JP2544378B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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- H01S5/3428—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers layer orientation perpendicular to the substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置に係わり、特に発光波長域の広
い範囲での可視光半導体レーザを得る技術に関する。
い範囲での可視光半導体レーザを得る技術に関する。
光情報処理分野を中心により波長の短かい半導体レー
ザが要求されている。現在主流のAlGaAs/GaAs系レーザ
はそのバンドギヤツプの大きさから720nm以下の発振を
得る事は難かしい。これに代つてAlGaInP/GaAs系レーザ
が注目され、ようやく実用化されようとしている。しか
し、この材料においてもバンドギヤツプの大きさに制限
され600nm以下の黄色,緑,青等の発振を得る事は難か
しい。この系は、例えばジヤーナル・オブ・アプライド
・フイジツクス(J.Appl.Phys.)58巻,1982年,4928頁に
示されている様にIII−V族混晶半導体を用いて実現し
うる最短波長の材料と考えられている。換言すれば、通
常の混晶半導体を用いてレーザを実現する場合、600nm
以下の、つまり赤色以外の黄,緑,青色で発振する半導
体を得る事は出来ないと云う事になる。
ザが要求されている。現在主流のAlGaAs/GaAs系レーザ
はそのバンドギヤツプの大きさから720nm以下の発振を
得る事は難かしい。これに代つてAlGaInP/GaAs系レーザ
が注目され、ようやく実用化されようとしている。しか
し、この材料においてもバンドギヤツプの大きさに制限
され600nm以下の黄色,緑,青等の発振を得る事は難か
しい。この系は、例えばジヤーナル・オブ・アプライド
・フイジツクス(J.Appl.Phys.)58巻,1982年,4928頁に
示されている様にIII−V族混晶半導体を用いて実現し
うる最短波長の材料と考えられている。換言すれば、通
常の混晶半導体を用いてレーザを実現する場合、600nm
以下の、つまり赤色以外の黄,緑,青色で発振する半導
体を得る事は出来ないと云う事になる。
一方、MBE,OMVPE等の結晶成長の技術の進歩は、分子
層レベルでの膜厚の制御を可能とする様になつた。第1
図に、Al0.5Ga0.5As混晶半導体とAlAsとGaAsを1分子層
毎に積層した分子層超格子半導体(以下、(AlAs)
1(GaAs)1と記す。)のIII族の原子配置のモデルを
示す。この図から分かる様に分子層厚程度の周期を持つ
超格子半導体はたとえ、平均的な組成が同じでも短距離
秩序性,対称性が異なるので等価的に同じ組成を持つ混
晶半導体とはエネルギー帯構造、つまりバンドギヤツプ
が異なつてくると考えられる。例えば、J.P.van der Zi
el等により、AlGaAs/GaAs系において分子層超格子のバ
ンドギヤツプが混晶半導体のそれを約100meV上まわると
云う報告がある(ジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジツクス(J.Appl.Phys.)48巻,1977年,3108頁)。ま
た、この現象の理論的な面からの取扱いについては、例
えば、T.Nakayama等(ジヤーナル・オブ・ザ・フイジカ
ル・ソサエテイ・オブ・ジヤパン(J.Phys.Soc.Jpn)54
巻,1985年,4726頁)によつてなされているが、理論計算
に用いるモデルの違いにより結果にくい違いが見られ明
確に解決されているとは言い難い。
層レベルでの膜厚の制御を可能とする様になつた。第1
図に、Al0.5Ga0.5As混晶半導体とAlAsとGaAsを1分子層
毎に積層した分子層超格子半導体(以下、(AlAs)
1(GaAs)1と記す。)のIII族の原子配置のモデルを
示す。この図から分かる様に分子層厚程度の周期を持つ
超格子半導体はたとえ、平均的な組成が同じでも短距離
秩序性,対称性が異なるので等価的に同じ組成を持つ混
晶半導体とはエネルギー帯構造、つまりバンドギヤツプ
が異なつてくると考えられる。例えば、J.P.van der Zi
el等により、AlGaAs/GaAs系において分子層超格子のバ
ンドギヤツプが混晶半導体のそれを約100meV上まわると
云う報告がある(ジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジツクス(J.Appl.Phys.)48巻,1977年,3108頁)。ま
た、この現象の理論的な面からの取扱いについては、例
えば、T.Nakayama等(ジヤーナル・オブ・ザ・フイジカ
ル・ソサエテイ・オブ・ジヤパン(J.Phys.Soc.Jpn)54
巻,1985年,4726頁)によつてなされているが、理論計算
に用いるモデルの違いにより結果にくい違いが見られ明
確に解決されているとは言い難い。
第2図に、Ziel等のデータを基にして描いた、AlGaAs
/GaAs系の混晶半導体及び分子層超格子半導体での組成
とバンドギヤツプの関係を示す。この図から分かる様
に、AlGaAs/GaAs系では分子層超格子化によりバンドギ
ヤツプを増加させても得られるバンドギヤツプの範囲は
混晶半導体が得られる範囲と何んら変りない。この様な
