CN105340087B - 用于制造光电子器件的方法 - Google Patents
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Abstract
用于制造光电子器件的方法包括步骤：提供具有布置在光电子半导体芯片的上侧上的掩模层（200）的光电子半导体芯片（100）；提供具有布置在载体的表面上的壁（320）的载体（300），所述壁（320）侧向地限制接纳区域；在接纳区域中布置光电子半导体芯片，其中光电子半导体芯片的下侧朝向载体的表面；利用光学反射材料（400）将接纳区域的包围光电子半导体芯片的区域填充直至以下高度，也即所述高度处于光电子半导体芯片的上侧和掩模层的上侧之间；去除掩模层，以便在光学反射材料中创建自由空间；以及将波长转换材料（500）引入到自由空间中。
Description
技术领域
本发明涉及按照专利权利要求1所述的用于制造光电子器件的方法。
本专利申请要求德国专利申请 10 2013 212 928. 9的优先权，所述德国专利申请的公开内容以此通过回引被接纳。
背景技术
在具有光电子半导体芯片的光电子器件中、例如在具有发光二极管芯片（LED芯片）的发光二极管器件中，已知的是，将波长转换元件布置在光电子半导体芯片的发射辐射的上侧上。这样的波长转换元件也被称作芯片级转换器（Chip Level Converter, CLC）。所述波长转换元件在此分别地用于，对通过光电子半导体芯片发射的电磁辐射的波长进行转换，以便产生一个或多个其他波长的电磁辐射、例如可见光。
已知的是，将这样的波长转换元件制造为冲压的陶瓷小板。然而，该方法与高的制造成本相关联。同样地已知的是，通过丝网印刷或者漏版印刷制造波长转换元件。然而，可这样获得的波长转换元件不具有清晰地限定的外边缘。
已知的是，将光电子器件的光电子半导体芯片嵌入反射材料层中，所述反射材料层与光电子半导体芯片的发射辐射的上侧或者与被布置在发射辐射的上侧上方的波长转换元件的上侧齐平地端接。通过所述嵌入能够获得在光电子器件的上侧处发射的较高的光流。然而，所述嵌入要求光电子器件的可能的波长转换元件的清晰地（scharf）限定的外边缘。
发明内容
本发明的任务在于，说明用于制造光电子器件的方法。该任务通过具有权利要求1的特征的方法解决。在从属权利要求中说明不同的改进方案。
用于制造光电子器件的方法包括步骤：提供具有布置在光电子半导体芯片的上侧上的掩模层的光电子半导体芯片；提供具有布置在载体的表面上的壁的载体，所述壁侧向地限制接纳区域；将光电子半导体芯片布置在接纳区域中，其中光电子半导体芯片的下侧朝向载体的表面；利用光学反射材料将接纳区域的包围光电子半导体芯片的区域填充直至以下高度，也即所述高度处于光电子半导体芯片的上侧和掩模层的上侧之间；去除掩模层，以便在光学反射材料中创建自由空间；以及将波长转换材料引入到自由空间中。
所述方法有利地使得能够成本低地制造具有波长转换元件的光电子器件，所述波长转换元件被嵌入到光学反射层中。波长转换元件在此通过波长转换材料构成。光学反射层通过光学反射材料构成。
波长转换元件的大小有利地在按照所述方法制造时自动（von selbst）最优地匹配于光电子半导体芯片的大小。此外，所述波长转换元件通过所述方法自动最优地通过光电子半导体芯片被调节。
波长转换元件的厚度能够在所述方法情况下有利地通过掩模层的厚度和填入到接纳区域中的光学反射材料的高度灵活地被调整。
有利地，通过波长转换材料构成的波长转换元件在所述方法情况下以清晰地限定的外边缘被制造，并且以高的精度被嵌入到光学反射材料中。
所述方法的特别的优点在于少的材料废弃、也即少的材料浪费，这使得能够成本低地执行所述方法。
所述方法在选择光学反射材料和波长转换材料时有利地提供大的自由度。所述方法尤其不要求使用粘合硅树脂，由此可以有利地避免随着粘合硅树脂的使用而出现的缺点。
所述方法的另一优点在于，所述方法在执行所述方法期间已经能够实现通过所述方法可获得的光电子器件的色度坐标（Farbort）的控制和可能的再调节。由此由制造决定的色度坐标波动可以有利地被减少或者避免。所制造的光电子器件的所确定的色度坐标偏差的补偿在此可以例如通过将其他的波长转换材料引入到自由空间中实现。
在所述方法的一种实施方式中，所述方法包括用于在光学反射材料和波长转换材料上方布置光学透明的浇注材料的另一步骤。光学透明的浇注材料可以有利地用于以机械方式保护通过所述方法可获得的光电子器件。
