TWI479686B - 發光二極體 - Google Patents

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TWI479686B
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Description

發光二極體
本發明有關於一種發光二極體及其製造方法，且特別是有關一種具有高度發光效率之發光二極體及其製造方法。
時至今日，發光二極體的應用領域已甚為廣泛，例如按鍵系統、手機螢幕背光模組、車輛照明系統、裝飾用燈飾及遙控領域等產品，皆見到發光二極體被廣泛地應用。為了讓發光二極體儘可能地確保較高的功能可靠性以及較低的能源消耗，因此對於發光二極體需要求其本身的發光效率。
請參閱圖一。圖一係繪示一習知的發光二極體1。如圖一所示，該發光二極體1包含一基板10、一N-type氮化鎵層11、一發光層12、一P-type氮化鎵層13以及電極14、15。為了導通P-type氮化鎵層13及N-type氮化鎵層11以使該發光二極體1運作，電極15係形成於於P-type氮化鎵層13上，電極14係形成於N-type氮化鎵層11上。
理論上，發光二極體的發光效率與其本身的內部量子效率及光取出效率(light-extraction efficiency)有關。所謂的內部量子效率係由材料特性及品質所決定。至於光取出效率則是意謂從發光二極體內部發出至周圍空氣或是封裝的環氧樹脂內之輻射比例。雖然到目前為止已經有許多種不同結構的發光二極體被提出，但是如何充份提高發光二極體之光取出效率及發光效率仍然是亟待克服的問題。
本發明之一範疇在於提供一種具有高度發光效率之發光二極體。
根據本發明之一具體實施例，該發光二極體包含一基板、一第一傳導型態半導體層、一透明絕緣材料、一發光層、一第二傳導型態半導體層、一第一透明導電層、一第二透明導電層、一第一電極以及一第二電極。
該第一傳導型態半導體層形成於基板上並具有一上表面，且上表面包含一第一區域以及被第一區域圍繞之一第二區域。特別地，複數個柱狀孔洞形成於第一區域並往第一傳導型態半導體層內延伸。該透明絕緣材料填充於該複數個柱狀孔洞中，以大致上同高於該複數個柱狀孔洞。
此外，該發光層形成於第二區域上，而第二傳導型態半導體層則形成於該發光層上。第一透明導電層形成於第二傳導型態半導體層上。該第二透明導電層形成於透明絕緣材料之一頂表面上及第一區域上。此外，第一電極形成於第一透明導電層上，而第二電極則形成於第二透明導電層上。
本發明之一範疇在於提供一種具有高度發光效率之發光二極體。
根據本發明之一具體實施例，該發光二極體包含一基板、一第一傳導型態半導體層、一發光層、一第二傳導型態半導體層、一第一透明導電層、一第二透明導電層、一第一電極以及一第二電極。
該第一傳導型態半導體層形成於基板上並具有一上表面，且上表面包含一第一區域以及被第一區域圍繞之一第二區域。發光層形成於該第二區域上，而第二傳導型態半導體層形成於該發光層上。第一透明導電層形成於該第二傳導型態半導體層上。第二透明導電層形成於該第一區域上，其中複數個柱狀孔洞形成於該第二透明導電層並往該第一傳導型態半導體層內延伸。於一實施例中，一透明絕緣材料填充於該複數個柱狀孔洞中以大致上同高於該複數個柱狀孔洞。第一電極形成於該第一透明導電層上，而第二電極形成於該第二透明導電層上。
本發明之一範疇在於提供一種具有高度發光效率之發光二極體。
根據本發明之一具體實施例，該發光二極體包含一基板、一第一傳導型態半導體層、一發光層、一第二傳導型態半導體層、一第一透明導電層、一第二透明導電層、一第一電極以及一第二電極。
其中該第一傳導型態半導體層形成於基板上並具有一上表面，且上表面包含一第一區域以及被第一區域圍繞之一第二區域。其中複數個柱狀孔洞形成於第一區域並往第一傳導型態半導體層內延伸。
此外，該發光二極體之發光層形成於第二區域上，而第二傳導型態半導體層形成於發光層上，並且第一透明導電層形成於第二傳導型態半導體層上。第二透明導電層披覆於複數個柱狀孔洞之表面上及第一區域上。第一電極形成於第一透明導電層上，而第二電極形成於第二透明導電層上。
