DE102022102431A1 - Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils - Google Patents

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Gunnar Petersen
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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben mit einem Träger, zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip, welcher auf dem Träger angeordnet ist, und einem Gehäuse, welches einen Formkörper aufweist, wobei das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umgibt, wobei auf mindestens einer Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips eine reflektierende Schicht angeordnet ist. Außerdem wir ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.

Description

  • Es werden ein optoelektronisches Bauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
  • Optoelektronische Bauteile, wie strahlungsaussendende oder strahlungsempfangende Bauteile, zum Beispiel lichtemittierende Dioden (LEDs) oder Detektoren werden in vielen Anwendungen eingesetzt. Ein optoelektronisches Bauteil umfasst beispielsweise einen Träger, einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich und ein Gehäuse. Eine Funktion des Gehäuses ist es, eine höhere Robustheit und eine höhere Lebensdauer des optoelektronischen Bauteils zu bieten. Gehäuse, die mit ultravioletter (UV) Strahlung bestrahlt werden, leiden häufig unter einer verkürzten Lebensdauer, da die UV-Strahlung das Gehäuse angreift.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, das besonders effizient betrieben werden kann. Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils, das besonders effizient Betrieben werden kann, anzugeben.
  • Die Aufgaben werden durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, umfasst das optoelektronische Bauteil einen Träger. Der Träger kann zum Beispiel aus einem Aufwachssubstrat bestehen oder ein Aufwachssubstrat enthalten. Der Träger kann ein Keramik-Material aufweisen oder es kann sich bei dem Träger um ein Keramiksubstrat handeln. Alternativ kann es sich bei dem Träger um eine andere mechanisch tragende Komponente des optoelektronischen Bauteils handeln. Weiterhin kann der Träger eine elektrische Kontaktierung umfassen. Mit dieser kann das optoelektronische Bauteil beispielsweise von der Rückseite elektrisch kontaktiert werden. Dabei kann ein Teil der elektrischen Kontaktierung auf der Unterseite des Trägers angeordnet sein. Dieser Teil der elektrischen Kontaktierung stellt eine elektrische Rückseitenkontaktierung des optoelektronischen Bauteils dar. Ein weiterer Teil der elektrischen Kontaktierung kann auf der Oberseite des Trägers angeordnet sein. Die Teile der elektrischen Kontaktierung auf der Ober- und Unterseite des Trägers sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Ferner kann der Träger auch eine Beschichtung aufweisen.
  • Bei dem Träger kann es sich um einen dreidimensionalen Körper handeln, welcher beispielsweise zumindest näherungsweise die Form eines Quaders, eines Zylinders oder einer Scheibe aufweist. Der Träger kann eine Haupterstreckungsebene aufweisen. Die Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft parallel zu einer Oberfläche, zum Beispiel einer Deckfläche, des Trägers.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, umfasst das optoelektronische Bauteil zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip, welcher auf dem Träger angeordnet ist. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich zum Beispiel um einen Lumineszenzdiodenchip, beispielsweise ein Leuchtdiodenchip, handeln. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dazu ausgelegt sein, im Betrieb elektromagnetische Strahlung abzustrahlen. Zum Beispiel kann der optoelektronische Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Bereich abstrahlen. Diese Abstrahlung kann insbesondere in eine Richtung erfolgen, in welcher der optoelektronische Halbleiterchip nicht von einem Gehäuse oder vom Träger umgeben ist. Alternativ kann der optoelektronische Halbleiterchip auch dazu geeignet sein, elektromagnetische Strahlung zu empfangen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann auf dem Teil der elektrischen Kontaktierung des Trägers angeordnet sein, welcher auf der Oberseite des Trägers angeordnet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip wird dadurch elektrisch kontaktiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, umfasst das optoelektronische Bauteil ein Gehäuse welches einen Formkörper aufweist, wobei das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umgibt. Zum Beispiel kann der Formkörper mittels Gieß-, Spritz- oder Pressverfahren an den optoelektronischen Halbleiterchip angeformt werden. Der Formkörper kann eine Formmasse aufweisen oder komplett aus der Formmasse bestehen. Bei der Formmasse kann es sich beispielsweise, aber nicht notwendigerweise ausschließlich, um ein Polymer, Epoxid oder Silikon handeln. Dass das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umgibt, kann bedeuten, dass das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip in lateralen Richtungen, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers verlaufen, zumindest teilweise umgibt. Das kann bedeuten, dass sich das Gehäuse in lateralen Richtungen zumindest stellenweise um den optoelektronischen Halbleiterchip herum erstreckt. Das Gehäuse kann den optoelektronischen Halbleiterchip in lateralen Richtungen vollständig umgeben. Das Gehäuse kann beabstandet zum optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet sein. Weiterhin kann durch das Gehäuse ein mechanisch robustes optoelektronisches Bauteil ermöglicht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, ist auf mindestens einer Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips eine reflektierende Schicht angeordnet. Die reflektierende Schicht kann optisch reflektierend ausgeprägt sein. Bei der reflektierenden Schicht kann es sich um eine Schicht mit einer Reflektivität von mehr als 40%, beispielsweise mehr als 50%, insbesondere mehr als 80%, bevorzugt mehr als 90% und besonders bevorzugt mehr als 95%, insbesondere nahezu 100% handeln. Diese Reflektivität kann beispielsweise für einen großen Bereich des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung oder alternativ nur für bestimmte Wellenlängenbereiche erreicht werden. Alternativ oder zusätzlich kann die reflektierende Schicht eine geringe Transmission aufweisen. Die Transmission kann höchstens 20%, beispielsweise höchstens 10% oder insbesondere höchstens 1% betragen. Diese Transmission kann beispielsweise für einen großen Bereich des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung oder alternativ nur für bestimmte Wellenlängenbereiche erreicht werden. Bei einem Wellenlängenbereich kann es sich beispielsweise um den UV-C Bereich, also einen Wellenlängenbereich von 100nm - 280nm handeln. Für diesen Wellenlängenbereich kann die reflektierende Schicht eine der genannten Reflektivitäten und /oder Transmissionen aufweisen.
