CN110993773A - 发光二极管封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装件，包括上部、下部壳体部，上部壳体部包括：第一发光二极管芯片，布置于上部壳体部；第二发光二极管芯片，布置于上部壳体部；第一、第二波长转换部，对应于第一、第二发光二极管芯片，使光通过；第一电极，形成于第一发光二极管芯片；第二电极，形成于第二发光二极管芯片，下部壳体部包括：至少三个槽，形成于下部壳体部；至少三个焊盘，对应于一个槽并覆盖对应槽的至少一部分；第一对通孔，布置为在第二方向上将第一电极连接到一个以上焊盘，第二对通孔，布置为在第二方向上将第二电极连接到一个以上焊盘，其中，第三槽形成于第一对通孔中的一个与第二对通孔中的一个之间的位置。

Description

发光二极管封装件
本申请是申请日为2018年6月8日、申请号为201810586507.8、题为“发光二极管封装件”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件，尤其涉及一种侧视型发光二极管封装件。
背景技术
发光二极管封装件可以大致分为顶部发光二极管封装件与侧视型发光二极管封装件。其中，侧视型发光二极管封装件广泛用作使光入射至导光板的侧表面的显示装置的背光用光源。最近，侧视型发光二极管封装件包括用于将发光二极管芯片安装在壳体的前表面的空腔，并且引线从壳体内部通过壳体底面而向外部延伸，且在空腔内与发光二极管芯片电连接。
在将如上所述的侧视型发光二极管封装件结合到外部基板时，利用焊料(solder)而结合，但是存在由于焊料的厚度导致侧视型发光二极管封装件无法紧贴于外部基板的问题。
发明内容
本发明要解决的课题为，提供一种将侧视型发光二极管封装件结合于外部基板时，能够与外部基板紧贴而结合的发光二极管封装件。
根据本发明的一实施例的发光二极管封装件可以包括：一个以上的发光二极管芯片；壳体，安装有所述一个以上的发光二极管芯片，并且至少一面开放，使从所述一个以上的发光二极管芯片发出的光向外部发出；以及多个焊盘，在所述壳体布置于与发出光的第一面不同的第二面，并与所述一个以上的发光二极管芯片电连接，其中，在所述壳体的与布置有所述多个焊盘的第二面邻近而不同的第三面形成有多个槽。
此时，所述多个焊盘中的每一个焊盘可以形成于与所述多个槽中的每一个相互对应的位置。
并且，所述一个以上的发光二极管芯片可以包括发光结构体以及第一电极及第二电极，所述发光结构体发出光；所述第一电极及第二电极分别与所述发光结构体电连接。
在此，所述一个以上的发光二极管芯片可以为两个以上，所述两个以上的发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片的第一电极与多个焊盘中的一个焊盘电连接，所述两个以上的发光二极管芯片中的另外一个发光二极管芯片的第二电极与所述多个焊盘中的另外一个焊盘电连接，所述两个以上的发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片的第一电极与所述两个以上的发光二极管芯片中的另外一个发光二极管芯片的第二电极相互电连接。
并且，所述第一电极及第二电极通过将形成于所述壳体的通孔(via hole)填充的导电性物质而与所述多个焊盘中的每一个电连接。
并且，所述多个焊盘可以分别以预定的距离隔开，以彼此电绝缘。
此时，所述多个焊盘可以分别布置成在所述壳体的第二面具有预定的面积。
并且，所述多个槽可以经由布置有所述多个焊盘的第二面以及邻近的所述第三面而形成。
或者，所述多个槽可以经由布置有所述多个焊盘的第二面、相邻的所述第三面以及与所述第二面及第三面相邻的第四面而形成。
并且，所述壳体可以以所述第三面与外部基板抵接的方式结合于所述外部基板。
此时，所述壳体可以以所述多个焊盘分别通过焊料(solder)电连接于所述外部基板的方式结合于所述外部基板。
并且，所述壳体可以以所述焊料分别填充所述多个槽中的每一个槽的至少一部分的方式结合于所述外部基板。
发光二极管封装件还可以包括：保护层，布置于所述多个焊盘之间而使所述多个槽暴露。
并且，所述保护层可以形成为覆盖所述多个焊盘的至少一部分。
所述焊料涂覆于通过所述保护层暴露的所述多个焊盘上。
所述发光二极管封装件还可以包括：反射层，形成为包围所述发光二极管芯片的侧表面，以反射从所述发光二极管芯片的侧面发出的光。
所述发光二极管封装件还可以包括：波长转换部，布置于所述发光二极管芯片的上部。
所述发光二极管封装件还可以包括：表面阻挡部，布置为包围所述发光二极管芯片的侧表面、所述波长转换部的侧表面及上表面。
或者，发光二极管封装件还可以包括：表面阻挡部，布置为包围所述发光二极管芯片的侧表面及上表面。
所述壳体的内壁可以弯曲为朝外壁方向凹陷。
根据本发明，通过在发光二极管封装件形成多个槽，从而与外部基板结合时所利用的焊料在填充多个槽的状态下使发光二极管封装件结合于基板，因此具有外部基板与发光二极管封装件最大限度地紧贴的效果。
并且，由于在焊料填充发光二极管封装件的槽的状态下与外部基板结合，因此具有提高发光二极管封装件与外部基板之间的粘合力的效果。
此外，由于焊料并不形成于发光二极管封装件的外侧，而被填充到形成于发光二极管封装件的多个槽，进而最少化形成于发光二极管封装件的侧面的焊料，因此能够更紧密地布置与相邻的发光二极管封装件之间的距离。因此，减小了布置多个发光二极管封装件时的间隔，从而具有能够减小由于发光二极管封装件产生的热点等的效果。
附图说明
图1是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的立体图。
图2是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的背面的立体图。
图3是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的前表面、侧表面及后表面的图。