相較於習知技術，由於本發明之發光二極體包含如前述之複數個柱狀孔洞，因此可增加發光二極體之光取出率。進一步來說，填充具有高折射率的透明絕緣材料於該複數個柱狀孔洞中不但可降低光線於發光二極體內之全反射現象，且可增加元件的抗破壞強度。此外，透明導電層之披覆可使發光二極體之驅動電流的分佈圍繞主要發光區，因而具有電流擴散效果佳、發光之均勻性佳以及降低瞬間放電之問題。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
請參閱圖二A。圖二A係繪示根據本發明之一具體實施例的發光二極體5之截面視圖。
發光二極體5包含一基板50、一第一傳導型態半導體層52、一透明絕緣材料54、一發光層56、一第二傳導型態半導體層58、一第一透明導電層60、一第二透明導電層62、一第一電極64以及一第二電極66。
第一傳導型態半導體層52形成於基板50上並具有一上表面，且上表面包含一第一區域5200以及被第一區域5200圍繞之一第二區域5202。其中，複數個柱狀孔洞53形成於第一區域5200並往第一傳導型態半導體層52內延伸，並且該透明絕緣材料54填充於該複數個柱狀孔洞53中，以大致上同高於該複數個柱狀孔洞53。於實際應用中，基板50其上定義有切割道(未顯示於圖二A中)，而大部份的柱狀孔洞53之位置大致上可位於切割道之上。
發光層56形成於第二區域5202上，而第二傳導型態半導體層58形成於該發光層56上，並且第一透明導電層60形成於第二傳導型態半導體層58上。
於實際應用中，第一傳導型態半導體層52、發光層56及第二傳導型態半導體層58可由氮化物材料所製成。並且，於一較佳具體實施例中，透明絕緣材料54之折射率介於空氣之折射率與該氮化物材料之折射率之間。
第二透明導電層62形成於透明絕緣材料54之頂表面上及第一區域5200上。此外，第一電極64形成於第一透明導電層60上，而第二電極66則形成於第二透明導電層62上。於一較佳具體實施例中，發光二極體5進一步包含形成於基板50之底表面上之一反射層59，促使發光二極體5向上出光。
需注意的是，該複數個柱狀孔洞53之表面輪廓可以經過設計以進一步增加發光二極體之光取出率。於一較佳具體實施例中，該複數個柱狀孔洞53之側壁及底部係粗糙化，如圖二B所示。於另一較佳具體實施例中，該複數個柱狀孔洞53之截面可呈現反梯形，如圖二C所示。
請參閱圖二D。圖二D係繪示圖二A之發光二極體5於另一較佳具體實施例之截面視圖。如圖二D所示，第一透明導電層60之局部被移除，致使第二傳導型態半導體層58之頂表面部份外露。第一電極64形成於第二傳導型態半導體層58之外露的頂表面上並與第一透明導電層60接觸。此外，第二透明導電層62之局部被移除，致使第一傳導型態半導體層52之上表面中之第一區域5200係部份外露。第二電極66形成於該外露的第一區域5200上並與第二透明導電層62接觸。
請一併參見圖三A至圖三H。圖三A至圖三H係繪示上述具體實施例的發光二極體5之製造方法之截面視圖。
首先，如圖三A所示，該方法連續地形成第一傳導型態半導體層52、發光層56及第二傳導型態半導體層58於基板50上以製備一半導體堆疊結構51。於一較佳具體實施例中，該方法進一步形成反射層59於基板50之底表面上，促使發光二極體5向上出光。
接著，如圖三B所示，執行一第一蝕刻製程於圖三A所示之半導體堆疊結構51上，直到第一傳導型態半導體層52之一上表面中之一周圍區域5204露出。請一併參閱圖三I，其繪示圖三B所示結構之上視圖。特別要注意的是，圖三I中之周圍區域5204即為圖二A中所指之第一區域5200，而虛線所指之處可代表基板其上定義的切割道位置。
接著，如圖三C所示，執行一第二蝕刻製程於該露出的周圍區域5204上，致使複數個柱狀孔洞53形成於周圍區域5204並往第一傳導型態半導體層52內延伸。請一併參閱圖三J，其繪示圖三C所示結構之上視圖，而複數個柱狀孔洞53可均勻地分佈在周圍區域5204上。比對圖三I及圖三J可知，大部份的柱狀孔洞53之位置大致上可位於切割道之上。
另外，於一具體實施例中，該複數個柱狀孔洞53可構成至少一環狀圈以圍繞該發光層，且每一環狀圈由複數個柱狀孔洞53大致上彼此相連而構成。如圖三K所示，複數個柱狀孔洞53可以排列成內外兩層環狀圈的圖形，以確保複數個柱狀孔洞53儘可能將發光層射出之光線全部導向發光二極體之出光面。