在所述方法的一种实施方式中，所述光学透明的浇注材料具有硅树脂。有利地，所述光学透明的浇注材料于是是成本低地可获得的并且能简单地被处理。
在所述方法的一种实施方式中，光学反射材料和/或波长转换材料具有硅树脂。有利地，光学反射材料和/或波长转换材料于是是低成本地可获得的并且能简单地被处理。
在所述方法的一种实施方式中，所述光学反射材料具有TiO2。所述光学反射材料有利地由此提供良好的光学反射特性。
在所述方法的一种实施方式中，接纳区域的包围光电子半导体芯片的区域的填充通过无接触的剂量分配（喷射）实现。有利地，所述方法由此能够实现填入到接纳区域中的光学反射材料的量的非常精确的剂量分配。此外，接纳区域的填充可以由此有利地以高的空间精度实现。
在所述方法的一种实施方式中，所述波长转换材料具有嵌入的发光物质。有利地，嵌入到波长转换材料中的发光物质可以吸收具有通过光电子半导体芯片发射的波长的电磁辐射，并且随后可以发射具有其他波长的电磁辐射。
在所述方法的一种实施方式中，通过针式剂量分配（分发（Dispensen））将波长转换材料引入到自由空间中。所述方法有利地由此使得能够将波长转换材料准确地分配剂量地以及在空间上精确地对准地引入到自由空间中。
在所述方法的一种实施方式中，通过析取实现掩模层的去除。例如掩模层的析取可以在掩模层的先前曝光之后通过利用显色剂溶液析取或者通过利用水析取实现。
如果需要，可以在析取掩模层后进行用于去除掩模层的剩余物的附加的净化步骤。所述附加的净化步骤可以例如包括使用等离子体、N2或者压缩空气。
在所述方法的一种实施方式中，光电子半导体芯片的提供包括步骤：提供具有多个光电子半导体芯片的晶片复合体、在晶片复合体的上侧上布置掩模层以及分离光电子半导体芯片。有利地，掩模层在光电子半导体芯片的上侧上的布置由此对于多个光电子半导体芯片同时成本低地进行。将掩模层施加到晶片复合体上还提供以下优点：掩模层能够以高的精确性和横向均匀性产生。
在所述方法的一种实施方式中，掩模层在使用聚醋酸乙烯酯（PVA）或者光刻胶的情况下制造。这有利地能够实现掩模层的简单的施加以及还有简单的去除。
在所述方法的一种实施方式中，提供具有布置在下侧上的第一电接触区域的光电子半导体芯片。在此，提供具有在接纳区域中布置在表面上的第一电接触面的载体。在将光电子半导体芯片布置在接纳区域中时，在第一接触区域和第一接触面之间建立导电的连接。有利地，通过所述方法可获得的光电子器件的光电子半导体芯片于是可以通过载体的第一接触面被电接触。在光电子半导体芯片的第一电接触区域和载体的第一电接触面之间建立导电的连接在此有利地不要求分开的工作过程。由此能特别成本低地执行所述方法。
在所述方法的一种实施方式中，提供具有布置在上侧上的第二电接触区域的光电子半导体芯片。在此提供具有在接纳区域中布置在表面上的第二电接触面的载体。掩模层在此在光电子半导体芯片的第二电接触区域中被去除。当在接纳区域中布置光电子半导体芯片后，在第二接触区域和第二接触面之间建立导线接合连接。有利地，通过所述方法可获得的光电子器件的光电子半导体芯片于是可以通过载体的第二电接触面被电接触。
在所述方法的一种实施方式中，提供具有多个在表面处布置的接纳区域的载体。所述方法在此包括另一步骤：分割载体，以便获得多个光电子器件。有利地，所述方法由此使得能够并行地制造多个光电子器件。由此每单个光电子器件的制造成本可以有利地强烈地被减少。
在所述方法的一种实施方式中，载体沿着通过布置在载体的表面上的壁延伸的分界面被分割。有利地，布置在载体的上侧上的壁于是构成通过所述方法可获得的光电子器件的壳体的部分。
附图说明
本发明的以上描述的特性、特征和优点以及如何实现所述特性、特征和优点的方式结合实施例的以下描述变得更清楚和更明白地易懂，所述实施例结合附图被进一步阐述。在此以分别图解化的图示：
图1示出在晶片复合体中布置的多个光电子半导体芯片的截面图；
图2示出具有在上侧上布置的掩模层的晶片复合体；
图3示出在分解晶片复合体后的光电子半导体芯片；
图4示出具有布置在接纳区域中的光电子半导体芯片的载体的截面图；
图5示出在将光学反射材料填入到接纳区域中后的载体的截面图；
图6示出在去除在光电子半导体芯片上布置的掩模层后的载体的截面图；
图7示出在将波长转换材料填入到通过去除掩模层形成的自由空间中之后的载体的截面图；和
