，包括：一基板，其上具有第一半導體層、發光層及第二半導體層，且發光層及第一半導體層依序堆疊於該第二半導體層上；第一接觸電極，位於第一半導體層與該基板之間，並具有突出部延伸至第二半導體層中；阻障層，順應性覆蓋於第一接觸電極上，且暴露出突出部分之頂部；電流阻擋元件，位於阻障層上，並圍繞突出部分之至少一部份之側壁；以及第二接觸電極，位於第一半導體層及第一接觸電極之間，藉由阻障層與第一接觸電極電性隔離。此外，本發明亦提供上述LED結構之製造方法。

Description

發光二極體結構及其製造方法

本發明係有關於發光二極體結構，且特別是有關於一種能改善電流聚集之發光二極體結構及其製造方法。

發光二極體(light emitting diode，以下皆簡稱為LED)具有高亮度、體積小、重量輕、不易破損、低耗電量和壽命長等優點，所以被廣泛地應用各式顯示產品中，其發光原理為，當施予二極體順向偏壓時，p型區的多數載子電洞會往n型區移動，而n型區的多數載子電子則往p型區移動，最後電子與電洞兩載子會在p-n接面之空乏區復合，此時因電子由傳導帶移轉至價帶後喪失能階，同時以光子的模式釋放出能量而產生光。

在傳統的水平式LED裝置中，接觸電極設計為水平位向，容易產生電流聚集的問題。例如，電子在n型磊晶層和p型磊晶層中橫向流動不等的距離，而導致LED的發光不均。此外，LED的接觸電極勢必要覆蓋在發光面上，損失了發光面積，僅有約65%的發光面積可被利用。

使用垂直式LED裝置可改善水平式LED裝置所遭遇的上述問題。在垂直式LED結構中，兩個電極分別位在LED的n型磊晶層和p型磊晶層之兩側，由於全部的p型磊晶層皆可作第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED磊晶層，極少橫向流動的電流，可以改善平面結構的電流分佈問題，提高發光效率，同時也可解決p型接觸電極的遮光問題，提升LED結構的發光面積。

一般的垂直式LED結構之n型接觸電極係設置於LED晶片之上表面上。一般而言，越多的金屬接觸電極設置於LED晶片表面上，可讓LED晶片的電流分佈更均勻。然而，設置於垂直式LED結構之晶片表面上的金屬接觸電極會有吸光及阻擋光萃取的問題。再者，由於電子載子及電洞載子會相互吸引的關係，亦容易在n型接觸電極附近發生電流聚集，導致LED晶片發光不均。

基於上述，為克服上述問題，業界亟需一種創新的發光二極體製程與結構來解決上述問題。

本發明實施例係提供一種發光二極體結構，包括：一基板，其上具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層，其中此發光層及此第一半導體層依序堆疊於此第二半導體層上，且此第一及此第二半導體層具有相反之導電型態；一第一接觸電極，位於第一半導體層與此基板之間，並具有一突出部分延伸至此第二半導體層中；一阻障層，順應性覆蓋於第一接觸電極上，且暴露出此突出部分之頂部；一電流阻擋元件，位於此阻障層上，並圍繞此突出部分之至少一部份之側壁；以及一第二接觸電極，位於此第一半導體層及此第一接觸電極之間，與第一半導體層直接接觸，且藉由此阻障層與此第一接觸電極電性隔離。

本發明實施例亦提供一種發光二極體結構之製造方法，包括：提供一第一基板，其上具有一第一半導體層；形成一第一開口於此第一半導體層中；形成一塊狀元件於此第一開口中；依序形成一發光層及一第二半導體層於此第一半導體上，其中此第二半導體層具有與此第一半導體層相反之摻雜型態；形成一電流阻擋元件，其中形成此電流阻擋元件之步驟中包含移除至少一部分之此塊狀元件，以形成一暴露出此第一半導體層之第二開口，且其中至少一部分之此第二開口係被此電流阻擋元件所圍繞；形成一第一接觸電極於此第二半導體層之上表面上；形成一阻障層順應性覆蓋此第一接觸電極及此第二開口；形成一第二接觸電極覆蓋此第一接觸電極及此第二開口；以及形成一第二基板於此第二接觸電極上，並移除此第一基板。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發明。這些為實施例並非用於限定本發明。此外，在本說明書的各種例子中可能會出現重複的元件符號以便簡化描述，但這不代表在各個實施例及/或圖示之間有何特定的關連。此外，一第一元件形成於一第二元件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含實施例中的該第一元件與第二元件直接接觸，或也可包含該第一元件與第二元件之間更有其他額外元件使該第一元件與第二元件無直接接觸。

