JP2019036713A - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents

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リ チェ，ソン
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チョン キム，ヒュク
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Do Choul Woo
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Abstract

【課題】サイドビュー発光ダイオードパッケージを外部基板に接合するとき、外部基板と密着して接合できる発光ダイオードパッケージを提供する。【解決手段】一つ以上の発光ダイオードチップと、前記一つ以上の発光ダイオードチップが実装され、前記一つ以上の発光ダイオードチップから放出された光が外部に放出されるように少なくとも一面が開放されたハウジングと、及び前記ハウジングにおいて光が放出される第１面と異なる第２面に配置され、前記一つ以上の発光ダイオードチップと電気的に接続された複数のパッドと、を含み、前記ハウジングは、前記複数のパッドが配置された第２面と隣接した他の第３面に複数の溝が形成された発光ダイオードパッケージを構成する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオードパッケージに関し、より詳細には、サイドビュー発光ダイオードパッケージに関する。
発光ダイオードパッケージは、トップ型発光ダイオードパッケージとサイドビュー発光ダイオードパッケージとに大きく分類され得る。このうちサイドビュー発光ダイオードパッケージは、導光板の側面に光を入射するディスプレイ装置のバックライト用光源として多く用いられている。近年、サイドビュー発光ダイオードパッケージは、ハウジングの前面に発光ダイオードチップを実装するためのキャビティを含み、各リードがハウジングの内部でハウジングの底面を介して外部に延長され、キャビティ内で発光ダイオードチップと電気的に接続される。
前記のようなサイドビュー発光ダイオードパッケージをソルダー（ｓｏｌｄｅｒ）を用いて外部基板に接合するとき、ソルダーの厚さによってサイドビュー発光ダイオードパッケージが外部基板に密着できないという問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、サイドビュー発光ダイオードパッケージを外部基板に接合するとき、外部基板と密着して接合できる発光ダイオードパッケージを提供することにある。
本発明の一実施例に係る発光ダイオードパッケージは、一つ以上の発光ダイオードチップと前記一つ以上の発光ダイオードチップが実装され、前記一つ以上の発光ダイオードチップから放出された光が外部に放出されるように少なくとも一面が開放されたハウジングと、前記ハウジングにおいて光が放出される第１面と異なる第２面に配置され、前記一つ以上の発光ダイオードチップと電気的に接続された複数のパッドとを含み、前記ハウジングは、前記複数のパッドが配置された第２面と隣接した他の第３面に複数の溝が形成されてもよい。
このとき、前記複数のパッドのそれぞれと前記複数の溝のそれぞれは互いに対応する位置に形成されてもよく、前記複数のパッド及び複数の溝のそれぞれは電気伝導性物質でコーティングされてもよい。
そして、前記一つ以上の発光ダイオードチップは、光を放出する発光構造体、及び前記発光構造体とそれぞれ電気的に接続された第１電極及び第２電極を含み、前記第１及び第２電極は前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続されてもよい。
ここで、前記一つ以上の発光ダイオードチップは二つ以上であり、前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち一つの第１電極は、複数のパッドのうち一つと電気的に接続され、前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち他の一つの第２電極は、前記複数のパッドのうち他の一つと電気的に接続され、前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち一つの第１電極と前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち他の一つの第２電極は互いに電気的に接続されてもよい。
また、前記第１及び第２電極は、前記ハウジングに形成されたビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）に充填された導電性物質によって前記複数のパッドのそれぞれと電気的に接続されてもよい。
そして、前記複数のパッドのそれぞれは、電気的に絶縁されるように所定の距離が離隔してもよい。
このとき、前記複数のパッドのそれぞれは、前記ハウジングの第２面に所定の面積を有するように配置されてもよい。
そして、前記複数の溝は、前記複数のパッドが配置された第２面及び前記第３面にわたって形成されてもよい。
又は、前記複数の溝は、前記第２面、前記第３面、及び前記第２面及び第３面に隣接した第４面にわたって形成されてもよい。
そして、前記ハウジングは、外部基板に前記第３面が当接するように接合されてもよい。
このとき、前記ハウジングにおいて、前記複数のパッドのそれぞれが前記外部基板とソルダーによって電気的に接続されされてもよい。
そして、前記ソルダーは前記複数の溝のそれぞれの少なくとも一部に充填されてもよい。
発光ダイオードパッケージは、前記複数のパッド間に配置され、前記複数の溝を露出する保護層をさらに含んでもよい。
また、前記保護層は、前記複数のパッドの少なくとも一部を覆うように形成されてもよい。
前記ソルダーは、前記保護層によって露出した前記複数のパッド上に配置されてもよい。
前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードチップの側面を覆うように形成され、前記発光ダイオードチップの側面から放出された光を反射する反射層をさらに含んでもよい。
前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードチップの上部に配置された波長変換部をさらに含んでもよい。
前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードチップの側面、前記波長変換部の側面及び上面を取り囲むように配置された表面障壁部をさらに含んでもよい。
又は、前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードチップの側面及び上面を取り囲むように配置された表面障壁部をさらに含んでもよい。
前記ハウジングの内壁は、外壁方向に凹状に曲がったものであってもよい。
本発明によると、発光ダイオードパッケージに複数の溝を形成することによって、 ソルダーが複数の溝に充填された状態で発光ダイオードパッケージが外部基板に接合されるので、外部基板と発光ダイオードパッケージが最大限密着するという効果がある。
また、発光ダイオードパッケージの溝にソルダーが充填された状態で発光ダイオードパッケージが外部基板と接合されるので、発光ダイオードパッケージと外部基板との間の接合力が高くなるという効果がある。
さらに、発光ダイオードパッケージの外側にソルダーが形成されなく、発光ダイオードパッケージに形成された複数の溝にソルダーが充填されることによって発光ダイオードパッケージの側面に形成されたソルダーが最小化されるので、隣接した各発光ダイオードパッケージ間の距離をより狭くすることができる。その結果、複数の発光ダイオードパッケージを配置するときの間隔を減少させ、発光ダイオードパッケージによって発生するホットスポットなどを減少できるという効果がある。