图8示出在将浇注材料填入到接纳区域中后的载体的截面图。
具体实施方式
图1示出具有多个光电子半导体芯片100的晶片复合体150的示意性截面图示。所述晶片复合体150被构造为平的薄片（晶片），在所述薄片中，光电子半导体芯片100在横向的方向上被并排布置，例如以二维的矩阵布置。每个光电子半导体芯片100具有上侧101和与上侧101相对的下侧102。光电子半导体芯片100的上侧101共同构成晶体复合体150的上侧。光电子半导体芯片100的下侧102共同地构成晶片复合体150的下侧。
所述光电子半导体芯片100可以例如是发光二极管芯片（LED芯片）。所述光电子半导体芯片100可以例如是发光二极管芯片，所述发光二极管芯片被设置用于，发射具有来自蓝色光谱范围中的波长的电磁辐射（可见光）。光电子半导体芯片100的上侧101在此构成光电子半导体芯片的辐射发射面，在光电子半导体芯片100运行中通过所述辐射发射面发射电磁辐射。
图2示出在时间上紧跟着图1的图示的加工状态中的晶片复合体150的另一示意性截面图示。掩模层200已被施加在通过光电子半导体芯片100的上侧101构成的晶片复合体150的上侧上。掩模层200具有上侧201和与上侧201相对的下侧202。掩模层200的下侧202与晶片复合体150的光电子半导体芯片100的上侧101接触。
掩模层200可以例如具有聚醋酸乙烯酯（PVA）或者光刻胶。所述掩模层200可以例如通过离心涂布（旋转涂布（Spin-Coating））、喷溅或者层压光刻胶薄膜被布置在晶片复合体150的上侧上。掩模层200也可以在使用光掩模的情况下被布置在晶片复合体的上侧上。在掩模层的上侧201和掩模层的下侧202之间的该掩模层200的厚度优选地在晶片复合体150的整个面上方尽可能地时恒定的，并且可以例如处于几个μm和几个㎜之间。
图3示出在时间上紧跟着图2的图示的加工状态中的光电子半导体芯片100的示意性截面图示。所述光电子半导体芯片100通过分割晶片复合体150而被分离。在此在晶片复合体150的上侧上布置的掩模层200也被分割。掩模层200的一部分布置在每个光电子半导体芯片100的上侧101上。掩模层200的布置在光电子半导体芯片100的上侧101上的部分在此分别地具有与光电子半导体芯片100的上侧101基本上相同的横向尺寸。在掩模层200的每个部分的上侧201和下侧202之间延伸的侧面以高的精度与各自的光电子半导体芯片100的上侧101垂直地取向。
在每个光电子半导体芯片100的下侧102处分别地构造第一电接触区域110和第二电接触区域120，所述电接触区域用于电接触光电子半导体芯片100。所述光电子半导体芯片100可以例如被构造为倒装芯片。
图4示出载体300的示意性截面图示。所述载体300被构造为具有表面301的基本上平坦的薄片。所述载体300具有导电材料，例如金属。所述载体300还可以被称作导体框架或者引线框架。
壁320布置在载体300的表面301上，所述壁320侧向地对接纳区域330进行划界。所述壁320在载体300的表面301上构成二维的栅格。在所述接纳区域330中，载体300的表面301分别是能达到的。
载体300的表面301可以在横向的方向上例如具有矩形形状或者圆形薄片形状。在载体300的表面301处的各个接纳区域300在横向方向上优选地具有矩形形状。
载体300在每个接纳区域330中分别地通过嵌入到载体300中的绝缘体315划分成第一导电段和第二导电段，所述段构成第一电接触面310和第二电接触面311。每个接纳区域330的第一电接触面310和第二电接触面311分别地彼此电绝缘。代替绝缘体315也可以分别地在载体300中设置间隙。
壁320可以例如具有高填充环氧树脂、高填充硅树脂或者其他高填充材料。所述壁320可以例如通过压铸（传递模塑（Transfer Molding））来制造。
在载体300的表面301处的每个接纳区域330中布置光电子半导体芯片100。所述光电子半导体芯片100分别地这样地被布置，使得光电子半导体芯片100的下侧102朝向载体300的表面301，并且与所述表面301接触。
在此在每个光电子半导体芯片100中，第一电接触区域110在各自的接纳区域330中在载体300的表面301处与第一电接触面310导电连接。每个光电子半导体芯片100的第二电接触区域120在载体300的表面301处与各自的接纳区域330的第二电接触面311导电连接。