本發明實施例係提供高發光效率之LED結構及其製造方法。在此LED結構中的LED晶片，可有效改善電流聚集的問題，且避免接觸電極設置於LED晶片表面上來吸光或阻擋光萃取。

參見第1A～1P圖，其顯示依照本發明一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。

參見第1A圖，首先為提供一成長基板102，其可為任何適合一發光二極體半導體層成長的基板，例如：氧化鋁基板(藍寶石基板)、碳化矽基板、或砷化鎵基板等。成長基板102上配置有緩衝層104及第一半導體層。緩衝層104之材質可為GaN、AlN、AlGaN或前述之組合，其可提供於其上形成之第一半導體層106在成長時具有良好的緩衝效果而不易破裂。第一半導體層106可例如為n型摻雜之磊晶層，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述之組合。緩衝層104及第一半導體層106可由任意的磊晶成長方法形成，例如化學氣相磊晶法(chemical vapor deposition，CVD)、有機金屬化學氣相磊晶法(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、離子增強化學氣相磊晶法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、(molecular beam epitaxy)分子束磊晶法、氫化物氣相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy)、或濺鍍法(sputter)。在一實施例中，第一半導體層106之厚度可為約0.1～5.0 μm。

參見第1B圖，於第一半導體層106中形成至少一開口108。在一實施例中，開口108可為方形、三角形、圓形、橢圓形、多邊形或其他任意形狀，其半徑可為約50～150 μm。

接著，參見第1C圖，於開口108中形成塊狀元件110。在一實施例中，塊狀元件110可突出第一半導體層106外或甚至塊狀元件110之頂部可高於或對齊於隨後形成於第一半導體層106上之第二半導體層116(參見第1E圖)之上表面。在此實施例中，塊狀元件110可具有約1.0～10.0 μm之高度。在另一實施例中，塊狀元件110之頂部可不超過第一半導體層106之上表面(未繪示)。塊狀元件110可由沉積製程(例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍、濺鍍)沉積後，再經微影蝕刻製程形成。塊狀元件110之材質可包含各種具有高阻值的材料，例如氧化矽、氮化矽、氧化鋅或前述之組合。塊狀元件110可為梯形柱體、方形柱體、圓柱體、角錐形柱體或其他任意立體形狀。

參見第1D圖，以塊狀元件110為罩幕對第一半導體層106進行佈植程序，形成電流阻擋元件112。佈植程序可包含摻雜矽及鎂等摻質使第一半導體層106中被佈植的區域成為具有高阻值之區塊，此佈植程序可包含例如離子轟擊法。此外，在此佈植程序中，除矽及鎂外，亦可佈植例如氬或氧等元素至第一半導體中。

參見第1E圖，依序形成發光層114及第二半導體層114於第一半導體層116上。發光層114可為半導體發光層，且可包含有多重量子井(multiple quantum well，MQW)結構。發光層114之材質可選自III-V族之化學元素、II-VI族之化學元素、IV族之化學元素、IV-IV族之化學元素。第二半導體層116可具有與第一半導體層106相反之導電型態。例如，第二半導體層114可為p型磊晶層。第二半導體層116之材質亦可選自III-V族之化學元素、II-VI族之化學元素、IV族之化學元素、IV-IV族之化學元素或前述之組合，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述之組合。發光層114及第二半導體層116皆可由任意的磊晶成長方法形成，例如化學氣相磊晶法、有機金屬化學氣相磊晶法、離子增強化學氣相磊晶法、分子束磊晶法、氫化物氣相磊晶法、或濺鍍法。第二半導體層116之厚度可為0.1～5.0 μm。值得注意的是，第二半導體層與第一半導體層之導電型態亦可交換。例如第一半導體層106為n型磊晶層，第二半導體層114為p型磊晶層。