本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの背面を示した斜視図である。 本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの前面、側面及び後面を示した図である。 本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの側面を示した図である。 本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第２実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第３実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第４実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第５実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第６実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第７実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第７実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第７実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第８実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第９実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第１０実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第１１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。 本発明の第１実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。 本発明の第２実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。 本発明の第３実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。
本発明の好適な実施例に対して、添付の図面を参照してより具体的に説明する。次に紹介する各実施例は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するための例示として提供するものである。よって、本発明は、以下で説明する各実施例に限定されるものではなく、他の形態に具体化されてもよい。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは便宜のために誇張して表現する場合がある。明細書全体にわたって同一の参考番号は同一の構成要素を示し、類似する参考番号は、対応する類似する構成要素を示す。
図１は、本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図で、図２は、本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの背面を示した斜視図である。そして、図３は、本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの前面、側面及び後面を示した図で、図４は、本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージの側面を示した図で、図５は、本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。
本発明の第１実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、第１及び第２波長変換部１４２、１４４、及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を含む。
ハウジング１１０は、図５に示したように、発光ダイオードチップ１２０を覆うように形成される。本実施例において、ハウジング１１０は、上部ハウジング部１１０ａ及び下部ハウジング部１１０ｂを含む。本実施例において、上部ハウジング部１１０ａと下部ハウジング部１１０ｂは一体に形成されてもよく、説明の便宜上、上部ハウジング部１１０ａと下部ハウジング部１１０ｂとに分けて説明する。
ハウジング１１０は、耐光及び耐熱特性を改善するためにＥＭＣ、白色シリコーンなどの熱硬化性材質を用いて形成されてもよく、必要に応じて、ＰＡ材質の熱可塑性材質を用いて形成されてもよい。
そして、ハウジング１１０は、発光ダイオードパッケージ１００の外形を形成する。上部ハウジング部１１０ａは、発光ダイオードチップ１２０が実装された面から一方向に開放された面を有してもよい。その結果、発光ダイオードチップ１２０から放出された光は、上部ハウジング部１１０ａの開放された面を介して外部に放出され得る。本実施例において、図１に示したように、上部ハウジング部１１０ａの開放された面は前面方向である。
また、本実施例において、下部ハウジング部１１０ｂの下部には、外部基板と接合される第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が形成されてもよい。第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、外部基板とソルダーを介して接合されてもよく、外部基板と電気的に接続されてもよい。そして、本実施例において、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、図１及び図２に示したように、下部ハウジング部１１０ｂの後面方向に形成される。
また、下部ハウジング部１１０ｂの下面には第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が形成されてもよい。第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が形成された位置に形成されてもよく、所定の深さを有するように形成されてもよい。本実施例において、第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、図１及び図２に示したように、半円柱の形状を有するものとして説明するが、各溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の形状は必要に応じて変わってもよい。また、下部ハウジング部１１０ｂの下面に形成された第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、それぞれ下部ハウジング部１１０ｂの後面まで開放されるように形成されてもよい。すなわち、第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、下部ハウジング部１１０ｂの下面及び後面にわたって形成されてもよい。
このように形成された第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、上述したように、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６に対応する位置に形成され、本実施例において、第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の内側面及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６にわたって金属などの導電性物質でめっき（又は、コーティング）されてもよい。その結果、外部基板と第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６とをソルダーなどで接合するとき、これらが電気的に接続され得る。
