JPH07263746A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH07263746A JPH07263746A JP5063194A JP5063194A JPH07263746A JP H07263746 A JPH07263746 A JP H07263746A JP 5063194 A JP5063194 A JP 5063194A JP 5063194 A JP5063194 A JP 5063194A JP H07263746 A JPH07263746 A JP H07263746A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サイズや材料種による制限を受けず、より発
光輝度の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 発光ダイオード１０は、ｎ型基板１２の主
面、即ち光取り出し面１２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，
…に沿って、ｎ型半導体層１３Ｎ及びｐ型半導体層１３
Ｐよりなる発光領域（発光層）１３が形成された構造を
している。そして、光取り出し面１２ａの外周部に沿っ
て第１のオーミック電極１４Ａが形成されており、一
方、基板１２の裏面１２ｂに第２のオーミック電極１４
Ｂが形成されている。その製造にあたっては、半導体基
板１２０（１２）の主面１２０ａに溝１１０を格子状に
形成し、その上全面にｎ型半導体層１３Ｎ及びｐ型半導
体層１３Ｐを順次エピタキシャル成長させ、第１の電極
１４Ａ及び第２の電極１４Ｂを形成した後、溝１１０に
沿って基板１２を割り、各素子を得る。 【効果】 発光面積が大きくなり、従来よりも高い発光
輝度が得られる。
光輝度の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 発光ダイオード１０は、ｎ型基板１２の主
面、即ち光取り出し面１２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，
…に沿って、ｎ型半導体層１３Ｎ及びｐ型半導体層１３
Ｐよりなる発光領域（発光層）１３が形成された構造を
している。そして、光取り出し面１２ａの外周部に沿っ
て第１のオーミック電極１４Ａが形成されており、一
方、基板１２の裏面１２ｂに第２のオーミック電極１４
Ｂが形成されている。その製造にあたっては、半導体基
板１２０（１２）の主面１２０ａに溝１１０を格子状に
形成し、その上全面にｎ型半導体層１３Ｎ及びｐ型半導
体層１３Ｐを順次エピタキシャル成長させ、第１の電極
１４Ａ及び第２の電極１４Ｂを形成した後、溝１１０に
沿って基板１２を割り、各素子を得る。 【効果】 発光面積が大きくなり、従来よりも高い発光
輝度が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードに関
し、特に屋外表示用発光素子として好適な高輝度発光ダ
イオード及びその製造方法に関する。
し、特に屋外表示用発光素子として好適な高輝度発光ダ
イオード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】屋外表示用発光ダイオードは、例えば駅
の案内板、道路標識等の情報伝達の手段として、近年ま
すますその重要性が高まっている。
の案内板、道路標識等の情報伝達の手段として、近年ま
すますその重要性が高まっている。
【０００３】図９及び図１０は夫々屋外表示用として用
いられる従来の発光ダイオードの斜視図及び断面図であ
るが、それらの図に示すように、従来、発光ダイオード
１は、基板２の主面、即ち光取り出し面２ａにのみ沿っ
て発光領域３が形成された構造をしている。そして、基
板２の主面（光取り出し面２ａ）及び裏面２ｂに夫々設
けられた電極４Ａ及び電極４Ｂ間に電界を印加して発光
領域３に電流を流すことにとより、発光領域３のｐ型半
導体層３Ｐとｎ型半導体層３Ｎとの接合部（ｐｎ接合
部）で光が発せられ、光取り出し窓部５から出射される
ようになっている。
いられる従来の発光ダイオードの斜視図及び断面図であ
るが、それらの図に示すように、従来、発光ダイオード
１は、基板２の主面、即ち光取り出し面２ａにのみ沿っ
て発光領域３が形成された構造をしている。そして、基
板２の主面（光取り出し面２ａ）及び裏面２ｂに夫々設
けられた電極４Ａ及び電極４Ｂ間に電界を印加して発光
領域３に電流を流すことにとより、発光領域３のｐ型半
導体層３Ｐとｎ型半導体層３Ｎとの接合部（ｐｎ接合
部）で光が発せられ、光取り出し窓部５から出射される
ようになっている。
【０００４】このような構造の発光ダイオード１におい
