JPH05226075A - 酸化物透明導電膜を有する電子素子 - Google Patents
酸化物透明導電膜を有する電子素子Info
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- JPH05226075A JPH05226075A JP4269731A JP26973192A JPH05226075A JP H05226075 A JPH05226075 A JP H05226075A JP 4269731 A JP4269731 A JP 4269731A JP 26973192 A JP26973192 A JP 26973192A JP H05226075 A JPH05226075 A JP H05226075A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物透明導電膜の劣化、特に、高抵抗化を
抑制すること。 【構成】 薄膜ＥＬディスプレイ素子１００のガラス基
板１１上には可視光に対して透明なＩＴＯ透明導電膜か
ら成る透明電極１２が形成されている。その上にはＳi
Ｎxで表されるシリコン窒化物から成る透明な酸素拡散
防止層１３、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物から成る第１絶縁
層１４、Ｔb,Ｏ,Ｆが添加されたＺnＳから成る発光層１
５、ＳiＮxから成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3
混合物から成る第２絶縁層１７及びＡl から成る背面電
極１９が順次積層され形成されている。このように、透
明電極１２と第１絶縁層１４との間には酸素拡散防止層
１３が形成されている。従って、この酸素拡散防止層１
３により第１絶縁層１４の酸素が透明電極１２中に拡散
することが阻止され、透明電極１２の高抵抗化が抑制さ
れ絶縁破壊や輝度ムラ等の発生がなくなる。
抑制すること。 【構成】 薄膜ＥＬディスプレイ素子１００のガラス基
板１１上には可視光に対して透明なＩＴＯ透明導電膜か
ら成る透明電極１２が形成されている。その上にはＳi
Ｎxで表されるシリコン窒化物から成る透明な酸素拡散
防止層１３、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物から成る第１絶縁
層１４、Ｔb,Ｏ,Ｆが添加されたＺnＳから成る発光層１
５、ＳiＮxから成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3
混合物から成る第２絶縁層１７及びＡl から成る背面電
極１９が順次積層され形成されている。このように、透
明電極１２と第１絶縁層１４との間には酸素拡散防止層
１３が形成されている。従って、この酸素拡散防止層１
３により第１絶縁層１４の酸素が透明電極１２中に拡散
することが阻止され、透明電極１２の高抵抗化が抑制さ
れ絶縁破壊や輝度ムラ等の発生がなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池などの光電変
換デバイスやＥＬ（Electroluminescence)ディスプレ
イ、ＴＦＴ−ＬＣＤ（Thin Film Transistor-Liquid Cr
ystal Display)に用いられている酸化物透明導電膜を有
する電子素子に関する。
換デバイスやＥＬ（Electroluminescence)ディスプレ
イ、ＴＦＴ−ＬＣＤ（Thin Film Transistor-Liquid Cr
ystal Display)に用いられている酸化物透明導電膜を有
する電子素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、酸素空孔を有する酸化物透明導電膜
である例えば、ＩＴＯ(Indium TinOxide)透明導電膜は
太陽電池等の光電変換デバイスやＥＬディスプレイ、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイで透明電
極として広く用いられておりこれらの製品を構成するう
えで必要不可欠なものとなっている。この一例として、
図２に薄膜ＥＬディスプレイ素子の断面模式図を示した
ように、その使用にあたっては、ＩＴＯ透明導電膜と酸
化物絶縁膜とが直接接触するような構造が通常用いられ
ている。この理由としては、酸化タンタル(Ｔa2Ｏ5）等
の酸化物絶縁膜は比誘電率が大きくその上に隣接して形
成される発光層に蓄積される電荷を多くでき印加される
電圧に対する発光輝度を高くできることがあげられる。
ガラス基板１１上には、ＩＴＯ透明導電膜から成る透明
電極１２、酸化タンタル(Ｔa2Ｏ5）等から成る第１絶縁
層１４、蛍光体から成る発光層１５、第２絶縁層１６，
１７が順次積層され、更に、その上に背面電極１９が形
成されている。上記ＩＴＯ透明導電膜は酸化インジウム
(Ｉn2Ｏ3）に錫（Ｓn)をドープした透明の導電膜で、低
抵抗であることから透明電極として広く利用されてい
る。発光層１５としては、例えば、硫化亜鉛(ＺnＳ）を
母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)やテルビ