理由から、半導体レーザ等のデバイスに応用するメリツ
トはほとんどなく、この現象についてはあはり関心が払
われていなかつた。
/GaAs系の混晶半導体及び分子層超格子半導体での組成
とバンドギヤツプの関係を示す。この図から分かる様
に、AlGaAs/GaAs系では分子層超格子化によりバンドギ
ヤツプを増加させても得られるバンドギヤツプの範囲は
混晶半導体が得られる範囲と何んら変りない。この様な
理由から、半導体レーザ等のデバイスに応用するメリツ
トはほとんどなく、この現象についてはあはり関心が払
われていなかつた。
また、今までにこのAlGaAs/GaAs系以外で「分子層レ
ベルでの超格子構造を有する半導体が等価的に同じ組成
を持つ混晶半導体よりも大きなバンドギヤツプを持つ」
というこの現象が示された例はない。この理由として、
先に述べた様にデバイスへの応用に利点があまりなく関
心が低かつた事、AlGaAs/GaAs系は最もよく研究されて
いる系であり基本的結晶技術が確立している事、及びこ
の系は偶然的に、構成材料であるAlAsとGaAsのボンド長
が等しく、構成材料のボンド長が異なる他の系に比べる
と、結晶成長も理論的解析も格段に易しい事等が考えら
れる。
ベルでの超格子構造を有する半導体が等価的に同じ組成
を持つ混晶半導体よりも大きなバンドギヤツプを持つ」
というこの現象が示された例はない。この理由として、
先に述べた様にデバイスへの応用に利点があまりなく関
心が低かつた事、AlGaAs/GaAs系は最もよく研究されて
いる系であり基本的結晶技術が確立している事、及びこ
の系は偶然的に、構成材料であるAlAsとGaAsのボンド長
が等しく、構成材料のボンド長が異なる他の系に比べる
と、結晶成長も理論的解析も格段に易しい事等が考えら
れる。
発明者はこの現象に着目し光半導体装置特に可視光半
導体レーザに応用できる材料系の検討を行なつた。
導体レーザに応用できる材料系の検討を行なつた。
本発明の目的は、等価的に同じ組成を持つ混晶半導体
とはバンドギヤツプの異る、特により大きなバンドギヤ
ツプを持つ分子層厚程度での超格子構造を有する半導体
およびその応用デバイスを提供する事である。
とはバンドギヤツプの異る、特により大きなバンドギヤ
ツプを持つ分子層厚程度での超格子構造を有する半導体
およびその応用デバイスを提供する事である。
AlGaAs/GaAs系以外でも、各々の層が1から10分子層
厚程度である極て短かい周期性で構成材料の分子層を積
層して超格子半導体を作製する事により、上記目的は達
成される。ただし、物質によつてはバンド交差等の問題
が出て来る為に必ずしも1分子層ずつ積層した場合が最
大のバンドギヤツプを有し、等価的に同じ組成を持つ混
晶半導体よりも大きなバンドギヤツプを持つとは限らな
く、2分子層もしくは3分子層ずつ積層した場合が最大
のバンドギヤツプを持つ場合もありうる。
厚程度である極て短かい周期性で構成材料の分子層を積
層して超格子半導体を作製する事により、上記目的は達
成される。ただし、物質によつてはバンド交差等の問題
が出て来る為に必ずしも1分子層ずつ積層した場合が最
大のバンドギヤツプを有し、等価的に同じ組成を持つ混
晶半導体よりも大きなバンドギヤツプを持つとは限らな
く、2分子層もしくは3分子層ずつ積層した場合が最大
のバンドギヤツプを持つ場合もありうる。
また逆に例えば6分子層膜程度の少し長い周期性で構
成材料を積層した場合には、等価的に同じ組成でバンド
ギヤツプを下げる事も可能である。
成材料を積層した場合には、等価的に同じ組成でバンド
ギヤツプを下げる事も可能である。
一例として、GaAs基板と格子整合するZnSe0.94S0.06
を活性層にZn0.42Cd0.58Sをクラツド層に用いたダブル
ヘテロレーザを考えてみる。活性層ZnSe0.94S0.06は直
接遷移型の2.7eVのバンドギヤツプを持つので470nm程度
の青色レーザ発振が期待出来る。
を活性層にZn0.42Cd0.58Sをクラツド層に用いたダブル
ヘテロレーザを考えてみる。活性層ZnSe0.94S0.06は直
接遷移型の2.7eVのバンドギヤツプを持つので470nm程度
の青色レーザ発振が期待出来る。
しかし、クラツド層としてZn0.42Cd0.58Sの混晶半導
体を用いる場合にはそのバンドギヤツプが2.9eVしかな
く活性層とのエネルギ差があまりないため、室温でのレ
ーザ発振を得る事は難かしい。
体を用いる場合にはそのバンドギヤツプが2.9eVしかな
く活性層とのエネルギ差があまりないため、室温でのレ
ーザ発振を得る事は難かしい。
一方、(ZnS)(CdS)(ZnS)(CdS)(ZnS)(CdS)
(CdS)を一周期とする分子層超格子半導体をクラツド
層として用いる場合は、格子定数はZn0.42Cd0.58S混晶
半導体と変わらない為GaAs基板と格子整合でき、しかも
短距離秩序性の増加に伴いバンドギヤツプが上昇してい
るのでZn0.42Cd0.58S混晶半導体に代えてクラツド層に
用いる事により安定したレーザ発振が得られる様にな
る。
(CdS)を一周期とする分子層超格子半導体をクラツド
層として用いる場合は、格子定数はZn0.42Cd0.58S混晶
半導体と変わらない為GaAs基板と格子整合でき、しかも
短距離秩序性の増加に伴いバンドギヤツプが上昇してい
るのでZn0.42Cd0.58S混晶半導体に代えてクラツド層に
用いる事により安定したレーザ発振が得られる様にな
る。
この様にクラツド層として用いる混晶半導体のバンド
ギヤツプが小さい為に可視光域でのレーザ発振が達成さ
れない系は他には多くあり、本発明の分子層超格子半導
体は有効に作用する。
