JPH1084158A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH1084158A JPH1084158A JP23614196A JP23614196A JPH1084158A JP H1084158 A JPH1084158 A JP H1084158A JP 23614196 A JP23614196 A JP 23614196A JP 23614196 A JP23614196 A JP 23614196A JP H1084158 A JPH1084158 A JP H1084158A
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- Japan
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- quantum well
- strained
- ingaas
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎ
ＧａＡｓ歪量子井戸から成る応力補償型量子井戸構造を
活性層に有する半導体レーザ素子の信頼性を向上するこ
とを目的とする。 【解決手段】 上記目的は活性層の障壁層にＧａＡｓよ
り格子定数の小さいＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y又は（Ａｌ
xＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＡ
ｓを用い、障壁層とＩｎＧａＡｓ量子井戸層の間に、両
層の中間の格子定数を持つＩｎＧａＡｓ歪中間層を形成
することにより達成される。 【効果】 応力補償型量子井戸構造の量子井戸層と障壁
層界面における結晶性が向上し、半導体レーザ素子の信
頼性を格段に向上できる。
ＧａＡｓ歪量子井戸から成る応力補償型量子井戸構造を
活性層に有する半導体レーザ素子の信頼性を向上するこ
とを目的とする。 【解決手段】 上記目的は活性層の障壁層にＧａＡｓよ
り格子定数の小さいＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y又は（Ａｌ
xＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＡ
ｓを用い、障壁層とＩｎＧａＡｓ量子井戸層の間に、両
層の中間の格子定数を持つＩｎＧａＡｓ歪中間層を形成
することにより達成される。 【効果】 応力補償型量子井戸構造の量子井戸層と障壁
層界面における結晶性が向上し、半導体レーザ素子の信
頼性を格段に向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は希土類添加光ファイ
バ増幅器の励起光源や並列光通信ネットワーク、並列光
情報処理、光インターコネクションの光源として用いら
れる半導体レーザ装置に関わる。
バ増幅器の励起光源や並列光通信ネットワーク、並列光
情報処理、光インターコネクションの光源として用いら
れる半導体レーザ装置に関わる。
【０００２】
【従来の技術】活性層にＩｎＧａＡｓ量子井戸層を有す
る発振波長が９８０ｎｍの半導体レーザ装置は、Ｅｒド
ープ光ファイバ増幅器の励起光源として用いられてい
る。この素子のＩｎＧａＡｓ量子井戸層の格子定数はＧ
ａＡｓ基板に比べて１〜２％大きい。この歪による転移
等の結晶欠陥の発生を防止するため障壁層にＧａＡｓ基
板よりも格子定数の小さい層を導入し、活性層内の平均
的な歪量を低減（応力補償）することが素子の信頼性の
向上に有効であることが１９９５年Indium Phosphide a
nd Related Materials国際会議講演予稿集（SA3. 5）に
報告されている。しかし、通常用いられている無歪の障
壁層を用いた場合に比べて量子井戸層と障壁層の界面で
の歪量の差は大きくなるため界面での結晶性は低下して
おり、この問題点を解決するためＩｎＧａＡｓ量子井戸
層と障壁層の間に両層の中間の格子定数を持つＩｎＧａ
ＡｓＰ層（以下これを歪中間層と記述する）を導入し、
界面における歪量の差を低減することにより、光出力一
定条件での信頼性試験における駆動電流増加率が低減
し、素子の信頼性が向上したことが公開特許（特開平０
８−０５６０４５号公報）に報告されている。また、Ｇ
ａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓ量子井戸とＧａ
Ａｓ障壁層からなる量子井戸構造の界面に両層の中間の
格子定数を有するＩｎＧａＡｓ層を導入することにより
素子の信頼性が向上することが第４１回応用物理学関係
講演会予稿集（２８ａ−Ｋ−７）に報告されている。
る発振波長が９８０ｎｍの半導体レーザ装置は、Ｅｒド
ープ光ファイバ増幅器の励起光源として用いられてい
る。この素子のＩｎＧａＡｓ量子井戸層の格子定数はＧ
ａＡｓ基板に比べて１〜２％大きい。この歪による転移
等の結晶欠陥の発生を防止するため障壁層にＧａＡｓ基
板よりも格子定数の小さい層を導入し、活性層内の平均
的な歪量を低減（応力補償）することが素子の信頼性の
向上に有効であることが１９９５年Indium Phosphide a
nd Related Materials国際会議講演予稿集（SA3. 5）に
報告されている。しかし、通常用いられている無歪の障
壁層を用いた場合に比べて量子井戸層と障壁層の界面で
の歪量の差は大きくなるため界面での結晶性は低下して
おり、この問題点を解決するためＩｎＧａＡｓ量子井戸
層と障壁層の間に両層の中間の格子定数を持つＩｎＧａ
ＡｓＰ層（以下これを歪中間層と記述する）を導入し、
界面における歪量の差を低減することにより、光出力一
定条件での信頼性試験における駆動電流増加率が低減
し、素子の信頼性が向上したことが公開特許（特開平０
８−０５６０４５号公報）に報告されている。また、Ｇ
ａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓ量子井戸とＧａ
Ａｓ障壁層からなる量子井戸構造の界面に両層の中間の
格子定数を有するＩｎＧａＡｓ層を導入することにより
素子の信頼性が向上することが第４１回応用物理学関係
講演会予稿集（２８ａ−Ｋ−７）に報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術に述べたよ
うに、量子井戸層に１％以上程度の高い歪みを持つ量子
井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子の高信頼度
化には、量子井戸構造の応力補償構造化が必須である。
従って、量子井戸層がＧａＡｓよりも大きな格子定数を
持つＩｎＧａＡｓの場合には障壁層にはＧａＡｓよりも
格子定数の小さい層を用いる必要がある。また、応力補
償型量子井戸構造における従来構造では、応力補償型量
子井戸構造の歪中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いていた。