接著，如圖三D所示，該方法將透明絕緣材料54佈滿圖三C所示之整個元件，包含填充於複數個柱狀孔洞53中。
接著，如圖三E所示，該方法可利用選擇性的蝕刻方式去除多餘的絕緣材料54，致使填充於複數個柱狀孔洞53中之透明絕緣材料54大致上同高於複數個柱狀孔洞53。
接著，如圖三F所示，形成透明導電層60以佈滿圖三E所示之整個元件上。
接著，如圖三G所示，該方法可利用蝕刻的方式去除中央堆疊結構之側壁上的透明導電層60，與介於中央堆疊結構和柱狀孔洞53間之透明導電層60，目的為防止漏電。
最後，如圖三H所示，分別形成第一電極64與第二電極66於中央堆疊結構上之透明導電層60上與周圍區域上之透明導電層60上。
請參見圖四A至圖四I。圖四A至圖四I係繪示根據本發明之另一具體實施例的發光二極體之製造方法之截面視圖。
首先，如圖四A所示，該方法連續地形成第一傳導型態半導體層52、發光層56及第二傳導型態半導體層58於基板50上以製備一半導體堆疊結構51。於一較佳具體實施例中，該方法進一步形成反射層59於基板50之底表面上，促使發光二極體5向上出光。
接著，如圖四B所示，執行一蝕刻製程於圖四A所示之半導體堆疊結構51上，直到第一傳導型態半導體層52之一上表面中之一周圍區域5204露出。
接著，如圖四C所示，形成透明導電層60'以佈滿圖四B所示之整個元件上。
然後，如圖四D所示，該方法可利用蝕刻的方式去除中央堆疊結構之側壁上的透明導電層60'。
然後，如圖四E所示，執行一蝕刻製程於周圍區域上之透明導電層60'上，致使複數個柱狀孔洞53形成於透明導電層60'並往該第一傳導型態半導體層52內延伸。
之後，如圖四F所示，分別形成第一電極64與第二電極66於中央堆疊結構上之透明導電層60'上與周圍區域上之透明導電層60'上。
於一具體實施例中，在圖四E所示之步驟後，該方法將透明絕緣材料54佈滿圖四E所示之整個元件，包含填充於複數個柱狀孔洞53中，如圖四G所示。
下一步，如圖四H所示，該方法可利用選擇性的蝕刻方式去除多餘的絕緣材料54，致使填充於複數個柱狀孔洞53中之透明絕緣材料54大致上同高於該複數個柱狀孔洞53。之後，如圖四I所示，分別形成第一電極64與第二電極66於中央堆疊結構上之透明導電層60'上與周圍區域上之透明導電層60'上。
請參閱圖四J。圖四J係繪示圖四I之發光二極體於另一較佳具體實施例之截面視圖。基本上，圖四J中關於第一電極64和第二電極66的設置方式與圖二D相同，在此便不再贅述。
請參閱圖五A。圖五A係繪示根據本發明之一具體實施例的發光二極體9之截面視圖。
發光二極體9包含一基板90、一第一傳導型態半導體層92、一發光層96、一第二傳導型態半導體層98、一第一透明導電層100、一第二透明導電層102、一第一電極104以及一第二電極106。
第一傳導型態半導體層92形成於基板90上並具有一上表面，且上表面包含一第一區域9200以及被第一區域9200圍繞之一第二區域9202。其中，複數個柱狀孔洞93形成於第一區域9200，並往第一傳導型態半導體層92內延伸。於實際應用中，基板其上定義有切割道(未顯示於圖五中)，而大部份的柱狀孔洞之位置大致上可位於切割道之上。
如圖五A所示，發光層96形成於第二區域9202上，而第二傳導型態半導體層98形成於發光層96上。第一透明導電層100形成於第二傳導型態半導體層98上，而第二透明導電層102披覆於複數個柱狀孔洞93之表面上及第一區域9200上。特別注意的是，於實際應用中，第二透明導電層102可進一步填滿於複數個柱狀孔洞中，如圖五B所示。
如圖五A所示，第一電極104形成於第一透明導電層100上，而第二電極106形成於第二透明導電層102上。於一較佳具體實施例中，發光二極體9進一步包含形成於基板90之底表面上之一反射層99，促使發光二極體9向上出光。
需注意的是，該複數個柱狀孔洞93之表面輪廓可以經過設計以進一步增加發光二極體之光取出率。於一較佳具體實施例中，該複數個柱狀孔洞53之側壁及底部係粗糙化(請再參閱圖二B所示)。於另一較佳具體實施例中，該複數個柱狀孔洞93之截面可呈現反梯形(請再參閱圖二C所示)。