て、明るい野外でも十分な視認性を有するように、発光
輝度を向上させる試みがなされている。その試みとし
て、例えば、発光ダイオードでは発光面積（即ち、発光
領域の広さ）に比例して発光輝度が向上するので、発光
ダイオードの素子自体の大型化、発光領域での電子とホ
ール（正孔）の発光性再結合を増加させて光電変換効率
を向上させるために、ＡｌＧａＡｓ赤色発光ダイオード
等におけるダブルヘテロ構造の採用やＧａＰ緑色発光ダ
イオード等におけるアイソエレクトリックトラップの導
入、光取り出し効率を高めるために、ＡｌＧａＡｓ超高
輝度赤色発光ダイオードにおけるＡｌＧａＡｓ透明基板
の採用、などが挙げられる。
て、明るい野外でも十分な視認性を有するように、発光
輝度を向上させる試みがなされている。その試みとし
て、例えば、発光ダイオードでは発光面積（即ち、発光
領域の広さ）に比例して発光輝度が向上するので、発光
ダイオードの素子自体の大型化、発光領域での電子とホ
ール（正孔）の発光性再結合を増加させて光電変換効率
を向上させるために、ＡｌＧａＡｓ赤色発光ダイオード
等におけるダブルヘテロ構造の採用やＧａＰ緑色発光ダ
イオード等におけるアイソエレクトリックトラップの導
入、光取り出し効率を高めるために、ＡｌＧａＡｓ超高
輝度赤色発光ダイオードにおけるＡｌＧａＡｓ透明基板
の採用、などが挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発
光ダイオードの素子自体の大型化にあっては、素子の大
型化により識別分解能が低下してしまうので、大型化可
能な素子サイズに限界があり、識別分解能の低下を招か
ない範囲での素子の大型化では十分な高輝度が得られ難
いという欠点があった。また、上記光電変換効率の向上
にあっては、例えばＡｌＧａＡｓ発光ダイオードのよう
に内部量子効率が殆ど１である場合にはさらなる高輝度
化を望むことはできないという欠点があった。さらに、
上記光取り出し効率の向上にあっては、透明基板とし
て、発光領域の半導体層よりもバンドギャップが大き
く、且つ発光領域の半導体層と格子整合するような適当
な材料を選択することができない場合には採用不可能で
あるという欠点があった。
光ダイオードの素子自体の大型化にあっては、素子の大
型化により識別分解能が低下してしまうので、大型化可
能な素子サイズに限界があり、識別分解能の低下を招か
ない範囲での素子の大型化では十分な高輝度が得られ難
いという欠点があった。また、上記光電変換効率の向上
にあっては、例えばＡｌＧａＡｓ発光ダイオードのよう
に内部量子効率が殆ど１である場合にはさらなる高輝度
化を望むことはできないという欠点があった。さらに、
上記光取り出し効率の向上にあっては、透明基板とし
て、発光領域の半導体層よりもバンドギャップが大き
く、且つ発光領域の半導体層と格子整合するような適当
な材料を選択することができない場合には採用不可能で
あるという欠点があった。
【０００６】従って、上述した種々の欠点により、十分
に満足のいく程度まで高輝度化を図ることは困難であっ
た。
に満足のいく程度まで高輝度化を図ることは困難であっ
た。
【０００７】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、その目的は、サイズや材料種による制限を受け
ず、より輝度の高い発光ダイオードを提供することにあ
る。
もので、その目的は、サイズや材料種による制限を受け
ず、より輝度の高い発光ダイオードを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は、発光ダイオードの素子の光取り出し面
に沿って発光領域を設ける他に、光取り出し面以外の
面、例えば素子の側面に沿って発光領域を設けることに
より発光面積を大きくし、光取り出し面に沿う発光領域
と側面に沿う発光領域とにおいて発光させることで発光
輝度の向上を図ることができると考え、本発明の完成に
至った。
に、本発明者は、発光ダイオードの素子の光取り出し面
に沿って発光領域を設ける他に、光取り出し面以外の
面、例えば素子の側面に沿って発光領域を設けることに
より発光面積を大きくし、光取り出し面に沿う発光領域
と側面に沿う発光領域とにおいて発光させることで発光
輝度の向上を図ることができると考え、本発明の完成に
至った。
【０００９】即ち、本発明に係る発光ダイオードは、光
取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に
沿って、発光領域が形成されていることを特徴とする。
この発明において、発光効率の観点から、少なくとも前
記光取り出し面の外周部に沿って、電極が形成されてい
ることが好ましい。
取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に
