JPS60216497A - 薄膜ｅｌ表示パネル - Google Patents
薄膜ｅｌ表示パネルInfo
- Publication number
- JPS60216497A JPS60216497A JP59070562A JP7056284A JPS60216497A JP S60216497 A JPS60216497 A JP S60216497A JP 59070562 A JP59070562 A JP 59070562A JP 7056284 A JP7056284 A JP 7056284A JP S60216497 A JPS60216497 A JP S60216497A
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- JP
- Japan
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- thin film
- display panel
- emitting layer
- film
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明け、発光中心を含む薄膜に交流又は直流を引加す
る事により発光する薄膜Ｅ Ｌ表示パネルの信頼性と、
低電圧化に有効となる絶縁膜と発光層に関するものであ
る。
る事により発光する薄膜Ｅ Ｌ表示パネルの信頼性と、
低電圧化に有効となる絶縁膜と発光層に関するものであ
る。
薄膜ＥＬパネルは、ブラウン管に比べ、完全なフラット
ディスプレイであるため、画面の歪もなく、容積も小ζ
く、又液晶ディスプレイに比べ、 。
ディスプレイであるため、画面の歪もなく、容積も小ζ
く、又液晶ディスプレイに比べ、 。
自発光型のため、明るく見易いという特徴を有し、多く
の表示装置、特に壁掛けＴ、 Ｖ、への応用が期待はｈ
でいる。
の表示装置、特に壁掛けＴ、 Ｖ、への応用が期待はｈ
でいる。
従来薄ｎＫ Ｅ ＩＪ衣示パネルは、発光効率、信頼性
を高めるために１Ｍ？？５． Ｏｒｂ又ｎ Ｔ？ＩＦｓ
、 Ｓ？？＋、Ｆ、等の発光中心を含むＺ７＋、８ 、
Ｚｔ＋、Ｓｇ等の発光層の両（ｌ］ｌｌをＳｉＯ２，
Ｔａ２Ｏ！Ｉ、 Ｙ２Ｏ３等の絶縁層で挾みその両側に
電極を有する所謂る二重絶縁構造が代表的であ−た。第
１図は二重絶縁構造薄膜ＫＬ表示パネルの基本構成を例
示する。
を高めるために１Ｍ？？５． Ｏｒｂ又ｎ Ｔ？ＩＦｓ
、 Ｓ？？＋、Ｆ、等の発光中心を含むＺ７＋、８ 、
Ｚｔ＋、Ｓｇ等の発光層の両（ｌ］ｌｌをＳｉＯ２，
Ｔａ２Ｏ！Ｉ、 Ｙ２Ｏ３等の絶縁層で挾みその両側に
電極を有する所謂る二重絶縁構造が代表的であ−た。第
１図は二重絶縁構造薄膜ＫＬ表示パネルの基本構成を例
示する。
透明なガラス基板１上にＩＴＯ（工ｎ’を含むＲｑＯ２
膜）透明電極２′ｆ−約２００ＯＡ 、 Ｔａ２０ｉ
、 Ｙ２Ｏ３、Ａ１２ｏｓらの第１の透明絶縁膜３茶杓
３００ＯＡ、ζらにＭｎ 。
膜）透明電極２′ｆ−約２００ＯＡ 、 Ｔａ２０ｉ
、 Ｙ２Ｏ３、Ａ１２ｏｓらの第１の透明絶縁膜３茶杓
３００ＯＡ、ζらにＭｎ 。
Ｏｕ 、 ＴｈＦ、 、 Ｓ７＋？、Ｆ、ら発光中心ｆ
０１〜５重量係含有するＺｎＢ 、 ＺｎＢｅ発光層４
を約３０００Ａ、濾らに第２の絶縁層５を約３００ＯＡ
、スパッタ又は電子ビーム蒸着で形成し、その上にＡ
１市極６ｆ蒸着してなり、両電極間に約２００ｖの交流
常圧を外部電源７より印加する車で、両電極の交叉部８
が発光し、透明電極側から発光が観察される。