また、図２及び図３の（ｃ）を参照すると、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、下部ハウジング部１１０ｂの後面に特定形状を有して形成されてもよく、下部ハウジング部１１０ｂの後面に所定の広さを有するように形成されてもよい。このとき、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、必要に応じて異なる形状を有するように形成されてもよい、また、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、それぞれ互いに電気的に絶縁されるように所定の距離だけ離隔した状態で形成されてもよい。参考までに、図２は、図１の図面と比較したとき、上下前後方向が逆になった状態の図である。
第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、ハウジング１１０の後面領域内に位置する。また、第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、ハウジング１１０の下面及び後面にわたって形成され、後面では第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６領域内に形成される。よって、第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３がハウジング１１０の側面で露出しない。
そして、図３の（ｂ）及び図４を参照すると、本実施例において、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、下部ハウジング部１１０ｂの後面に所定の厚さｔを有するように形成されてもよい。すなわち、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、上述したように、下部ハウジング部１１０ｂの表面にめっきで形成されたものではなく、別途の金属などの導電性物体を用いて下部ハウジング部１１０ｂに接合されてもよい。そして、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６の導電性を高めるためにめっきが行われてもよい。
また、図５を参照して、本実施例において、発光ダイオードチップ１２０と第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６との電気的な接続に対して説明する。発光ダイオードチップ１２０は、ハウジング１１０の開放された一面を有する収容空間に配置され、発光ダイオードチップ１２０を覆うように第１及び第２波長変換部１４２、１４４が含まれてもよい。
第１及び第２波長変換部１４２、１４４のそれぞれは、発光ダイオードチップ１２０から放出された光を波長変換し、発光ダイオードパッケージ１００の外部に白色光を放出させる役割をする。このために、第１及び第２波長変換部１４２、１４４は、その内部に一種類以上の蛍光体を含んでもよい。
そして、発光ダイオードチップ１２０は、発光構造体１２２、及び発光構造体１２２の下部に形成された第１及び第２電極１２４、１２６を含む。発光構造体１２２は、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含み、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層は、それぞれＩＩＩ−Ｖ族系列の化合物半導体、一例として、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎなどの窒化物半導体を含んでもよい。そして、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に活性層が介在してもよい。
ｎ型半導体層は、ｎ型不純物（例えば、Ｓｉ）を含む導電型半導体層であってもよく、ｐ型半導体層は、ｐ型不純物（例えば、Ｍｇ）を含む導電型半導体層であってもよい。そして、活性層は、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を含んでもよく、その組成比は、所望のピーク波長の光を放出できるように決定され得る。
第１及び第２電極１２４、１２６は、ｎ型半導体層又はｐ型半導体層とそれぞれ電気的に接続され、その接続順序は変わってもよい。
第１及び第２電極１２４、１２６の下部に配置された下部ハウジング部１１０ｂにはビアホールＶＣ（ｖｉａ ｈｏｌｅ）が形成されてもよいが、ビアホールＶＣは、発光ダイオードチップ１２０が実装された位置の下部ハウジング部１１０ｂに形成される。すなわち、ビアホールＶＣは、下部ハウジング部１１０ｂの発光ダイオードチップ１２０実装面で下部ハウジング部１１０ｂの後面方向に形成される。そして、下部ハウジング部１１０ｂの後面に第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が配置され、ビアホールＶＣの内部は導電性物質で充填されてもよい。その結果、発光ダイオードチップ１２０の第１及び第２電極１２４、１２６は、ビアホールＶＣに充填された導電性物質によって下部ハウジング部１１０ｂの後面に形成された第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６と電気的に接続され得る。
本実施例において、発光ダイオードパッケージ１００に二つの発光ダイオードチップ１２０が用いられた場合を説明する。図３において、第１パッド１３２は、左側に配置された発光ダイオードチップ１２０の第１電極１２４と電気的に接続され、第２パッド１３４は、左側に配置された発光ダイオードチップ１２０の第２電極１２６と電気的に接続される。また、第２パッド１３４は、右側に配置された発光ダイオードチップ１２０の第１電極１２４と電気的に接続され、第３パッド１３６は、右側に配置された発光ダイオードチップ１２０の第２電極１２６と電気的に接続される。すなわち、第２パッド１３４は、二つの発光ダイオードチップ１２０とそれぞれ電気的に接続されて共通電極としての役割をし、二つの発光ダイオードチップ１２０を直列に接続する。
また、上部ハウジング部１１０ａ内に二つの発光ダイオードチップ１２０が配置されることによって、図１及び図３の（ａ）に示したように、上部ハウジング部１１０ａは、二つの発光ダイオードチップ１２０の上部に二つの開放された面を有することができる。本実施例においては、発光ダイオードパッケージ１００が二つの発光ダイオードチップ１２０を含む場合を例示している。しかし、発光ダイオードパッケージ１００を構成する発光ダイオードチップ１２０の個数はこれに限定されない。発光ダイオードパッケージ１００は、多様な個数の発光ダイオードチップ１２０を含んでもよい。このとき、上部ハウジング部１１０ａの開放された面は、それぞれの発光ダイオードチップ１２０の上部に形成されてもよい。すなわち、上部ハウジング部１１０ａの開放された面の個数は、発光ダイオードチップ１２０の個数と同一であってもよい。
上述したように、発光ダイオードパッケージ１００のハウジング１１０に第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が形成され、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が形成された位置に対応するように第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３が形成されることによって、外部基板に発光ダイオードパッケージ１００をソルダーを用いて接合するとき、ソルダーが第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３に充填されて接合され得る。その結果、ソルダーが第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３に充填されながら第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６に接するので、発光ダイオードパッケージ１００と外部基板はより密着した状態で接合され得る。ここで、本実施例において、外部基板と接する発光ダイオードパッケージ１００の面は下面である。
