JP2012119456A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定のエネルギー値のバンドギャップを有するとともに引張り歪が導入される1以上の井戸層と、前記所定のエネルギー値より大きいエネルギー値のバンドギャップを有するとともに前記井戸層と交互に配置される2以上の障壁層と、隣り合う前記井戸層と前記障壁層の間にそれぞれ配置されるとともに、前記井戸層側の端から前記障壁層側へ、前記所定のエネルギー値から連続的に増加するバンドギャップを有する2以上の中間層とを、基板の上方にそれぞれ備える。
【選択図】図3A
Description
Claims (8)
- 所定のエネルギー値のバンドギャップを有するとともに引張り歪が導入される1以上の井戸層と、
前記所定のエネルギー値より大きいエネルギー値のバンドギャップを有するとともに前記井戸層と交互に配置される2以上の障壁層と、
隣り合う前記井戸層と前記障壁層の間にそれぞれ配置されるとともに、前記井戸層側の端から前記障壁層側へ、前記所定のエネルギー値から連続的に増加するバンドギャップを有する2以上の中間層とを、
基板の上方にそれぞれ備える半導体発光素子。 - 前記中間層のバンドギャップが、前記障壁側の端から前記井戸層側へ、前記所定のエネルギー値より大きいエネルギー値から連続的に減少する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記中間層の組成が、前記井戸層側の端から前記障壁側へ、前記井戸層の組成から連続的に変化する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記中間層の組成が、前記井戸層側の端から前記障壁層側の端に対して、前記井戸層の組成から前記障壁層の組成に、連続的に変化する、
ことを特徴とする、請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記各井戸層、前記各障壁層、及び、前記各中間層の組成が、In1−y(Ga1−xAlx)yAsである、
ことを特徴とする、請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記各障壁層に、圧縮歪が導入される、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記各井戸層に導入される引張り歪の歪量が−1.5%以下であり、前記1以上の井戸層の層厚の合計が50nm以上である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 測定されるホトルミネッセンスのスペクトルにおいて、強度ピークが複数あり、1番目に大きい強度ピークに対応するバンドギャップのエネルギー値と、2番目に大きい強度ピークに対するバンドギャップのエネルギー値と、の差が、0.1eV以上である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。
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