ギヤツプが小さい為に可視光域でのレーザ発振が達成さ
れない系は他には多くあり、本発明の分子層超格子半導
体は有効に作用する。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
実施例1 第3図に示すように、(100)GaAs基板31上に、GaAs
バツフア層32を0.1μm成長させ、次に(ZnS)(CdS)
(ZnS)(CdS)(ZnS)(CdS)(CdS)の7分子層を1
周期とする超格子半導体によるクラツド層33を0.5μm
成長する。その上に活性層となるZnSe0.94S0.06混晶半
導体34を0.1μm成長させる。最後にクラツド層35を再
び0.5μm成長させる。32〜35のエピタキシヤル層はMBE
装置を改良した原子層エピタキシヤル装置を用いて、RH
EEDの強度をモニタしながら、II族あるいはIII族のセル
のシヤツタとVI族あるいはV族のセルのシヤツタを交互
に開閉し1原子層ずつ積層していた。活性層のZnSeSはV
I族のセルを開閉する際にSeとSのセルを同時に開閉す
る事により混晶半導体とした。この様にして得られたダ
ブルヘテロウエーハは壁開により300×500(μm)2の
サイズにチツプ化し、次に400nmの発振波長を持つ色素
レーザで光励起する事により室温で470nmのレーザ発振
を得る事が出来た。なお、分子層の積層状態は透過型電
子顕微鏡により確認した。
バツフア層32を0.1μm成長させ、次に(ZnS)(CdS)
(ZnS)(CdS)(ZnS)(CdS)(CdS)の7分子層を1
周期とする超格子半導体によるクラツド層33を0.5μm
成長する。その上に活性層となるZnSe0.94S0.06混晶半
導体34を0.1μm成長させる。最後にクラツド層35を再
び0.5μm成長させる。32〜35のエピタキシヤル層はMBE
装置を改良した原子層エピタキシヤル装置を用いて、RH
EEDの強度をモニタしながら、II族あるいはIII族のセル
のシヤツタとVI族あるいはV族のセルのシヤツタを交互
に開閉し1原子層ずつ積層していた。活性層のZnSeSはV
I族のセルを開閉する際にSeとSのセルを同時に開閉す
る事により混晶半導体とした。この様にして得られたダ
ブルヘテロウエーハは壁開により300×500(μm)2の
サイズにチツプ化し、次に400nmの発振波長を持つ色素
レーザで光励起する事により室温で470nmのレーザ発振
を得る事が出来た。なお、分子層の積層状態は透過型電
子顕微鏡により確認した。
実施例2 第4図に示すように、n型(100)GaAs基板41上に、
まずSeドープのn型GaAsバッフア層42を0.1μm程度成
長させ、次にSeドープのn型のInP2分子層とAlP2分子層
を交互に積層した分子層超格子によるクラツド層43を1
μm成長する。その上に活性層となるノンドープのAl
0.25Ga0.25In0.5P混晶半導体44を0.1μm成長させる。
さらにその上にZnドープのp型のInP2分子層とAlP2分子
層を交互に積層させた分子層超格子クラツド層45を1μ
m成長させる。最後にキヤツプ層となるZnドープのp型
GaAs46を0.5μm成長させる。42〜46のエピタキヤル層
は、2つの反応管を持ちその反応管の内を基板が移動す
る事により分子層レベルでの急峻なヘテロ界面が得られ
るスライデイングウエーハ式OMVPE装置を用いて連続し
て結晶成長させた(特願昭61−43957,特願昭61−19126
参照)。n型とp型のキヤリア濃度はすべて1×1018cm
-3と一定にした。この様にして得られたダブルヘテロウ
エーハにSiO2電流阻止膜47と抵抗性電極48及び49を形成
しストライプレーザを作製する事により、室温において
580nmの黄色のレーザ発振を観測した。この実施例では
n型基板を用いたがp型基板を用いて伝導型を逆にして
もよい。また(InP)2(AlP)2超格子は厳密にはGaAs
基板と格子整合していないので12回に1回程度(InP)
2を2回続けて積層する事により完全に格子整合させる
ことができる。この考え方は実施例1等においても応用
できる。
まずSeドープのn型GaAsバッフア層42を0.1μm程度成
長させ、次にSeドープのn型のInP2分子層とAlP2分子層
を交互に積層した分子層超格子によるクラツド層43を1
μm成長する。その上に活性層となるノンドープのAl
0.25Ga0.25In0.5P混晶半導体44を0.1μm成長させる。
さらにその上にZnドープのp型のInP2分子層とAlP2分子
層を交互に積層させた分子層超格子クラツド層45を1μ
m成長させる。最後にキヤツプ層となるZnドープのp型
GaAs46を0.5μm成長させる。42〜46のエピタキヤル層
は、2つの反応管を持ちその反応管の内を基板が移動す
る事により分子層レベルでの急峻なヘテロ界面が得られ
るスライデイングウエーハ式OMVPE装置を用いて連続し
て結晶成長させた(特願昭61−43957,特願昭61−19126
参照)。n型とp型のキヤリア濃度はすべて1×1018cm
-3と一定にした。この様にして得られたダブルヘテロウ
エーハにSiO2電流阻止膜47と抵抗性電極48及び49を形成
しストライプレーザを作製する事により、室温において
580nmの黄色のレーザ発振を観測した。この実施例では
n型基板を用いたがp型基板を用いて伝導型を逆にして
もよい。また(InP)2(AlP)2超格子は厳密にはGaAs
基板と格子整合していないので12回に1回程度(InP)
2を2回続けて積層する事により完全に格子整合させる
ことができる。この考え方は実施例1等においても応用
