JP2016523455A - オプトエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
100 オプトエレクトロニクス半導体チップ
101 上面
102 下面
110 第1の電気的接触領域
120 第2の電気的接触領域
150 ウェハ集合体
200 マスキング層
201 上面
202 下面
210 空きスペース
300 キャリア
301 表面
310 第1の電気的接触面
311 第2の電気的接触面
315 絶縁体
320 壁
330 収容領域
335 周辺領域
340 分割面
400 光反射材料
410 高さ
500 波長変換材料
501 上面
502 下面
600 ポッティング材
Claims (15)
- − オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)の上面(101)にマスキング層(200)を配置する形でオプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を形成するステップと、
− 収容領域(330)の側方境界となる壁(320)をキャリア(300)の表面(301)に配置する形でキャリア(300)を形成するステップと、
− 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)の下面(102)が前記キャリア(300)の前記表面(301)に対向するよう、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を前記収容領域(330)に配置するステップと、
− 前記収容領域(330)内の前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を包囲する領域(335)を、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)の前記上面(101)と前記マスキング層(200)の上面(201)との間に位置する高さ(410)まで光反射材料(400)で満たすステップと、
− 前記光反射材料(400)内に空きスペース(210)を作るために前記マスキング層(200)を除去するステップと、
− 前記空きスペース(210)内に波長変換材料(500)を導入するステップと、を含む、オプトエレクトロニクス部品(10)の製造方法。 - − 前記光反射材料(400)と前記波長変換材料(500)との上に光透過性ポッティング材(600)を配置するさらなるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光透過性ポッティング材(600)にシリコーンが含まれる、請求項2に記載の方法。
- 前記光反射材料(400)および/または前記波長変換材料(500)にシリコーンが含まれる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光反射材料(400)にTiO2が含まれる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記収容領域(330)内の前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を包囲する領域(335)が、非接触式分注により満たされる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記波長変換材料(500)に、埋設された蛍光体が含まれる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記波長変換材料(500)は、前記空きスペース(210)にニードル式分注により導入される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスキング層(200)は溶解により除去される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を形成するステップは、
− 複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を有するウェハ集合体(150)を形成するステップと、
− 前記ウェハ集合体(150)の上面にマスキング層(200)を配置するステップと、
− 前記複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を個片化するステップと、を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記マスキング層(200)は、ポリビニルアセテートまたはフォトレジストを使用して作製される、請求項10に記載の方法。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)は、前記下面(102)に第1の電気的接触領域(110)を配置する形で形成され、
前記キャリア(300)は、前記収容領域(330)内の前記表面(301)に第1の電気的接触面(310)を配置する形で形成され、
前記収容領域(330)内に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)を配置するときに、前記第1の電気的接触領域(110)は、前記第1の電気的接触面(310)に電気接続される、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(100)は、前記上面(101)に第2の電気的接触領域を配置する形で形成され、
前記キャリア(300)は、前記収容領域(330)内の前記表面(301)に第2の電気的接触面を配置する形で形成され、
前記第2の電気的接触領域内の前記マスキング層(200)は除去され、
前記第2の接触領域は、前記第2の接触面にワイヤボンディングによって接続される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。 - 前記キャリア(300)は、前記表面(301)に複数の収容領域(330)を配置する形で形成され、
− 複数のオプトエレクトロニクス部品(10)を得る目的で、前記キャリア(300)を分割するさらなるステップを含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。 - 前記キャリア(300)は、その前記表面(301)に配置されている前記壁(320)を貫いて延在している分割面(340)に沿って分割される、請求項14に記載の方法。
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