JP3171324B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JP3171324B2 JP3171324B2 JP23949797A JP23949797A JP3171324B2 JP 3171324 B2 JP3171324 B2 JP 3171324B2 JP 23949797 A JP23949797 A JP 23949797A JP 23949797 A JP23949797 A JP 23949797A JP 3171324 B2 JP3171324 B2 JP 3171324B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速・長距離通信
用の光源となる、１．３μｍ〜１．５５μｍ長波長帯の
半導体レーザ及びその製造方法に関する。
用の光源となる、１．３μｍ〜１．５５μｍ長波長帯の
半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＧａＡｓ半導体はＩｎ組成を０から
１に変化させるとバンドギャップ波長が０．８７μｍか
ら３．４４μｍまで連続的に変化する。したがって、Ｉ
ｎＧａＡｓを活性層とすることによって、１．３または
１．５５μｍの長波長帯半導体レーザが製造される。た
だし、Ｉｎ組成を変化させると材料の格子定数も変化す
るため、基板材料としては、たとえばＩｎ0.53Ｇａ0.47
Ａｓの活性層に対して、これと格子整合するＩｎＰを使
用していた。これに対して、近年格子不整合の大きい材
料を島状（ドット状）に成長する方法により、たとえ
ば、ＧａＡｓ基板上に格子不整合３．５％のＩｎ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ結晶を成長して、これを活性層とする半導体
レーザが実現された。これは量子ドットを活性層とした
レーザとして、エレクトロニクス・レター（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）３０巻１７号１４１６〜
１４１７ページに記載されている。
１に変化させるとバンドギャップ波長が０．８７μｍか
ら３．４４μｍまで連続的に変化する。したがって、Ｉ
ｎＧａＡｓを活性層とすることによって、１．３または
１．５５μｍの長波長帯半導体レーザが製造される。た
だし、Ｉｎ組成を変化させると材料の格子定数も変化す
るため、基板材料としては、たとえばＩｎ0.53Ｇａ0.47
Ａｓの活性層に対して、これと格子整合するＩｎＰを使
用していた。これに対して、近年格子不整合の大きい材
料を島状（ドット状）に成長する方法により、たとえ
ば、ＧａＡｓ基板上に格子不整合３．５％のＩｎ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ結晶を成長して、これを活性層とする半導体
レーザが実現された。これは量子ドットを活性層とした
レーザとして、エレクトロニクス・レター（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）３０巻１７号１４１６〜
１４１７ページに記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓ基板上のＩｎＧａＡｓドットをＧａＡｓ結晶で埋め込
んだ場合、ＩｎＧａＡｓドットがＧａＡｓで囲まれるた
め、格子定数の大きなＩｎＧａＡｓには、まわりから強
い圧縮応力が加わる。この結果、ＩｎＧａＡｓのバンド
ギャップエネルギーが大きくなり、ＩｎＧａＡｓの発光
波長が短波長化する。ＧａＡｓで埋め込まれたＩｎＧａ
Ａｓドットの発光波長は最大で１．１μｍである。した
がって、ＧａＡｓ基板を使って１．３μｍあるいは１．
５５μｍの長波長帯レーザを作ることは困難であるとい
う問題があった。本発明はこのような問題点を解決した
半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
ｓ基板上のＩｎＧａＡｓドットをＧａＡｓ結晶で埋め込
んだ場合、ＩｎＧａＡｓドットがＧａＡｓで囲まれるた
め、格子定数の大きなＩｎＧａＡｓには、まわりから強
い圧縮応力が加わる。この結果、ＩｎＧａＡｓのバンド
ギャップエネルギーが大きくなり、ＩｎＧａＡｓの発光
波長が短波長化する。ＧａＡｓで埋め込まれたＩｎＧａ
Ａｓドットの発光波長は最大で１．１μｍである。した
がって、ＧａＡｓ基板を使って１．３μｍあるいは１．
５５μｍの長波長帯レーザを作ることは困難であるとい
う問題があった。本発明はこのような問題点を解決した
半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【０００５】すなわち、本発明は、半導体基板と格子整
合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に
持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板とドット状
結晶との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶
を埋め込んだ構造を有することを特徴とする半導体レー
ザを提案するものであり、前記の半導体基板がＧａＡｓ
であり、ドット状結晶の半導体材料がＩｎx Ｇａ1-x Ａ
ｓであり、埋め込み材料がＩｎy Ｇａ1-y Ａｓ（ｘ＞ｙ
＞０）であることを含む。
合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に
持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板とドット状
結晶との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶
を埋め込んだ構造を有することを特徴とする半導体レー
ザを提案するものであり、前記の半導体基板がＧａＡｓ
であり、ドット状結晶の半導体材料がＩｎx Ｇａ1-x Ａ
ｓであり、埋め込み材料がＩｎy Ｇａ1-y Ａｓ（ｘ＞ｙ
＞０）であることを含む。
【０００６】また本発明は、半導体基板と格子整合しな
い半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半
導体レーザの製造方法において、半導体基板上にドット
状結晶を成長させ、前記半導体基板とドット状結晶との
間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶を埋め込
んだ構造を形成させることを特徴とする半導体レーザの
製造方法を提案するものであり、前記ドット状結晶をＭ
ＢＥ成長装置を使用して成長させることを含む。
い半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半
導体レーザの製造方法において、半導体基板上にドット
状結晶を成長させ、前記半導体基板とドット状結晶との
間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶を埋め込
んだ構造を形成させることを特徴とする半導体レーザの
製造方法を提案するものであり、前記ドット状結晶をＭ
ＢＥ成長装置を使用して成長させることを含む。
【０００７】ＧａＡｓ基板上にこれより格子定数が大き
いＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ組成０．５）を成長すると、Ｉｎ
ＧａＡｓにかかる歪み応力を緩和するためにＩｎＧａＡ
ｓは島状に成長する。このＩｎＧａＡｓ結晶は一般にド
ット構造と呼ばれる。特にそのサイズが量子閉じ込め効
果が生じる２０ｎｍ以下の場合、量子ドットと称され、
その状態密度が先鋭化することから、半導体レーザの活
性層にした場合に発振電流しきい値の低下などの優れた
特性が期待される。
いＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ組成０．５）を成長すると、Ｉｎ
ＧａＡｓにかかる歪み応力を緩和するためにＩｎＧａＡ
ｓは島状に成長する。このＩｎＧａＡｓ結晶は一般にド
ット構造と呼ばれる。特にそのサイズが量子閉じ込め効
果が生じる２０ｎｍ以下の場合、量子ドットと称され、
その状態密度が先鋭化することから、半導体レーザの活
性層にした場合に発振電流しきい値の低下などの優れた
特性が期待される。
【０００８】形成されたドットには基板側以外から圧縮
応力が加わらないため、そのバンドギャップ波長はおよ
そ１．６μｍである。このドットをＧａＡｓで埋め込ん
だ場合、ドット上側、側面からも圧縮応力が加わるた
め、バンドギャップ波長が１．１μｍまで短波長化して
しまう。そこで、ＧａＡｓとＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドッ
トとの間のＩｎ組成であるＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓを埋め
込み層として用いると、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドットに
加わる圧縮応力がＧａＡｓ埋め込み層と比べて低減する
ため、バンドギャップ波長は１．３μｍとなる。これに
より、１．３μｍ帯長波長レーザが製造できる。
応力が加わらないため、そのバンドギャップ波長はおよ
そ１．６μｍである。このドットをＧａＡｓで埋め込ん
だ場合、ドット上側、側面からも圧縮応力が加わるた
め、バンドギャップ波長が１．１μｍまで短波長化して
しまう。そこで、ＧａＡｓとＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドッ
トとの間のＩｎ組成であるＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓを埋め
込み層として用いると、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドットに
加わる圧縮応力がＧａＡｓ埋め込み層と比べて低減する
ため、バンドギャップ波長は１．３μｍとなる。これに
より、１．３μｍ帯長波長レーザが製造できる。
【０００９】
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照にし
て詳細に説明する。 （実施例１）図１は本発明の第１実施例の半導体レーザ
の構造断面図である。ＭＢＥ成長装置を使ってｎ型Ｇａ
Ａｓ基板上１に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ０．
５μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３（Ａｌ組成０．２５、厚さ３μｍ、
キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、アンドープＧａＡｓ
層４（厚さ０．０５μｍ）を成長する。これらの材料の
格子定数は０．５６５ｎｍである。続いてアンドープＩ
ｎＧａＡｓ５（Ｉｎ組成０．５、格子定数０．５８７ｎ
ｍ）を成長する。この時、ＩｎＧａＡｓはその下までの
層と格子が整合しないため、ドット状に成長する。ドッ
ト５の大きさは直径３０ｎｍで厚さは５ｎｍである。こ
の上に、Ｉｎ組成０．２のＩｎＧａＡｓ埋め込み層６
（格子定数０．５７４ｎｍ）を１０ｎｍ成長する。さら
にアンドープＧａＡｓ層７（厚さ０．０３μｍ）、ｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層８（Ａｌ組成０．２５、厚さ２
μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓキャップ層９（Ａｌ組成０．１５、厚さ１μｍ、キ
ャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）をＭＢＥ成長装置で順次
成長する。
て詳細に説明する。 （実施例１）図１は本発明の第１実施例の半導体レーザ
の構造断面図である。ＭＢＥ成長装置を使ってｎ型Ｇａ
Ａｓ基板上１に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ０．
５μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３（Ａｌ組成０．２５、厚さ３μｍ、
キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、アンドープＧａＡｓ
層４（厚さ０．０５μｍ）を成長する。これらの材料の
格子定数は０．５６５ｎｍである。続いてアンドープＩ
ｎＧａＡｓ５（Ｉｎ組成０．５、格子定数０．５８７ｎ
ｍ）を成長する。この時、ＩｎＧａＡｓはその下までの
層と格子が整合しないため、ドット状に成長する。ドッ
ト５の大きさは直径３０ｎｍで厚さは５ｎｍである。こ
の上に、Ｉｎ組成０．２のＩｎＧａＡｓ埋め込み層６
（格子定数０．５７４ｎｍ）を１０ｎｍ成長する。さら
にアンドープＧａＡｓ層７（厚さ０．０３μｍ）、ｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層８（Ａｌ組成０．２５、厚さ２
μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓキャップ層９（Ａｌ組成０．１５、厚さ１μｍ、キ
ャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）をＭＢＥ成長装置で順次
成長する。
【００１１】ＩｎＧａＡｓ層６で埋め込まれたＩｎＧａ
Ａｓドット５は、ＩｎＧａＡｓ埋め込み層６でその上に
あるＧａＡｓ層７からの応力を吸収するため、直接Ｇａ
Ａｓ層で埋め込まれる場合と比べてドットに加わる応力
が小さくなる。これによって、ＩｎＧａＡｓドットのバ
ンドギャップ波長は１．３μｍとなる。このドットの活
性領域に電流を注入した場合、１．３μｍの発光が生
じ、基板両端面の劈開ミラーで構成される共振器でレー
ザ発振が行われる。
Ａｓドット５は、ＩｎＧａＡｓ埋め込み層６でその上に
あるＧａＡｓ層７からの応力を吸収するため、直接Ｇａ
Ａｓ層で埋め込まれる場合と比べてドットに加わる応力
が小さくなる。これによって、ＩｎＧａＡｓドットのバ
ンドギャップ波長は１．３μｍとなる。このドットの活
性領域に電流を注入した場合、１．３μｍの発光が生
じ、基板両端面の劈開ミラーで構成される共振器でレー
ザ発振が行われる。
【００１２】従来、１．３μｍ帯レーザはＩｎＰ基板を
使い、これと格子整合するＩｎ0.75Ｇａ0.25Ａｓ0.55Ｐ
0.45の４元混晶の活性層を用いた。本発明では、ＧａＡ
ｓ基板上レーザ構造の活性層としてＩｎＧａＡｓドット
の３元混晶を使うため、成長が簡易になる。また、Ｉｎ
ＰよりもＧａＡｓ（あるいはＡｌＧａＡｓ）材料の方が
バンドギャップが大きいため、レーザへの注入キャリア
のクラッド層へのオーバーフローが少なく、レーザの高
温度動作が可能となる。
使い、これと格子整合するＩｎ0.75Ｇａ0.25Ａｓ0.55Ｐ
0.45の４元混晶の活性層を用いた。本発明では、ＧａＡ
ｓ基板上レーザ構造の活性層としてＩｎＧａＡｓドット
の３元混晶を使うため、成長が簡易になる。また、Ｉｎ
ＰよりもＧａＡｓ（あるいはＡｌＧａＡｓ）材料の方が
バンドギャップが大きいため、レーザへの注入キャリア
のクラッド層へのオーバーフローが少なく、レーザの高
温度動作が可能となる。
【００１３】本発明では、埋め込み層６をＩｎＧａＡｓ
としたが、これをＩｎＡｌＡｓとしても良い。この場
合、ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓの格子定数がほぼ同じ
となるので、ドットへの同様の圧縮応力緩和効果が実現
する。また、ＩｎＧａＡｓよりもＩｎＡｌＡｓの方がバ
ンドギャップエネルギーが大きいため、ドットへのキャ
リア閉じ込め効果が増大し、高い電流注入時にレーザの
安定した光出力が得られる。
としたが、これをＩｎＡｌＡｓとしても良い。この場
合、ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓの格子定数がほぼ同じ
となるので、ドットへの同様の圧縮応力緩和効果が実現
する。また、ＩｎＧａＡｓよりもＩｎＡｌＡｓの方がバ
ンドギャップエネルギーが大きいため、ドットへのキャ
リア閉じ込め効果が増大し、高い電流注入時にレーザの
安定した光出力が得られる。
【００１４】さらに、ＩｎＧａＡｓドット５のＩｎ組成
を０．５より大きくすることによっって発光波長は長波
長化でき、１．５５μｍ帯長波長レーザも製造できる。 （実施例２）図２は本発明にかかわる、第２の実施例を
説明する半導体レーザ構造の断面図である。半導体レー
ザの中で、基板と垂直方向に共振器を構成して、レーザ
光を基板と垂直方向に放射する面発光レーザがある。こ
の面発光レーザは、基板上に２次元で集積でき、またレ
ーザ素子サイズが小さく低消費電力で使用できる。この
面発光レーザの活性領域にＩｎＧａＡｓドットとＩｎＧ
ａＡｓ埋め込み層を用いて、１．３μｍ帯の長波長面発
光レーザを製造する。ｎ型ＧａＡｓ基板１３上に、ｎ型
のＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成０．９５）の
１８対からなる多層反射膜１４を成長する。各層の光学
膜厚は発振波長のλ／４ｎ（ｎは屈折率）である。次に
垂直共振器を形成するための中間層を半分形成するため
に、光学膜厚が発振波長のλ／２ｎからなるｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層１５（Ａｌ組成０．２５）を形成する。続い
て、アンドープのＩｎＧａＡｓ１６（Ｉｎ組成０．５）