沿って、発光領域が形成されていることを特徴とする。
この発明において、発光効率の観点から、少なくとも前
記光取り出し面の外周部に沿って、電極が形成されてい
ることが好ましい。
【００１０】また、本発明に係る発光ダイオードの製造
方法は、平坦な基板の主面に少なくとも一方向に伸びる
溝を形成し、その上全面に発光領域となる発光層を形成
し、さらにその上に光取り出し窓部を除いて第１の電極
を形成するとともに、前記基板の裏面に第２の電極を形
成した後、同基板を少なくとも前記溝に沿って切り離し
て、前記光取り出し窓部を有する光取り出し面と、該光
取り出し面以外の少なくとも一面に沿って、発光領域の
形成されてなる発光ダイオードを製造することを特徴と
する。
方法は、平坦な基板の主面に少なくとも一方向に伸びる
溝を形成し、その上全面に発光領域となる発光層を形成
し、さらにその上に光取り出し窓部を除いて第１の電極
を形成するとともに、前記基板の裏面に第２の電極を形
成した後、同基板を少なくとも前記溝に沿って切り離し
て、前記光取り出し窓部を有する光取り出し面と、該光
取り出し面以外の少なくとも一面に沿って、発光領域の
形成されてなる発光ダイオードを製造することを特徴と
する。
【００１１】
【作用】本発明に係る発光ダイオードによれば、光取り
出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に沿っ
て、発光領域が形成されているため、従来の発光ダイオ
ードよりも発光領域が広くなって発光面積が大きくなる
ので、発光ダイオードの発する光の輝度が従来よりも高
くなる。その際、少なくとも前記光取り出し面の外周部
に沿って、電極が形成されていれば、発光ダイオード内
を流れる電流が、光取り出し面以外の面（例えば、素子
の側面）に沿う発光領域に対しても有効に注入されるの
で、発光効率が向上する。
出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に沿っ
て、発光領域が形成されているため、従来の発光ダイオ
ードよりも発光領域が広くなって発光面積が大きくなる
ので、発光ダイオードの発する光の輝度が従来よりも高
くなる。その際、少なくとも前記光取り出し面の外周部
に沿って、電極が形成されていれば、発光ダイオード内
を流れる電流が、光取り出し面以外の面（例えば、素子
の側面）に沿う発光領域に対しても有効に注入されるの
で、発光効率が向上する。
【００１２】また、本発明に係る発光ダイオードの製造
方法によれば、平坦な基板の主面に溝を形成し、その上
全面に発光領域となる発光層を形成し、電極を形成した
後に基板を溝に沿って切り離すようにしたため、光取り
出し面のみならず素子の側面にも沿うような発光領域を
有する発光ダイオードが容易に製造される。
方法によれば、平坦な基板の主面に溝を形成し、その上
全面に発光領域となる発光層を形成し、電極を形成した
後に基板を溝に沿って切り離すようにしたため、光取り
出し面のみならず素子の側面にも沿うような発光領域を
有する発光ダイオードが容易に製造される。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明に係る発光ダイオードの一例
を、図１乃至図８に基づき、説明する。図１は、本発明
に係る発光ダイオードの一例の全体斜視図であり、図２
は、その発光ダイオードの図１のII−IIおける縦断面図
である。それらの図に示すように、本発明に係る発光ダ
イオード１０は、基板１２の主面、即ち光取り出し面１
２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，…（例えば、４面）に沿
って発光領域（発光層）１３が形成された構造をしてい
る。そして、光取り出し面１２ａ上には、光取り出し窓
部１５を除き、光取り出し面１２ａの外周部に沿って第
１の電極１４Ａが形成されており、一方、基板１２の裏
面１２ｂには第２の電極１４Ｂが形成されている。
を、図１乃至図８に基づき、説明する。図１は、本発明
に係る発光ダイオードの一例の全体斜視図であり、図２
は、その発光ダイオードの図１のII−IIおける縦断面図
である。それらの図に示すように、本発明に係る発光ダ
イオード１０は、基板１２の主面、即ち光取り出し面１
２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，…（例えば、４面）に沿
って発光領域（発光層）１３が形成された構造をしてい
る。そして、光取り出し面１２ａ上には、光取り出し窓
部１５を除き、光取り出し面１２ａの外周部に沿って第
１の電極１４Ａが形成されており、一方、基板１２の裏
面１２ｂには第２の電極１４Ｂが形成されている。