さらに、ソルダーと発光ダイオードパッケージ１００との間の接触面積が第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３によって増加する。その結果、発光ダイオードパッケージ１００が外部基板とより堅固に接合され得る。
また、外部基板と発光ダイオードパッケージ１００がソルダーを用いて接合するとき、ソルダーが第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３に充填されるので、ソルダーが発光ダイオードパッケージ１００の側面方向に形成されない場合がある。その結果、発光ダイオードチップ１２０の側面に他の発光ダイオードチップ１２０を配置するとき、ソルダーによって妨害されないと共に、隣接した各発光ダイオードチップ１２０間の距離を最小化した状態で発光ダイオードパッケージ１００を外部基板に接合することができる。
図６は、本発明の第２実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。
本発明の第２実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部１４０及び第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８を含む。本実施例に対して説明するとき、第１実施例と同一の説明は省略する。
本実施例において、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８は、図示したように、下部ハウジング部１１０ｂの下面に形成される。そして、下部ハウジング部１１０ｂには、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８に対応する位置に第１〜第４溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４が形成される。ここで、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８は、電気的に絶縁されるように互いに離隔して配置されてもよい。
その結果、本実施例において、二つの発光ダイオードチップ１２０のうち一つは第１及び第２パッド１３２、１３４と電気的に接続され、他の一つは第３及び第４パッド１３６、１３８と電気的に接続され得る。
図７は、本発明の第３実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。
本発明の第３実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部１４０及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を含む。
本実施例において、一つの発光ダイオードチップ１２０が用いられる。それによって、図示したように、発光ダイオードパッケージ１００の前面方向に一つの波長変換部１４０が形成される。その結果、上部ハウジング部１１０ａは、一つの開放された面を有することができる。このように一つの発光ダイオードチップ１２０が用いられることによって、発光ダイオードチップ１２０は第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６とそれぞれ電気的に接続され得る。このとき、第２パッド１３４は、発光ダイオードパッケージ１００を外部基板に接合させるための用途で使用されてもよい。また、第２パッド１３４は、発光ダイオードパッケージ１００で発生した熱を外部に放出する放熱機能を有することができる。
また、必要に応じて、第２パッド１３４は備えられなくてもよく、第２パッド１３４が備えられないとき、第２溝Ｈ２も下部ハウジング部１１０ｂに形成されない場合がある。
図８は、本発明の第４実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。
本発明の第４実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部１４０、及び第１及び第２パッド１３２、１３４を含む。
本実施例において、第１及び第２パッド１３２、１３４はハウジング１１０の後面に配置されてもよく、下部ハウジング部１１０ｂに形成された第１及び第２溝Ｈ１、Ｈ２は、第１及び第２パッド１３２、１３４が配置された位置に形成されてもよい。本実施例において、第１及び第２溝Ｈ１、Ｈ２は、それぞれ第１実施例とは異なり、相対的に大きく形成されてもよい。例えば、第１及び第２溝Ｈ１、Ｈ２は、後面での断面積よりも外部基板と接する下面での断面積が大きくなるように形成されてもよい。
本実施例において、第１及び第２溝Ｈ１、Ｈ２の形状は、縁部が曲線を有し、各曲線間に直線区間が形成されるので、相対的に広い空間に形成され得る。その結果、第１及び第２溝Ｈ１、Ｈ２に相対的に多くのソルダーが充填され得る。
本実施例において、第１実施例と同様に、二つの発光ダイオードチップ１２０が用いられる場合、二つの発光ダイオードチップ１２０はハウジング１１０の内部で直列に接続されてもよい。そして、二つの発光ダイオードチップ１２０のうち一つの第１電極１２４は第１パッド１３２と電気的に接続され、残りの一つの第２電極１２６は第２パッド１３４と電気的に接続されてもよい。
また、第３実施例と同様に、一つの発光ダイオードチップ１２０が用いられる場合、発光ダイオードチップ１２０の第１電極１２４は第１パッド１３２と電気的に接続され、第２電極１２６は第２パッド１３４と電気的に接続されてもよい。
図９は、本発明の第５実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。
本発明の第５実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部１４０、及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を含む。本実施例は、第１実施例の第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を変形したものであって、第１実施例と同一の説明は省略する。
本実施例において、第２パッド１３４は、第１実施例より相対的に小さくてもよい。そして、第１及び第３パッド１３２、１３６は、第１実施例より相対的に大きくてもよい。このように第１及び第３パッド１３２、１３６の大きさが相対的に大きくなることによって、外部基板に発光ダイオードパッケージ１００を接合するとき、外部基板と第１及び第３パッド１３２、１３６との間にソルダーがより多く用いられる。その結果、外部基板と電気的に接続される第１及び第３パッド１３２、１３６は、ソルダーによって第２パッド１３４より相対的に外部基板と堅固に接合され得る。
また、本実施例において、第２パッド１３４は、第１実施例と同様に、外部基板との電気的な接続をせずに、二つの発光ダイオードチップ１２０を直列に接続する共通電極としての役割をすることができる。
図１０は、本発明の第６実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。