在塊狀元件110突出於第一半導體層106外之實施例中，第二半導體層116可磊晶成長至其上表面高於或對齊於塊狀元件110之頂部。如第二半導體層116之上表面高於塊狀元件110之頂部，可以例如化學機械研磨移除過剩的第二半導體層114，以達到所欲之第二半導體層114之厚度並暴露出塊狀元件110。

在塊狀元件110之頂部不超過第一半導體106之上表面之實施例中，由於在塊狀元件110上之磊晶品質會明顯劣於在第一半導體層106上之磊晶品質，在發光層114及第二半導體層116磊晶形成之後，塊狀元件110上僅會具有一極薄且磊晶品質不佳的磊晶層，或甚至塊狀元件110仍有部分暴露於外。因此，此極薄且品質不佳的磊晶層將不會妨礙隨後用以移除塊狀元件110的蝕刻製程，並可於此蝕刻製程中一併被移除。

值得注意的是，在一實施例中，第1C圖中所示之佈植程序，亦可待發光層114及第二半導體層116再進行。在此實施例中，此佈植程序可僅施予至第一半導體層106；或施予至第一半導體層106及發光層114；或同時施予至第一半導體層106、發光層114及第二半導體層116；亦或僅施予至第二半導體層116。因此，所形成之電流阻擋元件112除了類似於第1D圖中所示，僅形成於第一半導體層106中；亦可同時形成於第一半導體層106及發光層114中(未繪示)；或同時形成於第一半導體層106、發光層114及第二半導體層116中(未繪示)；亦或僅形成於第二半導體層中116(未繪示)。

參見第1F圖，形成圖案化光阻層118於第二半導體層116上。圖案化光阻層118蓋整個第二半導體層116，僅暴露出塊狀元件110。接著，參見第1G圖，以蝕刻製程移除塊狀元件110，形成開口120。開口120可具有對應於塊狀元件110之形狀。蝕刻製程可包含濕蝕刻製程或乾蝕刻製程。在一實施例中，由於濕蝕刻製程會有側蝕(undercut)之現象產生，可能在移除塊狀元件110的同時，亦對開口120頂部附近的第二半導體層116有部分蝕刻，進而擴大開口120之頂部，如此亦有利於在隨後於開口120中沉積阻障層126及接觸電極128時減少氣泡或缺陷產生。接著，參見第1H圖，移除圖案化光阻層118。

接著，參見第1I圖，於開口120中形成凸出於第二半導體層114外之填充材料122。在一實施例中，填充材料122可與塊狀元件110由相同或類似的材質及方法形成。填充材料122之頂部與第二半導體層114之上表面之間可具有約0.001～0.5 μm之高度差，此高度差係可決定隨後形成之接觸電極124之厚度。

例如，參見第1J圖，接觸電極124形成於第二半導體層116上。接觸電極124可包含歐姆接觸材料(例如：鈀、鉑、鎳、金、銀、或其組合)、透明導電材料(例如：氧化鎳、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁、或氧化鋅錫)、反射層或前述之組合。例如，接觸電極124可為歐姆接觸材料與反射層之結合，以反射由發光層116所發出來的光，增加光萃取效率。在一實施例中，接觸電極124尚可包含一絕緣保護層(未顯示)，此絕緣保護層可由氮化矽、氧化矽、其他介電材料或前述之組合。再者，在一實施例中，接觸電極124與開口120之頂部具有至少5 μm之水平間隔，或例如5～20 μm，較佳為約10 μm。亦即，接觸電極124自開口120的位置內縮了至少5 μm。如此，可有效減少電子載子及電洞載子在接觸電極124附近結合的機率。

接著，參見第1K圖，形成阻障層126順應性地覆蓋開口120之側壁、接觸電極124及第二半導體層116之表面。阻障層126可包含氮化矽、氧化矽、其他介電材料或前述之組合。阻障層126之厚度可為0.01~0.5 μm。阻障層126可在由化學氣相沉積或物理氣相沉積等沉積方法順應性形成於開口120之底部及側壁上後，再經由微影蝕刻製程移除阻障層126之位於開口120底部的部分。