【００１４】例えば、上記発光ダイオード１０がＧａＰ
緑色発光ダイオードの場合には、基板１２は、厚さ２５
０μｍでキャリア濃度１×１０17cm-3のｎ型ＧａＰ基板
である。そして、発光領域１３は、厚さ５０μｍでキャ
リア濃度１×１０17cm-3のＧａＰよりなるｎ型半導体層
１３Ｎ上に、キャリア濃度１×１０18cm-3のＧａＰより
なるｐ型半導体層１３Ｐが１０μｍの厚さで積層され、
ｐｎ接合されてなるものである。また、このＧａＰ緑色
発光ダイオードの場合、第１の電極１４Ａは、ｐ型半導
体層１３Ｐにオーミック接触する公知のｐ型オーミック
電極であり、一方、第２の電極１４Ｂは、ｎ型ＧａＰ基
板１２にオーミック接触する公知のｎ型オーミック電極
である。
緑色発光ダイオードの場合には、基板１２は、厚さ２５
０μｍでキャリア濃度１×１０17cm-3のｎ型ＧａＰ基板
である。そして、発光領域１３は、厚さ５０μｍでキャ
リア濃度１×１０17cm-3のＧａＰよりなるｎ型半導体層
１３Ｎ上に、キャリア濃度１×１０18cm-3のＧａＰより
なるｐ型半導体層１３Ｐが１０μｍの厚さで積層され、
ｐｎ接合されてなるものである。また、このＧａＰ緑色
発光ダイオードの場合、第１の電極１４Ａは、ｐ型半導
体層１３Ｐにオーミック接触する公知のｐ型オーミック
電極であり、一方、第２の電極１４Ｂは、ｎ型ＧａＰ基
板１２にオーミック接触する公知のｎ型オーミック電極
である。
【００１５】以上のように構成された発光ダイオード１
０の第１の電極１４Ａ及び第２の電極１４Ｂ間に電界を
印加すると、第１の電極１４Ａから注入された電流は、
光取り出し面１２ａに沿う発光領域１３ａに流れるとと
もに、側面１２ｃ，１２ｃ，…側にも広がって側面１２
ｃ，１２ｃ，…に沿う発光領域１３ｂにも流れる。従っ
て、両発光領域１３ａ，１３ｂのｐｎ接合部において夫
々光が発生し、光取り出し面１２ａおよび側面１２ｃ，
１２ｃ，…より発光ダイオード１０外に出射する。
０の第１の電極１４Ａ及び第２の電極１４Ｂ間に電界を
印加すると、第１の電極１４Ａから注入された電流は、
光取り出し面１２ａに沿う発光領域１３ａに流れるとと
もに、側面１２ｃ，１２ｃ，…側にも広がって側面１２
ｃ，１２ｃ，…に沿う発光領域１３ｂにも流れる。従っ
て、両発光領域１３ａ，１３ｂのｐｎ接合部において夫
々光が発生し、光取り出し面１２ａおよび側面１２ｃ，
１２ｃ，…より発光ダイオード１０外に出射する。
【００１６】次に、上記発光ダイオード１０がＧａＰ緑
色発光ダイオードの場合の製造方法の一例を、そのプロ
セスを順を追って示した図３〜図７及び図２に基いて、
説明する。先ず、例えば、図３（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、面方位（１１１）で厚さ３５０μｍ、キャリア濃
度１×１０17cm-3のｎ型ＧａＰよりなる半導体基板１２
０の主面１２０ａに、素子サイズ４００μｍ×４００μ
ｍの素子形成領域１００を島状に残して、ダイシング・
ソーにより幅２００μｍで深さ１５０μｍの溝１１０を
格子状に形成する。
色発光ダイオードの場合の製造方法の一例を、そのプロ
セスを順を追って示した図３〜図７及び図２に基いて、
説明する。先ず、例えば、図３（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、面方位（１１１）で厚さ３５０μｍ、キャリア濃
度１×１０17cm-3のｎ型ＧａＰよりなる半導体基板１２
０の主面１２０ａに、素子サイズ４００μｍ×４００μ
ｍの素子形成領域１００を島状に残して、ダイシング・
ソーにより幅２００μｍで深さ１５０μｍの溝１１０を
格子状に形成する。
【００１７】続いて、ダイシング・ソーによるダメージ
層（図示省略）をエッチングにより除去した後、図４に
示すように、凹凸形状をなす半導体基板１２０の主面１
２０ａ全面にその凹凸形状に沿って、公知の液相エピタ
キシャル法により、キャリア濃度１×１０17cm-3のＧａ
Ｐよりなるｎ型半導体層１３Ｎを厚さ５０μｍとなるよ
うに積層させる。さらにその上全面に凹凸形状に沿っ
て、公知の液相エピタキシャル法により、キャリア濃度
１×１０18cm-3のＧａＰよりなるｐ型半導体層１３Ｐを
厚さ１０μｍとなるように積層させて、発光領域１３を
形成する。図４には、ここまでの状態が示されている。
層（図示省略）をエッチングにより除去した後、図４に
示すように、凹凸形状をなす半導体基板１２０の主面１
２０ａ全面にその凹凸形状に沿って、公知の液相エピタ
キシャル法により、キャリア濃度１×１０17cm-3のＧａ
Ｐよりなるｎ型半導体層１３Ｎを厚さ５０μｍとなるよ
うに積層させる。さらにその上全面に凹凸形状に沿っ
て、公知の液相エピタキシャル法により、キャリア濃度
１×１０18cm-3のＧａＰよりなるｐ型半導体層１３Ｐを