本発明の第６実施例に係る発光ダイオードパッケージ１００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、第１及び第２波長変換部１４２、１４４、及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を含む。本実施例に対して説明するとき、前記の他の実施例と同一の説明は省略する。
本実施例において、第２パッド１３４は第５実施例と同一であるので、それに対する説明は省略する。
第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６は、下部ハウジング部１１０ｂの後面方向に配置され、第１及び第３パッド１３２、１３６の一部は、下部ハウジング部１１０ｂの下面及び側面と当接するコーナーまで延長されて配置されてもよい。そして、本実施例において、第１及び第３パッド１３２、１３６に対応するように、下部ハウジング部１１０ｂに第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３が形成されてもよい。第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３は、下部ハウジング部１１０ｂの下面及び側面にわたってそれぞれ形成されてもよい。すなわち、第１及び第３パッド１３２、１３６は、下部ハウジング部１１０ｂの下面及び両側面のコーナーに形成されてもよい。また、第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３は、前の実施例の発光ダイオードパッケージとは異なり、ハウジング１１０の側面で露出するように形成される。
このように第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３が下部ハウジング部１１０ｂのコーナーに形成される理由は、発光ダイオードパッケージ１００を外部基板にソルダーを用いて接合するときのはんだ付け性（ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ）を確保するためである。本実施例によって、第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３が下部ハウジング部１１０ｂの下面及び側面にわたったコーナーに形成され、下部ハウジング部１１０ｂの後面には第１及び第３溝Ｈ１、Ｈ３に接続された第１及び第３パッド１３２、１３６が配置されることによって、発光ダイオードパッケージ１００は外部基板により堅固に接合され得る。
図１１〜図１３は、本発明の第７実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。
図１１は、第７実施例に係る発光ダイオードパッケージの断面を示した図である。また、図１２は、第７実施例に係る発光ダイオードパッケージの一側面を示した図である。また、図１３は、本発明の第７実施例に係る発光ダイオードパッケージの後面を示した図である。
第７実施例に係る発光ダイオードパッケージ２００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、第１及び第２波長変換部１４２、１４４、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６及び保護層２１０を含む。本実施例に対して説明するとき、第１実施例と同一の説明は省略する。
保護層２１０は、発光ダイオードパッケージ２００の後面に形成される。保護層２１０は、第１パッド１３２、第２パッド１３４及び第３パッド１３６の間に形成される。また、保護層２１０は、図１１及び図１２に示したように、第１パッド１３２、第２パッド１３４及び第３パッド１３６の一部を覆うように形成されてもよい。各保護層２１０間の空間を介して第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６が外部に露出する。ソルダーは、保護層２１０によって露出した第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６に注入される。
保護層２１０がない場合、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６上に過多量のソルダーが塗布されたとき、ソルダーによって各パッド間の短絡が発生し得る。回路基板（図示せず）に発光ダイオードパッケージ２００を接着するためにソルダーを硬化させるとき、ソルダーが相対的に多く塗布された第１〜第３溝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３にソルダーによる大きな応力が発生する。よって、ハウジング１１０の前面が回路基板７１０に対して平行な方向に向かうようにハウジング１１０が回路基板７１０に付着したときにも、ソルダーの応力により、ハウジング１１０の前面が回路基板の垂直方向に向かうようにハウジング１１０が傾斜し得る。
保護層２１０は、ソルダーが塗布される領域を制限することによって、ソルダーが第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６に過多量で塗布されることを防止することができる。すなわち、保護層２１０は、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６に塗布されるソルダーの量及びソルダーが塗布される位置を制御することができる。よって、本実施例の発光ダイオードパッケージ２００は、ソルダーの過塗布による各パッド間の短絡及びハウジング１１０の位置離脱を防止することができる。
本実施例に係る発光ダイオードパッケージ２００は、第１パッド１３２と第２パッド１３４が互いに異なる極性の電源と接続されてもよい。このとき、二つの発光ダイオードチップ１２０には、第２パッド１３４によって互いに異なる極性の電極が互いに接続される。すなわち、第２パッド１３４によって二つの発光ダイオードチップ１２０が直列に接続され得る。このとき、発光ダイオードパッケージ２００は、二つの発光ダイオードチップ１２０を同時に駆動させることができる。この場合、複数の発光ダイオードパッケージ２００を含むバックライトユニットなどの発光装置において、複数の発光ダイオードパッケージ２００の単純制御が可能であり、制御のための駆動回路も単純化され得る。
また、他の実施例において、発光ダイオードパッケージ２００は、第１パッド１３２と第３パッド１３６が互いに同一の極性の電源と接続されてもよい。このとき、二つの発光ダイオードチップ１２０は、第２パッド１３４によって互いに同一の極性の電極が互いに接続される。また、第２パッド１３４には、第１パッド１３２及び第３パッド１３６と異なる極性の電源が接続される。すなわち、二つの発光ダイオードチップ１２０は互いに並列に接続されてもよい。このとき、発光ダイオードパッケージ２００は、二つの発光ダイオードチップ１２０を個別的に駆動させることができる。この場合、二つの発光ダイオードチップ１２０を個別的に駆動できるので、色再現性、色温度、明るさなどの制御が容易である。また、発光ダイオードパッケージ２００のテスト時、不良状態の発光ダイオードチップ１２０を区分することが容易である。
図１４は、本発明の第８実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。
図１４を参考にすると、第８実施例の発光ダイオードパッケージ３００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、第１及び第２波長変換部１４２、１４４、及び第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８を含む。本実施例に対して説明するとき、前の実施例と同一の説明は省略する。