图4是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的侧表面的图。
图5是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图6是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的立体图。
图7是图示根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的立体图。
图8是图示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的立体图。
图9是图示根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的立体图。
图10是图示根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的立体图。
图11至图13是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的示意图。
图14是图示根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件的示意图。
图15是图示根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的示意图。
图16是图示根据本发明的第十实施例的发光二极管封装件的示意图。
图17是图示根据本发明的第十一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图18是图示根据本发明的第一实施例的背光单元的示意图。
图19是图示根据本发明的第二实施例的背光单元的示意图。
图20是图示根据本发明的第三实施例的背光单元的示意图。
符号说明
100、200、300、400、500、600、740、810：发光二极管封装件
110、820：壳体 110a：上部壳体部
110b：下部壳体部 120：发光二极管芯片
122：发光结构体 124：第一电极
126：第二电极 132：第一焊盘
134：第二焊盘 136：第三焊盘
138：第四焊盘 140、510：波长转换部
142：第一波长转换部 144：第二波长转换部
210：保护层 410：反射层
520：表面阻挡部 530：密封部
610：粘合剂 700、800、900：背光单元
710：电路基板 720：导光板
730：焊料 821：壳体内壁的下部
822：壳体内壁的上部 H：槽
H1：第一槽 H2：第二槽
H3：第三槽 H4：第四槽
VC：通孔
具体实施方式
参照附图，对本发明优选的实施例进行更具体的说明。以下介绍的实施例是为了使本领域的技术人员能够充分理解本发明的思想而举例提供的。因此，本发明并不限定于以下说明的实施例，而可以被具体化为其他形式。并且，为了便于说明，在附图中，可能夸大描述构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同附图符号表示同一构成要素，类似的附图符号表示类似的构成要素。
图1是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的立体图，图2是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的背面的立体图。并且，图3是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的前表面、侧表面及后表面的图，图4是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的侧表面的图，图5是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的剖面图。
根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、第一波长转换部142、第二波长转换部144及第一焊盘至第三焊盘132、134、136。
如图5所示，壳体110形成为包围发光二极管芯片120。在本实施例中，壳体110包括上部壳体部110a与下部壳体部110b。在本实施例中，上部壳体部110a与下部壳体部110b可以形成为一体，但是为了便于说明，分为上部壳体部110a与下部壳体部110b而进行说明。
壳体110可以利用环氧模塑料(EMC)、白色硅胶等热固性材质，以改善耐光及耐热特性。并且，根据需要也可以利用聚酰胺(PA)材质的热塑性材质。
并且，壳体110形成发光二极管封装件100的外形。上部壳体部110a可以具有从贴装有发光二极管芯片120的面向一个方向开放的面。因此，从发光二极管芯片120发出的光可以通过上部壳体部110a的开放的面而向外部发出。在本实施例中，如图1所示，上部壳体部110a的开放的面为前表面方向。
并且，在本实施例中，在下部壳体部110b的下部可以形成有用于与外部基板结合的第一焊盘至第三焊盘132、134、136。第一焊盘至第三焊盘132、134、136可以通过焊料(solder)与外部基板结合，并且可以与外部基板电连接。并且，在本实施例中，如图1及图2所示，第一焊盘至第三焊盘132、134、136形成于下部壳体部110b的后表面方向。
并且，在下部壳体部110b的下表面可以形成有第一槽至第三槽H1、H2、H3。第一槽至第三槽H1、H2、H3可以形成于第一焊盘至第三焊盘132、134、136所形成的位置，并且可以形成为具有预定的深度。在本实施例中，虽然如图1及图2所示，对第一槽至第三槽H1、H2、H3具有半圆柱的形状的情形进行了说明，但是各槽H1、H2、H3的形状可以根据需要而不同。并且，形成于下部壳体部110b的下表面的第一槽至第三槽H1、H2、H3可以分别形成为开放至下部壳体部110b的后表面。即，第一槽至第三槽H1、H2、H3可以经由下部壳体部110b的下表面与后表面而形成。