請參閱圖五C及圖五D。圖五C係繪示圖五A之發光二極體9於另一較佳具體實施例之截面視圖。圖五D係繪示圖五B之發光二極體9於另一較佳具體實施例之截面視圖。基本上，圖五C及圖五D中關於第一電極104和第二電極106的設置方式與圖二D相同，在此便不再贅述。
請一併參見圖六A至圖六F。圖六A至圖六F係繪示上述具體實施例的發光二極體9之製造方法之截面視圖
首先，如圖六A所示，該方法連續地形成第一傳導型態半導體層92、發光層96及第二傳導型態半導體層98於基板90上以製備一半導體堆疊結構91。並且，於一較佳具體實施例中，該方法進一步形成反射層99於基板90之底表面上，促使發光二極體9向上出光。
接著，如圖六B所示，執行第一蝕刻製程於圖六A所示之半導體堆疊結構91上，直到第一傳導型態半導體層92之一上表面中之一周圍區域9204露出。
接著，如圖六C所示，執行第二蝕刻製程於露出的周圍區域9204上，致使複數個柱狀孔洞93形成於該周圍區域並往第一傳導型態半導體層92內延伸。於實際應用中，基板90其上定義有切割道，而複數個柱狀孔洞93之位置大致上可位於切割道之上。
接著，如圖六D所示，形成透明導電層100以佈滿圖六C所示之整個元件上。
接著，如圖六E所示，該方法可利用蝕刻的方式去除中央堆疊結構之側壁上的透明導電層100，與介於中央堆疊結構和柱狀孔洞93間之透明導電層100。特別注意的是，於實際應用中，透明導電層100可進一步填滿於複數個柱狀孔洞93，如圖五B所示。
最後，如圖六F所示，分別形成第一電極104與第二電極106於中央堆疊結構上之透明導電層100上與周圍區域上之透明導電層100上。
相較於習知技術，由於本發明之發光二極體包含如前述之複數個柱狀結構或複數個柱狀孔洞，因此可增加發光二極體之光取出率。進一步來說，填充具有高折射率的透明絕緣材料於該複數個柱狀結構之間的間隙中或複數個柱狀孔洞中不但可降低光線於發光二極體內之全反射現象，且可增加元件的抗破壞強度。此外，透明導電層之披覆可使發光二極體之驅動電流的分佈圍繞主要發光區，因而具有電流擴散效果佳、發光之均勻性佳以及降低瞬間放電之問題。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。因此，本發明所申請之專利範圍的範疇應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
1、5、9．．．發光二極體
10．．．基板
11．．．N-type氮化鎵層
12．．．發光層
13．．．P-type氮化鎵層
14、15．．．電極
50、90．．．基板
52、92．．．第一傳導型態半導體層
5200、9200．．．第一區域
5202、9202．．．第二區域
5204、9204．．．周圍區域
54．．．透明絕緣材料
56、96．．．發光層
58、98．．．第二傳導型態半導體層
51、91．．．半導體堆疊結構
60、60'、100、62、62'、102．．．透明導電層
64、104．．．第一電極
66、106．．．第二電極
59、99．．．反射層
53、93．．．柱狀孔洞
圖一係繪示一習知的發光二極體。
圖二A係繪示根據本發明之一具體實施例之發光二極體之截面視圖。
圖二B係繪示柱狀孔洞之表面粗糙化之截面視圖。
圖二C係繪示柱狀孔洞之截面呈現反梯形之截面視圖。
圖二D係繪示圖二A之發光二極體於另一較佳具體實施例之截面視圖。
圖三A至圖三H係繪示圖二A的發光二極體之製造方法之截面視圖。
圖三I係繪示圖三B所示結構之上視圖。
圖三J係繪示圖三C所示結構之上視圖。
圖三K係繪示柱狀孔洞排列成內外兩層環狀圈之上視圖。
圖四A至圖四I係繪示根據本發明之另一具體實施例的發光二極體之製造方法之截面視圖。
圖四J係繪示圖四I之發光二極體於另一較佳具體實施例之截面視圖。
圖五A係繪示根據本發明之一具體實施例的發光二極體之截面視圖。
圖五B係繪示根據本發明之一具體實施例的發光二極體之截面視圖。
圖五C係繪示圖五A之發光二極體於另一較佳具體實施例之截面視圖。
圖五D係繪示圖五B之發光二極體於另一較佳具體實施例之截面視圖。
圖六A至圖六F係繪示圖五A的發光二極體之製造方法之截面視圖。
5．．．發光二極體
50．．．基板
52．．．第一傳導型態半導體層