厚さ１０μｍとなるように積層させて、発光領域１３を
形成する。図４には、ここまでの状態が示されている。
【００１８】ここで、ｐ型半導体層１３Ｐやｎ型半導体
層１３Ｎを形成するにあたって、気相エピタキシャル法
を採用することも可能であるが、液相エピタキシャル法
によれば、結晶方位による成長速度の差が小さいため、
図４に示すように素子形成領域１００の上面部分と側面
部分とで略同じ厚さのエピタキシャル膜が得られるとい
う利点がある。
層１３Ｎを形成するにあたって、気相エピタキシャル法
を採用することも可能であるが、液相エピタキシャル法
によれば、結晶方位による成長速度の差が小さいため、
図４に示すように素子形成領域１００の上面部分と側面
部分とで略同じ厚さのエピタキシャル膜が得られるとい
う利点がある。
【００１９】続いて、図５に示すように、公知の方法
で、ｐ型半導体層１３Ｐの表面に光取り出し窓部１５を
除いて第１の電極１４Ａを形成し、ｐ型オーミック電極
とする。この第１の電極１４Ａの設けられた面が光取り
出し面１２ａとなる。本例の場合、発光領域１３（１３
ｂ）が光取り出し面１２ａの他に側面１２ｃ，１２ｃ，
…に沿って設けられているため（図２参照）、第１の電
極１４Ａは、光取り出し面１２ａの外周部、即ち光取り
出し面１２ａと側面１２ｃ，１２ｃ，…との境界部に沿
って形成されているのが好ましい。
で、ｐ型半導体層１３Ｐの表面に光取り出し窓部１５を
除いて第１の電極１４Ａを形成し、ｐ型オーミック電極
とする。この第１の電極１４Ａの設けられた面が光取り
出し面１２ａとなる。本例の場合、発光領域１３（１３
ｂ）が光取り出し面１２ａの他に側面１２ｃ，１２ｃ，
…に沿って設けられているため（図２参照）、第１の電
極１４Ａは、光取り出し面１２ａの外周部、即ち光取り
出し面１２ａと側面１２ｃ，１２ｃ，…との境界部に沿
って形成されているのが好ましい。
【００２０】しかる後、図６に示すように、半導体基板
１２０の裏面１２０ｂをラッピング処理して、厚さ２５
０μｍの基板１２を得る。これは、後に素子分離を容易
にするために行なわれる。
１２０の裏面１２０ｂをラッピング処理して、厚さ２５
０μｍの基板１２を得る。これは、後に素子分離を容易
にするために行なわれる。
【００２１】続いて、図７に示すように、公知の方法
で、基板１２の裏面１２ｂ全面に第２の電極１４Ｂを形
成し、ｎ型オーミック電極とする。最後に、溝１１０に
沿って基板１２を割り、各発光ダイオード素子毎に分離
すれば、図２に示すような発光ダイオード１０が得られ
る。
で、基板１２の裏面１２ｂ全面に第２の電極１４Ｂを形
成し、ｎ型オーミック電極とする。最後に、溝１１０に
沿って基板１２を割り、各発光ダイオード素子毎に分離
すれば、図２に示すような発光ダイオード１０が得られ
る。
【００２２】上記実施例によれば、発光ダイオード１０
の光取り出し面１２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，…に沿
って、発光領域１３が形成されているため、従来の発光
ダイオードよりも発光領域が広くなって発光面積が大き
くなるので、従来と同等の大きさで従来よりも高い輝度
が得られる。本発明者の行った比較実験によれば、図８
に示すように、本実施例の発光ダイオード１０では、図
９及び図１０に示す従来の発光ダイオード１（従来例）
に較べて、駆動電流が２０mAの時に約２倍の輝度が得ら
れ、また、駆動電流が１００mAに達するまで輝度の飽和
傾向が現れない（従来例では、５０mA以上の電流を流し
た時に輝度が飽和する傾向を示す。）、という優れた結
果が得られており、本発明に係る発光ダイオード１０の
有効性が確認された。
の光取り出し面１２ａ及び側面１２ｃ，１２ｃ，…に沿
って、発光領域１３が形成されているため、従来の発光
ダイオードよりも発光領域が広くなって発光面積が大き
くなるので、従来と同等の大きさで従来よりも高い輝度
が得られる。本発明者の行った比較実験によれば、図８
に示すように、本実施例の発光ダイオード１０では、図
９及び図１０に示す従来の発光ダイオード１（従来例）
に較べて、駆動電流が２０mAの時に約２倍の輝度が得ら
れ、また、駆動電流が１００mAに達するまで輝度の飽和
傾向が現れない（従来例では、５０mA以上の電流を流し
た時に輝度が飽和する傾向を示す。）、という優れた結
果が得られており、本発明に係る発光ダイオード１０の
有効性が確認された。
【００２３】なお、本発明は、上記実施例により何等制
限を受けるものではないことはいうまでもない。つま
り、本発明は、その主旨が発光ダイオード１０の光取り
出し面１２ａ及びそれ以外の面に沿って発光領域１３が
形成されている、という構造にあるため、基板１２や発
光領域１３等の材料やそれらの形成方法によらず、有効