できる。
他の実施例の結果を表1にまとめて示す。
〔発明の効果〕 分子層厚程度で異なる半導体材料を周期的に積層する
事により作製した超格子半導体を用いる事により、組成
が等価な混晶半導体と異なるバンドギヤツプを持つ光半
導体材料を提供する事が出来る様になり、従来の混晶半
導体では実現できなかつた可視光半導体レーザ等のデバ
イスが実現できる。
事により作製した超格子半導体を用いる事により、組成
が等価な混晶半導体と異なるバンドギヤツプを持つ光半
導体材料を提供する事が出来る様になり、従来の混晶半
導体では実現できなかつた可視光半導体レーザ等のデバ
イスが実現できる。
第1図はAl0.5Ga0.5As混晶半導体と(AlAs)1(GaAs)
1超格子半導体のIII族の原子配置モデルを説明する説
明図、第2図はAlGaAs系混晶半導体及び分子層超格子半
導体での組成とバンドギヤツプの関係を示す図、第3図
(a)は実施例1におけるレーザ素子の断面図、同図
(b)はクラツド層33の断面部分拡大図、及び第4図は
実施例2におけるレーザ素子の断面図である。 31……(100)GaAs基板、32……GaAsバツファ層、33,25
……(ZnS)1(CdS)1(ZnS)1(CdS)1(ZnS)1
(CdS)1(CdS)1を一周期とする超格子半導体による
クラツド層、34……ZnSe0.94S0.06混晶半導体による活
性層、41……n型(100)GaAs基板、42……n型GaAsバ
ツフア層、43……n型(InP)2(AlP)2クラツド層、
44……ノンドープAl0.25Ga0.25In0.5P活性層、45……
p型(InP)2(AlP)2クラツド層、46……p型GaAsキ
ヤツプ層、47……SiO2電流阻止膜、48,49……抵抗性電
極。
1超格子半導体のIII族の原子配置モデルを説明する説
明図、第2図はAlGaAs系混晶半導体及び分子層超格子半
導体での組成とバンドギヤツプの関係を示す図、第3図
(a)は実施例1におけるレーザ素子の断面図、同図
(b)はクラツド層33の断面部分拡大図、及び第4図は
実施例2におけるレーザ素子の断面図である。 31……(100)GaAs基板、32……GaAsバツファ層、33,25
……(ZnS)1(CdS)1(ZnS)1(CdS)1(ZnS)1
(CdS)1(CdS)1を一周期とする超格子半導体による
クラツド層、34……ZnSe0.94S0.06混晶半導体による活
性層、41……n型(100)GaAs基板、42……n型GaAsバ
ツフア層、43……n型(InP)2(AlP)2クラツド層、
44……ノンドープAl0.25Ga0.25In0.5P活性層、45……
p型(InP)2(AlP)2クラツド層、46……p型GaAsキ
ヤツプ層、47……SiO2電流阻止膜、48,49……抵抗性電
極。
Claims (2)
- 【請求項1】活性層と該活性層を挟んで形成されたクラ
ッド層を含み、上記活性層及び上記クラッド層の少なく
とも一は組成の異なる半導体層を周期的に積層した超格
子半導体であり、上記超格子半導体の一周期は組成の異
なる1乃至10分子層厚の半導体層を夫々少なくとも一層
含めて積層した半導体領域からなり、該半導体領域にお
ける組成毎の半導体層数、各半導体層の分子層厚、及び
各半導体層の配置は該半導体領域が示すバンドギャップ
が該半導体領域と等価な組成を有する混晶半導体のバン
ドキャップと異なるように選ばれ且つ該半導体層の少な
くとも一は2分子層厚以上であることを特徴とする光半
導体装置。 - 【請求項2】超格子半導体として形成された上記クラッ
ド層の上記半導体領域において、上記組成毎の半導体層
数、各半導体層の分子層厚、及び各半導体層の配置は、
該半導体領域が示すバンドギャップが該半導体領域と等
価な組成を有する混晶半導体のバンドギャップより大き
くなるように選ばれていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の光半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6883087A JP2544378B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 光半導体装置 |
KR1019880002879A KR910003465B1 (ko) | 1987-03-25 | 1988-03-18 | 광 반도체장치 |
EP88104589A EP0284031A3 (en) | 1987-03-25 | 1988-03-22 | Opto-electronic device |
US07/172,502 US4794606A (en) | 1987-03-25 | 1988-03-24 | Opto-electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6883087A JP2544378B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63236387A JPS63236387A (ja) | 1988-10-03 |
JP2544378B2 true JP2544378B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=13385011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6883087A Expired - Lifetime JP2544378B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 光半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4794606A (ja) |