をドット形状（直径３０ｎｍ、厚さ５ｎｍ）で成長す
る。このドットをＩｎ組成０．２のＩｎＧａＡｓ層１７
（アンドープ）１０ｎｍで埋め込む。引き続いて、残り
の中間層半分を形成するために、光学膜厚が発振波長の
λ／２ｎからなるｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８（Ａｌ組成
０．２５）を形成する。さらに、上側の反射膜１９とし
てｐ型のＧａＡｓ層／ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成０．
９）を１５対成長する。下側の反射膜１４と同じく、各
層の光学膜厚は発振波長のλ／４ｎである。
を０．５より大きくすることによっって発光波長は長波
長化でき、１．５５μｍ帯長波長レーザも製造できる。 （実施例２）図２は本発明にかかわる、第２の実施例を
説明する半導体レーザ構造の断面図である。半導体レー
ザの中で、基板と垂直方向に共振器を構成して、レーザ
光を基板と垂直方向に放射する面発光レーザがある。こ
の面発光レーザは、基板上に２次元で集積でき、またレ
ーザ素子サイズが小さく低消費電力で使用できる。この
面発光レーザの活性領域にＩｎＧａＡｓドットとＩｎＧ
ａＡｓ埋め込み層を用いて、１．３μｍ帯の長波長面発
光レーザを製造する。ｎ型ＧａＡｓ基板１３上に、ｎ型
のＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成０．９５）の
１８対からなる多層反射膜１４を成長する。各層の光学
膜厚は発振波長のλ／４ｎ（ｎは屈折率）である。次に
垂直共振器を形成するための中間層を半分形成するため
に、光学膜厚が発振波長のλ／２ｎからなるｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層１５（Ａｌ組成０．２５）を形成する。続い
て、アンドープのＩｎＧａＡｓ１６（Ｉｎ組成０．５）
をドット形状（直径３０ｎｍ、厚さ５ｎｍ）で成長す
る。このドットをＩｎ組成０．２のＩｎＧａＡｓ層１７
（アンドープ）１０ｎｍで埋め込む。引き続いて、残り
の中間層半分を形成するために、光学膜厚が発振波長の
λ／２ｎからなるｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８（Ａｌ組成
０．２５）を形成する。さらに、上側の反射膜１９とし
てｐ型のＧａＡｓ層／ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成０．
９）を１５対成長する。下側の反射膜１４と同じく、各
層の光学膜厚は発振波長のλ／４ｎである。
【００１５】活性領域のＩｎＧａＡｓドット１６は上側
にＩｎＧａＡｓ埋め込み層１７による圧縮応力の吸収が
あるため、ＧａＡｓを埋め込み層とした場合と比べて、
バンドギャップ波長が短波長化せずに１．３μｍで発光
する。そこで、反射膜１４、１９と中間層１５、１８の
設定波長（共振波長）を１．３μｍとすることにより、
１．３μｍで発振する長波長面発光レーザが製造でき
る。
にＩｎＧａＡｓ埋め込み層１７による圧縮応力の吸収が
あるため、ＧａＡｓを埋め込み層とした場合と比べて、
バンドギャップ波長が短波長化せずに１．３μｍで発光
する。そこで、反射膜１４、１９と中間層１５、１８の
設定波長（共振波長）を１．３μｍとすることにより、
１．３μｍで発振する長波長面発光レーザが製造でき
る。
【００１６】従来より製造が試みられている１．３μｍ
長波長面発光レーザはＩｎＰ基板を用いており、反射膜
はＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰからなる多層膜であった。こ
のＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰの屈折率差が小さいため、反
射膜には活性層を含む中間層の上下にそれぞれ３０対以
上の多層化が必要であった。本発明では、上記のように
屈折率差の大きいＡｌＧａＡｓとＧａＡｓからなる多層
反射膜が使えるため、上下それぞれ１５対と１８対です
む。これにより、成長膜厚が薄く、また多層反射膜での
抵抗の低減などの利点を有する。
長波長面発光レーザはＩｎＰ基板を用いており、反射膜
はＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰからなる多層膜であった。こ
のＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰの屈折率差が小さいため、反
射膜には活性層を含む中間層の上下にそれぞれ３０対以
上の多層化が必要であった。本発明では、上記のように
屈折率差の大きいＡｌＧａＡｓとＧａＡｓからなる多層
反射膜が使えるため、上下それぞれ１５対と１８対です
む。これにより、成長膜厚が薄く、また多層反射膜での
抵抗の低減などの利点を有する。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＡｓ基板を使った
半導体レーザの構造で、活性領域であるＩｎＧａＡｓド
ット構造をこれよりＩｎ組成の小さいＩｎＧａＡｓ層で
埋め込むことによって、ドットに直接加わる圧縮応力を
低減する。これにより、ＧａＡｓ基板上を使って１．３
μｍ以上の長波長で発振するレーザが製造できる。
半導体レーザの構造で、活性領域であるＩｎＧａＡｓド
ット構造をこれよりＩｎ組成の小さいＩｎＧａＡｓ層で
埋め込むことによって、ドットに直接加わる圧縮応力を
低減する。これにより、ＧａＡｓ基板上を使って１．３
μｍ以上の長波長で発振するレーザが製造できる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する半導体レーザ
の構造断面図である。
の構造断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する半導体レーザ
の構造断面図である。