  • Die reflektierende Schicht kann aus einem Metall bestehen oder ein Metall enthalten. Die reflektierende Schicht kann zum Beispiel Gold, bevorzugt Rhodium und besonders bevorzugt Aluminium aufweisen. Die reflektierende Schicht kann zu mindestens 90 % ihres Volumens aus Gold, Rhodium oder Aluminium bestehen.
  • Alternativ kann es sich bei der reflektierenden Schicht beispielsweise um einen Spiegel handeln. Die reflektierende Schicht könnte also beispielsweise einen dielektrischen Spiegel, einen Hybrid- oder Multischicht-Spiegel aufweisen. Eine reflektierende Seite des Spiegels kann insbesondere dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandt sein.
  • Die reflektierende Schicht kann eine Dicke von wenigstens 20 nm, beispielsweise zumindest 50 nm aufweisen. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht eine Dicke von wenigstens Ipm aufweisen.
  • Die mindestens eine Seitenfläche bezeichnet eine Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Die Seitenfläche ist daher ein Teil des optoelektronischen Halbleiterchips. Bei der mindestens einen Seitenfläche handelt es sich bevorzugt um eine Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, welche senkrecht oder quer zur Haupterstreckungsebene des Trägers angeordnet ist. Ferner handelt es sich bei der Seitenfläche um eine Fläche, aus der keine Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen Träger, zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip, an dessen mindestens einer Seitenfläche eine reflektierende Schicht angeordnet ist, und welcher auf dem Träger angeordnet ist, und ein Gehäuse, welches einen Formkörper aufweist und den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umgibt.
  • Dem hier beschriebenen optoelektronischen Bauteil liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass durch die reflektierende Schicht eine höhere Leuchtdichte erzielt werden kann, da ein geringerer Anteil der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Strahlung von dem umliegenden Gehäuse absorbiert wird und stattdessen in eine bevorzugte Ausstrahlungsrichtung abgestrahlt werden kann. Die Seitenemission des optoelektronischen Halbleiterchips, die üblicherweise in einer Applikation nicht verwendet werden kann, wird somit minimiert. Bei der bevorzugten Ausstrahlungsrichtung bzw. Einstrahlungsrichtung kann es sich um eine Richtung handeln, welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft. Durch die reflektierende Schicht kann auch das Gehäusematerial zumindest teilweise vor der Bestrahlung mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung geschützt werden. Typische Gehäusematerialien können durch elektromagnetische Strahlung, insbesondere UV-Strahlung, beschädigt werden. Eine solche Beschädigung wird durch die Verwendung der reflektierenden Schicht zumindest verringert. Das Gehäusematerial kann somit beispielsweise zumindest teilweise vor vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierter UV - Strahlung geschützt werden. Dadurch kann die Lebensdauer des optoelektronischen Bauteils verlängert werden und dieses kann somit effizient betrieben werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist die reflektierende Schicht zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Halbleiterchip. Die reflektierende Schicht kann an der Seitenfläche zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Halbleiterchip sein. Die reflektierende Schicht kann an der gesamten Seitenfläche in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Halbleiterchip sein. Das heißt, die reflektierende Schicht kann die Seitenfläche vollständig bedecken. Durch den unmittelbaren Kontakt der reflektierenden Schicht mit dem optoelektronischen Halbleiterchip kann die Bauteilgröße minimiert, zumindest aber reduziert werden. Dadurch kann ferner eine höhere Leuchtdichte erreicht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, ist die mindestens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, auf welcher die reflektierende Schicht angeordnet ist, zumindest einem Teil des Gehäuses zugewandt. Der optoelektronische Halbleiterchip kann mindestens eine Seitenfläche aufweisen. Das Gehäuse kann den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umformen. Somit kann das Gehäuse zumindest teilweise benachbart zu mindestens einer Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein. Auf dieser mindestens einen Seitenfläche kann zudem die reflektierende Schicht angeordnet sein. Einem Teil des Gehäuses zugewandt bedeutet hierbei, dass die Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips mit der reflektierenden Schicht stellenweise parallel zu dem Gehäuse verläuft, wobei ausschließlich die reflektierende Schicht zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Gehäuse angeordnet ist. Zugewandt kann dabei auch bedeuten, dass die Seitenfläche mit der, auf den optoelektronischen Halbleiterchip aufgebrachten, reflektierenden Schicht in direktem Kontakt mit dem Gehäuse steht. Eine Idee der Erfindung ist es, dass auch nicht