０１〜５重量係含有するＺｎＢ 、 ＺｎＢｅ発光層４
を約３０００Ａ、濾らに第２の絶縁層５を約３００ＯＡ
、スパッタ又は電子ビーム蒸着で形成し、その上にＡ
１市極６ｆ蒸着してなり、両電極間に約２００ｖの交流
常圧を外部電源７より印加する車で、両電極の交叉部８
が発光し、透明電極側から発光が観察される。
この様な二重絶縁構造の薄膜ＥＬパネルは駆動電圧が２
００ Ｖ以−ヒと高く、駆動回路に高耐圧の素子が必要
で使用上大きな間鴎となっていた。
００ Ｖ以−ヒと高く、駆動回路に高耐圧の素子が必要
で使用上大きな間鴎となっていた。
駆１１１雷圧を下げる方向として、第１の絶縁層を除去
したＭ Ｉ Ｓ （Ｍｅｔａｌ ｘｎｔｔｒｂｌａｔｏ
ｒ −５ｅｔｎ、１ｃｏｎｒｈｂｃｔａｒ ）型にし、
発光層にかかる電界強度を高くする方向が提案はね検討
がすすめられているが、絶縁破壊や＠頼件の点で未だ実
用に到っていない。
したＭ Ｉ Ｓ （Ｍｅｔａｌ ｘｎｔｔｒｂｌａｔｏ
ｒ −５ｅｔｎ、１ｃｏｎｒｈｂｃｔａｒ ）型にし、
発光層にかかる電界強度を高くする方向が提案はね検討
がすすめられているが、絶縁破壊や＠頼件の点で未だ実
用に到っていない。
コ１７″ｌけ、スパッタや蒸着等の真空技術では、本質
的に薄くピンホールの無い、絶縁性の優れた膜をＫＬ表
示パネルレベルの大面積に渡って形成するのが田難な事
に起因している。又ＭＩＳ型の場合、絶縁層が一層であ
るため時にその膜質の良否が信頼性に効くためである。
的に薄くピンホールの無い、絶縁性の優れた膜をＫＬ表
示パネルレベルの大面積に渡って形成するのが田難な事
に起因している。又ＭＩＳ型の場合、絶縁層が一層であ
るため時にその膜質の良否が信頼性に効くためである。
一方発光層に於ても同様に、二重絶縁構に比べＭＩＳ型
の場合、発光層の結晶性、均質性、欠陥等が強く素子特
性に影響するのに対し、通常のスパッタや蒸着では、成
長温間が低く、良質の膜が得られないのが実情であった
。
の場合、発光層の結晶性、均質性、欠陥等が強く素子特
性に影響するのに対し、通常のスパッタや蒸着では、成
長温間が低く、良質の膜が得られないのが実情であった
。
本発明の目的は、従来のＭＩＳ型ＥＬ素子のかかる欠点
を除去し、数十Ｖの駆動電圧で信頼性も高く十分実用に
而１える＃′嘆ＥＬ衣示パネルの提供にある。
を除去し、数十Ｖの駆動電圧で信頼性も高く十分実用に
而１える＃′嘆ＥＬ衣示パネルの提供にある。
本発明の特徴は、上記目的のため（Ｃ１薄くても雷気特
性的に均質で絶縁破壊を生じにくい金属薄膜の陽極酸化
膜を絶縁層に用い、又純度、結晶性、発光特性の優れた
■−■族化合物半導体のＭＯ−ＣＶＤ膵を発光層に用い
た点にある。
性的に均質で絶縁破壊を生じにくい金属薄膜の陽極酸化
膜を絶縁層に用い、又純度、結晶性、発光特性の優れた
■−■族化合物半導体のＭＯ−ＣＶＤ膵を発光層に用い
た点にある。
陽極酸化ｌｌＩけ、ガラス基板上にＴｒｚ 、 Ａ４
、 Ｔｉ 等をスパッタ又は蒸着により形成した後、こ
れを電解質を含む溶媒中で、雪解して得られるもので、
最終雷流密度を数μＭ−以下にする事で、電気的に極め
て均質で絶縁特性の優れた絶縁膜が得られる。特にＴ（
Ｚの陽極酸化膜は、膜が粗密で比誘電率も〜２５と犬き
く薄膜ＥＩ、素子の絶縁膜にけふざおしいものである。
、 Ｔｉ 等をスパッタ又は蒸着により形成した後、こ
れを電解質を含む溶媒中で、雪解して得られるもので、
最終雷流密度を数μＭ−以下にする事で、電気的に極め