布置在载体300的接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101和布置在光电子半导体芯片100的上侧101上的掩模层220从载体300的表面301指向前。
载体300的接纳区域330在横向方向上分别地具有比布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101更大的面。光电子半导体芯片100优选地分别地大约在中心居中地布置在接纳区域330中。由此每个光电子半导体芯片100在其各自的接纳区域330中由接纳区域330的包围区域335包围。光电子半导体芯片100因此在与载体300的表面301平行的横向方向上由对各自的接纳区域330划界的壁320隔开。
图5示出具有在时间上紧跟着图4的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一示意性截面图示。光学反射材料400被引入到在载体300的表面301处的接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中。
光学反射材料400可以例如通过无接触的剂量分配（喷射）被引入到包围区域335中。所述光学反射材料400可以具有基本上光学透明的基质材料，光学反射粒子被嵌入到所述基质材料中。所述基质材料可以例如具有硅树脂。光学反射材料400的光学反射粒子可以例如具有TiO2。
光学反射材料400被填入到接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中直至高度410。所述高度410按从载体300的表面301直至光学反射材料400的上边缘而定。高度410优选地这样地被选择，使得填入到包围区域335中的光学反射材料400与在布置在各自的接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的上侧201大约齐平地端接。但是，填入到接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中的光学反射材料400的高度410也可以稍微较小地被选择，使得光学反射材料400的上边缘在每个接纳区域330中稍微被布置在各自的光电子半导体芯片100的掩模层200的上侧201之下。但是在任何情况下，所述高度410大于光电子半导体芯片的上侧101和光电子半导体芯片的下侧102之间的该光电子半导体芯片100的厚度。光电子半导体芯片100的掩模层200的上侧201在任何情况下保持不被光学反射材料400覆盖。
图6示出具有在时间上紧跟着图5的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一示意性截面图示。布置在光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的段被去除。掩模层200的去除可以例如通过掩模层200的析取实现。对此可以例如使用水或者显色剂液体。所述掩模层200之前还可以被曝光。
通过去除布置在光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的段，在光电子半导体芯片100的上侧101上方在布置在载体300的接纳区域330中的光学反射材料400中形成自由空间210。在此，自由空间210分别地布置在每个光电子半导体芯片100的上侧101上方。每个自由空间210的位置和形状以高的精度对应于掩模层200的之前在各自的区域中布置的段的形状和位置。由此自由空间210非常精确地布置在光电子半导体芯片100的上侧101处。对每个自由空间210划界的光学反射材料400在各自的自由空间210的界限处分别具有清晰地限定的边缘。
图7示出具有在时间上紧跟着图6的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一示意性截面图示。波长转换材料500被引入到布置在接纳区域330中的光学反射材料400中的自由空间210中。所述波长转换材料500可以例如通过针式剂量分配（分发（Dispensing））被引入到自由空间210中。基本上完全地填满各自的自由空间210的波长转换材料500的量被引入到每个自由空间210中。