これはＩｎＧａＡｓＰを用いた場合、歪中間層のＩｎ組
成を量子井戸層の組成と同じにできるため、量子井戸層
から障壁層へのＩｎの拡散が抑制され、ヘテロ界面の急
峻性が保たれるためである。しかし、ＩｎＧａＡｓＰは
４元混晶のため熱力学的に不安定で良質な結晶が得られ
難く、それによる劣化が生じて歪中間層の導入の効果が
素子の信頼性の向上に対して十分に現れないという問題
点があった。
うに、量子井戸層に１％以上程度の高い歪みを持つ量子
井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子の高信頼度
化には、量子井戸構造の応力補償構造化が必須である。
従って、量子井戸層がＧａＡｓよりも大きな格子定数を
持つＩｎＧａＡｓの場合には障壁層にはＧａＡｓよりも
格子定数の小さい層を用いる必要がある。また、応力補
償型量子井戸構造における従来構造では、応力補償型量
子井戸構造の歪中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いていた。
これはＩｎＧａＡｓＰを用いた場合、歪中間層のＩｎ組
成を量子井戸層の組成と同じにできるため、量子井戸層
から障壁層へのＩｎの拡散が抑制され、ヘテロ界面の急
峻性が保たれるためである。しかし、ＩｎＧａＡｓＰは
４元混晶のため熱力学的に不安定で良質な結晶が得られ
難く、それによる劣化が生じて歪中間層の導入の効果が
素子の信頼性の向上に対して十分に現れないという問題
点があった。
【０００４】本発明は、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩ
ｎＧａＡｓ歪量子井戸層を有する応力補償型量子井戸構
造の量子井戸層と障壁層の間に格子定数が量子井戸層と
障壁層の中間の値を持つ層（歪中間層）を挿入すること
により素子の信頼性を向上することを目的とする。
ｎＧａＡｓ歪量子井戸層を有する応力補償型量子井戸構
造の量子井戸層と障壁層の間に格子定数が量子井戸層と
障壁層の中間の値を持つ層（歪中間層）を挿入すること
により素子の信頼性を向上することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は障壁層にＧａ
Ａｓより格子定数の小さいＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y又は
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用い、障壁層とＩｎＧａＡｓ量子井戸層の
間に、両層の中間の格子定数を持つＩｎＧａＡｓ歪中間
層を形成することにより達成される。これはＩｎＧａＡ
ｓは４元系のＩｎＧａＡｓＰに比べ熱力学的に安定であ
り、より良質な結晶を成長できるためである。
Ａｓより格子定数の小さいＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y又は
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用い、障壁層とＩｎＧａＡｓ量子井戸層の
間に、両層の中間の格子定数を持つＩｎＧａＡｓ歪中間
層を形成することにより達成される。これはＩｎＧａＡ
ｓは４元系のＩｎＧａＡｓＰに比べ熱力学的に安定であ
り、より良質な結晶を成長できるためである。
【０００６】図５（ａ）及び（ｂ）に量子井戸層として
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ（ＧａＡｓとの格子不整合度Δａ／
ａ：１．２％、圧縮歪）、また障壁層としてＩｎ0.12Ｇ
ａ0.88Ａｓ0.71Ｐ0.29（ＧａＡｓとの格子不整合度Δａ
／ａ：０．３％、引張歪）を用いた場合の７７Ｋにおけ
るホトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルピ−ク強度及
び半値幅の歪中間層歪量依存性を示した。図５（ａ）及
び（ｂ）から分かるように、歪中間層の歪量が量子井戸
層と障壁層の中央付近である０．３％から０．５％の領
域でＰＬ強度が高く、半値幅は狭く、結晶性が良好であ
る。これは量子井戸層と歪中間層、歪中間層と障壁層の
格子定数差（歪量差）のどちらか大きいほうで結晶性が
決まり、それが最小となる場合、すなはち歪中間層の格
子定数が量子井戸層と障壁層のほぼ中央であるときに結
晶性が最も良いことを示している。また図６（ａ）及び
（ｂ）は歪中間層の歪量を０．４５％に固定した場合の
７７Ｋにおけるホトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル
ピ−ク強度及び半値幅の歪中間層膜厚依存性である。図
６（ａ）及び（ｂ）から分かるように歪中間層の膜厚は
１ｎｍから５ｎｍの時にＰＬ強度が高く、半値幅は狭
く、結晶性が良好である。それ以下では原料切替時の残
留原料により歪中間層の結晶性が悪いため、またそれ以
上では歪中間層の膜厚の増大による歪の蓄積により量子
井戸構造の結晶性が低下している。また、ＩｎＧａＡｓ
歪中間層の歪量を量子井戸層から離れるに従って段階
的、又は連続的に小さくすれば、１層の歪中間層を用い
た場合に比べて界面における歪量の差は低減するため、
界面の結晶性はより良好になる。
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ（ＧａＡｓとの格子不整合度Δａ／
ａ：１．２％、圧縮歪）、また障壁層としてＩｎ0.12Ｇ
ａ0.88Ａｓ0.71Ｐ0.29（ＧａＡｓとの格子不整合度Δａ
／ａ：０．３％、引張歪）を用いた場合の７７Ｋにおけ
るホトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルピ−ク強度及
び半値幅の歪中間層歪量依存性を示した。図５（ａ）及
び（ｂ）から分かるように、歪中間層の歪量が量子井戸
層と障壁層の中央付近である０．３％から０．５％の領
域でＰＬ強度が高く、半値幅は狭く、結晶性が良好であ
る。これは量子井戸層と歪中間層、歪中間層と障壁層の
格子定数差（歪量差）のどちらか大きいほうで結晶性が
決まり、それが最小となる場合、すなはち歪中間層の格
子定数が量子井戸層と障壁層のほぼ中央であるときに結
晶性が最も良いことを示している。また図６（ａ）及び
（ｂ）は歪中間層の歪量を０．４５％に固定した場合の
７７Ｋにおけるホトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル
ピ−ク強度及び半値幅の歪中間層膜厚依存性である。図
６（ａ）及び（ｂ）から分かるように歪中間層の膜厚は
１ｎｍから５ｎｍの時にＰＬ強度が高く、半値幅は狭
く、結晶性が良好である。それ以下では原料切替時の残
留原料により歪中間層の結晶性が悪いため、またそれ以
上では歪中間層の膜厚の増大による歪の蓄積により量子
井戸構造の結晶性が低下している。また、ＩｎＧａＡｓ