如上所述，以上述方式形成的第一槽至第三槽H1、H2、H3形成于与第一焊盘至第三焊盘132、134、136对应的位置，在本实施例中，经由第一槽至第三槽H1、H2、H3的内侧表面与第一焊盘至第三焊盘132、134、136，可以被诸如金属等导电性物质镀覆(或者，涂覆)。因此，当通过焊料等结合外部基板与第一焊盘至第三焊盘132、134、136时，可以形成电连接。
并且，参照图2及图3的(c)，第一焊盘至第三焊盘132、134、136可以在下部壳体部110b的后表面形成为特定形状，并且可以在下部壳体部110b的后表面形成为具有预定的宽度。此时，第一焊盘至第三焊盘132、134、136的形状可以根据需要形成为其他形状，并且第一焊盘至第三焊盘132、134、136可以形成为以预定的距离被隔开的状态，从而彼此电绝缘。作为参考，图2是相比于图1的附图而颠倒上下前后方向的状态的图。
第一焊盘至第三焊盘132、134、136位于壳体110的后表面区域内。并且，第一槽至第三槽H1、H2、H3经由壳体110的下表面与后表面而形成，其中，在后表面，形成于第一焊盘至第三焊盘132、134、136区域内。因此，第一槽至第三槽H1、H2、H3在壳体110的侧表面不暴露。
并且，参照图3的(b)及图4，在本实施例中，第一焊盘至第三焊盘132、134、136在下部壳体部110b的后表面形成为具有预定的厚度t。即，第一焊盘至第三焊盘132、134、136可以并非如上所述地通过镀覆形成于下部壳体部110b的表面，而是利用另外的金属等导电性物体结合于下部壳体部110b。并且，为了提高第一焊盘至第三焊盘132、134、136的导电性，可以进行镀覆。
并且，参照图5，在本实施例中对发光二极管芯片120与第一焊盘至第三焊盘132、134、136的电连接进行说明。发光二极管芯片120可以布置于壳体110的具有开放的一面的收容空间，并且可以包括第一波长转换部142及第二波长转换部144以覆盖发光二极管芯片120。
第一波长转换部142及第二波长转换部144分别起到将从发光二极管芯片120发出的光的波长转换而向发光二极管封装件100的外部发出白色光的作用。为此，第一波长转换部142及第二波长转换部144内部可以包括一种以上的荧光体。
并且，发光二极管芯片120包括发光结构体122与形成于发光结构体122下部的第一电极124及第二电极126。发光结构体122可以包括n型半导体层、活性层及p型半导体层，并且n型半导体层、活性层及p型半导体层可以分别包括III-V族系列的化合物半导体。作为一例，可以包括诸如(Al、Ga、In)N等氮化物半导体。并且，在n型半导体层与p型半导体层之间可以夹设有活性层。
n型半导体层可以是包括n型杂质(例如，Si)的导电型半导体层，p型半导体层可以是包括p型杂质(例如，Mg)的导电型半导体层。并且，活性层可以包括多量子阱结构(MQW)，并且可以以能够发出所期望的峰值波长的光的方式确定组成比。
第一电极124及第二电极126可以分别与n型半导体层或p型半导体层电连接，并且连接顺序可以改变。
在布置于第一电极124及第二电极126下部的下部壳体部110b可以形成有通孔(via hole)VC，通孔VC可以在安装有发光二极管芯片120的位置形成于下部壳体部110b。即，通孔VC在下部壳体部110b中的发光二极管芯片120的贴装面向下部壳体部110b的后表面方向形成。并且，在下部壳体部110b的后表面布置有第一焊盘至第三焊盘132、134、136，通孔VC的内部可以被导电性物质填充。因此，发光二极管芯片120的第一电极124及第二电极126可以通过填充通孔VC的导电性物质而与形成于下部壳体部110b的后表面的第一焊盘至第三焊盘132、134、136电连接。
在本实施例中，根据对发光二极管封装件100利用两个发光二极管芯片120的情形进行的说明，在图3中，第一焊盘132与布置于左侧的发光二极管芯片120的第一电极124电连接，第二焊盘134与布置于左侧的发光二极管芯片120的第二电极126电连接。并且，第二焊盘134与布置于右侧的发光二极管芯片120的第一电极124电连接，第三焊盘136与布置于右侧的发光二极管芯片120的第二电极126电连接。即，第二焊盘134分别与两个发光二极管芯片120电连接，从而起到共同电极作用，并且以串联方式连接两个发光二极管芯片120。
并且，由于在上部壳体部110a内布置有两个发光二极管芯片120，因此如图1及图3的(a)所示，上部壳体部110a可以具有两个向两个发光二极管芯片120上部开放的面。在本实施例中，将发光二极管封装件100包括两个发光二极管芯片120的情形作为示例进行说明。然而，构成发光二极管封装件100的发光二极管芯片120的数量并不限于此。发光二极管封装件100可以包括多种数量的发光二极管芯片120。此时，上部壳体部110a的开放的面可以形成于各个发光二极管芯片120的上部。即，上部壳体部110a的开放的面的数量可以与发光二极管芯片120的数量相同。
如上所述，在发光二极管封装件100的壳体110形成有第一焊盘至第三焊盘132、134、136，并且与形成有第一焊盘至第三焊盘132、134、136的位置对应地形成有第一槽至第三槽H1、H2、H3，因此当利用焊料将发光二极管封装件100结合到外部基板时，焊料可以填充第一槽至第三槽H1、H2、H3并结合。因此，由于焊料填充第一槽至第三槽H1、H2、H3并相接于第一焊盘至第三焊盘132、134、136，所以发光二极管封装件100与外部基板能够以更紧贴的状态结合。在此，在本实施例中，与外部基板相接的发光二极管封装件100的面为下表面。