本実施例において、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８は、図示したように、下部ハウジング部１１０ｂの下面に形成される。そして、下部ハウジング部１１０ｂには、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８に対応する位置に第１〜第４溝（図６のＨ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４参考）が形成される。ここで、第１〜第４パッド１３２、１３４、１３６、１３８は、電気的に絶縁されるように互いに離隔して配置されてもよい。
その結果、本実施例において、二つの発光ダイオードチップ１２０のうち一つは第１及び第２パッド１３２、１３４と電気的に接続され、他の一つは第３及び第４パッド１３６、１３８と電気的に接続され得る。すなわち、二つの発光ダイオードチップ１２０は互いに個別的に駆動され得る。
また、第１波長変換部１４２及び第２波長変換部１４４は、発光ダイオードチップ１２０の光の波長を互いに異なる波長に変換することができる。すなわち、第１波長変換部１４２及び第２波長変換部１４４は互いに異なる蛍光体を含有してもよい。よって、第１波長変換部１４２を通過した光及び第２波長変換部１４４を通過した光は互いに異なる色を有することができる。
本実施例に係る発光ダイオードパッケージ３００は、一つのパッケージで互いに異なる色の光を放出することによって、多様な色相の光を放出することができる。このような発光ダイオードパッケージ３００がバックライトユニットに適用されるとき、ディスプレイ装置の高い色再現率が可能になる。
また、発光ダイオードパッケージ３００は、発光ダイオードチップ１２０のそれぞれを個別的に駆動できるので、昼、夜、室内、室外などの周辺環境に応じてディスプレイ装置の色温度制御及び明るさ制御が容易である。
図１５は、本発明の第９実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。
図１５を参考にすると、第９実施例に係る発光ダイオードパッケージ４００は、発光ダイオードチップ１２０の側面に反射層４１０が形成される。第８実施例に係る発光ダイオードパッケージ４００の他の構成は第１〜第８実施例と同一であるので、それについての説明は省略する。
反射層４１０は、発光ダイオードチップ１２０の側面を取り囲むように形成される。
反射層４１０は、発光ダイオードチップ１２０の側面から放出される光を反射させる。反射層４１０は、発光ダイオードチップ１２０の側面から放出された光がハウジング１１０の側面に向かうことを防止する。よって、光がハウジング１１０の側面を透過した後、発光ダイオードパッケージ４００に光漏れ現象が発生することを防止する。
前の実施例において、発光ダイオードチップ１２０の熱は、各電極１２４、１２６、ビアホールＶＣに充填される導電性物質及び第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６を介して発光ダイオードチップ１２０の下部に放出されてもよい。
本実施例において、反射層４１０は、発光ダイオードチップ１２０の側面で放熱を行う。発光ダイオードチップ１２０の熱は、反射層４１０を介して第１及び第２波長変換部１４２、１４４に伝導されてもよい。反射層４１０は、熱伝導性の高い金属で形成されるので、発光ダイオードチップ１２０の熱を速く第１及び第２波長変換部１４２、１４４に伝導させることができる。第１及び第２波長変換部１４２、１４４に伝導された熱は、直ぐに発光ダイオードパッケージ４００の外部に放出されてもよく、ハウジング１１０を介して発光ダイオードパッケージ４００の外部に放出されてもよい。よって、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ４００は、発光ダイオードチップ１２０で発生した熱を発光ダイオードチップ１２０の下面のみならず、側面を介しても放出することができる。
例えば、反射層４１０は、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、分布ブラッグ反射器及び全方向反射層（ＯＤＲ）のうち一つからなる単層構造であってもよく、少なくとも二つの層が積層された多層構造であってもよい。
このように、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ４００は、発光ダイオードチップ１２０の側面に形成された反射層４１０により、光漏れ現象を防止すると同時に、放熱効率を向上させることができる。
図１６は、本発明の第１０実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。
図１６を参考にすると、第１０実施例に係る発光ダイオードパッケージ５００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部５１０、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６、密封部５３０及び表面障壁部５２０を含む。本実施例に対して説明するとき、前の実施例と同一の説明は省略する。
波長変換部５１０は、発光ダイオードチップ１２０の上面を覆うように配置される。波長変換部５１０と発光ダイオードチップ１２０との間には、図示していないが、接着剤が介在する。
また、密封部５３０は、波長変換部５１０及び発光ダイオードチップ１２０を取り囲むようにハウジング１１０の内部に充填される。密封部５３０は、ハウジング１１０の内部に水分及び埃などが浸透することを防止し、発光ダイオードチップ１２０を保護することができる。一般に、密封部５３０は、発光パッケージを密封するエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなってもよい。
表面障壁部５２０は、発光ダイオードチップ１２０の側面、波長変換部５１０の側面及び上面に形成される。表面障壁部５２０は、外部から発光ダイオードチップ１２０及び波長変換部５１０を保護することができる。よって、表面障壁部５２０は、密封部５３０に浸透した水分及び埃などが発光ダイオードチップ１２０及び波長変換部５１０に浸透することを防止する。
例えば、表面障壁部５２０は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2などからなってもよい。表面障壁部５２０は、溶液を塗布する方式、スプレー方式、スパッタ方式などの多様な方法で形成され得る。
このように形成された表面障壁部５２０は、その表面が発光ダイオードチップ１２０や波長変換部５１０より滑らかであるので、密封部５３０の流動性が向上する。すなわち、密封部５３０がハウジングの内部に充填されるとき、表面障壁部５２０の表面が滑らかであるので、表面に沿ってスムーズに流れ落ちる。よって、密封部５３０がハウジング１１０の内部に充填されるとき、密封部５３０と表面障壁部５２０との間の空間又は気泡などの発生を最小化することができる。その結果、発光ダイオードパッケージ５００は、表面障壁部５２０と密封部５３０との間の空間又は気泡などを最小化することによって、光抽出効率を向上させることができる。
本実施例の発光ダイオードパッケージ５００は、密封部５３０と表面障壁部５２０によって水分及び埃などの浸透を二重構造で防止するので、発光ダイオードチップ１２０の性能が低下したり、波長変換部５１０が水分と接触して変色することを防止することができる。よって、発光ダイオードパッケージ５００は、水分及び埃などによる不良を減少させ、信頼性が向上する。
図１７は、本発明の第１１実施例に係る発光ダイオードパッケージを示した例示図である。
図１７を参考にすると、第１１実施例に係る発光ダイオードパッケージ６００は、ハウジング１１０、発光ダイオードチップ１２０、波長変換部５１０、第１〜第３パッド１３２、１３４、１３６、密封部５３０及び表面障壁部５２０を含む。本実施例に対して説明するとき、前の実施例と同一の説明は省略する。
本実施例において、表面障壁部５２０は、発光ダイオードチップ１２０の側面及び上面に形成される。すなわち、表面障壁部５２０の一部は、発光ダイオードチップ１２０と波長変換部５１０との間に位置するようになる。