歪中間層の歪量を量子井戸層から離れるに従って段階
的、又は連続的に小さくすれば、１層の歪中間層を用い
た場合に比べて界面における歪量の差は低減するため、
界面の結晶性はより良好になる。
【０００７】また歪中間層にＩｎＧａＡｓを用いた場
合、同じ格子定数のＩｎＧａＡｓＰを用いた場合に比べ
て歪中間層中のＩｎ組成が低いため量子井戸層からのＩ
ｎの拡散は生じ易いが、その拡散量は以下の実施例に示
すように素子特性の低下をもたらすほど大きくないこと
が分かった。
合、同じ格子定数のＩｎＧａＡｓＰを用いた場合に比べ
て歪中間層中のＩｎ組成が低いため量子井戸層からのＩ
ｎの拡散は生じ易いが、その拡散量は以下の実施例に示
すように素子特性の低下をもたらすほど大きくないこと
が分かった。
【０００８】このように歪中間層として、ＩｎＧａＡｓ
を用いることによって素子の特性を低下させることなく
応力補償型量子井戸構造の量子井戸層と障壁層の界面の
結晶性を向上でき、素子の信頼性が格段に向上すること
が分かった。
を用いることによって素子の特性を低下させることなく
応力補償型量子井戸構造の量子井戸層と障壁層の界面の
結晶性を向上でき、素子の信頼性が格段に向上すること
が分かった。
【０００９】以上に述べた、光学的に活性な領域におけ
る半導体層の積層構造に特徴を有する本発明の半導体レ
ーザ装置に関し、その技術思想の概要を纏めると次の通
りである。
る半導体層の積層構造に特徴を有する本発明の半導体レ
ーザ装置に関し、その技術思想の概要を纏めると次の通
りである。
【００１０】まず本発明者は、特開平０８−５６０４５
号公報に開示される、歪量子井戸構造を構成する量子井
戸層と障壁層との間に、格子定数が両層を構成する半導
体結晶の一方より大きく他方より小さい４元系（４種の
元素で構成される）化合物半導体の結晶からなる層（所
謂、歪中間層）を形成する技術において、この層が熱力
学的に不安定なため、量子井戸層の結晶性を損なうとい
う問題に気付いた。４元系の化合物半導体は構成元素が
多い分、所望の格子定数の結晶を実現するために調整可
能な組成比のパラメータが多いという長所を有する。し
かし、構成元素が多い分、局所的に結晶領域を見るとII
I族元素のサイトにＡｌ、Ｇａ、又はＩｎが、Ｖ族元素
のサイトにＡｓ又はＰが当該結晶領域の組成が所望の組
成比を満たすように配置されているとは限らない。即ち
微視的に見て格子定数の異なる結晶領域の集合体として
半導体層が形成されてしまうという可能性、つまり短所
がある。本発明者は、巨視的には見落とされていた４元
系化合物半導体の短所が、熱力学的不安定性の原因、即
ちこの材料からなる半導体結晶に別の半導体結晶を格子
不整合で接合するにあたり、別の半導体結晶に接合界面
から転位を生じさせるという問題を起こす原因であると
仮定した。
号公報に開示される、歪量子井戸構造を構成する量子井
戸層と障壁層との間に、格子定数が両層を構成する半導
体結晶の一方より大きく他方より小さい４元系（４種の
元素で構成される）化合物半導体の結晶からなる層（所
謂、歪中間層）を形成する技術において、この層が熱力
学的に不安定なため、量子井戸層の結晶性を損なうとい
う問題に気付いた。４元系の化合物半導体は構成元素が
多い分、所望の格子定数の結晶を実現するために調整可
能な組成比のパラメータが多いという長所を有する。し
かし、構成元素が多い分、局所的に結晶領域を見るとII
I族元素のサイトにＡｌ、Ｇａ、又はＩｎが、Ｖ族元素
のサイトにＡｓ又はＰが当該結晶領域の組成が所望の組
成比を満たすように配置されているとは限らない。即ち
微視的に見て格子定数の異なる結晶領域の集合体として
半導体層が形成されてしまうという可能性、つまり短所
がある。本発明者は、巨視的には見落とされていた４元
系化合物半導体の短所が、熱力学的不安定性の原因、即
ちこの材料からなる半導体結晶に別の半導体結晶を格子
不整合で接合するにあたり、別の半導体結晶に接合界面
から転位を生じさせるという問題を起こす原因であると
仮定した。
【００１１】格子不整合で積層された歪量子井戸層、歪
中間層、歪障壁層からなる活性領域を有する半導体レー
ザ装置において、良質の即ち転位や欠陥のない結晶が要
請される優先度は、歪量子井戸層、歪中間層、歪障壁層
の順位付けられる。従って、歪量子井戸層はもとより、
これに接合される歪中間層は上述の熱力学的不安定性の
少ない材料で形成することが要求される。本発明は、こ
の要求を満たすべく、歪量子井戸層をＩｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ、歪中間層をＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ層（但し、１≧ｘ１
＞ｘ２＞０）で形成する。組成のパラメータｘ１は、１
＞ｘ１としてもよい。上述のホトトルミネセンス（Ｐ
Ｌ）で評価した半導体レーザ装置の品質の観点から見れ
ば、組成のパラメータは夫々０．３≧ｘ１＞０．１、
０．１＞ｘ２＞０の範囲に設定することが望ましい。そ
の根拠は、歪中間層の歪量は、歪中間層の組成はもとよ
り、歪量子井戸層の組成にも依存するところにある。
中間層、歪障壁層からなる活性領域を有する半導体レー
ザ装置において、良質の即ち転位や欠陥のない結晶が要
請される優先度は、歪量子井戸層、歪中間層、歪障壁層
の順位付けられる。従って、歪量子井戸層はもとより、
これに接合される歪中間層は上述の熱力学的不安定性の
少ない材料で形成することが要求される。本発明は、こ
の要求を満たすべく、歪量子井戸層をＩｎx1Ｇａ1-x1Ａ
ｓ、歪中間層をＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ層（但し、１≧ｘ１
＞ｘ２＞０）で形成する。組成のパラメータｘ１は、１
＞ｘ１としてもよい。上述のホトトルミネセンス（Ｐ
Ｌ）で評価した半導体レーザ装置の品質の観点から見れ
ば、組成のパラメータは夫々０．３≧ｘ１＞０．１、
０．１＞ｘ２＞０の範囲に設定することが望ましい。そ
の根拠は、歪中間層の歪量は、歪中間層の組成はもとよ
り、歪量子井戸層の組成にも依存するところにある。
【００１２】一方、この半導体レーザ装置は良質の単結
晶基板材料を製造しやすいＧａＡｓ基板上に形成され
る。この基板上部に上述の格子不整合で積層された活性
領域を形成するにあたり、活性領域全体の歪量を緩和す
ることは基板からこの領域に亘り生じる転位を回避する
上で重要である。しかし、歪量子井戸層や歪中間層を上
述のＩｎＧａＡｓ系材料で形成すると、ＧａＡｓ基板に
対して両層とも圧縮歪を有し、障壁層にはこれらの圧縮
歪を相殺する引張歪を持たせることが要請される（所
謂、応力緩和の要請）。
晶基板材料を製造しやすいＧａＡｓ基板上に形成され
る。この基板上部に上述の格子不整合で積層された活性
領域を形成するにあたり、活性領域全体の歪量を緩和す
ることは基板からこの領域に亘り生じる転位を回避する
上で重要である。しかし、歪量子井戸層や歪中間層を上