并且，借助于第一槽至第三槽H1、H2、H3，焊料与发光二极管封装件100接触的面积增加。因此，发光二极管封装件100能够更坚固地结合于外部基板。
并且，当外部基板与发光二极管封装件100通过焊料结合时，由于焊料填充第一槽至第三槽H1、H2、H3，因此焊料可以不形成于发光二极管封装件100的侧面方向。因此，当在发光二极管芯片120的侧面布置其他发光二极管芯片120时，可以不受焊料干扰，以最小化邻近的发光二极管芯片120之间的距离的状态将发光二极管封装件100结合到外部基板。
图6是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的立体图。
根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部140及第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138。在对本实施例进行说明的过程中，省略与第一实施例相同的说明。
在本实施例中，第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138如图所示地形成于下部壳体部110b的下表面。并且，在下部壳体部110b的对应于第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138的位置形成有第一槽至第四槽H1、H2、H3、H4。在此，第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138可以相互隔开布置，从而彼此电绝缘。
因此，在本实施例中，两个发光二极管芯片120中的一个可以与第一焊盘132及第二焊盘134电连接，另一个可以与第三焊盘136及第四焊盘138电连接。
图7是图示根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的立体图。
根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部140及第一焊盘至第三焊盘132、134、136。
在本实施例中，利用一个发光二极管芯片120。因此，如图所示，在发光二极管封装件100的前表面方向形成有一个波长转换部140。因此，上部壳体部110a可以具有一个开放的面。由于如上所述地利用一个发光二极管芯片120，发光二极管芯片120可以分别与第一焊盘至第三焊盘132、134、136电连接。此时，第二焊盘134可以用于将发光二极管封装件100结合于外部基板。并且，第二焊盘134可以执行向外部释放从发光二极管封装件100产生的热的散热功能。
并且，根据需要，可以不配备第二焊盘134，若不配备第二焊盘134，则在下部壳体部110b也可以不形成第二槽H2。
图8是图示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的立体图。
根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部140、第一焊盘132及第二焊盘134。
在本实施例中，第一焊盘132及第二焊盘134可以布置于壳体110的后表面，形成于下部壳体部110b的第一槽H1及第二槽H2可以形成于布置有第一焊盘132及第二焊盘134的位置。在本实施例中，与第一实施例不同地，第一槽H1及第二槽H2可以分别相对大地形成。例如，第一槽H1及第二槽H2可以形成为与外部基板相接的下表面的截面积大于后表面的截面积。
在本实施例中，第一槽H1及第二槽H2的形状可以为边缘具有曲线，并且在曲线之间形成有直线区间，从而形成为相对宽的空间。因此，可以在第一槽H1及第二槽H2填充相对多的焊料。
在本实施例中，如同第一实施例地，在利用两个发光二极管芯片120的情况下，两个发光二极管芯片120可以在壳体110的内部以串联方式连接。并且，两个发光二极管芯片120中的一个发光二极管芯片120的第一电极124可以与第一焊盘132电连接，作为另一个发光二极管芯片120的第二电极126可以与第二焊盘134电连接。
并且，如同第三实施例地，在利用一个发光二极管芯片120的情况下，发光二极管芯片120的第一电极124可以与第一焊盘132电连接，第二电极126可以与第二焊盘134电连接。
图9是图示根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的立体图。
根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部140及第一焊盘至第三焊盘132、134、136。本实施例作为第一实施例中的第一焊盘至第三焊盘132、134、136被变形的实施例，因此省略与第一实施例相同的说明。
在本实施例中，第二焊盘134相比于第一实施例可以具有相对小的尺寸。并且，第一焊盘132及第三焊盘136相比于第一实施例可以具有相对大的尺寸。如上所述地第一焊盘132及第三焊盘136的尺寸相对变大，因此在将发光二极管封装件100结合到外部基板时，在外部基板与第一焊盘132及第三焊盘136能够利用更多的焊料。因此，与外部基板电连接的第一焊盘132及第三焊盘136能够借助焊料而相比于第二焊盘134相对坚固地结合于外部基板。
并且，在本实施例中，如同第一实施例地，第二焊盘134能够起到以串联方式连接两个发光二极管芯片120的共同电极的作用，并且能够起到不与外部基板电连接而结合的作用。
图10是图示根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的立体图。
根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、第一波长转换部142、第二波长转换部144及第一焊盘至第三焊盘132、134、136。在对本实施例进行说明时，省略与上述的其他实施例相同的说明。