hoch UV beständige Materialien als Gehäusematerial, beispielsweise als Formmasse, Verwendung finden können. Ein Vorteil obiger Ausführungsform ist, dass die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Strahlung von der reflektierenden Schicht reflektiert wird und somit in diesen Bereichen nicht auf das Gehäuse strahlt oder in das Gehäusematerial eindringt. Dadurch wird das Gehäuse vor Beschädigungen durch die emittierte elektromagnetische Strahlung geschützt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, bedeckt die reflektierende Schicht die mindestens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips vollständig. Die reflektierende Schicht kann weiterhin auch alle Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips vollständig bedecken. Ein Vorteil obiger Ausführungsform ist, dass die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Strahlung von der reflektierenden Schicht auf der mindestens einen Seitenfläche besonders effizient, nämlich über die gesamte Seitenfläche, reflektiert wird und somit nicht auf das Gehäuse strahlt oder in das Gehäusematerial eindringt. Dadurch wird das Gehäuse durch Beschädigungen durch die emittierte elektromagnetische Strahlung geschützt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, verläuft die mindestens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers. Die Seitenfläche kann eine Haupterstreckungsebene aufweisen, welche quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft. Bei der Seitenfläche handelt es sich somit um eine Fläche, aus der eine Emission von elektromagnetischer Strahlung nicht vorgesehen ist. Vorteilhafterweise wird an der Seitenfläche austretende Strahlung an der reflektierenden Schicht reflektiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der optoelektronische Halbleiterchip auf mindestens einer weiteren Seitenfläche, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft, eine weitere reflektierende Schicht auf. Bei der weiteren Seitenfläche handelt es sich um eine andere Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, somit um eine andere Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips als die mindestens eine Seitenfläche. Die weitere Seitenfläche weist ansonsten die gleichen Eigenschaften auf wie die Seitenfläche. Die weitere reflektierende Schicht ist auf der weiteren Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Weiterhin kann die weitere reflektierende Schicht die gleichen Eigenschaften aufweisen wie die reflektierende Schicht. Ein Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Strahlung besonders effizient reflektiert wird, da auch auf der weiteren Seitenfläche eine reflektierende Schicht angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist auf mindestens einer weiteren Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft, die reflektierende Schicht angeordnet. Die reflektierende Schicht kann dabei die weitere Seitenfläche teilweise, aber auch vollständig bedecken. Ferner kann die reflektierende Schicht auch auf allen weiteren Seitenflächen angeordnet sein. Somit wird ein größerer Anteil der vom optoelektronischen Halbleiterchip an seinen Seitenflächen emittierten Strahlung reflektiert. Dadurch wird das Gehäuse vor einer Beschädigung durch die Strahlung geschützt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, ist die reflektierende Schicht zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem Gehäuse. Die reflektierende Schicht kann auf der Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest stellenweise in unmittelbarem Kontakt mit dem Gehäuse sein. Die reflektierende Schicht kann zum Beispiel auch über eine gesamte Seitenfläche, beispielsweise auch über alle Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips, in direktem Kontakt mit dem Gehäuse sein. Eine Idee des hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils ist es, eine kompaktere Bauform zu ermöglichen. Diese kann beispielsweise die Maße eines Chip Scale Package erreichen. Dadurch können mehr optoelektronische Bauteile auf einer gleichbleibend großen Fläche angeordnet werden, wodurch die Leuchtdichte erhöht werden kann. Durch den direkten Kontakt der reflektierenden Schicht mit dem Gehäuse kann das optoelektronische Bauteil eine kompakte Bauform haben und auch die Stabilität der reflektierenden Schicht kann verbessert sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist die reflektierende Schicht ein Metall, Aluminium, Rhodium und/oder einen Spiegel auf. Diese Materialien haben eine hohe Reflektivität im UV-Bereich. Somit kann eine reflektierende Schicht aus einem dieser Materialien beispielsweise emittierte UV-Strahlung besonders effizient reflektieren.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der optoelektronische Halbleiterchip dazu ausgelegt, im Betrieb elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Bereich zu emittieren. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich somit zum Beispiel um eine UV-LED, einen UV-Laser oder einen UV Saphir Flip Chip handeln.