であるのは明白である。
限を受けるものではないことはいうまでもない。つま
り、本発明は、その主旨が発光ダイオード１０の光取り
出し面１２ａ及びそれ以外の面に沿って発光領域１３が
形成されている、という構造にあるため、基板１２や発
光領域１３等の材料やそれらの形成方法によらず、有効
であるのは明白である。
【００２４】また、発光ダイオード１０の光取り出し面
１２ａ以外に発光領域１３を形成する面は４つの側面１
２ｃ，１２ｃ，…に限らず、１面のみでもよいし、２面
或は３面でもよい。
１２ａ以外に発光領域１３を形成する面は４つの側面１
２ｃ，１２ｃ，…に限らず、１面のみでもよいし、２面
或は３面でもよい。
【００２５】さらに、半導体基板１２０に形成する溝１
１０は格子状に限らず、ストライプ状でもよい。
１０は格子状に限らず、ストライプ状でもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る発光ダイオードによれば、
光取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面
に沿って、発光領域が形成されているため、従来の発光
ダイオードよりも発光領域が広くなって発光面積が大き
くなるので、従来よりも発光ダイオードの素子自体を大
型化せずに高い輝度が得られる。その際、少なくとも前
記光取り出し面の外周部に沿って、電極が形成されてい
れば、発光ダイオード内を流れる電流が、光取り出し面
以外の面（例えば、素子の側面）に沿う発光領域に対し
ても有効に注入されるので、発光効率が向上し、さらな
る高輝度が得られる。
光取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面
に沿って、発光領域が形成されているため、従来の発光
ダイオードよりも発光領域が広くなって発光面積が大き
くなるので、従来よりも発光ダイオードの素子自体を大
型化せずに高い輝度が得られる。その際、少なくとも前
記光取り出し面の外周部に沿って、電極が形成されてい
れば、発光ダイオード内を流れる電流が、光取り出し面
以外の面（例えば、素子の側面）に沿う発光領域に対し
ても有効に注入されるので、発光効率が向上し、さらな
る高輝度が得られる。
【００２７】また、本発明に係る発光ダイオードの製造
方法によれば、平坦な基板の主面に溝を形成し、その上
全面に発光領域となる発光層を形成し、電極を形成した
後に基板を溝に沿って切り離すようにしたため、光取り
出し面のみならず素子の側面にも沿うような発光領域を
有する発光ダイオードを容易に製造することができる。
方法によれば、平坦な基板の主面に溝を形成し、その上
全面に発光領域となる発光層を形成し、電極を形成した
後に基板を溝に沿って切り離すようにしたため、光取り
出し面のみならず素子の側面にも沿うような発光領域を
有する発光ダイオードを容易に製造することができる。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの一例の全体斜視
図である。
図である。
【図２】その発光ダイオードの図１のII−IIおける縦断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る発光ダイオードの製造方法の一例
を順を追って示す図で、溝を形成した基板の概略斜視図
及び部分縦断面図である。
を順を追って示す図で、溝を形成した基板の概略斜視図
及び部分縦断面図である。
【図４】本発明に係る発光ダイオードの製造方法の一例
を順を追って示す図で、溝を形成した基板上に発光層を
形成した状態の部分縦断面図である。
を順を追って示す図で、溝を形成した基板上に発光層を
形成した状態の部分縦断面図である。
【図５】本発明に係る発光ダイオードの製造方法の一例
を順を追って示す図で、発光層上に電極を形成した状態
の部分縦断面図である。
を順を追って示す図で、発光層上に電極を形成した状態
の部分縦断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードの製造方法の一例
を順を追って示す図で、基板の裏面をラッピング処理し
た状態の部分縦断面図である。
を順を追って示す図で、基板の裏面をラッピング処理し
た状態の部分縦断面図である。
【図７】本発明に係る発光ダイオードの製造方法の一例
を順を追って示す図で、基板の裏面に電極を形成した状
態の部分縦断面図である。
を順を追って示す図で、基板の裏面に電極を形成した状
態の部分縦断面図である。
【図８】本発明に係る発光ダイオードの一実施例及び従
来の発光ダイオードにおける発光輝度−電流の関係を表
す特性図である。
来の発光ダイオードにおける発光輝度−電流の関係を表
す特性図である。
【図９】従来の発光ダイオードの全体斜視図である。