5200．．．第一區域
5202．．．第二區域
53．．．柱狀孔洞
54．．．透明絕緣材料
56．．．發光層
58．．．第二傳導型態半導體層
60．．．第一透明導電層
62．．．第二透明導電層
64．．．第一電極
66．．．第二電極
59．．．反射層

Claims (32)

  1. 一種發光二極體，包含：一基板；一第一傳導型態半導體層，形成於該基板上並具有一上表面，且該上表面包含一第一區域以及一第二區域，其中複數個柱狀孔洞形成於該第一區域並往該第一傳導型態半導體層內延伸，且該複數個柱狀孔洞僅形成於該第一傳導型態半導體層中；一透明絕緣材料，填充於該複數個柱狀孔洞中；一發光層，形成於該第二區域上；一第二傳導型態半導體層，形成於該發光層上；一第一透明導電層，形成於該第二傳導型態半導體層上；以及一第二透明導電層，形成於該透明絕緣材料之一頂表面上及該第一區域上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該基板其上定義一切割道，而該複數個柱狀孔洞之位置係大致上位於該切割道之上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第一傳導型態半導體層、該發光層及該第二傳導型態半導體層皆由一氮化物材料所製成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體，其中該透明絕緣材料之折射率介於空氣之折射率與該氮化物材料之折射率之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，進一步包含形成於該基板之一底表面上之一反射層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之表面係粗糙化。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之截面呈現反梯形。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞構成至少一環狀圈以圍繞該發光層，且每一環狀圈由複數個柱狀孔洞大致上彼此相連而構成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該透明絕緣材料填充於該複數個柱狀孔洞中以大致上同高於該複數個柱狀孔洞。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，該第一電極形成於該第一透明導電層上，而該第二電極形成於該第二透明導電層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，其中該第一透明導電層之局部被移除，致使該第二傳導型態半導體層之頂表面部份外露，該第一電極形成於該第二傳導型態半導體層之外露的頂表面上並與該第一透明導電層接觸，該第二透明導電層之局部被移除，致使該第一區域係部份外露，該第二電極形成於該外露的第一區域上並與該第二透明導電層接觸。
  12. 一種發光二極體，包含：一基板；一第一傳導型態半導體層，形成於該基板上並具有一上表面，且該上表面包含一第一區域以及被該第一區域圍繞之一第二區域；一發光層，形成於該第二區域上；一第二傳導型態半導體層，形成於該發光層上；一第一透明導電層，形成於該第二傳導型態半導體層上；以及一第二透明導電層，形成於該第一區域上，其中複數個柱狀孔洞形成於該第二透明導電層並往該第一傳導型態半導體層內延伸。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，進一步包含一透明絕緣材料，填充於該複數個柱狀孔洞中。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體，其中該透明絕緣材料填充於該複數個柱狀孔洞中以大致上同高於該複數個柱狀孔洞。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中該基板其上定義一切割道，而該複數個柱狀孔洞之位置係大致上位於該切割道之上。