述のＩｎＧａＡｓ系材料で形成すると、ＧａＡｓ基板に
対して両層とも圧縮歪を有し、障壁層にはこれらの圧縮
歪を相殺する引張歪を持たせることが要請される（所
謂、応力緩和の要請）。
【００１３】そこで、所望の引張歪を与える一策として
歪障壁層をＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y、（ＡｌxＧａ1-x）
yＩｎ1-yＰ、又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＡｓ（但
し、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）の４元系化合物半導体で
形成するとよい。その根拠は、４元系化合物半導体の長
所で述べたように格子定数がＧａＡｓより所望の分だけ
小さい（所望の引張歪量を有する）半導体層が形成しや
すいからである。歪障壁層は４元系以外でもよく、例え
ば上述のいずれかの組成において０≦ｙ＜１としても格
子定数がＧａＡｓより所望の分だけ小さければ十分であ
る。
歪障壁層をＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y、（ＡｌxＧａ1-x）
yＩｎ1-yＰ、又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＡｓ（但
し、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）の４元系化合物半導体で
形成するとよい。その根拠は、４元系化合物半導体の長
所で述べたように格子定数がＧａＡｓより所望の分だけ
小さい（所望の引張歪量を有する）半導体層が形成しや
すいからである。歪障壁層は４元系以外でもよく、例え
ば上述のいずれかの組成において０≦ｙ＜１としても格
子定数がＧａＡｓより所望の分だけ小さければ十分であ
る。
【００１４】歪障壁層を４元系化合物半導体で構成する
場合、その熱力学的不安定性故、歪中間層には転位が生
じる。しかし、歪中間層の厚さを適切に設定することに
より、この転位を歪中間層内部で抑え、歪量子井戸層へ
の延伸を回避することができる。歪障壁層による歪量子
井戸層へのキャリア閉じ込め効果等を勘案すれば、４元
系化合物半導体からなる歪障壁層に望ましき歪中間層の
厚みは１ｎｍ以上、５ｎｍ以下である。このような厚み
を有する歪中間層は、また４元系以外の例えば３元系や
５元系の化合物半導体からなる歪障壁層にも適用でき
る。
場合、その熱力学的不安定性故、歪中間層には転位が生
じる。しかし、歪中間層の厚さを適切に設定することに
より、この転位を歪中間層内部で抑え、歪量子井戸層へ
の延伸を回避することができる。歪障壁層による歪量子
井戸層へのキャリア閉じ込め効果等を勘案すれば、４元
系化合物半導体からなる歪障壁層に望ましき歪中間層の
厚みは１ｎｍ以上、５ｎｍ以下である。このような厚み
を有する歪中間層は、また４元系以外の例えば３元系や
５元系の化合物半導体からなる歪障壁層にも適用でき
る。
【００１５】
＜実施例１＞図１は本発明の実施例１における半導体レ
ーザの断面図である。図は光の進行方向と垂直な面内の
断面図である。また図２は、図１の活性層４の拡大図で
ある。結晶成長は減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて行った。成
長圧力は４０ｔｏｒｒ、成長温度は６５０℃である。Ｓ
ｉドープｎ型（００１）ＧａＡｓ基板１（キャリア濃度
２×１０18／ｃｍ3）上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２
（Ｓｅドープ、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3、膜厚
０．２μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層３
（Ｓｅドープ、キャリア濃度８×１０17／ｃｍ3、膜厚
１．５μｍ）、Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ0.37障壁層
１２（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．３％、引張歪）、
Ｉｎ0.07Ｇａ0.93Ａｓ歪中間１３（膜厚２ｎｍ）、Ｉｎ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層１４（膜厚５ｎｍ、Δａ／
ａ：１．４％、圧縮歪）、 Ｉｎ0.07Ｇａ0.93Ａｓ歪中
間１５（膜厚２ｎｍ）、 Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ
0.37障壁層１６（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．３％、
引張歪）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層５（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度６×１０17／ｃｍ3、膜厚０．２
５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層６（Ｚｎドープ、キャリア濃
度６×１０17／ｃｍ3、膜厚２０ｎｍ）、ｐ型Ｉｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐクラッド層７（Ｚｎドープ、キャリア濃度８
×１０17／ｃｍ3、膜厚１．３μｍ）、ｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ
0.9Ａｓ0.8Ｐ0.2層８（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×
１０18／ｃｍ3、膜厚０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層９（Ｚｎドープ、キャリア濃度１×19／ｃ
ｍ3、膜厚０． １５μｍ）を順次成長させる。
ーザの断面図である。図は光の進行方向と垂直な面内の
断面図である。また図２は、図１の活性層４の拡大図で
ある。結晶成長は減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて行った。成
長圧力は４０ｔｏｒｒ、成長温度は６５０℃である。Ｓ
ｉドープｎ型（００１）ＧａＡｓ基板１（キャリア濃度
２×１０18／ｃｍ3）上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２
（Ｓｅドープ、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3、膜厚
０．２μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層３