在本实施例中，第二焊盘134与第五实施例相同，因此省略对此的说明。
第一焊盘132至第三焊盘136可以布置于下部壳体部110b的后表面方向，第一焊盘132及第三焊盘136的一部分可以延伸至与下部壳体部110b的下表面及侧表面相连的边角而布置。并且，在本实施例中，在下部壳体部110b可以与第一焊盘至第三焊盘132、134、136对应地形成有第一槽至第三槽H1、H2、H3。第一槽H1及第三槽H3分别可以经由下部壳体部110b的下表面与侧表面而形成。即，第一焊盘132及第三焊盘136可以形成于下部壳体部110b的下表面与两侧表面的边角。并且，与之前的实施例的发光二极管封装件不同地，第一槽H1及第三槽H3形成为在壳体110的侧表面暴露。
如上所述，第一槽H1及第三槽H3形成于下部壳体部110b的边角的目的在于，确保当利用焊料将发光二极管封装件100结合到外部基板时的可焊性(solder-ability)。根据本实施例，第一槽H1及第三槽H3形成于经由下部壳体部110b的下表面与侧表面的边角，由于在下部壳体部110b的后表面布置有连接于第一槽H1及第三槽H3的第一焊盘132及第三焊盘136，所以发光二极管封装件100能够更坚固地结合于外部基板。
图11至图13是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的示意图。
图11是示出根据第七实施例的发光二极管封装件的剖面的图。并且，图12是示出根据第七实施例的发光二极管封装件的一侧表面的图。并且，图13是示出根据第七实施例的发光二极管封装件的后表面的图。
根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件200包括壳体110、发光二极管芯片120、第一波长转换部142、第二波长转换部144、第一焊盘至第三焊盘132、134、136及保护层210。对本实施例进行说明时，省略与第一实施例相同的说明。
保护层210形成于发光二极管封装件200的后表面。保护层210形成于第一焊盘132、第二焊盘134及第三焊盘136之间。并且，如图11及图12所示，保护层210也可以形成为覆盖第一焊盘132、第二焊盘134及第三焊盘136的一部分。第一焊盘132至第三焊盘136通过保护层210之间的空间向外部暴露。焊料注入通过保护层210暴露的第一焊盘132至第三焊盘136。
在没有保护层210的情况下，当在第一焊盘132至第三焊盘136上涂覆过量的焊料时，可能会因焊料而发生焊盘之间的短路。当为了将发光二极管封装件200粘合到电路基板(未图示)而固化焊料时，在涂覆有相对较多的焊料的第一槽H1至第三槽H3由于焊料而发生较大的应力。因此，即使壳体110以壳体110的前表面朝向平行于电路基板710的方向的方式贴附于电路基板710，由于焊料的应力，壳体110也可以以壳体110的前表面朝向电路基板的垂直方向的方式倾斜。
保护层210通过限制涂覆焊料的区域，能够防止焊料过量地涂覆于第一焊盘132至第三焊盘136。即，保护层210能够控制涂覆于第一焊盘132至第三焊盘136的焊料的量以及涂覆焊料的位置。因此，本实施例的发光二极管封装件200能够防止由于过度涂覆焊料导致的焊盘之间的短路及壳体110的位置脱离。
在根据本实施例的发光二极管封装件200中第一焊盘132与第二焊盘134可以与极性互不相同的电源连接。此时，两个发光二极管芯片120的极性互不相同的电极通过第二焊盘134相互连接。即，两个发光二极管芯片120可以通过第二焊盘134以串联的方式连接。此时，发光二极管封装件200能够同时驱动两个发光二极管芯片120。在这种情况下，在诸如包括多个发光二极管封装件200的背光单元等发光装置中，能够实现多个发光二极管封装件200的简单控制，并且用于控制的驱动电路也能够被简化。
并且，作为另一实施例，发光二极管封装件200中第一焊盘132与第二焊盘134可以与极性相同的电源连接。此时，两个发光二极管芯片120的极性相同的电极通过第二焊盘134相互连接。并且，第二焊盘134连接于与第一焊盘132及第三焊盘136不同极性的电源。即，两个发光二极管芯片120可以以并联的方式相互连接。此时，发光二极管封装件200能够将两个发光二极管芯片120分别独立地驱动。在这种情况下，由于能够独立地驱动两个发光二极管芯片120，因此易于控制色饱和度、色温、亮度等。并且，当测试发光二极管封装件200时，易于区分出不良状态的发光二极管芯片120。
图14是图示根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件的示意图。
参照图14，第八实施例的发光二极管封装件300包括壳体110、发光二极管芯片120、第一波长转换部142、第二波长转换部144及第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138。对本实施例进行说明时，省略与之前的其他实施例相同的说明。
在本实施例中，如图所示，第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138形成于下部壳体部110b的下表面。并且，在下部壳体部110b的对应于第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138的位置形成有第一槽至第四槽(参考图6的H1、H2、H3、H4)。在此，第一焊盘至第四焊盘132、134、136、138可以相互隔开布置，从而彼此电绝缘。
因此，在本实施例中，两个发光二极管芯片120中的一个可以与第一焊盘132及第二焊盘134电连接，另一个可以与第三焊盘136及第四焊盘138电连接。即，两个发光二极管芯片120可以彼此独立地被驱动。
并且，第一波长转换部142及第二波长转换部144可以将发光二极管芯片120的光的波长转换为互不相同的波长。即，第一波长转换部142及第二波长转换部144可以含有互不相同的荧光体。因此，通过第一波长转换部142的光与通过第二波长转换部144的光可以具有互不相同的颜色。
