JPS58165386A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPS58165386A JPS58165386A JP57048574A JP4857482A JPS58165386A JP S58165386 A JPS58165386 A JP S58165386A JP 57048574 A JP57048574 A JP 57048574A JP 4857482 A JP4857482 A JP 4857482A JP S58165386 A JPS58165386 A JP S58165386A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分舒〕
本実−は青色の半導体発光素子の構造ならびにそＯ１ｌ
造方−に関する・ 〔発明の技術的背景′とその問題点〕 璽−Ｖ族化合物亭導体を用いた赤色から緑色までの発光
素子は量蓋化の時代に人〕、デイスデレイテΔイスとし
てＳ広（利用されるＫ ｉｊｉ ′）え。
造方−に関する・ 〔発明の技術的背景′とその問題点〕 璽−Ｖ族化合物亭導体を用いた赤色から緑色までの発光
素子は量蓋化の時代に人〕、デイスデレイテΔイスとし
てＳ広（利用されるＫ ｉｊｉ ′）え。
このような情況下で、可視域″で欠けている唯一の発光
色そある青色を与えゐ発光素子に対する期待は一層強重
つえ、にもかかわらず、これまでの−−Ｖ族穐光素子と
比肩し得る青色発光素子の製”造技留紘未だｌ−ら＆％
／％４Ｄが集情である。
色そある青色を与えゐ発光素子に対する期待は一層強重
つえ、にもかかわらず、これまでの−−Ｖ族穐光素子と
比肩し得る青色発光素子の製”造技留紘未だｌ−ら＆％
／％４Ｄが集情である。
青色の半導体発光素子を得るえめのに１１０条、 件は
、用いる半導体の禁制帯幅ＫｇがＬ６＠Ｖを越えること
である。この条件を満たす半導体結晶としては、ｉＭ族
化合物半導体ではＺｉｓ８ （Ｅｇ−３，５ｅＶ）、Ｚ
ｎ５ｅ （Ｎｇ−Ｌ５８ ＠Ｖ ）、厘−Ｖ族化合物半
導体ではＧａＮ （Ｅｇ−” ３．５ ＠Ｖ ）、Ｖ族
化合物半導体ではＳＩＣ（Ｅｇ−３・Ｖ）等がある。し
かしこれらの材料はそれぞれ材料上０９点をかかえてい
る０例えば、ＳＩＣは同一材料でｐｎ接合の形成できる
唯一の材料であるが、高融点材料であって大型単結晶基
板が得られていない＊ｚｖｈｓ＋Ｚｎ８・単結晶は、ブ
リッジマン法で一般に作られるが双晶構造を含み均質性
に欠けるものであ）、ま九ｐｍ＊合が実現していない＊
ＧａＮ４Ｄ場合も口型結晶しか得られず、基板結晶も適
轟なものがない丸め格子定数のずれｔＩＸ３０襲もある
サファイア結晶上に強引に気相から成長を行っているす のが実情である’ ：ｊ’１ｌｌｉ、・″。
、用いる半導体の禁制帯幅ＫｇがＬ６＠Ｖを越えること
である。この条件を満たす半導体結晶としては、ｉＭ族
化合物半導体ではＺｉｓ８ （Ｅｇ−３，５ｅＶ）、Ｚ
ｎ５ｅ （Ｎｇ−Ｌ５８ ＠Ｖ ）、厘−Ｖ族化合物半
導体ではＧａＮ （Ｅｇ−” ３．５ ＠Ｖ ）、Ｖ族
化合物半導体ではＳＩＣ（Ｅｇ−３・Ｖ）等がある。し
かしこれらの材料はそれぞれ材料上０９点をかかえてい
る０例えば、ＳＩＣは同一材料でｐｎ接合の形成できる
唯一の材料であるが、高融点材料であって大型単結晶基
板が得られていない＊ｚｖｈｓ＋Ｚｎ８・単結晶は、ブ
リッジマン法で一般に作られるが双晶構造を含み均質性
に欠けるものであ）、ま九ｐｍ＊合が実現していない＊
ＧａＮ４Ｄ場合も口型結晶しか得られず、基板結晶も適
轟なものがない丸め格子定数のずれｔＩＸ３０襲もある
サファイア結晶上に強引に気相から成長を行っているす のが実情である’ ：ｊ’１ｌｌｉ、・″。
以上のように、青色発光素子の研究は行われているもの
の、そのゾロ竜スならびに素子特−性は未だ量産に耐え
得る４０になっていない。
の、そのゾロ竜スならびに素子特−性は未だ量産に耐え
得る４０になっていない。
本発明は上記実情ＫＩｌ＋、鋭意研究を重ねた結果、量
産に耐え得る青色の半導体慟光素子の構造と製造方法を