接著，參見第1L圖，形成接觸電極128於開口120中。在一實施例中，接觸電極128可完全覆蓋接觸電極124及第二半導體層116。如此，接觸電極128可包形成於開口中120之突出部分及覆蓋於第二半導體層116及接觸電極124上之水平部分。接觸電極128之突出部分藉由阻障層124與第二半導體層116及發光層114電性隔離，僅經由開口120底部與第一半導體層106電性接觸。接觸電極128之水平部分藉由阻障層124與接觸電極124電性隔離。接觸電極128可包含歐姆接觸材料(例如：鈀、鉑、鎳、金、銀、或其組合)、透明導電材料(例如：氧化鎳、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁、或氧化鋅錫)或前述之組合。

接著，參見第1M圖，形成金屬結合層130於接觸電極128上。金屬結合層130可包含Au、Sn、In、前述之合金或前述之組合。金屬結合層130之厚度可為0.5～10 μm。接著，參見第1N圖，結合承載基板140於金屬結合層130上。承載基板140可為一封裝基板，其上具有已配置好之電路，以使接觸電極128電性連結至外部電路。

接著，參見第1O圖，將成長基板102移除。在一實施實施例中，可以雷射剝離製程將成長基板102剝離(lift-off)。在另一實施例中，可以濕蝕刻製程將成長基板102移除。緩衝層104亦可在移除成長基板102時一併予以移除。

最後，參見第1P圖，於承載基板上140之靠近側邊的位置移除部分的第一半導體層106、發光層112及第二半導體層114以形成一缺口。此缺口暴露出部分的接觸電極122，於暴露的接觸電極124上形成導電墊144，形成如本發明實施例所提供之發光二極體結構。

在此發光二極體結構中，第二半導體層116、發光層114及第一半導體層106依序堆疊於承載基板140上。接觸電極128包含延伸至第一半導體層106中之突出部分及位於第一半導體層116及承載基板102之間的水平部分。阻障層126順應性覆蓋於接觸電極124上，但暴露出接觸電極128之突出部分之頂部。電流阻擋元件112位於阻障層上126上，並圍繞接觸電極128之突出部分至少一部份之側壁，阻擋接觸電極128附近的電流直接向垂直方向流動，而更多的電流為橫向移動，進而降低電流在接觸電極128附近聚集的現象。接觸電極124位於接觸電極128及第二半導體層116之間，與第二半導體層116直接接觸，且藉由阻障層126與接觸電極122電性隔離。接觸電極124藉由導電墊144與外部電路電性連接，接觸電極128則藉由金屬結合層130及承載基板140中的電路與外部電路電性連接。

參見第2A～2C圖，其顯示依照本發明另一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。在本實施例中，相同的標號代表與前述實施例由相同或類似的材料形成。

首先，參見第2A圖，依照如第1A至1C圖之步驟形成於類似於第1C圖之結構，承載基板102上具有緩衝層104及第一半導體層106，第一半導體層106中具有塊狀元件110，其突出於第一半導體層106外或不超過第一半導體層106之上表面。本實施例與前述實施例不同的是，未進行離子佈植程序，而是直接以塊狀元件110為罩幕，以微影蝕刻製程移除塊狀元件110附近的區域，形成開口205，如第2B圖所示。在本實施例中，開口205即為電流阻擋元件212預定形成之區域。

接著，參見第2C圖，形成電流阻擋元件212於開口205中，電流阻擋元件212可由沉積製程(例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍、濺鍍)沉積後，再經微影蝕刻製程形成。電流阻擋元件212之材質可包含各種具有高阻值的氧化物的材料，例如介電常數例如氧化矽、氮化矽、氧化鋅或前述之組合。電流阻擋元件212可為梯形柱體、方形柱體、圓柱體、角錐形柱體或其他任意立體形狀。

隨後，繼續進行與第1E圖至第1P圖相同之步驟，形成完整的發光二極體結構，如第2D圖所示。在此發光二極體結構中，電流阻擋元件212係形成在與前述實施例中之電流阻擋元件112類似的位置，但係由不同材質形成。此外，電流阻擋元件212係僅形成於第一半導體層106中。