ウム（Ｔb)、酸素（Ｏ）、フッ素（Ｆ）等を添加したも
のが使用されている。ＥＬ発光による発光色はＺnＳ 中
の添加物の種類によって決定され、例えば、発光中心と
してＭn を添加した場合にはアンバー、Ｔb,Ｏ，Ｆを添
加した場合にはグリーンの発光を得ることができる。
である例えば、ＩＴＯ(Indium TinOxide)透明導電膜は
太陽電池等の光電変換デバイスやＥＬディスプレイ、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイで透明電
極として広く用いられておりこれらの製品を構成するう
えで必要不可欠なものとなっている。この一例として、
図２に薄膜ＥＬディスプレイ素子の断面模式図を示した
ように、その使用にあたっては、ＩＴＯ透明導電膜と酸
化物絶縁膜とが直接接触するような構造が通常用いられ
ている。この理由としては、酸化タンタル(Ｔa2Ｏ5）等
の酸化物絶縁膜は比誘電率が大きくその上に隣接して形
成される発光層に蓄積される電荷を多くでき印加される
電圧に対する発光輝度を高くできることがあげられる。
ガラス基板１１上には、ＩＴＯ透明導電膜から成る透明
電極１２、酸化タンタル(Ｔa2Ｏ5）等から成る第１絶縁
層１４、蛍光体から成る発光層１５、第２絶縁層１６，
１７が順次積層され、更に、その上に背面電極１９が形
成されている。上記ＩＴＯ透明導電膜は酸化インジウム
(Ｉn2Ｏ3）に錫（Ｓn)をドープした透明の導電膜で、低
抵抗であることから透明電極として広く利用されてい
る。発光層１５としては、例えば、硫化亜鉛(ＺnＳ）を
母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)やテルビ
ウム（Ｔb)、酸素（Ｏ）、フッ素（Ｆ）等を添加したも
のが使用されている。ＥＬ発光による発光色はＺnＳ 中
の添加物の種類によって決定され、例えば、発光中心と
してＭn を添加した場合にはアンバー、Ｔb,Ｏ，Ｆを添
加した場合にはグリーンの発光を得ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造の薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子を作成し発光させたところ、発光開始
電圧が高く発光開始後充分な輝度が得られないうちに絶
縁破壊を生じるものがあった。又、同じく薄膜ＥＬディ
スプレイ素子を用いてＸ−Ｙドットマトリックス表示器
を作成したところ、輝度ムラの発生やフレーム周波数を
高くするにつれて輝度が低下しやがて発光しなくなると
いった問題があった。発明者らは、上述の問題について
原因を究明するために、以下のような仮定に基づき鋭意
実験研究を重ねた。 −仮定− 薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造工程において、ＩＴＯ
透明導電膜上の酸化物絶縁層の酸素の一部が遊離する。
この遊離した酸素が薄膜ＥＬディスプレイ素子製造工程
のプロセスにて加えられる熱によってＩＴＯ透明導電膜
中に拡散する。このためＩＴＯ透明導電膜の導電機構の
源である酸素空孔を埋めてしまうことによりＩＴＯ透明
導電膜のキャリヤ濃度を減少させＩＴＯ透明導電膜を高
抵抗化させている。このＩＴＯ透明導電膜の高抵抗化に
より上述の問題が生じている。
ディスプレイ素子を作成し発光させたところ、発光開始
電圧が高く発光開始後充分な輝度が得られないうちに絶
縁破壊を生じるものがあった。又、同じく薄膜ＥＬディ
スプレイ素子を用いてＸ−Ｙドットマトリックス表示器
を作成したところ、輝度ムラの発生やフレーム周波数を
高くするにつれて輝度が低下しやがて発光しなくなると
いった問題があった。発明者らは、上述の問題について
原因を究明するために、以下のような仮定に基づき鋭意
実験研究を重ねた。 −仮定− 薄膜ＥＬディスプレイ素子の製造工程において、ＩＴＯ
透明導電膜上の酸化物絶縁層の酸素の一部が遊離する。
この遊離した酸素が薄膜ＥＬディスプレイ素子製造工程
のプロセスにて加えられる熱によってＩＴＯ透明導電膜
中に拡散する。このためＩＴＯ透明導電膜の導電機構の
源である酸素空孔を埋めてしまうことによりＩＴＯ透明
導電膜のキャリヤ濃度を減少させＩＴＯ透明導電膜を高
抵抗化させている。このＩＴＯ透明導電膜の高抵抗化に
より上述の問題が生じている。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、酸化物透
明導電膜を有する電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ
素子等の製造工程において、酸化物透明導電膜の高抵抗
化を抑制することにより絶縁破壊や輝度ムラ等の発生が
ない高品質の薄膜ＥＬディスプレイ素子等を提供するこ
とである。
されたものであり、その目的とするところは、酸化物透
明導電膜を有する電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ
素子等の製造工程において、酸化物透明導電膜の高抵抗
化を抑制することにより絶縁破壊や輝度ムラ等の発生が