  • Eine Idee des hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils ist, die Lebensdauer des Gehäuses, welches beispielsweise durch einen Formkörper aus UV-instabilen Materialien hergestellt werden kann, zu verlängern, indem die von der emittierten Strahlung im UV Bereich ausgelöste Degeneration dadurch, dass zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Gehäuse die reflektierende Schicht angeordnet ist, verlangsamt, verhindert oder nahezu verhindert wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, weist die reflektierende Schicht eine Reflektivität von wenigstens 40%, wenigestens 50% oder wenigstens 80% im UV-Bereich auf. Eine Reflektivität der reflektierenden Schicht von wenigstens 40%, wenigstens 50% oder wenigstens 80% bietet einen besseren Schutz des Gehäusematerials vor UV-Strahlung, da die UV-Strahlung, die auf die reflektierende Schicht trifft, reflektiert wird und nicht in das Gehäuse eindringt. Zudem wird der Anteil der in Ausstrahlungsrichtung emittierten UV-Strahlung erhöht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, weist die reflektierende Schicht eine Transmission von höchstens 20%, beispielsweise höchstens 10% oder insbesondere höchstens 1% auf. Ein anderer Ausdruck für Transmission ist Transmissivität. Ein Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass durch die geringe Transmission der reflektierenden Schicht die UV-Strahlung, die auf die reflektierende Schicht trifft, zumindest teilweise von der reflektierenden Schicht reflektiert und/oder absorbiert werden kann. Somit kann das Gehäusematerial besser vor UV-Strahlung geschützt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Träger auf der dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite elektrisch kontaktierbar. Elektrisch kontaktierbar kann bedeuten, dass der Träger auf der dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite mindestens einen elektrischen Kontakt aufweist. Der elektrische Kontakt kann elektrisch mit einem elektrischen Kontakt des optoelektronischen Halbleiterchips verbunden sein. Der Träger kann Durchkontaktierungen (Vias) umfassen, die sich durch den Träger erstrecken. Die Durchkontaktierungen können eine Trägerunterseite beispielsweise senkrecht oder quer zur Haupterstreckungsebene des Trägers mit einer Trägeroberseite verbinden. Vorteilhafterweise kann somit der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch über die Unterseite des Trägers kontaktiert werden. Das bedeutet, das optoelektronische Bauteil kann oberflächenmontierbar sein. In diesem Fall ist keine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips an dessen Strahlungsaustrittsseite benötigt. Das bedeutet, dass die gesamte Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips zur Strahlungsemission genutzt werden kann. Dies ermöglicht einen effizienten Betrieb des optoelektronischen Bauteils.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist zwischen dem Träger und dem optoelektronischen Halbleiterchip ein elektrisch isolierendes Füllmaterial angeordnet. Das Füllmaterial verhindert einen Kurzschluss des optoelektronischen Bauteils über die reflektierende Schicht, indem es die Zwischenräume, die von der elektrischen Kontaktierung und dem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet werden, auffüllt. Ein Merkmal des Füllmaterials ist, dass dieses insbesondere elektrisch isolierend ausgeprägt ist. Bei dem Füllmaterial handelt es sich um eine Füllmasse, die beispielsweise aus einem Epoxid bestehen oder ein Epoxid enthalten kann.
  • Das Füllmaterial kann mit den Kanten des optoelektronischen Halbleiterchips abschließen. Alternativ kann das Füllmaterial beispielsweise auch über die Kanten des optoelektronischen Halbleiterchips hinausreichen oder eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips teilweise bedecken.
  • Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Träger ein Keramik-Material und eine Durchkontaktierung auf, und der optoelektronische Halbleiterchip ist ein Saphir Flip Chip. Der Saphir Flip Chip kann dazu ausgelegt sein elektromagnetische Strahlung im UV-C Bereich zu emittieren. Auf die Seitenflächen des Saphir Flip Chips kann insbesondere unmittelbar die reflektierende Schicht aufgebracht sein, welche Aluminium enthalten kann. Das Gehäuse kann den Saphir Flip Chip umgeben und dabei unmittelbar an die reflektierende Schicht angrenzen.
  • Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Das optoelektronische Bauteil ist bevorzugt mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Mit anderen Worten, sämtliche für das optoelektronische Bauteil offenbarte Merkmale sind auch für das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Träger bereitgestellt wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein optoelektronischer Halbleiterchip auf den Träger aufgebracht wird. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise mittels Löten oder Kleben auf dem Träger befestigt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem eine reflektierende Schicht auf wenigstens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht wird. Dabei kann die reflektierende Schicht auch zumindest stellenweise in unmittelbarem Kontakt mit dem Träger sein. Das heißt, die reflektierende Schicht kann stellenweise auf den Träger aufgebracht werden. Die reflektierende Schicht kann auch auf alle freiliegenden Oberflächen, insbesondere des Trägers, des optoelektronischen Halbleiterchips und gegebenenfalls eines temporären Mediums aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip mit einem Gehäuse, welches einen Formkörper aufweist, zumindest teilweise umformt wird. Das Gehäuse kann beispielsweise einen Formkörper aus einer Formmasse aufweisen. Das Gehäuse kann durch Gieß-, Spritz-, oder Pressverfahren an den Halbleiterchip angepasst werden.
  • Eine Idee des hier beschriebenen Verfahrens liegt darin, dass durch die aufgebrachte reflektierende Schicht eine höhere Leuchtdichte erzielt werden kann, da ein geringerer Anteil der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Strahlung von dem umliegenden Gehäuse absorbiert wird und stattdessen in eine bevorzugte Ausstrahlungsrichtung abgestrahlt werden kann. Weiterhin kann die reflektierende Schicht das Gehäusematerial zumindest teilweise vor der Bestrahlung mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung schützen. Dadurch kann die Lebensdauer des optoelektronischen Bauteils verlängert werden und dieses kann somit effizient betrieben werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, wird vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht ein temporäres Medium auf den optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht. Das temporäre Medium kann einen Lack aufweisen. Das temporäre Medium kann zum Beispiel mittels Bedampfen, Beschichten, Sputtern, Dispensen und/oder Stempeln auf den optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht werden. Das temporäre Medium kann insbesondere nur auf die dem Träger abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht werden. Ferner kann das temporäre Medium auf den optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht werden bevor oder nachdem dieser auf den Träger aufgebracht wird.
  • Das temporäre Medium kann beispielsweise mittels Nassstrahlen (wet blasting) entfernt werden. Ein Vorteil des Verwendens eines temporären Mediums liegt darin, dass der optoelektronische Halbleiterchip an der dem temporären Medium zugewandten Seite geschützt wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, wird die reflektierende Schicht direkt auf die wenigstens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht und die Seitenfläche verläuft quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers. Mögliche Verfahren zur Aufbringung der reflektierenden Schicht auf den optoelektronischen Halbleiterchip sind beispielsweise Bedampfen oder Sputtern. Durch den unmittelbaren Kontakt der reflektierenden Schicht mit dem optoelektronischen Halbleiterchip kann die Bauteilgröße minimiert, zumindest aber reduziert werden. Dadurch kann ferner eine höhere Leuchtdichte erreicht werden. Auch kann die reflektierende Schicht mittels Standardverfahren direkt auf die wenigstens eine Seitenfläche aufgebracht werden. Bei der Seitenfläche, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft, handelt es sich um eine Fläche, aus der eine Emission von elektromagnetischer Strahlung nicht vorgesehen ist. Vorteilhafterweise wird an der Seitenfläche austretende Strahlung an der reflektierenden Schicht reflektiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, bedeckt die reflektierende Schicht nach dem Aufbringen den Träger mit dem optoelektronischen Halbleiterchip vollständig.
  • Vollständig bedeutet dabei, dass die reflektierende Schicht beispielsweise mittels Bedampfen oder Sputtern auf alle freiliegenden Oberflächen des Trägers mit dem optoelektronischen Halbleiterchip als durchgehende Beschichtung aufgebracht wird. Vollständig kann dabei auch bedeuten, dass die reflektierende Schicht ebenfalls auf den Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist.
  • Eine Idee dieses Verfahrensschrittes ist es, eine reflektierende Schicht auf die Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufzubringen. Ein Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, dass die reflektierende Schicht nicht selektiv auf einzelne Flächen aufgebracht werden muss, sondern die gesamte Oberfläche vollständig bedeckt wird. Dies vereinfacht das Aufbringungsverfahren.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, umgibt das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest an den Seitenflächen, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verlaufen, vollständig.
  • Das Gehäuse kann dabei lediglich die Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers verlaufen, vollständig umgeben. Ferner wäre denkbar, dass auch die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers verläuft, von dem Gehäuse umgeben ist. Umgeben bedeutet hier, dass das Gehäuse um den optoelektronischen Halbleiterchip herum angeordnet ist. Es ist möglich, dass sich ausschließlich die reflektierende Schicht zwischen dem Gehäuse und dem Halbleiterchip befindet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, wird die dem Träger abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips nach dem Umformen mit dem Gehäuse freigelegt. Auf der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips können sich das temporäre Medium, ein Teil der reflektierenden Schicht und/oder ein Teil des Gehäuses befinden. Beispielsweise kann sich auf der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips zunächst ein Teil der reflektierenden Schicht und darauf ein Teil des Gehäuses befinden. Das Gehäuse und die reflektierende Schicht können mittels mechanischer Bearbeitung, beispielsweise mittels Schleifen oder Wasserabrieb, von der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips entfernt werden. Alternativ kann der optoelektronische Halbleiterchip auch lediglich in lateralen Richtungen vollständig von dem Gehäuse umgeben sein. Demnach sind auf der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips beispielsweise das temporäres Medium und darauf ein Teil der reflektierenden Schicht aufgebracht. Die dem Träger abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips kann dann beispielsweise durch Wasserabrieb/ Nassstrahlen (wet blasting) freigelegt werden. Ein Vorteil des oben beschriebenen Verfahrensschrittes ist es, dass beispielsweise keine Maske zum Aufbringen der reflektierenden Schicht und des Gehäuses benötigt wird. Somit sind die Verfahrensschritte des Aufbringens der reflektierenden Schicht und des Gehäuses unkompliziert. Zudem kann die Beschichtung unkompliziert zusammen mit dem temporären Medium entfernt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, wird die dem Träger abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips vor dem Umformen mit dem Gehäuse freigelegt.