參見第3A～3C圖，其顯示依照本發明又一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。在本實施例中，相同的標號代表與前述實施例由相同或類似的材料形成。

首先，參見第3A圖，依照如第1A至1C圖之步驟形成於類似於第1C圖之結構，承載基板102上具有緩衝層104及第一半導體層106，第一半導體層106中具有塊狀元件110，其突出於第一半導體層106外或不超過第一半導體層106之上表面。本實施例與前述實施例不同的是，未進行離子佈植程序，而是直接以非等向性蝕刻移除塊狀元件110之中央部分，形成開口320，且剩餘的塊狀元件即可用於作為電流阻擋元件312。如第3B圖所示，開口320被剩餘的塊狀元件312(即電流阻擋元件)所圍繞，且其底部係暴露出第一半導體層106。塊狀元件110之材質可包含各種具有高阻值的材料，例如氧化矽、氮化矽、氧化鋅或前述之組合。

接著，磊晶成長發光層114及第二半導體層116於第一半導體層106上，並繼續進行如第1I至第1P圖相同之步驟，形成如第3C圖所示之完整的發光二極體結構。值得注意的是，移除塊狀元件110之中央部分的步驟可如同前述實施例所述之佈植程序，在形成發光層114及第二半導體層116後才進行。依照蝕刻條件的不同，可控制電流阻擋元件之大小及形狀。例如，在本實施例中所形成之電流阻擋元件312可為梯形柱體、方形柱體、圓柱體、角錐形柱體或其他任意立體形狀，且其僅可形成於第一半導體層106中，或同時形成於第一半導體層106及發光層114中(未繪示)，亦或同時形成於第一半導體層106、發光層114及第二半導體層116中(未繪示)。

在此發光二極體結構中，電流阻擋元件212係形成在與前述實施例中之電流阻擋元件112類似的位置，但係由不同材質形成。此外，電流阻擋元件312可僅形成於第一半導體層106中，或同時形成於第一半導體層106及發光層114中(未繪示)，亦或同時形成於第一半導體層106、發光層114及第二半導體層116中(未繪示)。此外，值得注意的是，在本實施例中，填充材料122較佳使用與電流阻擋元件312具有不同蝕刻選擇比之材料，以在移除填充材料122時，不會損傷到電流阻擋元件312。

在本發明實施例所提供之發光二極體結構中，由於在接觸電極128與第一半導體層106之接面附近具有高阻值之電流阻擋元件112、212、312，可阻擋電流直接向垂直方向流動，而更多的電流為橫向移動，進而降低電流在接觸電極128附近聚集的現象。此外，由於接觸電極128與接觸電極124之突出部分具有5～20 μm之水平間隔，可有效減少電子載子及電洞載子在接觸電極124附近結合的機率。再者，接觸電極124配置於LED結構之內部，亦可避免接觸電極在LED結構表面上吸光或阻擋光萃取的問題。如上述，本發明實施例所提供之發光二極體結構係可有效改善電流聚集而發光不均的問題，並可提高發光效率。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

102．．．成長基板

104．．．緩衝層

106．．．第一半導體層

108．．．開口

110．．．塊狀元件

112．．．電流阻擋元件

114．．．發光層

116．．．第二半導體層

118．．．圖案化罩幕

120．．．開口

122．．．填充材料

124．．．接觸電極

126．．．阻障層

128．．．接觸電極

130．．．黏著層

140．．．承載基板

144．．．導電墊

205．．．開口

212．．．電流阻擋元件

312．．．電流阻擋元件

320．．．開口

第1A～1P圖顯示為依照本發明一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。

第2A～2D圖顯示為依照本發明另一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。

第3A～3C圖顯示為依照本發明又一實施例之發光二極體結構之製造方法於各種中間製程之剖面圖。

106．．．第一半導體層

112．．．電流阻擋元件

114．．．發光層

116．．．第二半導體層

124．．．接觸電極

126．．．阻障層

128．．．接觸電極

130．．．黏著層

140．．．承載基板

144．．．導電墊

Claims (26)