て均質で絶縁特性の優れた絶縁膜が得られる。特にＴ（
Ｚの陽極酸化膜は、膜が粗密で比誘電率も〜２５と犬き
く薄膜ＥＩ、素子の絶縁膜にけふざおしいものである。
一方、Ｍ Ｏ−ＯＶ Ｄ （ｙｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉ
ｃ−ａｈｅｍｉｃａｌＶａ７ｒｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）け、Ｉ−Ｖ族又１−ｔｌｌ−Ｔ％’族化合物
半導体をエピタ千シャル成長させる技術として近年注目
をあつめてきたが、Ｒｏｙａｌ ｓｉｇｎａ、ＩＲａｄ
ｓｒＥｓｔａｂｌｉｓｈｍｅｎｔの報告（ｌ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−３０４５１９８３Ｐ４
７１ ）にも記載これる ５− 如く、ＦｉＬ素子の活性層に用いても優れた多結晶膜を
形成する技術として注目されている。薄膜ＥＬ素子に利
用できるのけＴＩ−Ｖｌ族の中でもバンドギャップの広
いＺｎＳ、 Ｚｎ５ｅであるが、これは■族の原料とし
てＺｎ（ＣＨｓ ）２ 、 Ｚ？＋、（０２Ｈ５１２の
有機アルキル亜鉛化合物と、■族原料としてＨ２Ｓ、Ｈ
２ＥＪｅ等の水素化、物を３５０〜５００℃に加熱した
成長基板上にＨ２゜Ｈｅ等のキャリアーガスで供給し、
分解反応を起して形成するもので、蒸気圧の高い■族原
料ガスを過剰に供給する車で成長温度が蒸着等に比べて
高いにもかかわらイストイキオメトリーな組成が得られ
るものである。又、発光中心としての不純物、もＭｎ（
Ｃａ５ｋ −（！ＨＡ ） −（ｃｏ ）ｓ （略称Ｔ
ＯＭ）をけじめ各種カルボニル化合物は蒸気圧が高く亜
鉛化合物と同様、キャリアーガスに混ぜて供給し分解す
る事が可能である。又近年半導体材料の高純度化により
−Ｆ記有機金属化合物並びに水素化物も極めて高純ザの
原料が入手可能となり、必然的１ｃＭＯ−ＣＶＤ膜の純
度も高く、良質の膜が得られる迄に到ったものである。
ｃ−ａｈｅｍｉｃａｌＶａ７ｒｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）け、Ｉ−Ｖ族又１−ｔｌｌ−Ｔ％’族化合物
半導体をエピタ千シャル成長させる技術として近年注目
をあつめてきたが、Ｒｏｙａｌ ｓｉｇｎａ、ＩＲａｄ
ｓｒＥｓｔａｂｌｉｓｈｍｅｎｔの報告（ｌ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−３０４５１９８３Ｐ４
７１ ）にも記載これる ５− 如く、ＦｉＬ素子の活性層に用いても優れた多結晶膜を
形成する技術として注目されている。薄膜ＥＬ素子に利
用できるのけＴＩ−Ｖｌ族の中でもバンドギャップの広
いＺｎＳ、 Ｚｎ５ｅであるが、これは■族の原料とし
てＺｎ（ＣＨｓ ）２ 、 Ｚ？＋、（０２Ｈ５１２の
有機アルキル亜鉛化合物と、■族原料としてＨ２Ｓ、Ｈ
２ＥＪｅ等の水素化、物を３５０〜５００℃に加熱した
成長基板上にＨ２゜Ｈｅ等のキャリアーガスで供給し、
分解反応を起して形成するもので、蒸気圧の高い■族原
料ガスを過剰に供給する車で成長温度が蒸着等に比べて
高いにもかかわらイストイキオメトリーな組成が得られ
るものである。又、発光中心としての不純物、もＭｎ（
Ｃａ５ｋ −（！ＨＡ ） −（ｃｏ ）ｓ （略称Ｔ
ＯＭ）をけじめ各種カルボニル化合物は蒸気圧が高く亜
鉛化合物と同様、キャリアーガスに混ぜて供給し分解す
る事が可能である。又近年半導体材料の高純度化により
−Ｆ記有機金属化合物並びに水素化物も極めて高純ザの
原料が入手可能となり、必然的１ｃＭＯ−ＣＶＤ膜の純
度も高く、良質の膜が得られる迄に到ったものである。
６一
従来ＭＩＳ型ＥＴ、素子に上記ＭＯ−ＣＶＤ１９”（ｉ
−用いる場合、第２図に示す如く、Ｉ Ｔ ｏ膜２の上
に発光層９を積む事になり、この場合、基板温度が高い
と工ＴＯの粒子成長や、原料ガスとのル゛応のため荒れ
た膜が得られるが、本発明の如く、構成を逆にして、陽
極酸化膜の一ヒに形成し、次に■ＴＯ膜を形成する事で
、この様な問題は解決される。以下実施例に基づき本発
明を説明する。
−用いる場合、第２図に示す如く、Ｉ Ｔ ｏ膜２の上
に発光層９を積む事になり、この場合、基板温度が高い
と工ＴＯの粒子成長や、原料ガスとのル゛応のため荒れ
た膜が得られるが、本発明の如く、構成を逆にして、陽
極酸化膜の一ヒに形成し、次に■ＴＯ膜を形成する事で
、この様な問題は解決される。以下実施例に基づき本発
明を説明する。
第３図は本発明に基づく薄膜ＥＬ表示パ坏ルの構成を示
す。パイレックス基板１上にＴａ電極１０、約３０００
ＡのＴ（Ｌの陽極酸化膜１１、Ｍｎ ０．５重着係を
含有する約３００ＯＡのＺｎＳのＭ Ｏ−ＯＶ Ｄ膜９
、約１００ＯＡのＩＴＯ透明電極１３を順次積層はせて
なる。
す。パイレックス基板１上にＴａ電極１０、約３０００
ＡのＴ（Ｌの陽極酸化膜１１、Ｍｎ ０．５重着係を
含有する約３００ＯＡのＺｎＳのＭ Ｏ−ＯＶ Ｄ膜９
、約１００ＯＡのＩＴＯ透明電極１３を順次積層はせて
なる。
この素子に交流電界を印加した時の輝度対電圧特性１１
図に示す。横軸は５ｉｎｅ波の波高、縦軸は輝度を表わ
す。図から明らかな如く、この素子の場合、立ち上り電
圧は約３５Ｖで、発光の均一性が非常によく、又、本表
示パネルは、エーシング特性に優れ、作製後１００時間
を経鍋してもほとんど初期のものに一致する電圧特性を
示す。又第５図は本表示パネルの応答粘性を示す。周波
数１００Ｈ２で５０Ｖの正弦波を引加したもので横軸が
時間軸、−ヒ１４が輝度、下１５が電圧を示す。これか
ら本表示パネルが両極性の電圧に対しても発光している
事がわかる。
図に示す。横軸は５ｉｎｅ波の波高、縦軸は輝度を表わ
す。図から明らかな如く、この素子の場合、立ち上り電
圧は約３５Ｖで、発光の均一性が非常によく、又、本表
示パネルは、エーシング特性に優れ、作製後１００時間
を経鍋してもほとんど初期のものに一致する電圧特性を
示す。又第５図は本表示パネルの応答粘性を示す。周波
数１００Ｈ２で５０Ｖの正弦波を引加したもので横軸が
時間軸、−ヒ１４が輝度、下１５が電圧を示す。これか
ら本表示パネルが両極性の電圧に対しても発光している
事がわかる。
水薄膜ＫＬ表示パネルの製法について概略を述べる。陽
極酸化膜を形成するにあたり、先ずパイレックス基板に
Ｔａのスパッタ膜を約５００ＯＡ堆積する。次いで、ク
エン酸０．０１重量係を含む水溶液中に、該Ｔａ薄膜を
陽極に、又陰極にはＰｔ１ｆＪｆ用いて ７始めに１〜
０．１ｍＡ／ｃｆｎ”の電流密度で足電流電解を行い、
％ｑ位差が５０〜３００ ＶＫ達した後、足電圧電解に
切り換え十分雷流密邸が下が−た後、取り出した。膜厚
は電圧で決まりＴａの場合は約１５ Ａ／Ｖ に相当す
る。陽極酸化膜としてはＴａの他にｔ Ａｔ 、 Ｔｉ
等でもよく、又、電、解液には非水溶媒系の無水エチレ
ングリコール等でも有効である。
極酸化膜を形成するにあたり、先ずパイレックス基板に
Ｔａのスパッタ膜を約５００ＯＡ堆積する。次いで、ク
エン酸０．０１重量係を含む水溶液中に、該Ｔａ薄膜を
陽極に、又陰極にはＰｔ１ｆＪｆ用いて ７始めに１〜
０．１ｍＡ／ｃｆｎ”の電流密度で足電流電解を行い、
％ｑ位差が５０〜３００ ＶＫ達した後、足電圧電解に
切り換え十分雷流密邸が下が−た後、取り出した。膜厚
は電圧で決まりＴａの場合は約１５ Ａ／Ｖ に相当す
る。陽極酸化膜としてはＴａの他にｔ Ａｔ 、 Ｔｉ
等でもよく、又、電、解液には非水溶媒系の無水エチレ
ングリコール等でも有効である。
次に発光層の原料には２η（０２Ｈ３）２とＴＯＭ、及
びＨ２Ｓを用いて上記基板上にｚｎｓ ： Ｍ？Ｚ膜を
形成した。第６図はその概要を示す。石英ガラス製の反
応管’ ６ 内に、ＳｉＣコートしたカーボンサセプタ
ー１７を置き、基板１８けその上に載せちれる。
びＨ２Ｓを用いて上記基板上にｚｎｓ ： Ｍ？Ｚ膜を
形成した。第６図はその概要を示す。石英ガラス製の反
応管’ ６ 内に、ＳｉＣコートしたカーボンサセプタ
ー１７を置き、基板１８けその上に載せちれる。
基板の加熱は赤外線ランプ１９により反応管の外部より
行い、導入口２０，２１．２２より、Ｈ２又は、Ｈｅを
キャリアーガスとして、Ｚｎ（Ｃ２Ｈ、）２． Ｔ （
！ Ｍ。
行い、導入口２０，２１．２２より、Ｈ２又は、Ｈｅを
キャリアーガスとして、Ｚｎ（Ｃ２Ｈ、）２． Ｔ （
！ Ｍ。
Ｈ２Ｓの蒸気を、全ガク流量４．５１／ｍｉｎ、濃度（
Ｚｎ（Ｃ！２）Ｉ、）、、： ５Ｘ１ ｏ−”ｍｏｌｅ
／ｌ、 ７０Ｍ３Ｘ１ ａ−８ｍｏｌｅ／ｌ。
Ｚｎ（Ｃ！２）Ｉ、）、、： ５Ｘ１ ｏ−”ｍｏｌｅ
／ｌ、 ７０Ｍ３Ｘ１ ａ−８ｍｏｌｅ／ｌ。
ＨｇＳ ： ２ Ｘ １ ａ−５ｍｏｌｔ／ｌ）で供給
する事により成長ζせた。基板温度は約４５０℃である
。約数分で３００ＯＡの均質で透明なＭｎ０．５重量係
を含む（１，１，１）配向したｃｕｂｉｃ Ｚ？１．５
）ＩＦが得られる。
する事により成長ζせた。基板温度は約４５０℃である
。約数分で３００ＯＡの均質で透明なＭｎ０．５重量係
を含む（１，１，１）配向したｃｕｂｉｃ Ｚ？１．５
）ＩＦが得られる。
原料としては上記例以外にも、ＺｎＢの場合、Ｚｎ（Ｃ
Ｈ３）２でもよく、ヌ、Ｈ２Ｓｅｆｒ用いればＺｎ５ｅ
も可能である。
Ｈ３）２でもよく、ヌ、Ｈ２Ｓｅｆｒ用いればＺｎ５ｅ
も可能である。
薄膜ＥＬ表示素子に於ては、絶縁層の厚ζけ、均質でピ
ンホールが無ければ、薄い程、発光層にかかる電界が強
くなり、駆動電圧の低下の点で有利であり、陽極酸化膜
の場合、薄くても良質の臆が得られるので１００ＯＡ以
下でも十分な耐圧特性ン・ ９− 持ち有効である。峙に非水溶媒（エチレングリコール等
）を用いると非常に平担な表面が得られ、ＭＯ−ＯＶＤ
の下地としては望ましい。
ンホールが無ければ、薄い程、発光層にかかる電界が強
くなり、駆動電圧の低下の点で有利であり、陽極酸化膜
の場合、薄くても良質の臆が得られるので１００ＯＡ以
下でも十分な耐圧特性ン・ ９− 持ち有効である。峙に非水溶媒（エチレングリコール等
）を用いると非常に平担な表面が得られ、ＭＯ−ＯＶＤ
の下地としては望ましい。
又、陽極酸化膜る金属けＴａ以外にもＡｔやＴｊでもよ
い。
い。
一方発光層のドーパントけＴＯＭ以外にも、Ｃ篤ｃｒ、
ｃｏ等の遷移金属カルボニル化合物をけじめフェロセン
等のメタロセンや希土類元素でもよい。
ｃｏ等の遷移金属カルボニル化合物をけじめフェロセン
等のメタロセンや希土類元素でもよい。
又、これら不純物の濃度は０１〜５重量係のレベルで有
効である。
効である。
又、発光層の形成にあたっては、ＺｎＢの場合、Ｚ？？
、（ＯＨ８）２とＨ２１１を用いてもほぼ同じ条件でよ
く、Ｈ２Ｓｅを用いてＺ？ＺＳｌｌ Ｋ しても同様の
条件で、良質の嘆が形成できる。
、（ＯＨ８）２とＨ２１１を用いてもほぼ同じ条件でよ
く、Ｈ２Ｓｅを用いてＺ？ＺＳｌｌ Ｋ しても同様の
条件で、良質の嘆が形成できる。
以上の実施例からも明らかな如く、本発明に基づく薄膜
ＥＬ表示パネルは、数１０Ｖと駆動電圧も低く、発光も
均一で、特に電圧輝変特性の安定性に優れ、エージング
によりほとんど変化しないものである。
ＥＬ表示パネルは、数１０Ｖと駆動電圧も低く、発光も
均一で、特に電圧輝変特性の安定性に優れ、エージング
によりほとんど変化しないものである。
１０−
これにより、フラットディスプレイとして、壁掛ｆｆ
Ｔ、 Ｖ、への利用けもちろん、各種端末の表示装置と
して、広く利用され、情報化社会に本発明の果す役割は
非常に大であると確信する。
Ｔ、 Ｖ、への利用けもちろん、各種端末の表示装置と
して、広く利用され、情報化社会に本発明の果す役割は
非常に大であると確信する。
第１図は二重絶縁構造薄膜ＥＬ表示パネルの基本構成を
示す。 第２図は従来のＭ工ＳＩ！１薄膜ＫＬ表示パネルの基本
構成を示す。 第３図は本発明の薄膜ＫＬパネルの基本構成を示す。 １・・ガラス基板 ２・・透明電極 ３・・第１の絶縁層 ４・・発光層 ５・・第２の絶縁層 ６・・Ａｔ電極 ７・・交流電源 ８・・発光層 ９・・Ｔα電極 １０・・陽極酸化膜 １１ ・ＭＯ−ＯＶＤ発光層 １２・・ＩＴＯ透明電極 １３・・発光第４図は、本発
明の薄膜ＫＬパネルの電圧−輝変特性を示す。 第５図は、本発明の薄ａ＝ Ｅ Ｌパネルの正弦波に対
する輝度の応答特性を示す。 １４・・輝窄−雷圧力−プ１５・・輝度−発光レベル１
６・・輝度の〃゛−クレペ ル７・・印加雪圧の信号 １８・・０レベル第６図は、
発光層の形成に用いたＭＯ−ＯＶＤシステムの基本構成
を示す。 １９・・赤外線炉 ２０．２１．２２・・ガヌ導入管 ２３・・石英ガラス反応管 ２４・・カーボンサセプター ２５・・基板 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最上 務 第３図 第２図 第４図 第６図 −に１１−
示す。 第２図は従来のＭ工ＳＩ！１薄膜ＫＬ表示パネルの基本
構成を示す。 第３図は本発明の薄膜ＫＬパネルの基本構成を示す。 １・・ガラス基板 ２・・透明電極 ３・・第１の絶縁層 ４・・発光層 ５・・第２の絶縁層 ６・・Ａｔ電極 ７・・交流電源 ８・・発光層 ９・・Ｔα電極 １０・・陽極酸化膜 １１ ・ＭＯ−ＯＶＤ発光層 １２・・ＩＴＯ透明電極 １３・・発光第４図は、本発
明の薄膜ＫＬパネルの電圧−輝変特性を示す。 第５図は、本発明の薄ａ＝ Ｅ Ｌパネルの正弦波に対
する輝度の応答特性を示す。 １４・・輝窄−雷圧力−プ１５・・輝度−発光レベル１
６・・輝度の〃゛−クレペ ル７・・印加雪圧の信号 １８・・０レベル第６図は、
発光層の形成に用いたＭＯ−ＯＶＤシステムの基本構成
を示す。 １９・・赤外線炉 ２０．２１．２２・・ガヌ導入管 ２３・・石英ガラス反応管 ２４・・カーボンサセプター ２５・・基板 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最上 務 第３図 第２図 第４図 第６図 −に１１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少なくとも一方が透明電極である対向する電極間に
、発光層と絶縁層を挾持し、該電極間に直流又は交流常
圧を引加してＥＬ発光を呈する薄膜ＥＬ素子に於て、絶
縁膜として金属薄膜の陽極酸化１Ｉｌｆ又、発光層とし
目−ＶＩ族半導体のＭＯ−ＯＶ Ｄ Ｉｆｆを用いた事
ｆ特徴とする薄膜ＥＬ表示パネル。 ２）ガラス某板上に、Ｔα、Ａｔ又けＴｉの金属薄膜、
及び該金属薄膜の一部を陽極酸化して得られる陽極酸化
膜、発光層、透明電極を形成した事を特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ表示パネル、 ３）発光層として、 Ｈ２Ｓ又けＨ２Ｓｅの■施水素化
物と、Ｚｎ（ＣＨ３）２又はｚｎ（ｃ２ａ、）２の有機
亜鉛化合物並びに少量の発光中心となるＭ７＋、、＋４
の有機化合物を同時に反応はせてなるＭ Ｏ−ＯＶ Ｄ
膜を用いた虞を特徴とする特許請求の範囲第１項ヌけ２
項記載の薄膜ＥＬ表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070562A JPS60216497A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070562A JPS60216497A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216497A true JPS60216497A (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=13435095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070562A Pending JPS60216497A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216497A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145694A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
| JPH04184893A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562692A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electric field light emitting unit |
| JPS55132046A (en) * | 1979-03-31 | 1980-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of high density poly-crystal |
| JPS58165386A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hiroshi Kukimoto | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP59070562A patent/JPS60216497A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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