在布置在接纳区域300的光学反射材料400中的自由空间210中的波长转换材料500分别地构成具有上侧501和与上侧501相对的下侧502的在很大程度上平的小板。波长转换材料500的下侧502在此被布置在在各自的接纳区域330中布置的光电子半导体芯片100的上侧101上。波长转换材料500的上侧501大约与布置在各自的接纳区域330中的光学反射材料400的上侧齐平地端接。在每个接纳区域330中在波长转换材料的上侧501和波长转换材料的下侧502之间的该波长转换材料500的厚度由此由掩模层200的之前布置在各自的光电子半导体芯片100的上侧101处的部分的厚度和在填入到接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中的光学反射材料400的高度410得出。然而在波长转换材料500的上侧501处可以构造一定的弯月面。
通过波长转换材料500构成的小板有利地具有通过自由空间210预先给定的、精确地限定的形状。通过波长转换材料500构成的小板尤其可以具有清晰的外边缘。
波长转换材料500被构造用于，吸收具有第一波长的电磁辐射，并且发射具有其他的、典型地较大的波长的电磁辐射。所述波长转换材料500由此被构造用于转换电磁辐射的波长。波长转换材料500尤其被构造用于，转换通过光电子半导体芯片100发射的电磁辐射的波长。波长转换材料500例如可以被构造用于将由光电子半导体芯片100发射的、具有来自蓝色光谱范围的波长的光转换为白光。
波长转换材料500可以具有基本上光学透明的基质材料和嵌入的发光物质。所述基质材料可以例如具有硅树脂。波长转换材料500的发光物质可以例如是有机的或者无机的发光物质。波长转换材料500的发光物质也可以具有量子点。
所述发光物质可以以均匀的空间分布嵌入到波长转换材料500的基质材料中。但是，发光物质也可以在波长转换材料500中这样地被沉淀，使得发光物质主要地布置在光电子半导体芯片100的上侧101附近。在这种情况下，波长转换材料500的发光物质可以用于使光电子半导体芯片100去热（Entwärmung）。
图8示出在时间上紧跟着图7的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100和载体300的另一示意性截面图示。浇注材料600布置在接纳区域330中。
在载体300的每个接纳区域330中，浇注材料600布置在波长转换材料500的上侧501和光学反射材料400的上侧之上。所述浇注材料600可以例如具有硅树脂。浇注材料600用于以机械方式保护波长转换材料500和光学反射材料400。所述浇注材料600还可以引起光的射束形成，所述光由布置在各自的接纳区域330中的光电子半导体芯片100发射，并且通过各自的波长转换材料500被转换。但是所述浇注材料600也可以取消。
在紧跟着的过程步骤中，载体300可以沿着与载体300的表面301垂直地取向的并且通过壁320延伸的分界面340被分割，以便获得多个光电子器件10。每个这样地可获得的光电子器件10包括具有接纳区域330的载体300的段。每个光电子半导体芯片100的接纳区域330通过壁320的段被侧向地限制。光电子半导体芯片100布置在每个光电子器件10的接纳区域330中。具有上侧501和下侧502的通过波长转换材料500构成的小板布置在光电子半导体芯片100的上侧101上方，其中通过波长转换材料500构成的小板的下侧502施加在光电子半导体芯片100的上侧101处。光电子半导体芯片100和通过波长转换材料500构成的小板共同地被光学反射材料400包围，所述光学反射材料400填满接纳区域330的包围光电子半导体芯片100和波长转换材料500的区域335，并且所述光学反射材料400的上侧基本上与波长转换材料500的上侧501齐平地端接。
本发明根据优选的实施例进一步被阐述和描述。但是本发明不限制于公开的示例。更确切地说可以由专业人员从中导出其他变体，而不离开本发明的保护范围。
附图标记
10 光电子器件
100 光电子半导体芯片
101 上侧
102 下侧
110 第一电接触区域
120 第二电接触区域
150 晶片复合体
200 掩模层
201 上侧
202 下侧
210 自由空间
300 载体
301 表面
310 第一电接触面
311 第二电接触面
315 绝缘体
320 壁
330 接纳区域
335 包围区域
340 分界面
400 光学反射材料
410 高度
500 波长转换材料
501 上侧