根据本实施例的发光二极管封装件300可以在一个封装件发出不同颜色的光，从而能够发出多种颜色的光。若如上所述的发光二极管封装件300适用于背光单元，则能够实现显示装置的高色饱和度。
并且，由于发光二极管封装件300能够将各个发光二极管芯片120分别独立地驱动，因此易于根据诸如白天、夜晚、室内、室外等周围环境控制显示装置的色温及亮度。
图15是图示根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的示意图。
参照图15，根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件400在发光二极管芯片120的侧表面形成有反射层410。由于根据第九实施例的发光二极管封装件400的其他构成与第一实施例至第八实施例相同，因此省略说明。
反射层410形成为包围发光二极管芯片120的侧表面。
反射层410反射从发光二极管芯片120的侧表面发出的光。反射层410防止从发光二极管芯片120的侧表面发出的光朝向壳体110的侧表面。因此，防止由于光透过壳体110的侧表面而在发光二极管封装件400发生眩光现象的情形。
在之前的实施例中，发光二极管芯片120的热可以通过电极124、126、填充通孔VC的导电性物质及第一焊盘至第三焊盘132、134、136向发光二极管芯片120的下部释放。
在本实施例中，反射层410在发光二极管芯片120的侧表面上执行散热。发光二极管芯片120的热可以通过反射层410传导至第一波长转换部142及第二波长转换部144。由于反射层410通过导热效率高的金属形成，因此能够将发光二极管芯片120的热快速地传导至第一波长转换部142及第二波长转换部144。传导至第一波长转换部142及第二波长转换部144的热可以直接被释放到发光二极管封装件400的外部，或者通过壳体110被释放到发光二极管封装件400的外部。因此，根据本实施例的发光二极管封装件400不仅能够通过发光二极管芯片120的下表面释放从发光二极管芯片120产生的热，还能够通过侧表面释放。
例如，反射层410可以是利用Ag、Al、Ni、Ti、分布式布拉格反射器及全向反射层(ODR)中的一种构成的单层，或者层叠至少两层的多层结构。
如上所述，根据本实施例的发光二极管封装件400通过形成于发光二极管芯片120的侧表面的反射层410，能够在防止眩光现象的同时提高散热效率。
图16是图示根据本发明的第十实施例的发光二极管封装件的示意图。
参照图16，根据本发明的第十实施例的发光二极管封装件500包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部510、第一焊盘至第三焊盘132、134、136、密封部530及表面阻挡部520。对本实施例进行说明时，省略与之前的实施例相同的说明。
波长转换部510布置为覆盖发光二极管芯片120的上表面。虽然未图示，但是在波长转换部510与发光二极管芯片120之间夹设有粘合剂。
并且，密封部530填充壳体110的内部，以包围波长转换部510与发光二极管芯片120。密封部530可以防止水分、灰尘等渗入壳体110内部，以保护发光二极管芯片120。密封部530通常可以通过密封发光封装件的环氧树脂或硅树脂构成。
表面阻挡部520形成于发光二极管芯片120的侧表面、波长转换部510的侧表面及上表面。表面阻挡部520可以从外部保护发光二极管芯片120及波长转换部510。因此，表面阻挡部520防止渗入密封部530的水分、灰尘等渗入发光二极管芯片120及波长转换部510。
例如，表面阻挡部520可以通过SiO2、TiO2等构成。表面阻挡部520可以通过涂覆溶液的方式、喷雾方式、溅射方式等多种方法形成。
由于如上所述地形成的表面阻挡部520的表面相比于发光二极管芯片120或波长转换部510的表面平滑，因此密封部530的流动性会得到提高。即，当密封部530填充于壳体内部时，由于表面阻挡部520的表面平滑，因此沿着表面顺畅地流下。因此，当密封部530填充于壳体110内部时，能够最小化其与表面阻挡部520之间产生的空间或空气气泡等。因此，发光二极管封装件500通过最小化表面阻挡部520与密封部530之间的空间或气泡等，能够提高光提取效率。
由于本实施例的发光二极管封装件500通过密封部530与表面阻挡部520双重地防止水分、灰尘等浸入，因此能够防止发光二极管芯片120的性能降低或波长转换部510与水分接触而变色的情况。因此，发光二极管封装件500减少由于水分、灰尘等造成的不良，从而提高可靠性。
图17是图示根据本发明的第十一实施例的发光二极管封装件的示意图。
参照图17，根据第十一实施例的发光二极管封装件600包括壳体110、发光二极管芯片120、波长转换部510、第一焊盘至第三焊盘132、134、136、密封部530及表面阻挡部520。对本实施例进行说明时，省略与之前的其他实施例相同的说明。
在本实施例中，表面阻挡部520形成于发光二极管芯片120的侧表面及上表面。即，表面阻挡部520的一部分位于发光二极管芯片120与波长转换部510之间。
在表面阻挡部520上部夹设有用于粘合发光二极管芯片120与波长转换部510的粘合剂610。
此时，提高涂覆于表面阻挡部520上部的粘合剂610的流动性。通过提高粘合剂610的流动性，能够防止在涂覆的粘合剂610产生气泡。并且，粘合剂610可以涂覆为均匀的厚度。因此，表面阻挡部520能够防止波长转换部510在发光二极管芯片120的上部倾斜布置。因此，发光二极管封装件600防止在粘合剂610产生气泡，从而能够提高波长转换部510与发光二极管芯片120之间的粘合力。并且，发光二极管封装件600能够防止由于粘合剂610的气泡造成朝向波长转换部510的光被反射而再入射到发光二极管芯片120。并且，发光二极管封装件600中粘合剂610涂覆为均匀的厚度而防止波长转换部510倾斜，从而能够在整个放射面均匀地进行光转换。