表面障壁部５２０の上部には、発光ダイオードチップ１２０と波長変換部５１０との接着のための接着剤６１０が介在する。
このとき、表面障壁部５２０は、上部に塗布された接着剤６１０の流動性を向上させる。また、接着剤６１０の流動性が向上し、塗布された接着剤６１０に気泡が発生することを防止することができる。また、接着剤６１０は均一な厚さで塗布され得る。よって、表面障壁部５２０は、波長変換部５１０が発光ダイオードチップ１２０の上部に傾斜して配置されることを防止することができる。その結果、発光ダイオードパッケージ６００は、接着剤６１０に気泡が発生することを防止し、波長変換部５１０と発光ダイオードチップ１２０との間の接着力を向上させることができる。また、発光ダイオードパッケージ６００は、接着剤６１０の気泡により、波長変換部５１０に向かっていた光が反射されて発光ダイオードチップ１２０に再入射されることを防止することができる。また、発光ダイオードパッケージ６００は、接着剤６１０が均一な厚さで塗布され、波長変換部５１０が傾斜することを防止することによって、出射面全体にわたって均一に光変換を行うことができる。
図１８は、本発明の第１実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。
図１８を参考にすると、第１実施例に係るバックライトユニット７００は、発光ダイオードパッケージ７４０、回路基板７１０及び導光板７２０を含む。
発光ダイオードパッケージ７４０は回路基板７１０上に配置される。このとき、発光ダイオードパッケージ７４０の前面は回路基板７１０の上面と平行な方向に向かうようになり、発光ダイオードパッケージ７４０の側面はソルダー７３０によって回路基板７１０の上面に接着される。
発光ダイオードパッケージ７４０は、第１〜第１１実施例の発光ダイオードパッケージのうちいずれのパッケージであってもよい。ソルダー７３０は、ハウジング１１０に形成された溝Ｈに充填されるように塗布される。図１８に示した溝Ｈは、前の実施例で説明した各パッドに形成された各溝Ｈ１〜Ｈ４のうち一つであってもよい。
導光板７２０は、光入射面が発光ダイオードパッケージ７４０の前面と向かい合うように配置される。
本実施例において、発光ダイオードパッケージ７４０は、その側面が回路基板７１０の上面に接合される。よって、本実施例のバックライトユニット７００は、別途の回路基板７１０が成形されなくても、発光ダイオードパッケージ７４０の出射面から放出される光が導光板７２０の入射面に直接入射される。
このようなバックライトユニット７００は、回路基板７１０を曲げるなどの別途の成形が必要ないので、工程単純化及び工程費用節減が可能である。
本実施例では図示していないが、バックライトユニット７００は、一般的なバックライトユニットに含まれる他の構成部をさらに含んでもよい。
図１９は、本発明の第２実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。
図１９を参考にすると、第２実施例に係るバックライトユニット８００は、第１１実施例に係る発光ダイオードパッケージ８１０、回路基板７１０及び導光板７２０を含む。ここで、第１実施例に係るバックライトユニット８００と同一の説明は省略する。
第１２実施例に係る発光ダイオードパッケージ８１０は、ハウジング８２０の構造が他の実施例と異なっている。第１２実施例の発光ダイオードパッケージ８１０の他の構成部は、第１〜第１１実施例に係る発光ダイオードパッケージと同一であるので、それについての詳細な説明は省略する。
本実施例によると、発光ダイオードパッケージ８１０は、ハウジング８２０の内壁が曲がった構造である。ハウジング８２０の内壁は、中心部が外壁方向に凹状の構造である。すなわち、ハウジング８２０の側壁の中間部分の厚さｔ３は、ハウジング８２０の上部厚さｔ４より小さい。
ハウジング８２０の内壁の下部８２１のうち一部は、発光ダイオードチップ１２０の側面と接する。よって、発光ダイオードチップ１２０の側面に位置したハウジング８２０の厚さが厚いので、発光ダイオードチップ１２０の側面から放出された光がハウジング８２０を透過して外部に漏れることを防止することができる。また、ハウジング８２０の内壁の下部８２１のうち他の一部は、発光ダイオードチップ１２０の側面から漸次遠くなる構造を有する。よって、発光ダイオードチップ１２０の側面とハウジング８２０の内壁の下部８２１の一部は離隔し、それらの間は波長変換部１４０で充填される。発光ダイオードチップ１２０の側面と離隔したハウジング８２０の内壁の下部８２１は平らな構造であってもよく、凹状構造又は凸状構造であってもよい。ハウジング８２０の内壁の上部８２２は、ハウジング８２０の内壁の下部８２１と接続され、ハウジング８２０の開口部の入口まで延長された構造を有する。このとき、ハウジング８２０の内壁の上部８２２は平らな構造を有する。ハウジング８２０の内壁の上部８２２は、平らな構造に限定されなく、凸状又は凹状構造などの曲線を有する構造であってもよい。
発光ダイオードチップ１２０の側面から放出された光は、ハウジング８２０の内壁に反射される。ハウジングの内壁が下部から上部まで直線構造であるとき、内壁に反射された光の一部は、発光ダイオードパッケージ８１０のハウジング８２０の開口部の入口である出射面でない他の方向に進行し得る。しかし、本実施例のハウジング８２０は、互いに異なる厚さｔ３、ｔ４を有する側壁による凹状構造の内壁により、光が発光ダイオードパッケージ８１０の出射面方向に進行するように反射させることができる。発光ダイオードチップ１２０の側面から放出された光の一部は、傾斜を有するハウジング８２０の内壁の下部８２１で反射されて出射面に向かうことができる。また、ハウジング８２０の内壁の上部８２２は、発光ダイオードチップ１２０から放出された光及びハウジング８２０の内壁の下部８２１に反射された光を出射面に案内するガイドとしての役割をすることができる。
したがって、本実施例に係るバックライトユニット８００は、凹状の内壁を有するハウジング８２０によって内壁に反射された光が導光板７２０の入射面に向かうように誘導されるので、光抽出効率が向上する。
図１９において、ハウジング８２０の内壁は、平面が曲がった構造で示されているが、ハウジング８２０の内壁は凹状の曲面であってもよい。
図２０は、本発明の第３実施例に係るバックライトユニットを示した例示図である。
図２０を参考にすると、第３実施例に係るバックライトユニット９００は、複数の発光ダイオードパッケージ７４０、回路基板７１０及び導光板７２０を含む。
複数の発光ダイオードパッケージ７４０は、ハウジング１１０の後面に形成された保護層２１０を含む。
複数の発光ダイオードパッケージ７４０は、回路基板７１０の上部に並んで配列される。また、複数の発光ダイオードパッケージ７４０は、回路基板７１０にソルダー７３０で固定される。このとき、保護層２１０は、それぞれの発光ダイオードパッケージ７４０に塗布されたソルダー７３０が隣り合う発光ダイオードパッケージ７４０と接触することを防止する。すなわち、保護層２１０により、ソルダーは、それぞれの発光ダイオードパッケージ７４０領域内にのみ塗布される。
したがって、保護層２１０により、隣り合う各発光ダイオードパッケージ７４０間のソルダー７３０による短絡が防止されるので、複数の発光ダイオードパッケージ７４０は互いに最大限近接するように配置され得る。
複数の発光ダイオードパッケージ７４０が互いに近接して配置され得るので、各発光ダイオードパッケージ７４０間の非発光領域が減少する。また、互いに隣り合う各発光ダイオードパッケージ７４０間の光交差点が発生し、各発光ダイオードパッケージ７４０間にダークスポットが発生することを防止する。よって、バックライトユニット９００は、導光板７２０の入射面全体にわたって光が均一に入射され得るので、導光板７２０を介して放出される光の均一度を向上させることができる。また、複数の発光ダイオードパッケージ７４０が互いに近接するように配置されるので、回路基板７１０により多い個数の発光ダイオードパッケージ７４０を装着することができる。このように、本実施例に係るバックライトユニット９００は、保護層２１０によって複数の発光ダイオードパッケージ７４０が互いに近接して配置されるので、光の均一度及び明るさを向上させることができる。