【図１０】その発光ダイオードの図９のX−Xおける縦断
面図である。
面図である。
１０ 発光ダイオード １２ａ 光取り出し面 １２ｂ 裏面 １２ｃ 側面（光取り出し面以外の少なくとも一面） １３，１３ａ，１３ｂ 発光領域（発光層） １４Ａ 第１の電極 １４Ｂ 第２の電極 １５ 光取り出し窓部 １１０ 溝 １２０ 半導体基板（平坦な基板） １２０ａ 主面
Claims (3)
- 【請求項１】 光取り出し面と、該光取り出し面以外の
少なくとも一面に沿って、発光領域が形成されているこ
とを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 少なくとも前記光取り出し面の外周部に
沿って、電極が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 平坦な基板の主面に少なくとも一方向に
伸びる溝を形成し、その上全面に発光領域となる発光層
を形成し、さらにその上に光取り出し窓部を除いて第１
の電極を形成するとともに、前記基板の裏面に第２の電
極を形成した後、同基板を少なくとも前記溝に沿って切
り離して、前記光取り出し窓部を有する光取り出し面
と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に沿って、発
光領域の形成されてなる発光ダイオードを製造すること
を特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063194A JPH07263746A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063194A JPH07263746A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263746A true JPH07263746A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12864327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5063194A Pending JPH07263746A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263746A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053025A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 |
| JP2001135853A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Rohm Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2005019653A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子および発光装置 |
| CN102479902A (zh) * | 2010-11-23 | 2012-05-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光组件 |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP5063194A patent/JPH07263746A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053025A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 |
| JP4572430B2 (ja) * | 1999-08-11 | 2010-11-04 | 富士ゼロックス株式会社 | オーミック電極の形成方法 |
| JP2001135853A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Rohm Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2005019653A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子および発光装置 |
| CN102479902A (zh) * | 2010-11-23 | 2012-05-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光组件 |
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