ない高品質の薄膜ＥＬディスプレイ素子等を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、酸化物透明導電膜に隣接して酸化物絶
縁層を形成する電子素子であって、前記酸化物透明導電
膜と前記酸化物絶縁層との間に透明な酸素を遊離し難い
酸素拡散防止層を形成したことを特徴とする。
の発明の構成は、酸化物透明導電膜に隣接して酸化物絶
縁層を形成する電子素子であって、前記酸化物透明導電
膜と前記酸化物絶縁層との間に透明な酸素を遊離し難い
酸素拡散防止層を形成したことを特徴とする。
【０００６】
【作用及び効果】酸化物透明導電膜と酸化物絶縁層との
間には透明な酸素を遊離し難い酸素拡散防止層が形成さ
れている。この酸素拡散防止層により酸化物絶縁層の酸
素が酸化物透明導電膜にて形成された電子素子の電極中
に拡散することが阻止される。これにより、酸化物透明
導電膜の高抵抗化が抑制される。従って、酸化物絶縁層
との間に酸素拡散防止層を形成した酸化物透明導電膜を
例えば、電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ素子に用
いた場合には電源側との接点に近い発光層と離れた発光
層とに印加される電圧の差が小さくできるので、発光層
の輝度ムラを少なくすることができる。又、同様の構成
により、例えば、ドットマトリックス状の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子を作成した場合には抵抗と容量とに起因す
る電圧の立ち上がり時定数が小さくなるため素子を駆動
するフレーム周波数を上げることができる。このため、
大面積のドットマトリックス形ＥＬディスプレイパネル
の実現も可能である。
間には透明な酸素を遊離し難い酸素拡散防止層が形成さ
れている。この酸素拡散防止層により酸化物絶縁層の酸
素が酸化物透明導電膜にて形成された電子素子の電極中
に拡散することが阻止される。これにより、酸化物透明
導電膜の高抵抗化が抑制される。従って、酸化物絶縁層
との間に酸素拡散防止層を形成した酸化物透明導電膜を
例えば、電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ素子に用
いた場合には電源側との接点に近い発光層と離れた発光
層とに印加される電圧の差が小さくできるので、発光層
の輝度ムラを少なくすることができる。又、同様の構成
により、例えば、ドットマトリックス状の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子を作成した場合には抵抗と容量とに起因す
る電圧の立ち上がり時定数が小さくなるため素子を駆動
するフレーム周波数を上げることができる。このため、
大面積のドットマトリックス形ＥＬディスプレイパネル
の実現も可能である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。実施例１ 図１は本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素子
である薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の断面構成を示
した模式図である。ガラス基板１１上には可視光に対し
て透明な酸化物透明導電膜であるＩＴＯ透明導電膜から
成る透明電極１２が形成されている。その上には、窒化
物でありＳiＮxの化学式で表されるシリコン窒化物から
成る透明な酸素拡散防止層１３、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る第１絶縁層１４、Ｔb,Ｏ，Ｆが添加されたＺ
nＳから成る発光層１５、ＳiＮxの化学式で表されるシ
リコン窒化物から成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ
3 混合物から成る第２絶縁層１７及びＡl から成る背面
電極１９が順次積層され形成されている。
明する。実施例１ 図１は本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素子
である薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の断面構成を示
した模式図である。ガラス基板１１上には可視光に対し
て透明な酸化物透明導電膜であるＩＴＯ透明導電膜から
成る透明電極１２が形成されている。その上には、窒化
物でありＳiＮxの化学式で表されるシリコン窒化物から
成る透明な酸素拡散防止層１３、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る第１絶縁層１４、Ｔb,Ｏ，Ｆが添加されたＺ
nＳから成る発光層１５、ＳiＮxの化学式で表されるシ
リコン窒化物から成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ
3 混合物から成る第２絶縁層１７及びＡl から成る背面
電極１９が順次積層され形成されている。
【０００８】次に、上記構造の薄膜ＥＬディスプレイ素
子１００の製造方法の一例を説明する。先ず、ガラス基