上述したように、本発明に対しては、添付の図面を参照した実施例によって具体的に説明した。しかし、上述した実施例は、本発明の好適な例を挙げて説明したものに過ぎないので、本発明が前記実施例にのみ限定されるものと理解してはならなく、本発明の権利範囲は、後述する特許請求の範囲及びその等価概念で理解すべきであろう。
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７４０、８１０ 発光ダイオードパッケージ
１１０、８２０ ハウジング
１１０ａ 上部ハウジング部
１１０ｂ 下部ハウジング部
１２０ 発光ダイオードチップ
１２２ 発光構造体
１２４ 第１電極
１２６ 第２電極
１３２ 第１パッド
１３４ 第２パッド
１３６ 第３パッド
１３８ 第４パッド
１４０、５１０ 波長変換部
１４２ 第１波長変換部
１４４ 第２波長変換部
２１０ 保護層
４１０ 反射層
５２０ 表面障壁部
５３０ 密封部
６１０ 接着剤
７００、８００、９００ バックライトユニット
７１０ 回路基板
７２０ 導光板
７３０ ソルダー
８２１ ハウジングの内壁の下部
８２２ ハウジングの内壁の上部
Ｈ 溝
Ｈ１ 第１溝
Ｈ２ 第２溝
Ｈ３ 第３溝
Ｈ４ 第４溝
ＶＣ ビアホール

Claims (21)

  1. 一つ以上の発光ダイオードチップと、
    前記一つ以上の発光ダイオードチップが実装され、前記一つ以上の発光ダイオードチップから放出された光が外部に放出されるように少なくとも一面が開放されたハウジングと、
    前記ハウジングにおいて前記光が放出される第１面と異なる第２面に配置され、前記一つ以上の発光ダイオードチップと電気的に接続された複数のパッドと、
    を含み、
    前記ハウジングは、前記複数のパッドが配置された第２面と隣接した他の第３面に複数の溝が形成された発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記複数のパッドのそれぞれと前記複数の溝のそれぞれは互いに対応する位置に形成された、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記複数のパッド及び前記複数の溝のそれぞれは電気伝導性物質でコーティングされた、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記一つ以上の発光ダイオードチップは、光を放出する発光構造体、及び前記発光構造体とそれぞれ電気的に接続された第１電極及び第２電極を含み、
    前記第１電極及び前記第２電極は前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続された、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記一つ以上の発光ダイオードチップは二つ以上であり、
    前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち一つの第１電極は、複数のパッドのうち一つと電気的に接続され、
    前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち他の一つの第２電極は、前記複数のパッドのうち他の一つと電気的に接続され、
    前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち前記一つの第１電極と前記二つ以上の発光ダイオードチップのうち前記他の一つの第２電極は互いに電気的に接続された、請求項４に記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 前記第１電極及び前記第２電極は、前記ハウジングに形成されたビアホールに充填された導電性物質によって前記複数のパッドのそれぞれと電気的に接続された、請求項４に記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 前記複数のパッドのそれぞれは、電気的に絶縁されるように所定の距離を有して離隔した、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 前記複数のパッドのそれぞれは、前記ハウジングの前記第２面に所定の面積を有するように配置された、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. 前記複数の溝は、前記複数のパッドが配置された前記第２面及び前記第３面にわたって形成された、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  10. 前記複数の溝は、前記第２面、前記第３面、並びに前記第２面及び前記第３面に隣接した第４面にわたって形成された、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  11. 前記ハウジングは、外部基板に前記第３面が当接して接合される、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  12. 前記ハウジングにおいて、前記複数のパッドのそれぞれが前記外部基板とソルダーによって電気的に接続される、請求項１１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  13. 前記ソルダーは、前記複数の溝のそれぞれの少なくとも一部に充填されている、請求項１２に記載の発光ダイオードパッケージ。
  14. 前記複数のパッド間に配置され、前記複数の溝を露出する保護層をさらに含む、請求項１３に記載の発光ダイオードパッケージ。
  15. 前記保護層は、前記複数のパッドの少なくとも一部を覆う、請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージ。
  16. 前記ソルダーは、前記保護層によって露出した前記複数のパッド上に配置される、請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージ。
  17. 前記発光ダイオードチップの側面を覆い、前記発光ダイオードチップの側面から放出された光を反射する反射層をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  18. 前記発光ダイオードチップの上部に配置された波長変換部をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
  19. 前記発光ダイオードチップの側面、前記波長変換部の側面及び上面を取り囲むように配置された表面障壁部をさらに含む、請求項１８に記載の発光ダイオードパッケージ。
  20. 前記発光ダイオードチップの側面及び上面を取り囲むように配置された表面障壁部をさらに含む、請求項１８に記載の発光ダイオードパッケージ。
  21. 前記ハウジングの内壁は外壁方向に凹状に曲がった、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
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C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

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Effective date: 20230307

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

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