图18是图示根据本发明的第一实施例的背光单元的示意图。
参照图18，根据本发明的第一实施例的背光单元700包括发光二极管封装件740、电路基板710及导光板720。
发光二极管封装件740布置于电路基板710上。此时，发光二极管封装件740的前表面朝向与电路基板710的上表面平行的方向，且发光二极管封装件740的侧表面通过焊料730粘合于电路基板710的上表面。
发光二极管封装件740可以为第一实施例至第十一实施例中的任意的发光二极管封装件中的任意的封装件。焊料730以填充形成于壳体110的槽H的方式涂覆。如图18所示的槽H可以是在之前的实施例中说明的形成于焊盘的槽H1～H4中的一个。
导光板720布置为光入射面与发光二极管封装件740的前表面相对。
在本实施例中，发光二极管封装件740的侧面粘合于电路基板710的上表面。因此，本实施例的背光单元700在没有单独成型电路基板710的情况下使从发光二极管封装件740的放射面发出的光直接入射于导光板720的入射面。
由于如上所述的背光单元700不需要诸如弯曲电路板710等单独的成型过程，因此能够简化工艺并降低工艺成本。
虽然在本实施例中未图示，但背光单元700还可以包括通用背光单元中所包括的其他构成部。
图19是图示根据本发明的第二实施例的背光单元的示意图。
参照图19，根据第二实施例的背光单元800包括根据第十二实施例的发光二极管封装件810、电路基板710及导光板720。在此，省略与根据第一实施例的背光单元700相同的说明。
根据第十二实施例的发光二极管封装件810与其他实施例的差异在于壳体820的结构。由于第十二实施例的发光二极管封装件810的其他构成部与根据第一实施例至第十一实施例的发光二极管封装件相同，因此省略详细说明。
根据本实施例，发光二极管封装件810为壳体820的内壁弯曲的结构。壳体820的内壁为中心部朝外壁方向凹陷的结构。即，壳体820的侧壁的中间部分的厚度t3小于壳体820的上部厚度t4。
壳体820的内壁的下部821中一部分与发光二极管芯片120的侧表面相接。因此，由于位于发光二极管芯片120的侧面的壳体820厚度较厚，因此能够防止从发光二极管芯片120的侧面发出的光通过壳体820向外部泄露。并且，壳体820的内壁的下部821中的其他部分具有渐渐远离发光二极管芯片120的侧面的结构。因此，发光二极管芯片120的侧面与壳体820的内壁的下部821的一部分隔开，并且其之间被波长转换部140填充。与发光二极管芯片120的侧表面隔开的壳体820的内壁的下部821可以为平坦的结构，也可以是凹陷的结构或者凸出的结构。壳体820的内壁的上部822具有与壳体820的内壁的下部821连接而延长至壳体820的开口部入口的结构。此时，壳体820的内壁的上部822具有平坦的结构。壳体820的内壁的上部822也不限于平坦的结构，可以是如凸出或凹陷的结构等具有曲线的结构。
从发光二极管芯片120的侧面发出的光在壳体820的内壁被反射。当壳体的内壁从下部至上部为直线结构时，在内壁反射的光的一部分可能不向作为发光二极管封装件810的壳体820的开口部入口的放射面行进，而向其他方向行进。然而，本实施例的壳体820通过由于具有互不相同的厚度t3、t4的侧壁造成凹陷结构的内壁，可以将光反射而使其向发光二极管封装件810的放射面方向行进。从发光二极管芯片120的侧面发出的光的一部分可以在具有斜率的壳体820的内壁的下部821被反射，进而朝向放射面。并且，壳体820的内壁上部822能够起到将从发光二极管芯片120发出的光及在壳体820的内壁下部821被反射的光引导至放射面的引导作用。
因此，根据本实施例的背光单元800通过具有凹陷的内壁的壳体820将在内壁被反射的光引导为朝向导光板720的入射面，因此提高了光提取效率。
虽然图19图示了壳体820的内壁为曲折平面的结构的情形，但是壳体820的内壁也可以是凹陷的曲面。
图20是图示根据本发明的第三实施例的背光单元的示意图。
参照图20，根据本发明的第三实施例的背光单元900包括多个发光二极管封装件740、电路基板710及导光板720。
多个发光二极管封装件740包括形成于壳体110的后表面的保护层210。
多个发光二极管封装件740对齐地排列于电路基板710上部。并且，多个发光二极管封装件740通过焊料730固定于电路基板710。此时，保护层210防止涂覆于各个发光二极管封装件740的焊料730与相邻的发光二极管封装件740接触。即，通过保护层210，焊料仅涂覆于各个发光二极管封装件740区域内。
因此，由于通过保护层210防止相邻的发光二极管封装件740之间的焊料730所造成的短路，因此多个发光二极管封装件740可以最大限度地彼此靠近地布置。
由于多个发光二极管封装件740能够彼此靠近布置，因此减少了发光二极管封装件740之间的非发光区域。并且，产生相邻的发光二极管封装件740之间的光交叉点，进而防止在发光二极管封装件740之间产生暗点。因此，对于背光单元900而言，光能够均匀地入射至导光板720的整个入射面，从而能够提高通过导光板720发出的光的均匀性。并且，由于多个发光二极管封装件740彼此靠近地布置，因此能够在电路基板710安装更多数量的发光二极管封装件740。如上所述，根据本实施例的背光单元900通过保护层210将多个发光二极管封装件740彼此靠近地布置，从而能够提高光的均匀性及亮度。
如上所述，针对本发明的具体的说明已通过参照所附附图的实施例而进行，但是上述实施例中，仅仅举出本发明的优选示例并进行了说明，因此本发明不能被理解为局限于上述的实施例，本发明的权利保护范围应当被理解为权利要求书的范围以及其等同概念。

Claims (14)

1.一种发光二极管封装件，其中，
包括上部壳体部以及下部壳体部，
其中，所述上部壳体部包括：