板１１上に透明電極１２を真空蒸着法により形成した。
ここで、蒸着材料としては酸化インジウム(Ｉn2Ｏ3）中
に酸化錫（ＳnＯ2）をＩn 原子に対してＳn 原子が５％
となるように混合成形し焼成しペレット状としたものを
用いた。又、電子ビーム蒸着装置内にガラス基板１１と
上記ペレットをセットし、ガラス基板１１を 250℃に保
持したまま真空槽内を３×10-4Ｐa まで排気した。次
に、 6.7×10-2Ｐa まで酸素を導入し蒸着速度が１〜３
Å/secとなるように電子ビームの出力を調整しながらＩ
ＴＯ透明導電膜を成膜した。このＩＴＯ透明導電膜をフ
ォトリソグラフィの手法を用いてパターニングすること
により透明電極１２とした。
子１００の製造方法の一例を説明する。先ず、ガラス基
板１１上に透明電極１２を真空蒸着法により形成した。
ここで、蒸着材料としては酸化インジウム(Ｉn2Ｏ3）中
に酸化錫（ＳnＯ2）をＩn 原子に対してＳn 原子が５％
となるように混合成形し焼成しペレット状としたものを
用いた。又、電子ビーム蒸着装置内にガラス基板１１と
上記ペレットをセットし、ガラス基板１１を 250℃に保
持したまま真空槽内を３×10-4Ｐa まで排気した。次
に、 6.7×10-2Ｐa まで酸素を導入し蒸着速度が１〜３
Å/secとなるように電子ビームの出力を調整しながらＩ
ＴＯ透明導電膜を成膜した。このＩＴＯ透明導電膜をフ
ォトリソグラフィの手法を用いてパターニングすること
により透明電極１２とした。
【０００９】上記透明電極１２上に、ＲＦマグネトロン
スパッタ法にて、シリコン窒化物から成る酸素拡散防止
層１３を形成した。具体的には、透明電極１２が形成さ
れたガラス基板１１をスパッタ装置にセットし 200℃に
30分間保持した後、その真空槽内を 3.5×10-3Ｐa まで
排気した。その後、Ａr ガスを60cc/min、Ｎ2 ガスを 1
40cc/minの割合で真空槽内に導入しつつ排気バルブを調
整し真空槽内の圧力を0.75Ｐa に設定した。ターゲット
としてはＳi を用い高周波電力をターゲット単位面積あ
たり1.55W/cm2 投入しプリスパッタを10分間行った後、
7.63nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い 100nm堆積
した。
スパッタ法にて、シリコン窒化物から成る酸素拡散防止
層１３を形成した。具体的には、透明電極１２が形成さ
れたガラス基板１１をスパッタ装置にセットし 200℃に
30分間保持した後、その真空槽内を 3.5×10-3Ｐa まで
排気した。その後、Ａr ガスを60cc/min、Ｎ2 ガスを 1
40cc/minの割合で真空槽内に導入しつつ排気バルブを調
整し真空槽内の圧力を0.75Ｐa に設定した。ターゲット
としてはＳi を用い高周波電力をターゲット単位面積あ
たり1.55W/cm2 投入しプリスパッタを10分間行った後、
7.63nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い 100nm堆積
した。
【００１０】次に、酸素拡散防止層１３上にＴa2Ｏ5,Ａ
l2Ｏ3 混合物から成る第１絶縁層１４をスパッタリング
により形成した。具体的には、上記透明電極１２及び酸
素拡散防止層１３が形成されたガラス基板１１をスパッ
タ装置内にセットし 200℃に30分間保持した後、その真
空槽内を３×10-2Ｐa まで排気した。その後、Ａr ガス
を 180cc/min、Ｏ2 ガスを20cc/minの割合で真空槽内に
導入しつつ排気バルブを調整し真空槽内の圧力を１Ｐa
に設定した。ターゲットとしてはＴa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る焼結ターゲットを用い高周波電力をターゲッ
ト単位面積あたり2.07W/cm2 投入しプリスパッタを10分
間行った後、5.76nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行
い 500nm堆積した。
l2Ｏ3 混合物から成る第１絶縁層１４をスパッタリング
により形成した。具体的には、上記透明電極１２及び酸
素拡散防止層１３が形成されたガラス基板１１をスパッ
タ装置内にセットし 200℃に30分間保持した後、その真
空槽内を３×10-2Ｐa まで排気した。その後、Ａr ガス
を 180cc/min、Ｏ2 ガスを20cc/minの割合で真空槽内に
導入しつつ排気バルブを調整し真空槽内の圧力を１Ｐa
に設定した。ターゲットとしてはＴa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る焼結ターゲットを用い高周波電力をターゲッ
ト単位面積あたり2.07W/cm2 投入しプリスパッタを10分
間行った後、5.76nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行
い 500nm堆積した。
【００１１】上記第１絶縁層１４上にＺnＳ を母体材料
とし発光中心としてＴb,Ｏ，Ｆを添加した発光層１５を
スパッタリングにより形成した。具体的には、上述の各
層が形成されたガラス基板１１をスパッタ装置内にセッ
