JPS63245984A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｃ、ＺｎＴｃからなる可視光
半導体レーザ、発光ダイオード等半導体発光素子のダブ
ルヘテロ接合拾遺の構成、及び作製方法に関する。

（従来の技術〕 現在、半導体レーザ索子材料としてはＧａＡｌＡｓ系、
ＩｎＧａＡｓｒ’系等の材料が広（用イラれている。然
るに新かる材料で得られる半４体レーザの波長は高々６
２Ｏｎｍ迄しか得られず、これ以下の波長は得られてい
ない。

半導体レーザはビデオディスク（ＶＤ）　、デジタルオ
ーディオディスク（ＤＡＤ）笠の光源として実用化され
ている。このような装置に半導体レーザを適用する際に
は、その発振波長が短いはど好ましい。これは波長が短
かければビームの集束性が向上し、上記装置の光学系の
制御が容易になるためである。また、現在各方面で熱心
に研究が行なわれている光メモリ−デバイスの場合、光
源の波長が短い程、Ｃ／Ｎ比の向」−や２鈴密度の増大
が望める為、光源の短波長化は不可決である。

硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（’Ｚ　ｎ　ＳＣ）
、テルル化亜鉛（ＺｎＴｃ）をはじめとするＩＩ−Ｖｌ
族化合物半導体は、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰに較
べてエネルギーバンドギャップが広くかつ直Ｌ１ｉ遷移
型であるので従来より更に短波長の発振が可能な材料と
して注［１されている。しかし乍ら、ＩＩ　−Ｖｌ族化
合物半導体は、ＧａＡｌＡｓ等の■−ｖ族化合物半導体
と異なり自己補償効果が大きいため単一材料を用いての
ｐｎｔ１合の形成が困難である。例えばＺ　ｎ　Ｓ　１
Ｚ　ｎ　Ｓ　ｃではｎ型の電導型しか、ＺｎＴｅではｐ
型の電４型しか得られていない。そこで、Ｚ　ｎ　Ｓ又
はＺｎ５ｃとＺｎＴｃの組み合わせによる注入型の発光
素子が考えられ、それらの組み合わせを用いたダブルヘ
テＩｊ接合型の半導体レーザも考えられている。（公知
資料　特開　昭４８−１０４４８４）第６図は斬る知見
に基づいて構成されたＺｎＳＴｅ系材料からなるダブル
ヘテロ型半導体レーザを示し、８２はＺｎ５ｘＴｅ＋　
−ｘ　　（０≦Ｘ≦１）よりなる第１層、９３は該第１
届上に設置されたｐｍのＺｎ５ｙＴｃ＋　−ｙ　　（０
≦ｙ≦１）からなる第２Ｒ，ｆ）４は該第１居の第２層
を形成した面と反対側に設置されたｎ型のＺ　ｎ　Ｓ　
Ｚ　Ｔ　Ｑ　Ｉ−□　（０≦２≦１）からなる第３居で
ある。

斬るレーザでは、第２層９３及び第３層９４のバンドギ
ャップを第１層９２に較べて太き（することにより、理
論的には周知のダブルヘテロ型のＧａＡｌＡｓ系半導体
レーザと同様に第２Ｆ２０３−第３層９４間に順バイア
スを印加することにより第１后９２内に電子及び正孔が
良好に閉じ込められると共に、斬る電子及び正孔の１■
■結合により得られた光も斬るｍ１ｆ１９２内に閉じ込
められるのでレーザ光として取り出すことが可能である
。

ところが、実際にはレーザ発振には到っていない。この
原因は上記第１Ｅ１０２と第２届９３及び第３層０４の
界面付近に於いて多数の界面準位が形成され、斬る界面
準位が非発光センタとして働くので注入された電子及び
正孔が斬る非発光センタに捕獲され発光に春与しないた
めであると考えられる。

（発明が解決しようとする問題点〕 前述の従来技術では、各層の境界で発生した多数の界面
準位が非発光センタとして働くという問題点を「する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、短波長のレーザ光が発振可能な
Ｚｎ５ＳｃＴｃ系の半導体レーザの構造及びその製造方
法を提供するところにある。

（問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体発光素子は、Ｚｎ５ＳｅＴｃ系混品を、
ｐ型及びｎ型の超格子構造の積層膜で伏持することを特
徴とする。また、それら積層膜の形成法として、極薄膜
の形成制御が可能なＭ　ＯＶＰＥ法を用いる事を特徴と
する。

（作用） Ｚ　ｎ　Ｓ、　　Ｚ　ｎ　Ｓ　ｃ、　Ｚ　ｎ　Ｔ　ｅは
それぞれ、５゜４０９３人、５．００８１人、０．１０
２４人の格子定数を持ち、それらを組み合わせることに
より、格子不整合を生じる。それらを数人〜数十人の周
期で交互に複数層積層すると格子不整合の為、歪超格子
を形成する。歪超格子は！１１層界面に歪エネルギーが
集中する為、界面準位の形成が抑制され、良好なエピタ
キシャル薄膜の形成が可能である。

〔実施例〕

ｍ１図は本発明の実施例における、ダブルヘテロ接合構
造を「する半導体発光素子の断面構成図である。

ｎ　型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板ｌの（００１）面上に、ｎ型
のドーパントを含むＺｎＳ２を２０人、ドーパントを含
まないＺｎＴｅ３を８人交互に積層し、ｎ型超格子第３
月４を形成する。ＺｎＳ層ｓ　Ｚ　ｎ　Ｔｅ層を３６０
周期繰り返すことにより、ｉ型超格子第３月４は１μｍ
のＩｒＪ、さとなる。

更に、ｎ型のドーパントを含むＺｎ５ｅ、＋ＴＣｏ　、
ｓ混晶を０．１μｍｎの厚さで形成し、ｎ型混晶層５を
得る。

更に、ｐ型のドーパントを含むＺｎＴｃＧを１０人、ド
ーパントを含まないＺｎＳ７を５人交互に積層し、ｐ型
超格子第２層８を形成する。ＺｎＴｃ層、ＺｎＳ層を６
７０周朋繰り返すことにより、ｐ型超格子第２８８は１
μｍの厚さとなる。

そして、ｐ型超格子第２月８上に、Ａｕによるｐ型オー
ム性電極９、及びＧａＡｓＬ＆板１の裏側にＩｎによる
ｎ型オーム性電極１０を蒸竹により形成し、熱アニール
を行うことにより、第１図に示す、ダブルヘテロ接合構
造をイｆする半導体発光素子を得る。この半導体発光素
子から、５１９ｎｍを中心とする青緑色の鋭い発光ピー
クが得られた。

これらの超格子構造を形成する際には、ＭＯＶＰ　Ｅ法
を用いた。

なお、本実施例では、ＺｎＳＴｃ混品を用５たが、Ｚｎ
５ＳｃＴｅ混品を組み合わせる事により本実施例に述べ
た様な発光素子を得ることができることは明らかであり
％　Ｚ　ｎ　Ｓ　Ｓ　ｃ混晶を組み合わせた本実施例に
沿った構造は全て本発明の範昭に含まれる。

第２図には、本発明で用いるＭＯＶＩ’Ｅ装置の構成概
略図を示す。

透明石英ガラス製のｖｔ型反応炉１１の内部にグラファ
イト製サセプター１２がセットされ、基板１３が置かれ
ている。グラフ１イト製サセプター１２及び基板１３は
高周波誘導加熱コイル１４によって加熱される。Ｊ＆仮
湿温度先端をすセプター内部に坤め込んだＭ電対１５に
よってモニターされる。反応炉１１はバルブ１６を介し
て高真空排気系１７に接続されている。また反応炉１１
を出た反応ガスはバルブ！８を介してロータリーポンプ
１０に接続されており、廃ガス処理装衣２０に至る。バ
ルブ１８は反応炉１１の内部圧力を一定に保つ機能を任
する。

バルブ２１〜３２は三方パルプで、４人されて来たガス
をメインライン３３．３４プはＷ１舅ライン３５．３０
のいずれか一方へ供給する。メインライフ３３．３／ｉ
は合流後、反応が１１へ導入される。廃交ライフ３５．
３Ｇはそれぞれバルブ３７．３８を介してロータリーポ
ンプ３０に至り、廃ガス処理装置２０を導入される。バ
ルブ３７．３８はそれぞれＷ６　ＹＪライン３５．３８
の内部圧力を調節する機能を任し、廃棄ライン３５及び
３Ｇの内部圧力がそれぞれメインライン３３及び３４と
等しくなる様調整する。４０はマスフローコント「ｊ−
ラで、ガス流量を精密に制御する。ボンベ４１にはキャ
リアガスである水素ガスが充填されており、精製器４２
により高純度化された後、供給される。バブラー４３に
は付加体が充填されており、恒温（；Ｙ４４により所定
の温度に保たれている。付加体は、Ｚ　ｎのアルキル化
合物と、Ｓ、　ＳＣのアルキル化合物が結合した化合物
で、−２０″Ｃから室温付近における温度帯では液体で
あるため、キャリアガスのバブリングにより蒸気として
供給できる。供給量はバプリ７グガスの流量とバブラー
の温度により制御できる。

バブラー４５にはジメチルテルルが充填されており、恒
温槽４Ｇにより所定の温度に保たれている。バブラー４
７にはドナー用のドーパントとして、トリエチルアルミ
ニウムが充１社されており、恒温槽４８により所定の温
度に保たれている。バルブ４９〜５１は圧力ｆＪ！１整
機能をイｒし、バブラー内部の付加体、ジメチルテルル
及びドーパントの液面を含むバルブ４９〜５１より」１
流側を大気圧に保持する。ボンベ５２．５３，５４には
それぞれ水素ガスで希釈された硫化水素、セレン化水素
、アクセプタ川のドーパントとしてアンモニアガスが充
填されており、供給量はマスフローコントローラ４０に
より制御される。

以下に半導体超格子構造の製造手順をのべる。

バルブ２２．２４１，２Ｂにはそれぞれ付加体、ジメチ
ルテルル、トリエチルアルミニウムの蒸気を含むキャリ
アガスが供給され、バルブ２１．２３．２５には同流量
のキャリアガスが供給されている。またバルブ２７．２
９，３１にはそれぞれ硫化水素、アンモニア、セレンモ
レ讃が供給されており、バルブ２８．３０．３２にはそ
れぞれバルブ２７．２０．３１と同流量のキャリアガス
がＯｔ給されている。メインライン３３．３４とｆｆ＆
　ｆｆｉライン３５．３６にはそれぞれ同流はのＩｉＩ
料希釈川キ用リアガスが流れている。メインライン３３
．３４の内部圧力は、ガス流量とバルブ１８によって決
まる反応炉１１の内部圧力に対応した値を示し、廃棄ラ
イン３５．３０の内部圧力はバルブ３７．３８により、
それぞれ３３．３４の内部圧力と等しく設定されている
。バルブ２１と２２．２３と２４．２５と２６．２７と
２８．２０と３０°、３１と３２はそれぞれ対をなして
動作させる。即ち、一方がメインラインに接続している
時、使方は廃棄ラインに接続されている。ガスの切り換
え時には両者を同時に切り換える。この操作により、反
応炉１１、メインライン３３，３４及び廃棄ライン３５
．３（３の内部圧力を一定に保ったまま、原料ガスをメ
インラインと廃棄ラインの間で切り換えることができる
。ガス切り換えに伴なう反応炉１１の内部圧力の変動は
、成長速度のゆらぎを誘発し、ｆＩ格子構造を（１が成
する薄膜の痕厚ムラや面内での組成分布をもたらずため
、極力押えることが望ましい。

硫化水素をジメチルテルルのＵ）り換えによりｎ型超格
子（１１１造を作製する際には、次の様に行なう。ジメ
チルテルルを供給する場、合には、バルブ２４．２５．
２８をメインライン３３．３４へ法統し、バルブ２３．
２０．２７は廃棄ライ／３５．３Ｇへ接続する。この時
、ジメチルテルルはメインライン３３を経て反応炉１１
へ供給され、硫化水素、トリエチルアルミニ・クムを含
ムキャリアガスは廃棄される。、続いて、バルブ２３，
２，１を同時に切り換える。この時キャリアガスのみが
反応炉１１に供給され、成長は中断し、インターバルの
状態となる。しかる後にバルブ２５．２６．２７．２８
を同時に切り換えることにより、硫化水素、トリエチル
アルミニウムを含むキャリアガスが反応炉１１に供給さ
れる。以下同様にして、適当な長さのインターバルを介
してバルブの切り換えを続行することにより、ジメチル
テルルと硫化水素、トリエチルアルミニウムを含むキャ
リアガスを交互に反応炉１１へ供給できる。なお、この
成長の間、バルブ２２．３０．３２はメインライン側に
、バルブ２１．２０，３１は廃棄ライン側に［を続する
ことにより、ｌ＝１加俸は連続供給を、またアンモニア
ガス、セレン化水素は連続して廃棄を行なう。

第３図には本発明に係る原料ガスの反応炉１１への供給
シーケンスの一実施例を示す。付加体は連続供給し、ジ
メチルテルルと、硫化水素、トリエチルアルミニウムを
含むキャリアガスを交互に供給することで、ｎ型ＺｎＳ
−ＺｎＴｃ超格子構造の形成を行なう。第３図において
横軸は時間の推移を示している。５５．５６．５７．５
８はそれぞれ付加体、硫化水素、ジメチルテルル、トリ
エチルアルミニウムの供給タイミングを示している。５
９．６０．６１．６２は反応炉に原料が供給されている
状態を示し、６３．６４．６５．６６は原料が供給され
ていない状聾を示している。

Ｉ！Ｊ科供給の組み合わせから明らかな様に、時間ゼロ
から成長を開始し、６７がＺｎＳ：Ａｌ、６８がＺｎＴ
ｃを成長している時間帯を示し、６９は成長を中断する
インターバルを示している。ＺｎＳ：Ａｌ、ＺｎＴｃの
厚さは、それぞれ６７．６８の時間設定により任ａに変
えられる。第２ヌＩの三方パルプ２１〜３２の駆動をシ
ーケンスにより行なえば、上述の成長シーケンスは容易
に実施できる。

第４図には、本発明に係る原料ガスの反応炉１１への供
給シーケンスの一実施例を示す。付加体と硫化水素とト
リエチルアルミニ・クム及び付加体とジメチルテルルの
同時供給を繰り返すことで超格子構造の形成を行なう。

第４図において横軸は時間の推移を示している。７０．
７１．７２．７３はそれぞれ付加体、硫化水素、ジメチ
ルテルル、トリエチルアルミニウムの供給タイミ／グを
示しており、７４．７５．７６．７７は原料が反応炉に
供給されている状態、７８．７９．８０．８１は外科が
供給されていない状態をそれぞれ示している。時間ゼロ
から成長を開始し、８２がＺｎＳ：Ａｌ、８３がＺｎＴ
ｃを成長している時間帯を示し、８４は成長を中断する
インターバルを示している。

第３図又は第４図に示したシーケンスに従って具体的に
は次の様な成長条件で超格子構造の製造を行なった。

成長湯度：３７５°Ｃ 反応炉内部圧カニ　７０ＴＯｒ　ｒ （Ｃ１ｌｓ　）　、　Ｚｎ−３（Ｃ１ｌ、　）　ｊのバ
ブリングガス量： バブラ一温度−１５＠Ｃにおいて１０ｍ１／ｍｎ （−１５”Ｃにおりる蒸気圧は２１ｍｍｌ１ｇ）水素ベ
ース２九ＩＩ＊Ｓ供給量：２５０ｍ１／１ｎ （ＣＩｌ１）、のバブリングガス６１：バブラ一温度０
＠Ｃにおいて３０ｍ１／ｍ１ｎ（０６Ｃにおける蒸気圧
は１６ｍｍｌ１ｇ）（Ｃ＝　ＩＩｓ　）　ｓ　Ａ　１の
バブリングガスｍ：バブラ一温度４０°Ｃにおいて２０
ｍ１／ｍｉ・ｎ１テ□（ （４０６Ｃにおける蒸気圧は０．１５ｍｍ１ｆｌｒ　） ３３．３４．３５．３６に流れる水素流量：各ライン当
り２．５１／ｍｉｎ 以上のような代表的な条件の時、ＺｎＳ：Ａｌ及びＺｎ
Ｔｅの成長速度は約１人／ｓｅｅであった。成長はＺｎ
Ｓ：Ａ１層からはじめＺｎＴｃＫ！Ｉで終了した。成長
速度をもとに、ジメチルテルルと硫化水素、トリエチル
アルミニウムの供給時間を設定し超格子の構造を決めた
。インターバルは１〜２ｓｃｃきした・ 本発明に係る超格子の製造法においては、上述の（Ｃ１
ｌｓ　）　ｔ　Ｚｎ−３（Ｃ１ｌｓ　）　＊付加体のみ
ならず、表１に示すｅ　Ｒｔ　Ｚｎｓ　Ｒｔ　５０％　
ＲｔＳｅのずべての組み合わせによって得られる付加体
を用いても超格子４１カ造の製造をすることができ、付
加体の蒸気圧とバブリングガス流量によって決まる供給
量が同じ時には、上記実施例と同様の特性を示す超格子
構造が製造できた。

く表１〉 また、Ｚｎンソーとして、（Ｃ１ｌｓ　）　ｓ　Ｚｎｔ
（Ｃ，Ｉｌ、、）Ｚｎを用いても同様である。

この他、第２図に示したＭ　ＯＶ　１）　Ｅ装置の概略
図において、例えばＺｎ３１０人−ＺｎＳ＊　、＋Ｔｅ
＠、＠５０人といった、混晶層を含む超格子の作製も可
能である。同様に、圧力、温度等の成長条件についても
、装置系等の差異により、異なった成長条件を選ぶこと
が可能である。例えば、圧力は１０〜３００Ｔｏｒｒ１
温度３０’０〜５００°Ｃの範囲が可能である。

第５図は本発明の実施例における、ダブルヘテロ接合構
造を有する半導体発光素子の製造工程を示す図である。

ｎ　！！　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　ｌ＆仮８５の（００１）面
」−に、ｎ型のドーパントを含むＺｎＳを２０人、ドー
ｉ＜ントを含まないＺｎＴｃを８人交互に３００１ｙ４
期積層して、ｎ型ｉ１１格子第３Ａ９１８０を１μｍの
σさで形成する。

更に、ｎ型のドーパントを含むＺ’　ｎ　Ｓ　＠　、　
１　。

Ｔｃ、　、　ｖ　ｓを０．１ｇｍの厚さで形成し、ｎ型
混晶第１届８７を得る。

そして、ｐｈｉのドーパントを含むＺｎＴｅを１０人、
ドーパントを含まないＺｎＳを５人交互に６７０周期４
ｔ”Ｌ層して、ｐ型超格子第２后８８を１μｍ−の１γ
さで形成する。

以上の工程により、第５図（ａ）に示す断面構造の構成
を得ることができる。

次にｎ型超格子第３朽８６、ｎ型混晶第１届８７、ｐ型
超格子第２層８８をフォトリソグラフィー法、及びエツ
チング法を用いてストラフｆプ伏に残る形で取り去り、
第５図（ｂ）に示す断面構造の構成を得ることができる
。

そしてストライプ伏に残したｎ型超格子第３層８Ｇ、ｎ
型混晶第１Ｆ１８７、ｐ型超格子第２層８８より、なる
構造の側面部分をノンドープＺｎＳ層８９で形成し、第
５図（Ｃ）に示す断面構造の構成を得る。

その構造の、ｎ型ＧａＡｓ基板８５側に、ｎ型オーム性
電極９０を、ｐ型超格子第２７’！８Ｆ（側に、ｎ型オ
ーム性電極９１を設置し、第５図（ｄ）に示す断面構造
の構成を得る。

本発明に係る発光素子は、超格子構造をＺｎＳ、Ｚｎ５
ｃ１ＺｎＴｅ単体のみで構成するものに限定するもので
はなく、適当な組ろ合わせにょるＺｎ５ｘＳｃｙＴｃ＋
−ｘ−ｙとＺｎ５ｕＳｃＶＴｅ＋−ｕ−ｖ　（０≦Ｘ＋
　’！＋　ｕ＋　ＶＳ２）の混晶同志の超格子構造でも
かまわない。

〔発明の効果〕

以上述べた様に本発明によれば、Ｚｎ５ＳｅＴＣ系の超
格子構造及び混晶を用いてダブルヘテロ（Ｉ■造をイｒ
する半導体発光素子を形成することにより、従来前るこ
とができなかった高発光効率、高輝度の短波長発光索子
を実現することができた。

更に、ＭＯＶりＩコシ法用いてＺｎ５ＳｃＴｃ系超格子
構造を作製することにより、高品質で均質性の良い超格
子構造の形成が再現性良くできるようになった。本発明
が短波長発光素子の高性能化に寄与するところ大である
と確信する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における、ダブルヘテＯ接合構
造を有する半導体発光素子の断面（１が成因。 １・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・・・・・・ｎ型のドーパントを含むＺｎＳ３・・・
・・・ドーパントを含まないＺｎＴｃ４−・・・・・ｎ
型超格子第３ｒ！Ｊ ５・・・・・・ｎ型混晶居 ６・・・・・・ｐ型のドーパントを含むＺｎＴｃ７・・
・・・・ドーパントを含まないＺｎＳ３・・・・・・ｐ
型超格子第２　Ａ９１９・・・・・・ｐｕｔ−ム性電極 １０・・・・・・ｎ型オーム性電極 第２図は本発明で用いるＭ　ＯＶ　ｐ　ｘ：法装置の構
成概略図。 １１・・・・・−透明石英ガラス製の横型反応炉１２・
・・・・・グラフフィト製ザセプター１３・・・・・・
基板 １４・・・・・・高周波誘導加熱コイル１５・・・・・
・熱電対 １６・・・・・・バルブ １７・・・・・・高真空排気系 １８・・・・・・バルブ １０・・・・・・ロータリーポンプ ２０・・・・・・廃ガス処理装匠 ２１〜３２・・・・・・三方バルブ ３３．３４・・・・・・メインライン ３５．３０・・・・・・廃棄ライン ３７．３８・・・・・・バルブ ３９・・・・・・ロータリーポンプ ４０・・・・・・マスフローコントローラ４１・・・・
・・水素ガスボンベ ４２・・・・・・水素精製器 ４３・・・・・・付加体の入ったバブラー４４・・・・
・・恒ｆｔ１槽 ４５・・・・・・ジメチルテルルの入ったバブラー４６
・・・・・・恒温槽 ４７・・・・・・トリエチルアルミニウムの入ったバブ
ラー ４８・・・・・・恒温槽 ４０〜５１・・・・・・圧力調整機能をイ丁するバルブ
５２・・・・・・水素ガスで希釈された硫化水素の入っ
ているボンベ ５３・・・・・・水素カスで希釈されたセレンモレ素〕
入っているボンベ ５４・・・・・・水ｍガスで希釈されたアンモニアノ入
っているボ／べ 第３図は本発明に係る原料ガスの反応炉への供給シーケ
ンスの一実施例を示ず図。 ５５・・・・・・付加体の供給タイミング５Ｇ・・・・
・・硫化水素の供給タイミング５７・・・・・・ジメチ
ルテルルの供給タイミング５８・・・・・・トリエチル
アルミニウムの供給タイミング ５９・・・・・・付加体が反応炉に供給されている状態
６０・・・・・・硫化水素が反応炉に供給されている状
態 ６１・・・・・・ジメチルテルルが反応炉に供給されて
いる状態 ６２・・・・・・トリエチルアルミニウムが反応炉に供
給されている状態 ６３・・・・・・付加体が反応炉に供給されていない状
態 ６４・・・・・・硫化水素が反応炉に供給されていない
状態 ６５・・・・・・ジメチルテルルが反応炉に供給されて
いない状態 ６６・・・・・・トリエチルアルミニウムが反応炉に供
給されていない状態 、　　Ｇ７・・・・・・ＺｎＳ：Ａ３を成長している時
間帯６８・・・・・・ＺｎＴｅを成長している時間帯６
０・・・・・・成長を中断するインターバル第４図は本
発明に係る原料ガスの反応炉への供給シーケンスの一実
施例を示す図。 ７０・・・・・・付加体の供給タイミング７１・・・・
・・硫化水素の供給タイミング７２・・・・・・ジメチ
ルテルルの供給タイミング７３・・・・・・トリエチル
アルミニウムの供給タイミング ７４・・・・・・付加体が反応炉に供給されている状態
７５・・・・・・硫化水素が反応炉に供給されている状
態 ７Ｇ・・・・・・ジメチルテルルが反応炉に供給されて
いる状態 ７７・・・・・・トリエチルアルミニウムが反応炉に供
給されている吠聾 ７８・・・・・・付加体が反応炉に供給されていない吠
７０・・・・・・硫化水素が反応炉に供給されていない
状態 ８０・・・・・・ジメチルテルルが反応炉に供給されて
いない伏聾 ８１・・・・・・トリエチルアルミニウムが反応炉に供
給されていない状態 ８２・・・・・・ＺｎＳ：ＡＩを成長している時間帯８
３・・・・・・ＺｎＴｃを成長している時間帯８４・・
・・・・成長を中断するインターバル第５図（ａ）〜（
ｃｌ　＞は本発明の実施例における、ダブルヘテロ接合
構造を有する半導体発光素子の製造ゴー程を示す図。 ８５・・・・・・ｎ型ＧａΔＳ基板 ８Ｇ・・・・・・ｎ型超格子第３層 ８７・・・・・・ｎ型混晶第１層 ８８・・・・・・ｎ型超格子第２層 ８０・・・・・・ノンドープＺｎ５Ｆ１９０・・・・・
・ｎ型オーム性電極 ９１・・・・・・ｐ型オーム性電極 第Ｇ図は従来の知見に基づいてもが成されたＺｎＳＴｅ
系材料からなるダブルヘテＩｊ型半導体レーザの断面４
Ｘ’ｉ造図。 ９２・・・・・・Ｚｎ５ｘＴｅ＋　−Ｘからなる第１層
９３・・・・・・ｐＱのＺｎ５ｙＴｅ＋　−ｙからなる
第２層 ９４・・・・・・ｎ型のＺｎ５ｚＴｃ＋−ｚからな水弟
３層 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　最　上　　務　他１名、　　　１ ．２７ ／ρ 第１田 茅３面 庫１ｊ圀 ｙｂＬ！Ｉ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＺｎＳｘＳｅｙＴｅ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ（０≦
   ｘ、ｙ≦１）からなる第１層を、ＺｎＳｚＳｅｗＴｅ＿
   １＿−＿ｚ＿−＿ｗ層（０≦ｕ、ｖ≦１、ｚ≠ｕ、ｗ≠
   ｖ）を交互に積層した超格子構造からなる該第１層より
   バンドギャップの大きなｐ型第２層、及びＺｎＳｐＳｅ
   ｑＴｅ＿１＿−＿ｐ＿−＿ｑ層（０≦ｐ、ｑ≦１）とＺ
   ｎＳｒｔＴｅ＿１＿−＿ｒ＿−＿ｔ層（０≦ｒ、ｔ≦１
   ）を交互に積層した超格子構造からなる該第１層よりバ
   ンドギャップの大きなｎ型第３層で挟持してなるダブル
   ヘテロ接合を有する事を特徴とする半導体発光素子。
2. （２）ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅからなる超格子構造
   及び混晶層を有する半導体発光素子を作製するのに、有
   機金属気相分解法（ＭＯＶＰＥ法）を用いる事を特徴と
   する半導体発光素子の製造方法。