（Ｓｅドープ、キャリア濃度８×１０17／ｃｍ3、膜厚
１．５μｍ）、Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ0.37障壁層
１２（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．３％、引張歪）、
Ｉｎ0.07Ｇａ0.93Ａｓ歪中間１３（膜厚２ｎｍ）、Ｉｎ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層１４（膜厚５ｎｍ、Δａ／
ａ：１．４％、圧縮歪）、 Ｉｎ0.07Ｇａ0.93Ａｓ歪中
間１５（膜厚２ｎｍ）、 Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ
0.37障壁層１６（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．３％、
引張歪）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層５（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度６×１０17／ｃｍ3、膜厚０．２
５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層６（Ｚｎドープ、キャリア濃
度６×１０17／ｃｍ3、膜厚２０ｎｍ）、ｐ型Ｉｎ0.49
Ｇａ0.51Ｐクラッド層７（Ｚｎドープ、キャリア濃度８
×１０17／ｃｍ3、膜厚１．３μｍ）、ｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ
0.9Ａｓ0.8Ｐ0.2層８（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×
１０18／ｃｍ3、膜厚０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層９（Ｚｎドープ、キャリア濃度１×19／ｃ
ｍ3、膜厚０． １５μｍ）を順次成長させる。
【００１６】次に通常のＣＶＤ工程とホトレジスト工程
により幅３μｍのＳｉＯ2ストライプを形成し、それを
マスクとして半導体層６、７、８、９を化学エッチング
して凸状にする。この上にエッチングで用いたＳｉＯ2
ストライプを選択成長のマスクとしてｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐブロック層１０（Ｓｅドープ、キャリア濃度２×
18／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）を成長させる。その後上
記ＳｉＯ2マスクを除去し、その上にｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１１（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×１０19／
ｃｍ3、膜厚１．０μｍ）を成長させる。その後正電極
としてＡｕ−Ｃｒ１７を、負電極としてＡｕ−Ｇｅ１８
を真空蒸着して形成する。最後に結晶を劈開して長さ９
００μｍのレーザチップを得る。
により幅３μｍのＳｉＯ2ストライプを形成し、それを
マスクとして半導体層６、７、８、９を化学エッチング
して凸状にする。この上にエッチングで用いたＳｉＯ2
ストライプを選択成長のマスクとしてｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐブロック層１０（Ｓｅドープ、キャリア濃度２×
18／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）を成長させる。その後上
記ＳｉＯ2マスクを除去し、その上にｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１１（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×１０19／
ｃｍ3、膜厚１．０μｍ）を成長させる。その後正電極
としてＡｕ−Ｃｒ１７を、負電極としてＡｕ−Ｇｅ１８
を真空蒸着して形成する。最後に結晶を劈開して長さ９
００μｍのレーザチップを得る。
【００１７】こうして作製した素子は室温において発振
波長９８０ｎｍで直流発振し、しきい電流は約１２ｍ
Ａ、しきい電流密度は２５０Ａ／ｃｍ2であり、光出力
１８０ｍＷまで安定な横単一モードであった。これは歪
中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いた場合のしきい電流、し
きい電流密度とほぼ等しく、Ｉｎの拡散による素子特性
の劣化は見られない。
波長９８０ｎｍで直流発振し、しきい電流は約１２ｍ
Ａ、しきい電流密度は２５０Ａ／ｃｍ2であり、光出力
１８０ｍＷまで安定な横単一モードであった。これは歪
中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いた場合のしきい電流、し
きい電流密度とほぼ等しく、Ｉｎの拡散による素子特性
の劣化は見られない。
【００１８】また５０℃、光出力１００ｍＷで寿命試験
を行ったところ、駆動電流増加率（光出力を２００ｍＷ
に保つのに必要な電流値が一定時間に初期電流値に対し
て増加する割合）はＩｎＧａＡｓＰ歪中間層を用いた場
合に比べ３割程度であり、ＩｎＧａＡｓ歪中間層の導入
により素子の信頼性が向上し５０℃、光出力２００ｍＷ
での素子の寿命が５万時間から２０万時間以上に伸び
た。
を行ったところ、駆動電流増加率（光出力を２００ｍＷ
に保つのに必要な電流値が一定時間に初期電流値に対し
て増加する割合）はＩｎＧａＡｓＰ歪中間層を用いた場
合に比べ３割程度であり、ＩｎＧａＡｓ歪中間層の導入
により素子の信頼性が向上し５０℃、光出力２００ｍＷ
での素子の寿命が５万時間から２０万時間以上に伸び
た。
【００１９】本実施例における活性層４を、２層以上の
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層及びＩ
ｎＧａＡｓ歪中間層から構成される多重量子井戸構造と
しても同様の効果が得られる。また本実施例におけるｐ
型とｎ型を全て逆転した構造においても同様の効果が得
られる。また、クラッド層にＡｌＧａＡｓ、障壁層に
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用いても同様の効果が得られた。
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層及びＩ
ｎＧａＡｓ歪中間層から構成される多重量子井戸構造と
しても同様の効果が得られる。また本実施例におけるｐ
型とｎ型を全て逆転した構造においても同様の効果が得
られる。また、クラッド層にＡｌＧａＡｓ、障壁層に