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中該第一傳導型態半導體層、該發光層及該第二傳導型態半導體層皆由一氮化物材料所製成。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體，其中該透明絕緣材料之折射率介於空氣之折射率與該氮化物材料之折射率之間。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，進一步包含形成於該基板之一底表面上之一反射層。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之表面係粗糙化。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之截面呈現反梯形。
  21. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞構成至少一環狀圈以圍繞該發光層，且每一環狀圈由複數個柱狀孔洞大致上彼此相連而構成。
  22. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，該第一電極形成於該第一透明導電層上，而該第二電極形成於該第二透明導電層上。
  23. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，其中該第一透明導電層之局部被移除，致使該第二傳導型態半導體層之頂表面部份外露，該第一電極形成於該第二傳導型態半導體層之外露的頂表面上並與該第一透明導電層接觸，該第二透明導電層之局部被移除，致使該第一區域係部份外露，該第二電極形成於該外露的第一區域上並與該第二透明導電層接觸。
  24. 一種發光二極體，包含：一基板；一第一傳導型態半導體層，形成於該基板上並具有一上表面，且該上表面包含一第一區域以及被該第一區域圍繞之一第二區域，其中複數個柱狀孔洞形成於該第一區域並往該第一傳導型態半導體層內延伸；一發光層，形成於該第二區域上；一第二傳導型態半導體層，形成於該發光層上；一第一透明導電層，形成於該第二傳導型態半導體層上；以及一第二透明導電層，披覆於該複數個柱狀孔洞之表面上及該第一區域上。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該基板其上定義一切割道，而該複數個柱狀孔洞之位置係大致上位於該切割道之上。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該第二透明導電層進一步填滿於該複數個柱狀孔洞中。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，進一步包含形成於該基板之一底表面上之一反射層。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之表面係粗糙化。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞之截面呈現反梯形。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該複數個柱狀孔洞構成至少一環狀圈以圍繞該發光層，且每一環狀圈由複數個柱狀孔洞大致上彼此相連而構成。
  31. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，該第一電極形成於該第一透明導電層上，而該第二電極形成於該第二透明導電層上。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，進一步包含一第一電極以及一第二電極，其中該第一透明導電層之局部被移除，致使該第二傳導型態半導體層之頂表面部份外露，該第一電極形成於該第二傳導型態半導體層之外露的頂表面上並與該第一透明導電層接觸，該第二透明導電層之局部被移除，致使該第一區域係部份外露，該第二電極形成於該外露的第一區域上並與該第二透明導電層接觸。
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