提供しようとするもＯである。
産に耐え得る青色の半導体慟光素子の構造と製造方法を
提供しようとするもＯである。
ト１族化合物半導体であるＺｙａＢは直接遷移型結晶て
＆Ｌ発光材料としては優れ丸材料である。しかしその単
結晶イｙｆットはブリッジマン法で作られ、形状中結晶
特性Ｏ不均−ｔｋこと、不純物中格子欠ＭａｌｌＯ為い
こと等の九めに発光素子をζＯ結晶で構成するｋは限界
がある・そこで発明者らは種々の方法を検討した結果、
Ｚａ８結晶と岡−の＃晶系をもつ璽−Ｖ族化合物半導体
の中よ）格子電数の近接し九〇ａＦ単結晶を基板結晶と
し、この結晶上ＫＺｍ８ｘｉｌ・ｔ−ｘ結晶を一ピタキ
シャル、：、、ニー長し得為こと、その混晶比・を選択
すること：・、：によりて格子定数のずれを解消てき・
ること、と−エピタキシャル成長法としては有機金属化
金物を気相成長材料とし九気相成長法（ＭＯＣＶＤ ｍ
ｅ ）が適切であること、等を明らかにし、有力１ｋｆ
色発光素子量産構造ならびに方法の発明に至つ九０発光
接合としても、従来から行われてき九ＭＩ８構造の他に
、カルコ／ｆイライト結晶であるＣｕムｊ、Ｇａ １−
Ｆ （ｇｓ ｓ・ｔ −ｓ 、）ｚ結晶を用いて良質の
ｐｍ接合形成かりえることを明らかＫＬ良。
＆Ｌ発光材料としては優れ丸材料である。しかしその単
結晶イｙｆットはブリッジマン法で作られ、形状中結晶
特性Ｏ不均−ｔｋこと、不純物中格子欠ＭａｌｌＯ為い
こと等の九めに発光素子をζＯ結晶で構成するｋは限界
がある・そこで発明者らは種々の方法を検討した結果、
Ｚａ８結晶と岡−の＃晶系をもつ璽−Ｖ族化合物半導体
の中よ）格子電数の近接し九〇ａＦ単結晶を基板結晶と
し、この結晶上ＫＺｍ８ｘｉｌ・ｔ−ｘ結晶を一ピタキ
シャル、：、、ニー長し得為こと、その混晶比・を選択
すること：・、：によりて格子定数のずれを解消てき・
ること、と−エピタキシャル成長法としては有機金属化
金物を気相成長材料とし九気相成長法（ＭＯＣＶＤ ｍ
ｅ ）が適切であること、等を明らかにし、有力１ｋｆ
色発光素子量産構造ならびに方法の発明に至つ九０発光
接合としても、従来から行われてき九ＭＩ８構造の他に
、カルコ／ｆイライト結晶であるＣｕムｊ、Ｇａ １−
Ｆ （ｇｓ ｓ・ｔ −ｓ 、）ｚ結晶を用いて良質の
ｐｍ接合形成かりえることを明らかＫＬ良。
なお、１ｍ５ｚＳ＠１−ｘ結晶層の混晶比Ｘは、ＧａＰ
基板結晶との格子定数のずれを十分季さｉ範■ＫＩＱ］
、する九めｋＯ１５≦Ｘ≦ＩＫ選ばれる。１＆、Ｃａム
ｔｙＧａ １− ｙ （ＳＢ ８・ｔ−５）２結晶の混
晶比７．１については、青色発光に適ｍ１に禁制帯幅を
得るために概略０，５≦ｙ≦１の範■を泗び、格子定数
のずれを小さくするために概略、０．３≦嶌≦、０．７
ｔ）範囲を選ぶことが好ましり、辷れもの関係を菖１
図に示した０図の斜線領域はＣ＠ムｊｙＧａ １−ア（
８１Ｓ・１−ｘ ）！結晶の好ましい混晶比ｙ、ｚの範
囲を示している。 。
基板結晶との格子定数のずれを十分季さｉ範■ＫＩＱ］
、する九めｋＯ１５≦Ｘ≦ＩＫ選ばれる。１＆、Ｃａム
ｔｙＧａ １− ｙ （ＳＢ ８・ｔ−５）２結晶の混
晶比７．１については、青色発光に適ｍ１に禁制帯幅を
得るために概略０，５≦ｙ≦１の範■を泗び、格子定数
のずれを小さくするために概略、０．３≦嶌≦、０．７
ｔ）範囲を選ぶことが好ましり、辷れもの関係を菖１
図に示した０図の斜線領域はＣ＠ムｊｙＧａ １−ア（
８１Ｓ・１−ｘ ）！結晶の好ましい混晶比ｙ、ｚの範
囲を示している。 。
本発明によれば、量産技術の確立しているＧａＰ単結晶
を基板結晶として、爽好な青色発光特性を示す半導体働
光素子が得られる。オ九本尭＠によれば、従来Ｏように
遼轟な基板を欠いていえ青色発光素子Ｋｍい量産性と発
光＊ａの均一化が■られる。
を基板結晶として、爽好な青色発光特性を示す半導体働
光素子が得られる。オ九本尭＠によれば、従来Ｏように
遼轟な基板を欠いていえ青色発光素子Ｋｍい量産性と発
光＊ａの均一化が■られる。
ｌＩ麹儒−１
試作し九発光素子の構造をｌＩｉ２ｍｋ示し九・１１は
ｍ１ｌｌＧａＰｆｔ４［＃晶でｈ）、この上ＫＺＩＩ（
Ｃａ１ｌｓ）ｚとｉｔ’ｇの熱分淋反応を利用し九ＭＯ
ＣＶＤ法によ）１０ｍｌ曽晶層ｌ１を成長させ、その上
に。絶縁膜１１を介して金電極１４を形成してＭＩ８構
造としえ、基板裏両にはオーム性電極１ｓを設けている
。
ｍ１ｌｌＧａＰｆｔ４［＃晶でｈ）、この上ＫＺＩＩ（
Ｃａ１ｌｓ）ｚとｉｔ’ｇの熱分淋反応を利用し九ＭＯ
ＣＶＤ法によ）１０ｍｌ曽晶層ｌ１を成長させ、その上
に。絶縁膜１１を介して金電極１４を形成してＭＩ８構
造としえ、基板裏両にはオーム性電極１ｓを設けている
。
ζｔ）Ｉ１１１１１＠によ）、発光波長４６０１鵬、量
子効率３Ｘ１０４ＤＪｌ好＆背色尭光特性が得られ九・
ＧａＰ基板結晶上ＫＪＩＬ質ｔ）Ｚ＊ｔｌ結晶が成長す
るのは、両者の格子定数すれがｊ１１１図から明らかな
ように、Ｏｏ・憾＠度と小−Ｓいことによる。★た発光
特性が真いことは、ＭＯＣＶＤ法轡有の非平衡的析出反
応に基〈もＯと考えられる。
子効率３Ｘ１０４ＤＪｌ好＆背色尭光特性が得られ九・
ＧａＰ基板結晶上ＫＪＩＬ質ｔ）Ｚ＊ｔｌ結晶が成長す
るのは、両者の格子定数すれがｊ１１１図から明らかな
ように、Ｏｏ・憾＠度と小−Ｓいことによる。★た発光
特性が真いことは、ＭＯＣＶＤ法轡有の非平衡的析出反
応に基〈もＯと考えられる。
次にＨ１８ｆ！スに一部Ｈ２８・を混入することにより
％ Ｚｎ５ｚ８・１−ｘ結晶がＧａＰ基板結晶上に成長
し。
％ Ｚｎ５ｚ８・１−ｘ結晶がＧａＰ基板結晶上に成長
し。
Ｘを適ぶことによシ結晶の発光特性を最適にすることが
で１九、これは格子定数のずれの解消に対応しているも
のと思われる。
で１九、これは格子定数のずれの解消に対応しているも
のと思われる。
実施例−２
第３図に示すように５ｎｌｌＧａＰ基板結晶２１にｎ型
Ｚ１１８ＸＩ！＠１−Ｘ結晶層２２ＹＩ：成長させえ、
クエー・・上に、ｐ ｆＪ Ｃ１１ＡｊｙＧａｌ−ｙ（
８ｚ８ｕ−１）２結晶層ＪＪをエピタキシャル成長させ
、両面にオーム性電１ｊＪ４．ｊｊｔ形成してｐｍ接合
蓋発光素子を構成し友０発光色は実施例−１とほぼ等し
い青色であった。ｔた印加電圧は実施例−１の索□ 子に比べて低く、そのばらつきも少ない（５０ｍＡ／３
．５ Ｖ±０．２Ｖ）発予ダイオ−＃ｐが得られた。
・： ゝ１１ なお上記各実施例では一、、ａｌｌ、、ＧａＰ基板結晶
を用いたが、ｐ型ＧａＰ基板結晶を用いてもよい、その
場合、第２図および第３図にそれぞれ対応する変形例を
第４図および第５図に示す、即ち、＃Ｉ４図では、ｐ
１１ ａｍｐ基板結晶１１′を用いてその上Ｋ ｌ１ｌ
ｉ Ｚｎｔｌ ＠晶層１２を積層してＭＩ８構造を作る
が、＋ａ＠０オー建ツタ電極１１は絶縁膜１１にボンタ
クトホールをあけてｚｍ８結晶層１２に接触させている
。★え第５図では、ｐＨＧａＰ基板結晶２１を用いてｐ
ｍ＊合臘素子を作る九め、ｐｍＩＣＩＩムｚ、ａｌ−ア
（−８・ｔ−５）ｚ層２１をメサエッチングしてａｌＪ
Ｚ＊ＩＪｚｌｌ＊１−ｘ層２１を露出させ、仁ζＫＩＫ
匈のオー建ツタ電極２１を形成している。
Ｚ１１８ＸＩ！＠１−Ｘ結晶層２２ＹＩ：成長させえ、
クエー・・上に、ｐ ｆＪ Ｃ１１ＡｊｙＧａｌ−ｙ（
８ｚ８ｕ−１）２結晶層ＪＪをエピタキシャル成長させ
、両面にオーム性電１ｊＪ４．ｊｊｔ形成してｐｍ接合
蓋発光素子を構成し友０発光色は実施例−１とほぼ等し
い青色であった。ｔた印加電圧は実施例−１の索□ 子に比べて低く、そのばらつきも少ない（５０ｍＡ／３
．５ Ｖ±０．２Ｖ）発予ダイオ−＃ｐが得られた。
・： ゝ１１ なお上記各実施例では一、、ａｌｌ、、ＧａＰ基板結晶
を用いたが、ｐ型ＧａＰ基板結晶を用いてもよい、その
場合、第２図および第３図にそれぞれ対応する変形例を
第４図および第５図に示す、即ち、＃Ｉ４図では、ｐ
１１ ａｍｐ基板結晶１１′を用いてその上Ｋ ｌ１ｌ
ｉ Ｚｎｔｌ ＠晶層１２を積層してＭＩ８構造を作る
が、＋ａ＠０オー建ツタ電極１１は絶縁膜１１にボンタ
クトホールをあけてｚｍ８結晶層１２に接触させている
。★え第５図では、ｐＨＧａＰ基板結晶２１を用いてｐ
ｍ＊合臘素子を作る九め、ｐｍＩＣＩＩムｚ、ａｌ−ア
（−８・ｔ−５）ｚ層２１をメサエッチングしてａｌＪ
Ｚ＊ＩＪｚｌｌ＊１−ｘ層２１を露出させ、仁ζＫＩＫ
匈のオー建ツタ電極２１を形成している。
これらの構造によっても上記各実施例と同様、棗好衣青
色尭光素子が得られる・ 以上、ｏａｐ曽晶を基板とし九Ｉ−Ｍ族エビタ中シャル
結晶Ｚｍｉｌｚｌ・１−！が嵐好な青色発光素子を与え
ることが確■され、更にカルコノ争イライト型結晶との
組会せ、で）ｍ接合型発光素子が得られることも明らか
Ｋｔつえ、これは量産璽青色藷□、。
色尭光素子が得られる・ 以上、ｏａｐ曽晶を基板とし九Ｉ−Ｍ族エビタ中シャル
結晶Ｚｍｉｌｚｌ・１−！が嵐好な青色発光素子を与え
ることが確■され、更にカルコノ争イライト型結晶との
組会せ、で）ｍ接合型発光素子が得られることも明らか
Ｋｔつえ、これは量産璽青色藷□、。
光素子として極めて有用である。
１
第１図紘本尭嘴で用いる化合物半導体の禁制帯幅と格子
定数の関係を示す図、第２１１ｇ１は本発明の一実施例
のＭＩ８１１１発光素子を示す図、第３図は他の実施例
のｐ＊＊合蓋発光素子を示す図、第４ＥおよびｗＸｓ図
はそれぞれ第２図および萬３図の変形例を示す図である
。 ７ Ｊ ・＝ ｍ ｍ ＧａＰ ｉｔ ｌｊ Ｊｄｒ晶
、Ｊ Ｊ −ｍ ｍ Ｚｎ１ｉ結晶層、１３・−絶縁膜
、１４・−・金電極、ＩＪ・・・オーム性電極、２１・
・・電型ＧａＰ基板結晶、２２・・・ｎ蓋Ｚｎ８ｚ８＠
１−ｘ結晶層、２１−ｍ１ｌｌｃｕムｔｙＧａ １−ｙ
（８−・１−ｓ）ｚ結晶層、１４．２５・・・オーム性
電極、Ｊ １’ 、 Ｉ Ｊ’・Ｐ Ｉｔ ＧａＰ基板
結晶、１１．２１に’・・・オーム性電極。 出願人代理人 弁理土鈴 江 武 彦
定数の関係を示す図、第２１１ｇ１は本発明の一実施例
のＭＩ８１１１発光素子を示す図、第３図は他の実施例
のｐ＊＊合蓋発光素子を示す図、第４ＥおよびｗＸｓ図
はそれぞれ第２図および萬３図の変形例を示す図である
。 ７ Ｊ ・＝ ｍ ｍ ＧａＰ ｉｔ ｌｊ Ｊｄｒ晶
、Ｊ Ｊ −ｍ ｍ Ｚｎ１ｉ結晶層、１３・−絶縁膜
、１４・−・金電極、ＩＪ・・・オーム性電極、２１・
・・電型ＧａＰ基板結晶、２２・・・ｎ蓋Ｚｎ８ｚ８＠
１−ｘ結晶層、２１−ｍ１ｌｌｃｕムｔｙＧａ １−ｙ
（８−・１−ｓ）ｚ結晶層、１４．２５・・・オーム性
電極、Ｊ １’ 、 Ｉ Ｊ’・Ｐ Ｉｔ ＧａＰ基板
結晶、１１．２１に’・・・オーム性電極。 出願人代理人 弁理土鈴 江 武 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ＩＩ ＧａＰ基板結晶上にｎ ＠ Ｚ１’ＳＸＳ＠
１−ｘ結晶層（ただし、０．５≦Ｘ≦１）が積層され
、゛このｎ型Ｚｎ８ｚＳ・１−ｘ結晶層表面部に楯光接
合を有することを特徴とする半導体発光素子、゛ （２）発光接合は、ｎ型Ｚｎ８１Ｓ・１−８結晶・層表
面に絶縁属を介゛して電極□を設叶えＭＩＢ構造からな
る“ことを特徴とする特許請求の範囲第゛１項記載の半
導体発光素子、 “（３）発光接合は
、ｎｆ［Ｚ！１８１８＠１−ｘ結晶□層表面にｐ型Ｃｕ
Ａｚｙａａ １−ｙ （Ｓ＄ Ｓ・１−ｉ’）′２２
結晶（良だし、０．５≦ｙ≦１．０．３≦２≦０．７）
を設けたｐｎ接合からなることを特徴とする特許請求の
範岐第１項記載の半導体発光素子。 （４１ＧａＰ基板結晶上にｎ型Ｚｎ５ｚ８＊ １−Ｆｃ
層（良だし、０．５≦Ｘ≦１）をエピタキシャル成長さ
せ、このｎ′型Ｚｎ８ｚ８・１−ｘ層表面部に発光誓合
を形成する仁とを゛４Ｉ徽七すゐ半導体発光素子の契造
方法。 （５３ｍｌｊ Ｋｍ％ｇ・１１層のエピタキシャル成長
は、有機金属を用−え気相成長法によ）行うことを豐黴
とすゐ譬′許曽求ｏａｔｓ第４項記載の半導体発光素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048574A JPS58165386A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048574A JPS58165386A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165386A true JPS58165386A (ja) | 1983-09-30 |
| JPS6351552B2 JPS6351552B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=12807162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048574A Granted JPS58165386A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165386A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5994479A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 青色発光素子 |
| JPS60216497A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
| JPS6247176A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子の製造法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52146580A (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-06 | Hiroshi Kukimoto | Photo semiconductor element |
| JPS5562900A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat treating method for zinc sulfide single crystal |
| JPS5720428A (en) * | 1980-07-10 | 1982-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of mis type semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP57048574A patent/JPS58165386A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52146580A (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-06 | Hiroshi Kukimoto | Photo semiconductor element |
| JPS5562900A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat treating method for zinc sulfide single crystal |
| JPS5720428A (en) * | 1980-07-10 | 1982-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of mis type semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5994479A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 青色発光素子 |
| JPS60216497A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
| JPS6247176A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351552B2 (ja) | 1988-10-14 |
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