の構造断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層 ４ アンドープＧａＡｓ層 ５ アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドット ６ アンドープＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋め込み層 ７ アンドープＧａＡｓ層 ８ ｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層 ９ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓキャップ層 １０ ＳｉＯ2 絶縁膜 １１ ｐ型電極 １２ ｎ型電極 １３ ｎ型ＧａＡｓ基板 １４ 下側多層反射膜（ｎ型） １５ ｎ型ＡｌＧａＡｓ中間層 １６ アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓドット １７ アンドープＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋め込み層 １８ ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層 １９ 上側多層反射膜（ｐ型） ２０ ｐ型電極 ２１ ｎ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−64476（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ ｅｔｔｅｒｓ，63［23］（1993），ｐ. 3203−3205 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/343
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板と格子整合しない半導体材料
からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザに
おいて、前記半導体基板とドット状結晶との間の格子定
数を持つ半導体材料でドット状結晶を埋め込んだ構造を
有し、前記埋め込み構造は前記ドット結晶よりも層厚が
厚いことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記半導体基板がＧａＡｓであり、ド
ット状結晶の半導体材料がＩｎx Ｇａ1-x Ａｓであり、
埋め込み材料がＩｎy Ｇａ1-y Ａｓ（ｘ＞ｙ＞０）であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 半導体基板と格子整合しない半導体材料
からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザの
製造方法において、半導体基板上にドット状結晶を成長
させ、その上に前記半導体基板とドット状結晶との間の
格子定数を持つ半導体材料を成長させて前記ドット状結
晶を埋め込んだ構造を形成させることを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 前記ドット状結晶をＭＢＥ成長装置を使
用して成長させる請求項３に記載の半導体レーザの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949797A JP3171324B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949797A JP3171324B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187834A JPH1187834A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3171324B2 true JP3171324B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17045671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23949797A Expired - Fee Related JP3171324B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171324B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4284633B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2009-06-24 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2001308465A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 半導体素子 |
| JP2009010425A (ja) * | 2008-10-09 | 2009-01-15 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置、その製造方法、及び光通信システム |
-
1997
- 1997-09-04 JP JP23949797A patent/JP3171324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，６３［２３］（１９９３），ｐ．３２０３−３２０５ |
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| JPH1187834A (ja) | 1999-03-30 |
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