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用いても同様の効果が得られた。
【００２０】＜実施例２＞図３は本発明の実施例２にお
ける半導体レーザの断面図である。図は光の進行方向と
垂直な面内の断面図である。また図４は、図３の活性層
２２の拡大図である。結晶成長は減圧ＭＯＣＶＤ法を用
いて行った。成長圧力は４０ｔｏｒｒ、成長温度は６５
０℃である。Ｓｉドープｎ型（００１）ＧａＡｓ基板１
９（キャリア濃度２×１０18／ｃｍ3）上にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２０（Ｓｅドープ、キャリア濃度１×１０
18／ｃｍ3、膜厚０．２μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51
Ｐクラッド層２１（Ｓｅドープ、キャリア濃度８×１０
17／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）、Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ
0.63Ｐ0.37障壁層３０（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．
３％、引張歪）、ＩｎxＧａ1-xＡｓ歪中間層３１（膜厚
２ｎｍ、但しｘは成長方向に沿って０から０．２の間で
連続的に増加）、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層３２
（膜厚５ｎｍ、Δａ／ａ：１．４％、圧縮歪）、 Ｉｎx
Ｇａ1-xＡｓ歪中間層３３（膜厚２ｎｍ、但しｘは成長
方向に沿って０．２から０の間で連続的に減少）、 Ｉ
ｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ0.37障壁層３４（膜厚３５ｎ
ｍ、Δａ／ａ：０．３％、引張歪）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐクラッド層２３（Ｚｎドープ、キャリア濃度６×
１０17／ｃｍ3、膜厚０．２５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層
２４（Ｚｎドープ、キャリア濃度６×１０17／ｃｍ3、
膜厚２０ｎｍ）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層２
５（Ｚｎドープ、キャリア濃度８×１０17／ｃｍ3、膜
厚１．３μｍ）、ｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓ0.8Ｐ0.2層２
６（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×１０18／ｃｍ3、膜
厚０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度１×１０19／ｃｍ3、膜厚０．１
５μｍ）を順次成長させる。
ける半導体レーザの断面図である。図は光の進行方向と
垂直な面内の断面図である。また図４は、図３の活性層
２２の拡大図である。結晶成長は減圧ＭＯＣＶＤ法を用
いて行った。成長圧力は４０ｔｏｒｒ、成長温度は６５
０℃である。Ｓｉドープｎ型（００１）ＧａＡｓ基板１
９（キャリア濃度２×１０18／ｃｍ3）上にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２０（Ｓｅドープ、キャリア濃度１×１０
18／ｃｍ3、膜厚０．２μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51
Ｐクラッド層２１（Ｓｅドープ、キャリア濃度８×１０
17／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）、Ｉｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ
0.63Ｐ0.37障壁層３０（膜厚３５ｎｍ、Δａ／ａ：０．
３％、引張歪）、ＩｎxＧａ1-xＡｓ歪中間層３１（膜厚
２ｎｍ、但しｘは成長方向に沿って０から０．２の間で
連続的に増加）、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ量子井戸層３２
（膜厚５ｎｍ、Δａ／ａ：１．４％、圧縮歪）、 Ｉｎx
Ｇａ1-xＡｓ歪中間層３３（膜厚２ｎｍ、但しｘは成長
方向に沿って０．２から０の間で連続的に減少）、 Ｉ
ｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ0.63Ｐ0.37障壁層３４（膜厚３５ｎ
ｍ、Δａ／ａ：０．３％、引張歪）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ｐクラッド層２３（Ｚｎドープ、キャリア濃度６×
１０17／ｃｍ3、膜厚０．２５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層
２４（Ｚｎドープ、キャリア濃度６×１０17／ｃｍ3、
膜厚２０ｎｍ）、ｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐクラッド層２
５（Ｚｎドープ、キャリア濃度８×１０17／ｃｍ3、膜
厚１．３μｍ）、ｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓ0.8Ｐ0.2層２
６（Ｚｎドープ、キャリア濃度２×１０18／ｃｍ3、膜
厚０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７（Ｚｎ
ドープ、キャリア濃度１×１０19／ｃｍ3、膜厚０．１
５μｍ）を順次成長させる。
【００２１】次に通常のＣＶＤ工程とホトレジスト工程
により幅３μｍのＳｉＯ2ストライプを形成し、それを
マスクとして半導体層２４、２５、２６、２７を化学エ
ッチングして凸状にする。この上にエッチングで用いた
ＳｉＯ2ストライプを選択成長のマスクとしてｎ型Ｉｎ
0.49Ｇａ0.51Ｐブロック層２８（Ｓｅドープ、キャリア
濃度２×１０18／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）を成長させ
る。その後上記ＳｉＯ2マスクを除去し、その上にｐ型
ＧａＡｓコンタクト層２９（Ｚｎドープ、キャリア濃度
２×１０19／ｃｍ3、膜厚１．０μｍ）を成長させる。
その後正電極としてＡｕ−Ｃｒ３５を、負電極としてＡ
ｕ−Ｇｅ３６を真空蒸着して形成する。最後に結晶を劈
開して長さ９００μｍのレーザチップを得る。
により幅３μｍのＳｉＯ2ストライプを形成し、それを
マスクとして半導体層２４、２５、２６、２７を化学エ
ッチングして凸状にする。この上にエッチングで用いた