  • Das Freilegen kann das Entfernen der reflektierenden Schicht umfassen. Die reflektierende Schicht kann mittels Nassstrahlen (wet blasting) entfernt werden. Anschließend kann der optoelektronische Halbleiterchip mit einer Formmasse umformt werden. Gemäß dieser Ausführungsform kann das Gehäuse bis zur Kante der Ab- oder Einstrahlfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein. Die dem Träger abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips kann frei vom Gehäuse sein. Ein Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass weniger Material von der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips mittels Nassstrahlen (wet blasting) abgetragen werden muss. Ferner weist diese Ausführungsform einen geringen Materialverbrauch des Gehäusematerials auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips wird das Verfahren für eine Vielzahl von weiteren optoelektronischen Halbleiterchips auf dem Träger durchgeführt und der Träger wird zertrennt. Jeder weitere optoelektronische Halbleiterchip kann dieselben Merkmale wie der optoelektronische Halbleiterchip aufweisen. Dass der Träger zertrennt wird, kann bedeuten, dass der Träger mit dem optoelektronischen Halbleiterchip und den weiteren optoelektronischen Halbleiterchips in eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen vereinzelt wird. Eine Idee dieser Ausführungsform ist, eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen besonders effizient herzustellen. Ein Vorteil ist, dass eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen parallel gefertigt werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, wird vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht der Zwischenraum, der zwischen dem Träger und der dem Träger zugewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips gebildet wird, mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial zumindest teilweise aufgefüllt. Das Füllmaterial kann beispielsweise mittels eines Spritzverfahrens und/oder mit Hilfe von Kapillarkräften in die Zwischenräume eingebracht werden. Das Füllmaterial verhindert einen Kurzschluss des optoelektronischen Bauteils über die reflektierende Schicht, indem es die Zwischenräume, die von der elektrischen Kontaktierung und dem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet werden, auffüllt.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene optoelektronische Bauteil und das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils in Verbindung mit Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauteil gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • Die 2A, 2B, 2C, 2D, 2E und 2F zeigen Verfahrensschritte in einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • Die 3A, 3B, 3C und 3D zeigen Schritte in einem Prozess zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 4A und 4B zeigen eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • 1 zeigt eine Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauteils 100. Das optoelektronische Bauteil 100 weist einen Träger 1 auf. Der Träger 1 umfasst zwei Durchkontaktierungen 6b, die sich vollständig durch den Träger 1 erstrecken. An der Oberseite 10 des Trägers 1 sind zwei Kontaktbereiche 6a beabstandet zueinander angeordnet. An der Unterseite 9 des Trägers 1 befinden sich zwei Anschlussbereiche 6c, welche beabstandet zueinander angeordnet sind. Die Kontaktbereiche 6a, die Durchkontaktierungen 6b und die Anschlussbereiche 6c bilden zusammen eine elektrische Kontaktierung 6. Jeder der Anschlussbereiche 6c an der Unterseite 9 des Trägers 1 ist über jeweils eine der Durchkontaktierungen 6b elektrisch mit einem Kontaktbereich 6a an einer Oberseite 10 des Trägers 1 verbunden. Die Oberseite 10 ist an einer der Unterseite 9 abgewandten Seite des Trägers 1 angeordnet.