1. 一種發光二極體之結構，包括：一基板，其上具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層，其中該發光層及該第一半導體層依序堆疊於該第二半導體層上，且該第一及該第二半導體層具有相反之導電型態；一第一接觸電極，位於第一半導體層與該基板之間，並具有一突出部分延伸至該第二半導體層中；一阻障層，順應性覆蓋於該第一接觸電極上，且暴露出該突出部分之頂部；一電流阻擋元件，位於該阻障層上，並圍繞該突出部分之至少一部份之側壁；以及一第二接觸電極，位於該第一半導體層及該第一接觸電極之間，與該第一半導體層直接接觸，且藉由該阻障層與該第一接觸電極電性隔離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件包含由矽、鎂或前述之組合所摻雜之第一半導體層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件包含氬或氧離子。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件包含由矽、鎂或前述之組合所摻雜之第二半導體層。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件包含氬或氧離子。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件包含氧化矽、氮化矽、氧化鋅或前述之組合。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件位於該第一半導體層中。
8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件位於該第一半導體層及該發光層中。
9. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體之結構，其中該電流阻擋元件位於該第一半導體層、該發光層中及該第二半導體層中。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之結構，其中該第一接觸電極及該第二接觸電極之間具有至少5μm之間隔。
11. 一種發光二極體結構之製造方法，包括：提供一第一基板，其上具有一第一半導體層；形成一第一開口於該第一半導體層中；形成一塊狀元件於該第一開口中；依序形成一發光層及一第二半導體層於該第一半導體上，其中該第二半導體層具有與該第一半導體層相反之摻雜型態；形成一電流阻擋元件，其中形成該電流阻擋元件之步驟中包含移除至少一部分之該塊狀元件，以形成一暴露出該第一半導體層之第二開口，且其中至少一部分之該第二開口係被該電流阻擋元件所圍繞；形成一第一接觸電極於該第二半導體層之上表面上；形成一阻障層順應性覆蓋該第一接觸電極及該第二開口；形成一第二接觸電極覆蓋該第一接觸電極及該第二開口；以及形成一第二基板於該第二接觸電極上，並移除該第一基板。
12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該電流阻擋元件包含經一佈植程序摻雜矽及鎂之第一半導體層。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該形成該電流阻擋元件之步驟更包含：在形成該第二開口之前，以該塊狀元件為罩幕對該第一半導體層進行該佈植程序；及在形成該發光層及該第二半導體層後，移除該塊狀元件。
14. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該形成該電流阻擋元件之步驟更包含：在形成該第二開口之前，以該塊狀元件為罩幕對該第一半導體層、該發光層及該第二半導體層進行一佈植程序；及在形成該發光層及該第二半導體層後，移除該塊狀元件。
15. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該佈植程序更包含佈植氧或氬。
16. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該佈植程序包含離子轟擊法。
17. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該電流阻擋元件包含經一佈植程序摻雜矽及鎂之第二半導體層。
18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該形成該電流阻擋元件之步驟更包含：在形成該發光層及該第二半導體層後，以該塊狀元件為罩幕對該第二半導體層進行一佈植程序；及移除該塊狀元件，以形成該第二開口。
19. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該佈植程序更包含佈植氧及氬。
20. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該電流阻擋元件包含氧化矽、氮化矽、氧化鋅或前述之組合。
21. 如申請專利範圍第20項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該形成該電流阻擋元件之步驟更包含：在形成該第二開口之前，以一微影蝕刻製程於該塊狀元件附近形成一第三開口；及形成該電流阻擋元件於該第三開口中。
22. 如申請專利範圍第20項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該形成該電流阻擋元件之步驟包含僅移除一部分的該塊狀元件，以使剩餘的該塊狀元件形成該電流阻擋元件。
23. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該塊狀元件之頂部高於或對齊於該第一半導體層之上表面。
24. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該塊狀元件之頂部低於該第二半導體層之上表面。
25. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體結構之製造方法，其中形成該發光層及該第二半導體層時，該發光層及該第二半導體層實質上不會覆蓋該塊狀元件之頂部。
26. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構之製造方法，其中該第一接觸電極及該第二接觸電極之間具有至少5μm之間隔。