ＳｉＯ2ストライプを選択成長のマスクとしてｎ型Ｉｎ
0.49Ｇａ0.51Ｐブロック層２８（Ｓｅドープ、キャリア
濃度２×１０18／ｃｍ3、膜厚１．５μｍ）を成長させ
る。その後上記ＳｉＯ2マスクを除去し、その上にｐ型
ＧａＡｓコンタクト層２９（Ｚｎドープ、キャリア濃度
２×１０19／ｃｍ3、膜厚１．０μｍ）を成長させる。
その後正電極としてＡｕ−Ｃｒ３５を、負電極としてＡ
ｕ−Ｇｅ３６を真空蒸着して形成する。最後に結晶を劈
開して長さ９００μｍのレーザチップを得る。
【００２２】こうして作製した素子は室温において発振
波長９８０ｎｍで直流発振し、しきい電流は約１２ｍ
Ａ、しきい電流密度は２５０Ａ／ｃｍ2であり、光出力
１８０ｍＷまで安定な横単一モードであった。これは歪
中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いた場合のしきい電流、し
きい電流密度とほぼ等しく、Ｉｎの拡散による素子特性
の劣化は見られない。
波長９８０ｎｍで直流発振し、しきい電流は約１２ｍ
Ａ、しきい電流密度は２５０Ａ／ｃｍ2であり、光出力
１８０ｍＷまで安定な横単一モードであった。これは歪
中間層にＩｎＧａＡｓＰを用いた場合のしきい電流、し
きい電流密度とほぼ等しく、Ｉｎの拡散による素子特性
の劣化は見られない。
【００２３】また５０℃、光出力１００ｍＷで寿命試験
を行ったところ、駆動電流増加率（光出力を２００ｍＷ
に保つのに必要な電流値が一定時間に初期電流値に対し
て増加する割合）は一層のＩｎＧａＡｓ歪中間層を用い
た場合に比べ５割程度であり、ＩｎＧａＡｓ歪中間層の
導入により素子の信頼性が向上し５０℃、光出力２００
ｍＷでの素子の寿命が２０万時間から４０万時間以上に
伸びた。これは、歪中間層の歪量を連続的に変化させた
ことにより、界面の歪量差が１層の歪中間層を用いた場
合に比べて減少したためである。
を行ったところ、駆動電流増加率（光出力を２００ｍＷ
に保つのに必要な電流値が一定時間に初期電流値に対し
て増加する割合）は一層のＩｎＧａＡｓ歪中間層を用い
た場合に比べ５割程度であり、ＩｎＧａＡｓ歪中間層の
導入により素子の信頼性が向上し５０℃、光出力２００
ｍＷでの素子の寿命が２０万時間から４０万時間以上に
伸びた。これは、歪中間層の歪量を連続的に変化させた
ことにより、界面の歪量差が１層の歪中間層を用いた場
合に比べて減少したためである。
【００２４】本実施例における活性層４を、２層以上の
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層及びＩ
ｎＧａＡｓ歪中間層から構成される多重量子井戸構造と
しても同様の効果が得られる。また本実施例におけるｐ
型とｎ型を全て逆転した構造においても同様の効果が得
られる。また、クラッド層にＡｌＧａＡｓ、障壁層に
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用いても同様の効果が得られた。
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層及びＩ
ｎＧａＡｓ歪中間層から構成される多重量子井戸構造と
しても同様の効果が得られる。また本実施例におけるｐ
型とｎ型を全て逆転した構造においても同様の効果が得
られる。また、クラッド層にＡｌＧａＡｓ、障壁層に
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓを用いても同様の効果が得られた。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＡｓ基板上に形成
され、少なくとも１層の光を発生するＩｎＧａＡｓ量子
井戸を有する半導体レーザ装置において、障壁層をＧａ
Ａｓより格子定数の小さいＩｎＧａＡｓＰ又はＡｌＧａ
ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＡｓとし、障壁層と上記ＩｎＧ
ａＡｓ量子井戸層の間に両者の中間の格子定数を有する
ＩｎＧａＡｓ歪中間層を形成することにより、活性層に
おけるヘテロ界面での歪量の差が低減し、ヘテロ界面の
結晶性が向上し、素子信頼性を向上することができた。
され、少なくとも１層の光を発生するＩｎＧａＡｓ量子
井戸を有する半導体レーザ装置において、障壁層をＧａ
Ａｓより格子定数の小さいＩｎＧａＡｓＰ又はＡｌＧａ
ＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＡｓとし、障壁層と上記ＩｎＧ
ａＡｓ量子井戸層の間に両者の中間の格子定数を有する
ＩｎＧａＡｓ歪中間層を形成することにより、活性層に
おけるヘテロ界面での歪量の差が低減し、ヘテロ界面の
結晶性が向上し、素子信頼性を向上することができた。
【図１】本発明における実施例１の半導体レーザの断面
図。
図。
【図２】図１の部分拡大図。
【図３】本発明における実施例２の半導体レーザの断面
図。
図。
【図４】図３の部分拡大図。
【図５】量子井戸構造のＰＬスペクトルピーク強度及び
半値幅の歪中間層歪量依存性を示す図。
半値幅の歪中間層歪量依存性を示す図。
【図６】量子井戸構造のＰＬスペクトルピーク強度及び
半値幅の歪中間層膜厚依存性を示す図。
半値幅の歪中間層膜厚依存性を示す図。
１，１９…ｎ型GaAs基板、３，２１…ｎ型InGaPクラッ
ド層、４，２２…活性層、５，７， ２３，２５…ｐ型I
nGaPクラッド層、６，２４…ｐ型GaAs層、１０，２８…
ｎ型InGaPブロック層、１２，１６，３０，３４…InGaA
sP障壁層、１３，１５，３１，３３…InGaAs歪中間層，
１４，３２…InGaAs歪量子井戸層。
ド層、４，２２…活性層、５，７， ２３，２５…ｐ型I
nGaPクラッド層、６，２４…ｐ型GaAs層、１０，２８…
ｎ型InGaPブロック層、１２，１６，３０，３４…InGaA
sP障壁層、１３，１５，３１，３３…InGaAs歪中間層，
１４，３２…InGaAs歪量子井戸層。
フロントページの続き (72)発明者 豊中 隆司 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 紀川 健 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】ＧａＡｓ基板上に形成され、少なくとも１
層の光を発生するＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ量子井戸層（１≧
ｘ１＞０）と、該量子井戸層よりも屈折率が小さく且つ
禁制帯幅の大きいクラッド層と、発生した光からレーザ
光を得るための共振器構造から構成される半導体レーザ
装置において、上記Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ量子井戸層の両