第一发光二极管芯片，布置于所述上部壳体部内；
第二发光二极管芯片，布置于所述上部壳体部内，并且在第一方向上与所述第一发光二极管芯片隔开；
第一波长转换部及第二波长转换部，分别对应于所述第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片的上表面，并且分别使从所述第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片射出的光通过；
第一电极，形成于所述第一发光二极管芯片的下表面；以及
第二电极，形成于所述第二发光二极管芯片的下表面，
所述下部壳体部包括：
至少三个槽，形成于所述下部壳体部的下表面，其中,所述至少三个槽中的第一槽对应于所述第一发光二极管芯片，所述至少三个槽中的第二槽对应于所述第二发光二极管芯片，所述至少三个槽中的第三槽在所述第一方向上布置于所述第一槽与所述第二槽之间；
至少三个焊盘，所述至少三个焊盘中的每个焊盘对应于所述至少三个槽中的一个槽并覆盖对应的所述一个槽的至少一部分；
第一对通孔，布置为在垂直于所述第一方向的第二方向上将所述第一电极连接到所述至少三个焊盘中的一个以上焊盘，
第二对通孔，布置为在所述第二方向上将所述第二电极连接到所述至少三个焊盘中的一个以上焊盘，
其中，所述第三槽形成于所述第一对通孔中的一个与所述第二对通孔中的一个之间的位置。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一对通孔在所述第一槽之上彼此面对。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，
所述第二对通孔在所述第二槽之上彼此面对。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一对通孔中的一个连接到所述至少三个焊盘中的第一焊盘，而所述第一对通孔中的另一个连接到所述至少三个焊盘中的不同于所述第一焊盘的第二焊盘。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一波长转换部及第二波长转换部的两个相面对的端部之间的距离小于所述第一对通孔中的一个与所述第二对通孔中的一个之间的距离，所述第二对通孔中的所述一个与所述第一对通孔中的所述一个在所述第三槽之上彼此面对。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
从所述第二波长转换部的一端部到所述上部壳体部的一侧壁的距离小于从所述第二对通孔中的一个到所述下部壳体部的所述一侧壁的距离，
其中，所述第二波长转换部的所述一端部靠近所述上部壳体部的所述一侧壁，所述第二对通孔的所述一端部靠近所述下部壳体部的所述一侧壁。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括：
保护层，布置于所述至少三个焊盘中的两个相邻焊盘之间。
8.一种发光二极管封装件，包括：
上部壳体部，包括以在之间具有预定空间的方式并排布置的第一发光二极管芯片结构体和第二发光二极管芯片结构体；
下部壳体部，包括在其下表面形成的一组槽、第一组通孔及第二组通孔，
其中，所述第一发光二极管芯片结构体包括：
第一发光二极管芯片；
第一波长转换部，布置于所述第一发光二极管芯片的上表面；以及
第一对电极，布置于所述第一发光二极管芯片的下表面，
其中，所述第二发光二极管芯片结构体包括：
第二发光二极管芯片；
第二波长转换部，布置于所述第二发光二极管芯片的上表面；
第二对电极，布置于所述第二发光二极管芯片的下表面，
其中，所述一组槽包括与所述第一发光二极管芯片结构体相应的第一槽、与所述第二发光二极管芯片结构体相应的第二槽以及设置于所述第一槽与所述第二槽之间的第三槽，
所述第一组通孔将所述第一发光二极管芯片结构体的所述第一对电极分别连接到第一焊盘及第二焊盘，
所述第二组通孔将所述第二发光二极管芯片结构体的所述第二对电极分别连接至所述第二焊盘和第三焊盘。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
所述第三槽上的所述第一组通孔中的一个与所述第二组通孔中的一个之间的距离大于所述第一波长转换部与所述第二波长转换部之间的最短距离。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
从所述上部壳体部的一侧壁到靠近所述上部壳体部的所述一侧壁的所述第二波长转换部的距离小于从所述下部壳体部的一侧壁到靠近所述下部壳体部的所述一侧壁的所述第二组通孔中的一个的距离。
11.如权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
没有槽未布置在所述下部壳体部的一侧壁与靠近所述下部壳体部的所述一侧壁的所述第二组通孔中的一个之间的空间。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装件，其中，
没有槽未形成在所述下部壳体部的另一侧壁与靠近所述下部壳体部的所述另一侧壁的所述第一组通孔中的一个之间。
13.如权利要求9所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一波长转换部与所述第二波长转换部之间的最短距离小于所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片之间的最短距离。
14.如权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，还包括：
保护层，形成在所述下部壳体部的下表面并与所述第一槽、第二槽及第三槽中的一个以上部分重叠。
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