EP (1) | EP0284031A3 (ja) |
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KR (1) | KR910003465B1 (ja) |
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US4786951A (en) * | 1985-02-12 | 1988-11-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical element and a process for producing the same |
JPS63245984A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
NL8701497A (nl) * | 1987-06-26 | 1989-01-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van electromagnetische straling. |
JP2809691B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ |
US5132981A (en) * | 1989-05-31 | 1992-07-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical device |
JP2685377B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1997-12-03 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
US5375134A (en) * | 1991-02-21 | 1994-12-20 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device |
JP2784093B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1998-08-06 | 星和電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3181063B2 (ja) * | 1991-02-28 | 2001-07-03 | 健一 伊賀 | 超格子構造体,それを用いた電子またはホールの閉じ込め構造および半導体発光素子 |
US5289486A (en) * | 1991-02-28 | 1994-02-22 | Omron Corporation | Semiconductor luminous element and superlattice structure |
DE69213403T2 (de) * | 1991-11-26 | 1997-03-20 | Philips Electronics Nv | Strahlung emittierende Halbleiterdiode |
RU2064206C1 (ru) * | 1991-12-26 | 1996-07-20 | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН | Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления |
KR950007490B1 (ko) * | 1991-12-28 | 1995-07-11 | 엘지전자주식회사 | 반도체 레이저 |
US5515393A (en) * | 1992-01-29 | 1996-05-07 | Sony Corporation | Semiconductor laser with ZnMgSSe cladding layers |
AU4378893A (en) * | 1992-05-22 | 1993-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ii-vi laser diodes with quantum wells grown by atomic layer epitaxy and migration enhanced epitaxy |
JPH06104533A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 青色発光素子およびその製造方法 |
US5260957A (en) * | 1992-10-29 | 1993-11-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Quantum dot Laser |
US5363395A (en) * | 1992-12-28 | 1994-11-08 | North American Philips Corporation | Blue-green injection laser structure utilizing II-VI compounds |
RU2056665C1 (ru) * | 1992-12-28 | 1996-03-20 | Научно-производственное объединение "Принсипиа оптикс" | Лазерная электронно-лучевая трубка |
EP0637862A3 (en) * | 1993-08-05 | 1995-05-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device and manufacturing method. |
US5879962A (en) * | 1995-12-13 | 1999-03-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | III-V/II-VI Semiconductor interface fabrication method |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
US4122407A (en) * | 1976-04-06 | 1978-10-24 | International Business Machines Corporation | Heterostructure junction light emitting or responding or modulating devices |
US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
JPS57187986A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting element |
NL8301215A (nl) * | 1983-04-07 | 1984-11-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van electromagnetische straling. |
DE3480631D1 (de) * | 1983-06-24 | 1990-01-04 | Nec Corp | Halbleiterstruktur mit uebergitter hoher traegerdichte. |
US4671830A (en) * | 1984-01-03 | 1987-06-09 | Xerox Corporation | Method of controlling the modeling of the well energy band profile by interdiffusion |
JPS6110293A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
JPH0728079B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-03-29 | 新技術事業団 | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPH0728080B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体超格子構造体 |
JPS61113738A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-05-31 | Tokai Carbon Co Ltd | 複合材用低密度ウイスカ−成形体とその製造法 |
JPH0669109B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-08-31 | シャ−プ株式会社 | 光半導体装置 |
JPS61137383A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
US4731338A (en) * | 1986-10-09 | 1988-03-15 | Amoco Corporation | Method for selective intermixing of layered structures composed of thin solid films |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP6883087A patent/JP2544378B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-18 KR KR1019880002879A patent/KR910003465B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-22 EP EP88104589A patent/EP0284031A3/en not_active Ceased
- 1988-03-24 US US07/172,502 patent/US4794606A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4794606A (en) | 1988-12-27 |
JPS63236387A (ja) | 1988-10-03 |
EP0284031A2 (en) | 1988-09-28 |
EP0284031A3 (en) | 1989-03-29 |
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KR910003465B1 (ko) | 1991-05-31 |
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