502 下侧
600 浇注材料。
Claims (14)
1.用于制造光电子器件（10）的方法，具有以下步骤：
-提供具有布置在光电子半导体芯片（100）的上侧（101）上的掩模层（200）的光电子半导体芯片（100）；
-提供具有布置在载体（300）的表面（301）上的壁（320）的载体（300），所述壁（320）侧向地限制接纳区域（330）；
-在接纳区域（330）中布置光电子半导体芯片（100），其中光电子半导体芯片（100）的下侧（102）朝向载体（300）的表面（301）；
-利用光学反射材料（400）将接纳区域（330）的包围光电子半导体芯片（100）的区域（335）填充直至以下高度（410），所述高度（410）处于光电子半导体芯片（100）的上侧（101）和掩模层（200）的上侧（201）之间；
-去除掩模层（200），以便在光学反射材料（400）中创建自由空间（210）；
-将波长转换材料（500）引入到自由空间（210）中；
其中光电子半导体芯片（100）的提供包括以下步骤：
-提供具有多个光电子半导体芯片（100）的晶片复合体（150）；
-在晶片复合体（150）的上侧上布置掩模层（200）；
-分离光电子半导体芯片（100）。
2.按照权利要求1所述的方法，其中所述方法包括以下另一步骤：
-将光学透明的浇注材料（600）布置在光学反射材料（400）和波长转换材料（500）上方。
3.按照权利要求2所述的方法，其中所述光学透明的浇注材料（600）具有硅树脂。
4.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中所述光学反射材料（400）和/或波长转换材料（500）具有硅树脂。
5.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中所述光学反射材料（400）具有TiO2。
6.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中接纳区域（330）的包围光电子半导体芯片（100）的区域（335）的填充通过无接触的剂量分配实现。
7.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中所述波长转换材料（500）具有嵌入的发光物质。
8.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中波长转换材料（500）到自由空间（210）中的引入通过针式剂量分配实现。
9.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中掩模层（200）的去除通过析取实现。
10.按照权利要求1至 3之一所述的方法，其中所述掩模层（200）在使用聚醋酸乙烯酯或者光刻胶的情况下被制造。
11.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中具有布置在下侧（102）上的第一电接触区域（110）的光电子半导体芯片（100）被提供，其中具有在接纳区域（330）中布置在表面（301）上的第一电接触面（310）的载体（300）被提供，
其中当在接纳区域（330）中布置光电子半导体芯片（100）时，在第一接触区域（110）和第一接触面（310）之间建立导电的连接。
12.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中具有布置在上侧（101）上的第二电接触区域的光电子半导体芯片（100）被提供，
其中具有在接纳区域（330）中布置在表面（301）上的第二电接触面的载体（300）被提供，
其中所述掩模层（200）在第二电接触区域中被去除，
其中在第二接触区域和第二接触面之间建立导线接合连接。
13.按照权利要求1至3之一所述的方法，其中具有多个在表面（301）处布置的接纳区域（330）的载体（300）被提供，
其中所述方法包括以下另一步骤：
-将载体（300）分割，以便获得多个光电子器件（10）。
14.按照权利要求13所述的方法，
其中所述载体（300）沿着通过布置在载体（300）的表面（301）上的壁（320）延伸的分界面（340）被分割。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |