FI78211B - Elektroluminescensanordning och foerfarande foer dess tillverkning. - Google Patents

Description

7821 1

Elektroluminoiva laite ja menetelmä sen valmistamiseksi Tämä keksintö koskee menetelmää elektroluminoivan paneelin valmistamiseksi, jossa menetelmässä seostettua sinkkikalkoge-nidiä oleva loisteainekalvo kerrostetaan valoa läpäisevää elektrodia kannattavan alustan pinnalle, sekä tällaista paneeli rakennetta .

Jo pitkähkön ajan on esiintynyt paljon kiinnostusta elektro-luminoiviin laitteisiin, jotka perustuvat lisäainetta sisältävää sinkkikalkogenidia olevaan loistoaineeseen, erikoisesti mangaanipitoiseen sinkkisulfidiaineeseen, käytettäväksi laajapintaisissa yhdistelmänäytöissä. Useita erilaisia yrityksiä tämäntyyppisten tehokkaiden laitteiden valmistamiseksi on tehty käyttämällä joko jauhemaisia tai ohutkalvoloisteaineita. Viitaten esimerkiksi seuraaviin; Vecht et ai, J. Phus D, 2 (1969) 671 ja Inoguchi et ai, SID Int Symp Dig, 5 (1974) 84. Kuitenkin monissa sovellutuksissa, kuten ohjaamon näytöissä, auton mittaritaulunäytöissä ja sentapaisissa tällaisten laitteiden valotiheys, kestoikä tai hinta ei ole vielä osoittautunut täysin tyydyttäväksi.

Mangaanipitoista sinkkikalkogenidiä olevien loisteaineiden ohut polykiteinen kalvo on valmistettu käyttäen suurtaajuus-(rf-)ruiskutusta. Tämän menetelmän tavanmukaisessa sovellutuksessa loisteaine kerrostetaan kuumennetun aluslevyn päälle suurtaajuisessa sähkökentässä käyttämällä joko loisteaineen jauhetta tai sen kuumapuristettua kiinteää kohde-elektrodia pienpaineisesea inertissä kaasukehässä, tavallisesti argon-kaasukehässä. Suurtaajuusruiskutus on teollisesti hyvin suosittu ohuiden kalvojen kerrostusmenetelmänä. On kuitenkin todettu, että tehokkaasti luminoivien ohuiden ZnS:Μη-kalvojen valmistuksessa rf-ruiskutus on tyydyttävä ainoastaan silloin, kun sitä seuraa kuumennus korkeassa lämpötilassa. Esimerkiksi /ka. julkaisua: Cattell et ai, Thin Solid Films 92 (1982) 211-2177 on äskettäin osoitettu, että katodiluminesenssiherä- 2 78211 tyksessä piialuslevyille tavanmukaisesti rf-ruiskutuksella valmistettujen ohuiden loisteainekalvojen kyllästysvalotiheyttä voidaan lisätä kerrostuksen jälkeen suoritetulla kuumennus-käsittelyllä. Kuten on selostettu, useita erilaisia loiste-ainenäytteitä käsiteltiin kohottamalla aluslevyn lämpötila vastaavasti johonkin huippulämpötiloista 400, 500, 600 ja 700°C ja pitämällä kukin näyte huippulämpötilassa pitkähkön ajan, tavallisesti 1/2 tuntia, ennen kuin kunkin näytteen annettiin jäähtyä. Kuumennus suoritettiin vastusuunissa jatkuvasti vir-taavassa argonkaasukehässä. Ilmoitetut tulokset osoittavat, että tämän kerrostusta seuraavan kuumennuskäsittelyn ansiosta kyllästysvalotiheys suurenee asteittain kohoavan lämpötilan mukana ainakin lämpötilaan 700°C saakka, jolloin huomattava valotiheyden lisäys saavutetaan lämpötila-alueella 600-700°C.

Valitettavasti tällainen kerrostusta seuraava lämpökäsittely ei ole kuitenkaan helposti sovellettavissa elektroluminesoi-van paneelin valmistukseen. Tällaiset paneelit sisältävät valoaläpäiseviä elektrodirakenteita, esim. tinaoksidi-, indium-tinaoksidi- tai kadmiumstannaattimateriaalia olevia elektrodeja. Nämä elektrodimateriaalit voivat tulla yhä pysymättö-mimmiksi, kun ne alistetaan pitkäaikaiseen käsittelyyn korkeissa lämpötiloissa, esim. lämpötiloissa yli 400°C. Lisäksi eräiden aluslevyjen lasinpehmenemislämpötila voi olla sellainen, että se rajoittaa käsittelylämpötilan arvoon 450°C.

Ratkaisu valmistaa halpa erittäin tehokkaasti luminesoiva

ZnS:Mn-kalvo ei ole itsessään riittävä halvan elektrolumine- soivan laitteen valmistuksen onnistumiseksi. Tällainen laite 2 edellyttää suurten virtojen (iN'/A/cm , esimerkiksi pienitehoisten syklisten pulssien) hajottamatonta kulkua luminesoivan kalvon läpi, ja t.austatekniikka käsittää useita osittain menestyksellisiä järjestelmiä tämän aikaansaamiseksi. Useissa tapauksissa liuoksen ZnS-materiaaliin on lisätty kuparia, mutta CuxS-yhdisteen luontainen epästabiliteett.i lämpötiloissa yli 60°C on johtanut pitkäaikaisiin hajaantumisvaikutuksiin.

3 78211

Toisissa tapauksissa kuparia on vältetty rajoittamalla automaattisesti suurien virtojen hajottavuutta käyttämällä kapa-sitiivista kytkentää, jossa aktiivinen ZnS:Mn-kalvo viedään ympäröivien eristyskerrosten läpi kulkevalla virralla. Nämä eristimet päästävät läpi ainoastaan siirrosvirtoja, jotka vähenevät hyvin pieniksi ennen kuin ZnS-kalvon hajoaminen tulee tuhoisaksi. Tämä kapasitiivinen kytkentämenettely (josta yleisesti käytetään merkintää <'AC'> edellyttää epämukavan suuren vaihtovirtajännitteen käyttöä, mikä aiheuttaa suuria kustannuksia.

Parempi ratkaisu on käyttää suoraa kytkentää ja kamppailla

ZnS-yhdisteen luontaista pyrkimystä vastaan hajota tuhoavasti.

Hanak ^Japan J Appi Phys Suppl 2, Pt 1 ( 1974) 809-812./ on osoittanut, että suuren vastuksen omaavan virtaarajoittavan rf-ruiskutetun kerametallikalvon käyttö loisteainekalvon ja taustaelektrodin välissä lisää stabiliteettia rajoituskerrok- 2 sessa esiintyvien huomattavien I R-häviöiden kustannuksella, mikä johtaa jälleen käyttöjännitteen tarkastukseen ja tehohäviöihin.

Seuraavassa selostetun keksinnön tarkoituksena on parantaa loisteainekalvon kerrostustekniikkaa, joka on sovellettavissa ohutkalvoisten elektroluminoivien paneelien valmistukseen, jossa on varauduttu tehokkaiden poisteainekalvojen kerrostamiseen turvautumatta liian korkeisiin kuumennuslämpötiloihin. Lisäksi menetelmän mukaan valmistetuilla rakenteilla on luontainen toleranssi suurten virtapulssien suhteen, mikä sallii pienempää virtaa rajoittavien materiaalien käytön ja siitä johtuen käyttöjännitteen alentamisen sekä hyötysuhteen lisäämisen .

Keksinnön mukaan aikaansaadaan elektroluminoivan paneelin valmistusmenetelmä, jossa mainittu kerrostua suoritetaan vety- pitoisessa kaasukehässä ja että kalvon kerrostuksen jälkeen o

kalvoa kannattavan alustan lämpötila kohotetaan arvoon 450 C

7821 1 4 tai sen yläpuolelle tyhjössä tai epäreaktiivisessa kaasukehässä ja alusta jäähdytetään sitten välittömästi nopeudella, o joka on suurempi kuin 5 C minuutissa.

On todettu, että edellä selostetulla menetelmällä valmistetussa paneelissa esiintyy valotiheyden lisäys, joka on saavutettavissa toimintaolosuhteissa. Todiste tästä parannuksesta on esitetty seuraavassa selostuksessa.

Kerrostua voidaan suorittaa esimerkiksi rf-ruiskutuksella käyttäen kohteena lisäainetta sisältävää sinkkikälkogenidima-teriaalia jauheen tai kuumapuristetun jauheen muodossa. Vaihtoehtoisesti voidaan samanaikaisesti käyttää kohteita, jotka ovat sinkkikalkokgenidiä ja mangaanin ja/tai harvinaisten maameta11ien kalkogenidejä.

Optimaalinen jäähdytysnopeus, kuten edellä on mainittu, riippuu loisteaineen lajista sekä myös kannattavan aluslevyn koosta ja materiaalista. Valmistettaessa mangaanipitoista sinkkisulfidia olevan ohutkalvon käsittävää paneelia, joka sisältää kvartsia tai borosi1ikaattilas ia olevan kannattavan o aluslevyn, jäähdytysnopeus, joka on enemmän kuin 5 C minuu- o tieea, ja tavallisesti välillä 10-20 C minuutissa, osoittautuisi normaalisti hyväksyttäväksi.

On havaittu, että kerrostuksen jälkeinen pitkäaikainen lämpökäsittely, jollainen on tyypillistä tavanmukaisessa kuumennus-käsittelyssä, aiheuttaa sen parannetun ky1lästysvalotiheyden pienenemisen, joka saaavutetaan keksinnön mukaista menetelmää käyttämällä. Keksinnön mukaisessa menetelmässä lämpökäsittely suoritetaan kuitenkin niin nopeasti, että tällainen pieneneminen vältetään, samalla kun menetelmä tekee mahdolliseksi kalvon lujituksen paneelin valotiheyden ja stabiliteetin parantamiseksi.

5 78211

Laitteessa, joka toimii suurilla tasavirtapulsseilla, tarvitaan lisäksi virrantiheyttä rajoittava kalvo. Tämä kalvo voi olla pienen vastuksen omaavaa kerametallimateriaalia, esimerkiksi suurtaajuudella ruiskutettua silika/nikkeliseosta, tai vaihtoehtoisesti se voi olla tasavirralla tai suurtaajuudella ruiskutettua amorfista silikaa.

Keksinnön mukaisen menetelmän toteutuksen selittämiseksi viitataan seuraavassa elektroluminesoivaan paneeliin, jonka yksinkertaistettu poikkileikkaus on esitetty oheisen piirustuksen kuviossa 1.

Paneeli käsittää valoaläpäisevän aluslevyn 1, joka kannattaa kahta liitäntävastekerrosta 3, joissa kummassakin on pienen vastuksen omaava kontakti 5. Aluslevy 1 kannattaa myös valoa-läpäisevää elektrodirakennetta 7, joka on päällystetty ohuella loisteainekalvolla 9. Elektrodirakenne 7 on yhteydessä toiseen mainituista kahdesta liitäntävastekerroksesta 3, ja loisteaine-kalvo 9 on tuettu vastusmateriaalia olevalla peittävällä ohuella kalvolla ja edelleen elektrodirakenteella 13. Tämä elektrodirakenne ulottuu kosketuksiin toisen liitäntävaste-kerroksen 3 kanssa.

Tämä paneeli valmistetaan suorittamalla seuraavat työvaiheet: (a) Valoaläpäisevää materiaalia, esim. kvartsia tai borosili-kaattilasia oleva puhdas aluslevy 1 varustetaan kahdella erillisellä metallisella liitäntävastekerroksella 3. Kummassakin liitäntävastekerroksessa 3 on pienen vastuksen omaava kontakti 5, joka on muodostettu juottamalla tai sidoksen avulla. Sopiva vastekerros voidaan muodostaa kerrostamalla ensin kromia oleva 150 A paksu ymppäyskerros ja sen jälkeen kultakerros, jonka paksuus on välillä 0,5-1 ^um. Tällöin kullankerrostusvaihe suoritetaan ennen kuin krominkerrostus on päättynyt, niin että hyvin sidottu rakenne saadaan aikaan.

(b) Suuren sähkönjohtokyvyn omaavaa materiaalia oleva optisesti läpäisevä elektrodi 7 kerrostetaan sen jälkeen aluslevyn 1 6 78211 päälle siten, että se osittain peittää toisen liitäntävaste-kerroksista 3 tehden kontaktin sen kanssa. Vaikka tämä elektrodi 7 voi olla mitä sellaista materiaalia tahansa, joka omaa sopivat sähköiset ja optiset ominaisuudet, eräs aine, jonka on todettu omaavan vaaditut ominaisuudet, on kadmium-stannaatti kerrostettuna ja optimoituna menetelmillä, jotka on selostettu GB-patentissa 1 519 733. Kadmiumstannaatin kerrospaksuus 3500 A on sopiva.

(c) Aluslevy 1 asetetaan sen jälkeen metallinruiskutuskammioon, jota pumputaan nestetyppiloukulla varustetulla diffuusiopum- -7 pulla, joka kykenee saavuttamaan alueella 3 x 10 torria olevan paineen. Aluslevyä kuumennetaan sen jälkeen 30 minuutin ajan lämpötilassa 400°C käyttäen jodikvartsilamppukuumentimia. Vaikka tämä prosessin vaihe voidaan suorittaa tyhjössä, on todettu edulliseksi viedä kammioon vetypitoinen kaasukehä ennen kuumennusta. Tämän on havaittu lisäävän prosessin toistettavuutta ja siten edelleen parantavan tuotosta. Sen vuoksi on sopivaa viedä ruiskutuskaasukehä tässä prosessin aikaisemmassa vaiheessa, kuten alempana selostetaan. Elektrolumine-soiva kalvo 9 kerrostetaan sen jälkeen elektrodikalvon 7 päälle suurtaajuusruiskutusta käyttäen pitämällä aluslevy 1 lämpötilassa 200°C. Ruiskutuskohteena, josta ohut kalvo 9 kerrostetaan, on 0,6 mooli-% mangaania sisältävä erittäin puhdas 3 sinkkisulfidi, joka on kuumapuristettu tiheyteen noin 3,3 g/cm ja sidottu vesijäähdytetyn kohteen päällä olevaan metalliin. Ruiskutuskaasukehänä on 90%/10% argon/vetyseos paineessa 4,4-4,6 x 10 torria. Kalvon 9 paksuus valitaan soveltuvaksi toimintajännitteen asettamiin vaatimuksiin. Tyypillinen pak-suusarvo on 1 ^um ja kerrostamisnopeus välillä 80-100 A/min. Vaikka edellä selostetussa laitteessa on käytetty loisteainetta ZnS(Mn), ei laitteen geometria eivät valmistusvaiheet estä muiden sopivien sinkkikalkonidiloisteaineiden tai harvinaista maametallia olevien lisäaineiden käyttöä.

Kasvavan loisteainekalvon stökiometrian ja sen lisäainetason määräävät jälleenyhdist.ymisvaikutukset aluslevyllä, ja ne 7 78211 liittyvät kriittisesti aluslevyn lämpötilaan. Kalvon koostumukseen voi myös vaikuttaa kohteen pintalämpötila, ja on suoritettava vaiheita tämän parametrin kontrolloimiseksi tietyllä tehotasolla varmistaen, että kohteen takaosa pidetään jäähdytysveden lämpötilassa. Muuttumatonta ja parannettua lämmön-johtokykyä varten koko rajapinnassa kohteen ja vesijäähdytetyn kohde-elektrodin välillä voi olla tarpeen käyttää kaksikompo-nenttista hartsisideainetta, joka on oikein formuloitu tyhjö-käyttöä varten, kohteen ja elektrodin etupinnan välillä. ZnS-kohteen tiheysarvo on jo edellä mainittu. Kuitenkin on tähdennettävä sitä, että arvo, joka on suurempi kuin 90 % teoreettisesta tiheydestä, on aina edullinen kohteen suuren kaasupitoisuuden reaktiivisten tai muiden vaikutusten vähentämiseksi .

(d) Loisteainekerroksen 9 kerrostamisen jälkeen sen stabiliteettia ja luminesointiominaisuuksia optimoidaan edelleen lämpökäsittelyllä. Tämä lämpökäsittely suoritetaan pienen termisen kapasiteetin omaavassa putkiuunissa, niin että saavutetaan suhteellisen nopea kuumennus ja suhteellisen suuri jäähdytysnopeus, joka on alueella 10-20°C minuutissa. Jäähdytystä avustetaan lisäämällä argonin virtausta aluslevyn 1 yli. Menettely on olennaisesti sellainen, että aluslevyn lämpötila kohotetaan valittuun arvoon, minkä jälkeen suoritetaan nopea jäähdytys. Valitun lämpötilan määräävät aluslevyn materiaaliin ja aikaisempaan käsittelyyn liittyvät tekijät, mutta tyypillinen arvo on kuitenkin 450°C. Vaihtoehtoisesti lämpökäsittely voidaan suorittaa jossakin muussa inertissä eli reagoimattomassa kaasukehässä tai tyhjössä välittömästi loisteaine-kalvon 9 kerrostamisen jälkeen valmistusajan siten lyhentämiseksi .

(e) Lämpökäsittelyn jälkeen aluslevyn 1 valitut alueet päällystetään kerametallikalvokerroksella 11. Esitetyssä laitteessa kerametallikerros 11 on silika/nikkelimateriaalia ja kerrostetaan silikasta ja nikkelistä koostuvasta ruiskutuskohteesta, 8 78211 jonka pinta sisältää 20 % nikkeliä. Kerametallikerroksen paksuus valitaan haluttujen suoritusominaisuuksien mukaan.

Tyypillinen paksuus on 8000 A kerrostettuna nopeudella 120-180 A minuutissa. Kerametallin etuna on lisäksi se, että se on väriltään musta, aikaansaaden siten suuren optisen kontrastin loisteainekerroksen 9 valoasäteileviin alueisiin verrattuna. Laitteen muoto ei kuitenkaan estä myös muiden koostumusten tai muiden suhteellisten määrien omaavien kera- metallien käyttöä, mikäli jänniteenalenema virta-arvolla 2 IA/cm ei ylitä arvoa 10 mV.

(f) Laitteen saattamiseksi valmiiksi metallikalvo 13, joka sopivimmin voi olla alumiinia paksuuden ollessa välillä 2000-6000 A, kerrostetaan tyhjössä siten, että se peittää limittäin kerametallikalvon ja tekee kontaktin toisen liitäntä-vastepinnan 3 kanssa.

Edellä selostetussa prosessissa amorfinen piikalvo voidaan kerrostaa kerametallikalvon 11 sijasta. Tämä kalvo voidaan samoin kerrostaa tasavirta- tai suurtaajuusruiskutuksella.

Mangaanipitoisia sinkkisulfidiloisteainekalvoja, jotka oli kerrostettu suurtaajuusruiskutusta käyttäen vetypitoisessa argonkaasukehässä, on koestettu käyttäen sykkivää katodilumi-nesenssiherätystä. Saadut tulokset on esitetty seuraavassa taulukossa ja niitä on verrattu tuloksiin, jotka on saatu tavanmukaisessa argonkaasukehässä suurtaajuusruiskutuksella kerrostetuista lämpökäsitellyistä kalvoista. Kaikissa tapauksissa kalvot kerrostettiin yksikiteisen pii-aluslevyn päälle.

Taulukko

Kaasukehä Käsittelylämpötila Kyllästysvalotiheys (rf-ruiskutus) (°C) (suhteellisina yk- _ _ sikköinä)_

Argon/vet.y - 1

Argon 700 1 " 600 0,53 500 0,37 " 400 0,22 " - 0,1 9 78211

Kuten näistä tuloksista ilmenee, tälle kalvolle saatu kylläs-tysvalotiheys on 10 kertaa suurempi kuin tavanmukaiselle ruiskuttamalla kerrostetulle kalvolle saatu, ja on verrattavissa siihen, joka on saatu lämpötilaan 700°C kuumentamisen jälkeen.

On huomattava, että kalvonäytteissä, jotka on saatu rf-ruis-kuttamalla vetypitoisessa kaasukehässä kuten edellä, esiintyy huomattavaa valotiheyden vähenemistä, jos näytteitä on kuumennettu pitkiä aikoja yli 200°C lämpötilassa. Edellyttäen kuitenkin, että lämpökäsittelyt suoritetaan suhteellisen nopeasti, kuten edellä on selostettu, tämä huomattava väheneminen voidaan välttää.

Ne parannukset hyötysuhteen, valotiheyden ja kestoiän suhteen, jotka saavutetaan keksinnön mukaisella menetelmällä, on selostettu seuraavassa: Näyte 37B: 1 ^um paksu ZnS:Mn-kalvo kadmiumstannaattielektro- dia kannattavan aluslevyn päällä, kuumennettu maksimilämpötilaan 550°C ja jäähdytetty nopeasti. Valitut alueet päällystetty 0,8 ^um paksulla kerametallikalvolla (nimellisesti 20 % Ni piidioksidissa).

Jatkuva tasavirtatoiminta (kerametallista vapaat alueet): 2 0,265 sb arvoilla 96 V, 8 mA/cm . Hyötysuhde 0,02 % (watti/ watti).

Sykkivä toiminta (simuloitu 100 rivin matriisi, kerametalli mukana): 0,089 sb arvoilla 98 V, 400 mA/cm^, 1 % toimintajaksoa 10 ^us pulssein.

Kestoikäkoe (mainituissa sykintäolosuhteissa, kerametalli mukana): 0,089 —y 0,043 sb 1000 tunnin aikana.

Claims (16)

10 7821 1

1. Menetelmä elektroluminoivan paneelin valmietamieekei, jossa menetelmässä seostettua sinkkikalkogenidiä oleva lois-teainekalvo kerrostetaan valoa läpäisevää elektrodia kannattavan alustan pinnalle, tunnettu siitä, että tämä kerrostua suoritetaan vetypitoisessa kaasukehässä ja että kalvon ker- rostuksen jälkeen kalvoa kannattavan alustan lämpötila koho- o tetaan arvoon 450 C tai sen yläpuolelle tyhjössä tai epäreak- tiiviseesa kaasukehässä ja alusta jäähdytetään sitten välit- o tömäeti nopeudella, joka on suurempi kuin 5 C minuutissa.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että alusta valmistellaan kuumentamalla vetypitoisessa kaasukehässä .

3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrostua suoritetaan vetypitoisessa argonkaasuke-hässä.

4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että argonin ja vedyn suhteelliset osuudet ovat vastaavasti likimain 90 % ja 10 X.

5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sinkkikalkogenidinä on sinkkisulfidi.

6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrostua suoritetaan suurtaajuussputteroinni1la käyttäen kohtiona seostettua sinkkikalkogenidimateriaalia.

7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kerrostua suoritetaan suurtaajuussputteroinni1la käyttäen kohtiomateriaaleina sinkkikalkogenidiä sekä seosaine-lähteenä mangaanin tai jonkin harvinaisen maametallin kalko-genidiä. H 78211

6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että valoa läpäisevä elektrodi on kadmiumstannaattima-teriaalia.

9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että valoa läpäisevä elektrodi on tinaoksidia.

10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että valoa läpäisevä elektrodi on indiumtinaoksidia.

11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kalvoa kannattavaa alustaa jäähdytetään nopeudel- o la, joka on välilä 10-20 C minuutissa.

12. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu o siitä, että kohotettu lämpötila on alueella 450-550 C.

13. Ohutkalvolla varustettu elektroluminoiva paneeli, jossa seostettua sinkkikalkogenidiä oleva loisteainekalvo (9) on kerrostettu valoaläpäisevää elektrodia (7) kannattavan alustan (1) pinnalle, tunnettu siitä, että tämä kerrostus on suoritettu vetypitoisessa kaasukehässä, että kalvon (9) ker- rostuksen jälkeen kalvoa kannattavan alusta lämpötila on ko- o hotettu arvoon 450 C tai sen yläpuolelle tyhjössä tai epä- reaktiivieessa kaasukehässä ja alusta on jäähdytetty sitten o välittömästi nopeudella, joka on suurempi kuin 5 C minuutissa ja että paneeli sisältää taustaelektrodirakenteen (13) sekä virtaa rajoittavan vastuskerroksen (11) sijoitettuna kalvon ja tämän taustaelektrodirakenteen väliin.

14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen paneeli, tunnettu siitä, että vastuskerros (11) on amorfista piimateriaalia.

15. Patenttivaatimuksen 13 mukainen paneeli, tunnettu siitä, että vastuskerroksena (11) on silika/nikkeli-kerame-tallikalvo, joka nimellisesti sisältää 20 X nikkeliä piidioksidissa . 12 7821 1