側又は片側一方に隣接して少なくとも１層のＩｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓ層が形成され、該Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ層の格子
定数が上記Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ量子井戸層よりも小さい
（ｘ１＞ｘ２＞０）ことを特徴とし、かつ該Ｉｎx2Ｇａ
1-x2Ａｓに隣接して障壁層が形成され、該障壁層の格子
定数がＧａＡｓよりも小さいことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項２】請求項１の半導体レーザ装置において、上
記障壁層がＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y（但し０≦ｙ＜１）
又は（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ又は（ＡｌxＧａ1-x）
yＩｎ1-yＡｓであることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】請求項１又は２の半導体レーザ装置におい
て、クラッド層が少なくとも１層の上記ＧａＡｓ基板に
格子整合するＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y層（但し０≦ｙ＜
１）又はＡｌＧａＡｓから構成されることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項４】請求項１、２又は３の半導体レーザ装置に
おいて、０．３≧ ｘ１＞０．１であり、かつ０．１＞
ｘ２＞０であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】請求項１、２、３又は４の半導体レーザ装
置において、上記ＩｎＧａＡｓ量子井戸層に隣接する上
記ＩｎＧａＡｓ層の格子定数が、該ＩｎＧａＡｓ層から
離れるに従って段階的又は連続的に減少することを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４又は５の半導体レー
ザ装置において、上記ＩｎＧａＡｓ量子井戸層に隣接す
る上記ＩｎＧａＡｓ層の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下で
あることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23614196A JPH1084158A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23614196A JPH1084158A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084158A true JPH1084158A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=16996374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23614196A Pending JPH1084158A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1084158A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166921A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | ＧａＩｎＮＡｓ系半導体レーザ |
| JP2007066930A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP2008506257A (ja) * | 2004-07-06 | 2008-02-28 | アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 発光素子の最大変調速度を改善する方法及び最大変調速度の改善された発光素子、並びにその量子井戸構造 |
| JP2008211141A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置及び光半導体モジュール |
| JP2008211142A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP2012119456A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子 |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23614196A patent/JPH1084158A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166921A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | ＧａＩｎＮＡｓ系半導体レーザ |
| JP4668529B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2011-04-13 | 株式会社日立製作所 | ＧａＩｎＮＡｓ系半導体レーザ |
| JP2008506257A (ja) * | 2004-07-06 | 2008-02-28 | アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 発光素子の最大変調速度を改善する方法及び最大変調速度の改善された発光素子、並びにその量子井戸構造 |
| JP2007066930A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP4641230B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-03-02 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
| JP2008211141A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置及び光半導体モジュール |
| JP2008211142A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP2012119456A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050823 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050909 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |