JPS61276384A - 青色発光素子 - Google Patents
青色発光素子Info
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- JPS61276384A JPS61276384A JP60118512A JP11851285A JPS61276384A JP S61276384 A JPS61276384 A JP S61276384A JP 60118512 A JP60118512 A JP 60118512A JP 11851285 A JP11851285 A JP 11851285A JP S61276384 A JPS61276384 A JP S61276384A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
-
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、青色発光素子の素子構造に関する。
本発明は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させた硫
化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜を用いた青色発光素子に於て、外
型（）ｌＬＡＩ３基板上に、低抵抗５型ＺｄＳｘＢｅｔ
−ｚ （但し、１≦ｘ（０）層、及び低抵抗ｎ型ＺｎＳ
層、絶縁層及び電極層を形成する事により、ＧａＡｓと
ＺｎＳとの格子定数のずれに伴い生じる基板界面近傍の
結晶性の低下を防止し、素子抵抗を下げ、信頼性を向上
させたものである。
化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜を用いた青色発光素子に於て、外
型（）ｌＬＡＩ３基板上に、低抵抗５型ＺｄＳｘＢｅｔ
−ｚ （但し、１≦ｘ（０）層、及び低抵抗ｎ型ＺｎＳ
層、絶縁層及び電極層を形成する事により、ＧａＡｓと
ＺｎＳとの格子定数のずれに伴い生じる基板界面近傍の
結晶性の低下を防止し、素子抵抗を下げ、信頼性を向上
させたものである。
ＺｎＳはバンドギャップ３〜６ｅＶの直接遷移型半導体
で、高効率の青色発光が期待される材料であるが、Ｐ型
の導電性が得にくいために、Ｍ工Ｓ（金属−絶縁体一手
導体）型の発光素子構造が研究されている。
で、高効率の青色発光が期待される材料であるが、Ｐ型
の導電性が得にくいために、Ｍ工Ｓ（金属−絶縁体一手
導体）型の発光素子構造が研究されている。
第６図に、公開公報５８−１６５．５８６記載のＭＩＳ
型素子の構造を示す。
型素子の構造を示す。
従来、ＭＩＳ型素子は、結晶の格子定数がＺｎＳと比較
的近いＧａＰ基板２４上に、ＭＯ−（！ＶＤ法等により
、低抵抗３型ＺｎＳのエピタキシャル膜２５を成長させ
、さらに絶縁層２６．電極２７．２８を形成した構造が
提案されている。
的近いＧａＰ基板２４上に、ＭＯ−（！ＶＤ法等により
、低抵抗３型ＺｎＳのエピタキシャル膜２５を成長させ
、さらに絶縁層２６．電極２７．２８を形成した構造が
提案されている。
その他、オーミック電極と障壁電極を平面状に配列した
プレーナー型素子構造も提案されている一方、ＭＯ−Ｏ
ＶＤ法によるＺｎ３のエピタキシャル成長の研究に於て
は、格子定数的にはＧａＰよりずれの大きい、ＧａＡ１
３基板に於て、良質の結晶が得られており、（Ｊｐｎ、
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ ２２゜（９）、Ｌ−５８４（
１９８３）記載）ＧａＡａ基板を用いた素子も鋭意研究
されている。
プレーナー型素子構造も提案されている一方、ＭＯ−Ｏ
ＶＤ法によるＺｎ３のエピタキシャル成長の研究に於て
は、格子定数的にはＧａＰよりずれの大きい、ＧａＡ１
３基板に於て、良質の結晶が得られており、（Ｊｐｎ、
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ ２２゜（９）、Ｌ−５８４（
１９８３）記載）ＧａＡａ基板を用いた素子も鋭意研究
されている。
ＭＢｌｎ法の場合には、相対的にはＧａＰの方がよいと
いう報告もあるが（Ｊ、Ｃ＋ｒｙｓｔ、ＧｒＯｗｔｈ□
、１２５（１９８４）記載）不純物を添加してなくても
低抵抗で、深い準位からの発光もあり、未だ高品質の結
晶が得られていないのが実情である。
いう報告もあるが（Ｊ、Ｃ＋ｒｙｓｔ、ＧｒＯｗｔｈ□
、１２５（１９８４）記載）不純物を添加してなくても
低抵抗で、深い準位からの発光もあり、未だ高品質の結
晶が得られていないのが実情である。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕上記従来の
素子は次の様な欠点を有し、改善が望まれていた。
素子は次の様な欠点を有し、改善が望まれていた。
（１）ＧａＰ上のＺｎＳ膜は、結晶性が悪く、発光素子
として使える程度のものが得られていない（ｚ）Ｇａａ
ｓ上のＺｎＳ膜は膜厚を厚く積む事により結晶性の良い
膜が得られるが、基板との界面近傍には、多数の欠陥が
存在し、電流注入時に、抵抗層として作用し、発熱が大
きいため電流−電圧特性が急速に経時変化し、不安定で
ある。
として使える程度のものが得られていない（ｚ）Ｇａａ
ｓ上のＺｎＳ膜は膜厚を厚く積む事により結晶性の良い
膜が得られるが、基板との界面近傍には、多数の欠陥が
存在し、電流注入時に、抵抗層として作用し、発熱が大
きいため電流−電圧特性が急速に経時変化し、不安定で
ある。
（３） プレーナー型素子は、表面層近傍の結晶性の
良い領域を電流を流すが、上記対向電極型に比べ全体に
抵抗は高く、やはり発熱及び素子劣化の要因となる。
良い領域を電流を流すが、上記対向電極型に比べ全体に
抵抗は高く、やはり発熱及び素子劣化の要因となる。
例えば、Ｉ！１ｘｔｅｎｄｓｄ Ａｂａｔｒｕｅｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ１５ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｉ）ｅｖｉ−ｃｅ
ａ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １９８３．Ｐ
Ｐ３４９ Ｂ−７−８記載の如く、ＧａＰ基板上へＭ
Ｏ−ＯＶＤ法によりｈＬドープＺｎＳ膜成長の場合には
、比抵抗が十分下がらず、素子化できなかったという報
告もある。
ｏｆ ｔｈｅ１５ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｉ）ｅｖｉ−ｃｅ
ａ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １９８３．Ｐ
Ｐ３４９ Ｂ−７−８記載の如く、ＧａＰ基板上へＭ
Ｏ−ＯＶＤ法によりｈＬドープＺｎＳ膜成長の場合には
、比抵抗が十分下がらず、素子化できなかったという報
告もある。
本発明の目的は、かかる問題点を解決し、基板との界面
近傍での欠陥が少なく、高品質の結晶性を有し、結果と
して素子の電流−電圧特性並びに発光特性が安定したも
のを提供する点にある。
近傍での欠陥が少なく、高品質の結晶性を有し、結果と
して素子の電流−電圧特性並びに発光特性が安定したも
のを提供する点にある。
本発明に基づく青色発光素子は、単結晶基板としてはＧ
ａＡｓ基板を用い、該ＧａＡ３基板上に低抵抗ｎ型Ｚｎ
８ｘＳｅ１−１ （１≦ｘく０）からなる中間層を挿入
し、さらに、ＧａＡｌ！基板との界面付近ではＸの値を
小さくして、ＧａＡｅの格子定数に近づけ、基板からの
距離に従って次第にＸを増加させた組成にし、その上に
青色発光レベルを有する低抵抗外型Ｚｎ８層を形成し、
さらに絶縁層及び金属電極層を形成する事で、格子定数
の違いに基づく界面の乱れのない、低抵抗で安定性の高
いものである。
ａＡｓ基板を用い、該ＧａＡ３基板上に低抵抗ｎ型Ｚｎ
８ｘＳｅ１−１ （１≦ｘく０）からなる中間層を挿入
し、さらに、ＧａＡｌ！基板との界面付近ではＸの値を
小さくして、ＧａＡｅの格子定数に近づけ、基板からの
距離に従って次第にＸを増加させた組成にし、その上に
青色発光レベルを有する低抵抗外型Ｚｎ８層を形成し、
さらに絶縁層及び金属電極層を形成する事で、格子定数
の違いに基づく界面の乱れのない、低抵抗で安定性の高
いものである。
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＧａＡｅ、ＧａＰらは立方晶せん亜
鉛鉱型の同じ結晶形を有し、格子定数も表１に示す如く
比較的近い値を有する。
鉛鉱型の同じ結晶形を有し、格子定数も表１に示す如く
比較的近い値を有する。
ＺｎＳとＺｎ５ｅの混晶体であるＺ ｎ ８ Ｘ Ｓ
＠ｌ １−ｚは、Ｘの値により、組成と共に格子定数が
変化し、ｘ＝α０６で室温でのＧａＡｓの格子定数に近
い値を有する。
＠ｌ １−ｚは、Ｘの値により、組成と共に格子定数が
変化し、ｘ＝α０６で室温でのＧａＡｓの格子定数に近
い値を有する。
又ＭＯ−ＯｖＤ法の場合、Ｘの値の変化は比較的容易で
、■族ソースとしてのＨ，Ｓ及びＨｏ５ｅの供給濃度を
相対的に変化させる事で可能である（ Ｊ、０ｒｙｓｔ
Ｇｒｏｗｔｈ ５９．１４８（１９８７）記載）以下
実施例に基づき、本発明を説明する。
、■族ソースとしてのＨ，Ｓ及びＨｏ５ｅの供給濃度を
相対的に変化させる事で可能である（ Ｊ、０ｒｙｓｔ
Ｇｒｏｗｔｈ ５９．１４８（１９８７）記載）以下
実施例に基づき、本発明を説明する。
〔実施例１〕
第１＠は本発明に基づく青色発光素子の構成を示す。（
１００）面を有する電型ＧａＡ１基板１上に、ＭＯ−Ｏ
ＶＤ法により、ＡｔドープＺｎ型ＺｎＳｘＳｅｔ−ｘ
（１≦ｘく０）混晶層２を約１μ成長させである。但し
、Ｘの値は、ＧａＡ６基板側では、［Ｌ０６でＧａＡｓ
の格子定数に合わせ、次第に増加させて、１μでｘ＝１
にしである。該混晶層上にＡｔドープＺｎ８層３を約１
μ形成した後、電子ビーム蒸着によりｋｌ、０．４ 膜
を約１００ＯＡ形成しである。電極は、ＧａＡｓ側はＡ
ｕ−Ｇｏ蒸着膜５でオーミックコンタクトをとり、注入
電極は絶縁層上にＡｕ蒸着膜６を形成してなる。
１００）面を有する電型ＧａＡ１基板１上に、ＭＯ−Ｏ
ＶＤ法により、ＡｔドープＺｎ型ＺｎＳｘＳｅｔ−ｘ
（１≦ｘく０）混晶層２を約１μ成長させである。但し
、Ｘの値は、ＧａＡ６基板側では、［Ｌ０６でＧａＡｓ
の格子定数に合わせ、次第に増加させて、１μでｘ＝１
にしである。該混晶層上にＡｔドープＺｎ８層３を約１
μ形成した後、電子ビーム蒸着によりｋｌ、０．４ 膜
を約１００ＯＡ形成しである。電極は、ＧａＡｓ側はＡ
ｕ−Ｇｏ蒸着膜５でオーミックコンタクトをとり、注入
電極は絶縁層上にＡｕ蒸着膜６を形成してなる。
次に混晶層に於ける組成変化の制御法について述べる。
第２図はＭＯ−ＯＶＤ法に於けるガス制御の基本システ
ムを示す。
ムを示す。
Ｈ，Ｓ７．Ｈ，Ｓｅ８はマス７０−コントローラ−（Ｍ
、Ｆ、Ｃり９．１０により供給量が制御される。Ｚｎソ
ースとしての有機亜鉛化合物及び３型ドーパントとして
の有機アルミニウム化合物は各々、シリンダー１１．１
２に液体状態で封入され、蒸気圧に従って、Ｍ、ＩＦ、
０１３，１４により制御された量のキアリアーガス：Ｈ
，１５によりバブリングされ、次いでガスの全流量と濃
度を調整するために制御されたＭ 、 ’ｆ！ 、 Ｃ
、１６，１７からのＨｌと合流し、リアクター１８へ供
給され反応する。
、Ｆ、Ｃり９．１０により供給量が制御される。Ｚｎソ
ースとしての有機亜鉛化合物及び３型ドーパントとして
の有機アルミニウム化合物は各々、シリンダー１１．１
２に液体状態で封入され、蒸気圧に従って、Ｍ、ＩＦ、
０１３，１４により制御された量のキアリアーガス：Ｈ
，１５によりバブリングされ、次いでガスの全流量と濃
度を調整するために制御されたＭ 、 ’ｆ！ 、 Ｃ
、１６，１７からのＨｌと合流し、リアクター１８へ供
給され反応する。
Ｈ％ｌのＩＩＩ、ＳとＨ，Ｓｅ総社に対するガスの供給
比率１９：ｙと、得られた結晶Ｚｎ５ＸＳｅｌｌ−Ｘの
組成比２０：ｘとの相関は、ＨｔＳが熱的安定であるた
め、第３図の如く与えられる。
比率１９：ｙと、得られた結晶Ｚｎ５ＸＳｅｌｌ−Ｘの
組成比２０：ｘとの相関は、ＨｔＳが熱的安定であるた
め、第３図の如く与えられる。
一方、結晶の堆積速度は、Ｈ，Ｓ及びＨ，Ｓｅの過剰供
給に於ては亜鉛ソースの供給律速であるから、Ｍ、？、
０１０により、ＨｔＳ ｅの供給量を連続的に減少させ
、遂に０にする事で、組成比Ｘを連続的に変化できる。
給に於ては亜鉛ソースの供給律速であるから、Ｍ、？、
０１０により、ＨｔＳ ｅの供給量を連続的に減少させ
、遂に０にする事で、組成比Ｘを連続的に変化できる。
本発明に基づく素子は、ＧａＡ１３側がｅ１絶縁層側を
Φの時を順方向とするダイオード特性を示し、発光は順
バイアス時にピーク波長４７０％溝の青色発光が得られ
た。
Φの時を順方向とするダイオード特性を示し、発光は順
バイアス時にピーク波長４７０％溝の青色発光が得られ
た。
又、電流−電圧特性並びに発光輝度の安定性は混晶層を
形成しないものに比べはるかに高く、定電流駆動での輝
度の経時変化はほとんど見られなかった。
形成しないものに比べはるかに高く、定電流駆動での輝
度の経時変化はほとんど見られなかった。
〔実施例２〕
第４図は、該混晶層の組成を階段的に変化させた場合の
素子構成を示す。混晶層の第１層２１は、Ｘの値は［Ｌ
０６で順次α０４７ずつ２０段に渡って変化し、♂型Ｚ
ｎ８層５へと接続される。成長温度は３００°Ｃであり
拡散による界面の乱れがあるため断面の厚さ方向に対す
る組成比Ｘは第５図の如くなっている。
素子構成を示す。混晶層の第１層２１は、Ｘの値は［Ｌ
０６で順次α０４７ずつ２０段に渡って変化し、♂型Ｚ
ｎ８層５へと接続される。成長温度は３００°Ｃであり
拡散による界面の乱れがあるため断面の厚さ方向に対す
る組成比Ｘは第５図の如くなっている。
横軸２２は、ＧａＡｓ基板界面からの距離ｄ１縦軸２３
はＸの値を示す。
はＸの値を示す。
本素子に於ても基板、混晶層界面は良好なエピタキシャ
ル成長を示し、又発光特性の安定性は、良好であった。
ル成長を示し、又発光特性の安定性は、良好であった。
上記実施例に於ては、ドーパントとしてＡｔを用いたが
、Ｚｎ１３に対するドナー性不純物としてのＩｎ Ｇ
ａ 等ＩＩＩ ｈ族元素並びに、Ｏｌ、Ｂｒ、工等の■
族元素でも適用でき、又、絶縁層としては、他の絶縁材
料のアモルファス並びに多結晶薄膜、及び、高抵抗Ｚｎ
Ｓ膜でも上記実施例と同様な効果が期待できる事は明ら
かである。
、Ｚｎ１３に対するドナー性不純物としてのＩｎ Ｇ
ａ 等ＩＩＩ ｈ族元素並びに、Ｏｌ、Ｂｒ、工等の■
族元素でも適用でき、又、絶縁層としては、他の絶縁材
料のアモルファス並びに多結晶薄膜、及び、高抵抗Ｚｎ
Ｓ膜でも上記実施例と同様な効果が期待できる事は明ら
かである。
以上実施例の項で述べた如（、本発明によればＭＩＳ型
の青色発光素子に於て、単結晶基板に２型ＧａＡａを用
い、該基板上に外型低抵抗Ｚｎ型ＺｎＳｘＳｅｌ−ｚ（
１≦ｘく０）混晶層を形成させた後に、外型ＺｎＳ層を
形成する事により基板界面の乱れが少なく、電流−電圧
特性並びに発光特性の経時変化の少ない信頼性の高い発
光素子の実現が可能である。
の青色発光素子に於て、単結晶基板に２型ＧａＡａを用
い、該基板上に外型低抵抗Ｚｎ型ＺｎＳｘＳｅｌ−ｚ（
１≦ｘく０）混晶層を形成させた後に、外型ＺｎＳ層を
形成する事により基板界面の乱れが少なく、電流−電圧
特性並びに発光特性の経時変化の少ない信頼性の高い発
光素子の実現が可能である。
これにより、青色発光素子の各種表示装置並びに照明製
造等への本発明の果す役割は大であると確信する。
造等への本発明の果す役割は大であると確信する。
第１図は、本発明に基づく青色発光素子の構成図。
１・・・・・・外−ＧＩＬＡθ基板
２・・・・・・外型Ｚｎ型ＺｎＳｘＳｅ１−８層３・・
・・・・５型ＺｎＳ層 ４・・・・・・絶縁層 ５・・・・・・Ａ ｕ −Ｇ ｅ電極 ６・・・・・・Ａｕ電極 第２図は、ガス系の制御図 ７・・・・・・Ｈ，３ ８…・・・Ｈ，Ｂｅ ９．１０，１５，１４．１６．１７・・・・・・Ｍ、？
、０１１・・・・・・有機亜鉛用シリンダー１２・・・
・・・有機アルミニウム用シリンダー１５・・・・・・
■。 １８１・・・・・リアクター 第５図は、ガス組成と結晶組成の相関図１９・・・・・
・ガス組成比 ２０・・・・・・結晶組成比 第４図は、階段的変化を有する素子構成図２１・・・・
・・第１層 第５図は、組成白変化図 ２２・・・・・・ＧａＡａ基板境界からの距離ｄ２３・
・・・・・組成比Ｘ 第６図は、従来のＭＩＳ型素子構成図 ２４・・・・・・％型ＧａＰ基板 ２５・・・・・・外型低抵抗ＺｎＳ層 ２６・・・・・・絶縁層 ２７・・・・・・Ａｕ電極 ２ Ｂ ＝ ＝ Ａ ｕ −Ｇ ｏオーミックコンタク
ト以上
・・・・５型ＺｎＳ層 ４・・・・・・絶縁層 ５・・・・・・Ａ ｕ −Ｇ ｅ電極 ６・・・・・・Ａｕ電極 第２図は、ガス系の制御図 ７・・・・・・Ｈ，３ ８…・・・Ｈ，Ｂｅ ９．１０，１５，１４．１６．１７・・・・・・Ｍ、？
、０１１・・・・・・有機亜鉛用シリンダー１２・・・
・・・有機アルミニウム用シリンダー１５・・・・・・
■。 １８１・・・・・リアクター 第５図は、ガス組成と結晶組成の相関図１９・・・・・
・ガス組成比 ２０・・・・・・結晶組成比 第４図は、階段的変化を有する素子構成図２１・・・・
・・第１層 第５図は、組成白変化図 ２２・・・・・・ＧａＡａ基板境界からの距離ｄ２３・
・・・・・組成比Ｘ 第６図は、従来のＭＩＳ型素子構成図 ２４・・・・・・％型ＧａＰ基板 ２５・・・・・・外型低抵抗ＺｎＳ層 ２６・・・・・・絶縁層 ２７・・・・・・Ａｕ電極 ２ Ｂ ＝ ＝ Ａ ｕ −Ｇ ｏオーミックコンタク
ト以上
Claims (2)
- （１）オーミックコンタクトを有するｎ型ＧａＡｓ基板
上に、低抵抗ｎ型ＺｎＳ＿ｘＳｅ＿１＿−＿ｘ（１≦ｘ
＜０）層、低抵抗ｎ型ＺｎＳ層、絶縁層、及び電極層を
形成した事を特徴とする青色発光素子。 - （２）特許請求の範囲第１項に於て、該低抵抗ｎ型Ｚｎ
Ｓ＿ｘＳｅ＿１＿−＿ｘ（１≦ｘ＜０）層が、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板側から絶縁層側へ向けて、ｘが次第に増加する
組成を有する事を特徴とする青色発光素子（３）特許請
求の範囲第１項に於て、該低抵抗ｎ型ＺｎＳ＿ｘＳｅ＿
１＿−＿ｘ層が、ｎ型ＧａＡｓ基板側から、絶縁層側に
向けて、ｘが階段状に増加する組成を有する事を特徴と
する青色発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118512A JPS61276384A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 青色発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118512A JPS61276384A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 青色発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276384A true JPS61276384A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14738467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118512A Pending JPS61276384A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 青色発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289257A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体超格子構造 |
| JPH0342881A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-25 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| US5274248A (en) * | 1991-06-05 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device with II-VI compounds |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118512A patent/JPS61276384A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289257A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体超格子構造 |
| JPH0342881A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-25 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| US5274248A (en) * | 1991-06-05 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device with II-VI compounds |
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