  • Das optoelektronische Bauteil 100 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 2, der auf den Träger 1 aufgebracht ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 kann dazu ausgelegt sein im Betrieb elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Bereich zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 weist an seiner dem Träger 1 zugewandten Seite zwei Lötpads 8 auf. Die Lötpads 8 sind jeweils elektrisch leitfähig mit den Kontaktbereichen 6a des Trägers 1 verbunden. In den Zwischenräumen zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 und dem Träger 1 ist ein elektrisch nicht leitendes Füllmaterial 5 eingebracht. Dieses kann wie im hier gezeigten Ausführungsbeispiel mit den Kanten des optoelektronischen Halbleiterchips 2 abschließen. Alternativ kann das Füllmaterial 5 beispielsweise auch über die Kanten des optoelektronischen Halbleiterchips 2 hinausreichen oder eine Seitenfläche 11 des optoelektronischen Halbleiterchips 2 teilweise bedecken. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 weist mindestens eine Seitenfläche 11 und mindestens eine weitere Seitenfläche 12 auf, welche sich quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers 1 erstrecken. In der Schnittdarstellung in 1 sind die Seitenfläche 11 und die weitere Seitenfläche 12 zu sehen. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 kann jedoch noch mehr Seitenflächen 11, 12, beispielsweise insgesamt vier, aufweisen. Im hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist eine reflektierende Schicht 3 direkt auf die Seitenflächen 11, 12 des optoelektronischen Halbleiterchips 2 aufgebracht und bedeckt diese vollständig. Die reflektierende Schicht 3 weist ein Metall, Aluminium, Rhodium und/oder einen Spiegel auf. Die reflektierende Schicht 3 kann eine Reflektivität von wenigstens 40% im UV-Bereich aufweisen. Ferner ist die reflektierende Schicht 3 in diesem Ausführungsbeispiel auch stellenweise direkt auf dem an die Seitenflächen 11, 12 angrenzenden Füllmaterial 5 und stellenweise direkt auf dem Träger 1 angeordnet. Die reflektierende Schicht 3 bedeckt Bereiche des Trägers 1, welche frei vom optoelektronischen Halbleiterchip 2 sind. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 ist in lateralen Richtungen x, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers 1 verlaufen, vollständig von einem Gehäuse 4 umgeben, wobei das Gehäuse 4 in direktem Kontakt mit der reflektierenden Schicht 3 ist. Das Gehäuse 4 weist einen Formkörper auf. Das Gehäuse 4 ist auf dem Träger 1 angeordnet. Somit sind einige Bereiche der reflektierenden Schicht 3 in einer vertikalen Richtung z, welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers 1 verläuft, zwischen dem Träger 1 und dem Gehäuse 4 angeordnet.
  • In den schematischen Schnittdarstellungen der 2A bis 2F ist ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. In einem ersten Schritt, 2A, wird der Träger 1 bereitgestellt. Auf der Oberseite 10 des Trägers 1 befinden sich zwei Kontaktbereiche 6a und auf der Unterseite 9 des Trägers 1 befinden sich zwei Anschlussbereiche 6c. Ein Anschlussbereich 6c ist jeweils mit einem Kontaktbereich 6a mittels einer elektrisch leitenden Durchkontaktierung 6b durch den Träger 1 hindurch miteinander verbunden. Da es sich bei den 2A bis 2F um schematische Schnittdarstellungen handelt, können die drei gezeigten Teile des Trägers 1 insbesondere miteinander verbunden sein.
  • Im nächsten Schritt, 2B, wird der optoelektronische Halbleiterchip 2 mittels Lötpads 8 auf die Kontaktflächen 6a auf dem Träger 1 aufgelötet.
  • 2C zeigt das optoelektronische Bauteil 100 nach einem Verfahrensschritt, in dem das Füllmaterial 5 in die Zwischenräume zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 und dem Träger 1 eingebracht wird. Das Füllmaterial 5 verhindert einen Kurzschluss des optoelektronischen Halbleiterchips 2 durch die reflektierende Schicht 3.
  • Nachfolgend, 2D, wird die reflektierende Schicht 3 auf das optoelektronische Bauteil 100 aufgebracht. Die reflektierende Schicht 3 bedeckt die Seitenflächen 11, 12 des optoelektronischen Halbleiterchips 2, die freiliegenden Flächen des Füllmaterials 5 sowie teilweise die Oberseite 10 des Trägers 1.
  • Wie in 2E gezeigt folgt darauf ein nächster Schritt im Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 100, in dem der optoelektronische Halbleiterchip 2 mit dem Gehäuse 4 umformt wird. Dieses umschließt den optoelektronischen Halbleiterchip 2 und ermöglicht ein mechanisch robustes Bauteil. Das Gehäuse 4 bedeckt die Bereiche des Trägers 1, welche frei vom optoelektronischen Halbleiterchip 2 sind und den optoelektronischen Halbleiterchip 2 vollständig. Das Gehäuse 4 umgibt den optoelektronischen Halbleiterchip 2 an den Seitenflächen 11, 12, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers 1 verlaufen, vollständig.
  • In 2F ist eine Schnittfläche eines fertiggestellten optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Nach dem Aufbringen des Gehäuses 4 in 2E wird eine Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 2, die dem Träger 1 abgewandt ist, freigelegt. Die freigelegte Oberfläche ist im Betrieb des optoelektronischen Bauteils 100 zur Strahlungsemission vorgesehen.
  • In den schematischen Schnittdarstellungen der 3A bis 3D ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Dabei schließt das hier gezeigt Ausführungsbeispiel an das Ausführungsbeispiel in den 2A bis 2C an.
  • Von den in den 2A bis 2C gezeigten Verfahrensschritten ausgehend, wird nachfolgend, 3A, auf den optoelektronischen Halbleiterchip 2 ein temporäres Medium 7 aufgebracht. Das temporäre Medium 7 wird dabei lediglich auf die dem Träger 1 abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips 2 aufgebracht.
  • Anschließend wird, wie in 3B gezeigt, die reflektierende Schicht 3 aufgebracht. Diese bedeckt das temporäre Medium 7, die Seitenflächen 11, 12 des optoelektronischen Halbleiterchips 2, die freiliegenden Oberflächen des Füllmaterials 5 und die freiliegenden Teile der Oberseite 10 des Trägers 1.
  • 3C zeigt einen nachfolgenden Schritt, in dem das temporäre Medium 7 und die darauf aufgebrachte reflektierende Schicht 3 von der dem Träger 1 abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips 2 entfernt werden.
  • 3D zeigt einen letzten Verfahrensschritt, um das optoelektronische Bauteil 100 fertigzustellen, in dem das Gehäuse 4 derart aufgebracht wird, dass es den optoelektronischen Halbleiterchip 2 seitlich umformt. Die Oberseite des Gehäuses 4 schließt dabei bündig mit der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 2 ab.
  • 4A zeigt eine weitere Ausführungsform eines Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 100. Dabei werden die in den 2A bis 2F oder 3A bis 3D beschriebenen Verfahrensschritte durchgeführt, wobei das Herstellungsverfahren für eine Vielzahl von weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 2 auf dem Träger 1 durchgeführt wird.
  • 4B zeigt einen der 4A nachfolgenden Verfahrensschritt, in dem der Träger 1 zertrennt wird. Somit kann eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen 100 hergestellt werden.
  • Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Träger
    2
    optoelektronischer Halbleiterchip
    3
    reflektierende Schicht
    4
    Gehäuse
    5
    Füllmaterial
    6
    elektrische Kontaktierung
    6a
    Kontaktbereich
    6b
    Durchkontaktierung
    6c
    Anschlussbereich
    7
    Temporäres Medium
    8
    Lötpad
    9
    Unterseite
    10
    Oberseite
    11
    Seitenfläche
    12
    weitere Seitenfläche
    100
    Optoelektronisches Bauteil
    x
    laterale Richtung
    z
    vertikale Richtung

Claims (20)

  1. Optoelektronisches Bauteil (100) umfassend: - einen Träger (1), - zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), welcher auf dem Träger (1) angeordnet ist, und - ein Gehäuse (4), welches einen Formkörper aufweist, wobei das Gehäuse (4) den optoelektronischen Halbleiterchip (2) zumindest teilweise umgibt, wobei - auf mindestens einer Seitenfläche (11) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) eine reflektierende Schicht (3) angeordnet ist.
  2. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem die reflektierende Schicht (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) ist.
  3. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die mindestens eine Seitenfläche (11), auf welcher die reflektierende Schicht (3) angeordnet ist, zumindest einem Teil des Gehäuses (4) zugewandt ist.
  4. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die reflektierende Schicht (3) die mindestens eine Seitenfläche (11) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) vollständig bedeckt.
  5. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die mindestens eine Seitenfläche (11) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft.
  6. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (2) auf mindestens einer weiteren Seitenfläche (12), die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft, eine reflektierende Schicht (3) aufweist.
  7. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem Gehäuse (4) ist.
  8. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht (3) ein Metall, Aluminium, Rhodium und/oder einen Spiegel aufweist.
  9. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (2) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Bereich zu emittieren.
  10. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht (3) eine Reflektivität von wenigstens 40% im UV-Bereich aufweist.
  11. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Träger (1) auf der dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) abgewandten Seite elektrisch kontaktierbar ist.
  12. Optoelektronisches Bauteil (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem zwischen dem Träger (1) und dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) ein elektrisch isolierendes Füllmaterial (5) angeordnet ist.
  13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (100) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Aufbringen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) auf den Träger (1), - Aufbringen einer reflektierenden Schicht (3) auf wenigstens eine Seitenfläche (11) des optoelektronischen Halbleiterchips (2), und - zumindest teilweises Umformen des optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einem Gehäuse (4), welches einen Formkörper aufweist.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht (3) ein temporäres Medium (7) auf den optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufgebracht wird.
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 14, bei dem die reflektierende Schicht (3) direkt auf die wenigstens eine Seitenfläche (11) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) aufgebracht wird und die Seitenfläche (11) quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft.
  16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die reflektierende Schicht (3) nach dem Aufbringen den Träger (1) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) vollständig bedeckt.
  17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei das Gehäuse den optoelektronischen Halbleiterchip (2) zumindest an den Seitenflächen (11), die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verlaufen, vollständig umgibt.
  18. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei die dem Träger (1) abgewandte Seite des optoelektronischen Halbleiterchips (2) nach dem Umformen mit dem Gehäuse (4) freigelegt wird.
  19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei das Verfahren für eine Vielzahl von weiteren optoelektronischen Halbleiterchips (2) auf dem Träger (1) durchgeführt wird und der Träger (1) zertrennt wird.
  20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 19, bei dem vor dem Aufbringen der reflektierenden Schicht (3) der Zwischenraum, der zwischen dem Träger (1) und der dem Träger (1) zugewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips (2) gebildet wird, mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial (5) zumindest teilweise aufgefüllt wird.
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