トし 400℃に保持しその真空槽内を１×10-3Ｐa 以下に
排気した。その後、Ａrガスを30cc/min、Ｈe ガスを20c
c/minの割合で真空槽内に導入しつつ排気バルブを調整
し真空槽内の圧力を 2.4Ｐa に設定した。ＺnＳ 中にＴ
b,Ｏ，Ｆを添加した焼結ターゲットを用いターゲット単
位面積あたり1.86W/cm2 投入しプリスパッタを15分間行
った後、50nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い 600
nm堆積した。そして、発光層１５を成膜後、 400℃で６
時間の熱処理を行った。この時点で、上記透明電極１２
を構成するＩＴＯ透明導電膜はその形成後に 300℃以上
の温度履歴又は酸素プラズマに曝される工程を経ること
になる。
とし発光中心としてＴb,Ｏ，Ｆを添加した発光層１５を
スパッタリングにより形成した。具体的には、上述の各
層が形成されたガラス基板１１をスパッタ装置内にセッ
トし 400℃に保持しその真空槽内を１×10-3Ｐa 以下に
排気した。その後、Ａrガスを30cc/min、Ｈe ガスを20c
c/minの割合で真空槽内に導入しつつ排気バルブを調整
し真空槽内の圧力を 2.4Ｐa に設定した。ＺnＳ 中にＴ
b,Ｏ，Ｆを添加した焼結ターゲットを用いターゲット単
位面積あたり1.86W/cm2 投入しプリスパッタを15分間行
った後、50nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い 600
nm堆積した。そして、発光層１５を成膜後、 400℃で６
時間の熱処理を行った。この時点で、上記透明電極１２
を構成するＩＴＯ透明導電膜はその形成後に 300℃以上
の温度履歴又は酸素プラズマに曝される工程を経ること
になる。
【００１２】次に、上記発光層１５上にシリコン窒化物
から成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物から
成る第２絶縁層１７を形成した。シリコン窒化物及びＴ
a2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物はそれぞれ上述の酸素拡散防止層
１３及び第１絶縁層と同一の方法にて形成した。更に、
上記第２絶縁層１７上にＡl を用いた電子ビーム蒸着法
により背面電極１９を形成した。蒸着材料としては高純
度の金属アルミニウムを用いた。上記第２絶縁層１７ま
で形成されたガラス基板１１と蒸着材料とを電子ビーム
蒸着装置内にセットし、その真空槽内を 6.7×10-4Ｐa
以下まで排気した後、成膜速度が３nm/sec以上となるよ
うに電子ビームの出力を調整しＡl 膜を堆積した。この
Ａl 膜をフォトリソグラフィの手法を用いてパターニン
グすることにより背面電極１９とした。このようにして
得られた薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の透明電極１
２のａ1 側又はｂ1 側と背面電極１９との間に通電し発
光させたところ絶縁破壊や輝度ムラもなく安定した発光
が観察できた。
から成る第２絶縁層１６、Ｔa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物から
成る第２絶縁層１７を形成した。シリコン窒化物及びＴ
a2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合物はそれぞれ上述の酸素拡散防止層
１３及び第１絶縁層と同一の方法にて形成した。更に、
上記第２絶縁層１７上にＡl を用いた電子ビーム蒸着法
により背面電極１９を形成した。蒸着材料としては高純
度の金属アルミニウムを用いた。上記第２絶縁層１７ま
で形成されたガラス基板１１と蒸着材料とを電子ビーム
蒸着装置内にセットし、その真空槽内を 6.7×10-4Ｐa
以下まで排気した後、成膜速度が３nm/sec以上となるよ
うに電子ビームの出力を調整しＡl 膜を堆積した。この
Ａl 膜をフォトリソグラフィの手法を用いてパターニン
グすることにより背面電極１９とした。このようにして
得られた薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の透明電極１
２のａ1 側又はｂ1 側と背面電極１９との間に通電し発
光させたところ絶縁破壊や輝度ムラもなく安定した発光
が観察できた。
【００１３】上述の実施例１における酸素拡散防止層１
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを作成しそれ
らのＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較
を行った。図３はその結果を示している。サンプルＡ
は、図１と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において、 600℃で３
時間の熱処理を施したものである。サンプルＢは、図１
と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり
酸素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。サ
ンプルＣは、図２と同様の従来構造から成る薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子であり酸素拡散防止層がなく、サンプル
Ａと同様に、２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において、 600
℃で３時間の熱処理を施したものである。サンプルＤ
は、図２と同様の従来構造から成る薄膜ＥＬディスプレ
イ素子であり酸素拡散防止層がなく熱処理なしのもので
ある。尚、熱処理なしのサンプルＢ，Ｄは、発光層の成
膜を 200℃にて行いその後の熱処理を行わなかった。
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを作成しそれ
らのＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較
を行った。図３はその結果を示している。サンプルＡ
は、図１と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において、 600℃で３
時間の熱処理を施したものである。サンプルＢは、図１
と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり
酸素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。サ
ンプルＣは、図２と同様の従来構造から成る薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子であり酸素拡散防止層がなく、サンプル
Ａと同様に、２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において、 600
℃で３時間の熱処理を施したものである。サンプルＤ
は、図２と同様の従来構造から成る薄膜ＥＬディスプレ
イ素子であり酸素拡散防止層がなく熱処理なしのもので
ある。尚、熱処理なしのサンプルＢ，Ｄは、発光層の成
膜を 200℃にて行いその後の熱処理を行わなかった。
【００１４】ここで、ＩＴＯ透明導電膜の抵抗測定を行
ったところ、図３の初期値に示したように、抵抗値は約
135Ωであった。このＩＴＯ透明導電膜の初期値の抵抗
値と薄膜ＥＬディスプレイ素子形成後の上記サンプル
Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤにおけるＩＴＯ透明導電膜の抵抗値とを
比較した。酸素拡散防止層がなく熱処理を施したサンプ
ルＣは、抵抗値が約1310Ωと初期値の９倍にもなった。
このものでは、薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光層成膜
時の基板加熱及び発光層そのものの熱処理によりＴa2Ｏ
5 膜中の遊離した酸素がＩＴＯ透明導電膜中に拡散した
と考えられる。このため、ＩＴＯ透明導電膜中の酸素空
孔を埋めてしまうことによりＩＴＯ透明導電膜中のキャ
リヤ濃度を減少させＩＴＯ透明導電膜が高抵抗化したと
考えられる。又、この現象は絶縁膜としてＴa2Ｏ5 以外
の酸素を遊離し易い酸化物絶縁層を用いた場合にも同様
に起こると考えられる。一方、酸素拡散防止層が形成さ
れたサンプルＡの場合には、発光層成膜時の温度と発光
層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥が改善
され透明電極の抵抗値が約 120Ωと初期値から約10％低
下したと考えられる。又、サンプルＢ及びＤの場合に
は、熱処理されていないため初期値の抵抗値と同じ約 1
35Ωで変化がなかった。
ったところ、図３の初期値に示したように、抵抗値は約
135Ωであった。このＩＴＯ透明導電膜の初期値の抵抗
値と薄膜ＥＬディスプレイ素子形成後の上記サンプル
Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤにおけるＩＴＯ透明導電膜の抵抗値とを
比較した。酸素拡散防止層がなく熱処理を施したサンプ
ルＣは、抵抗値が約1310Ωと初期値の９倍にもなった。
このものでは、薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光層成膜
時の基板加熱及び発光層そのものの熱処理によりＴa2Ｏ
5 膜中の遊離した酸素がＩＴＯ透明導電膜中に拡散した
と考えられる。このため、ＩＴＯ透明導電膜中の酸素空
孔を埋めてしまうことによりＩＴＯ透明導電膜中のキャ
リヤ濃度を減少させＩＴＯ透明導電膜が高抵抗化したと
考えられる。又、この現象は絶縁膜としてＴa2Ｏ5 以外
の酸素を遊離し易い酸化物絶縁層を用いた場合にも同様
に起こると考えられる。一方、酸素拡散防止層が形成さ
れたサンプルＡの場合には、発光層成膜時の温度と発光
層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥が改善
され透明電極の抵抗値が約 120Ωと初期値から約10％低
下したと考えられる。又、サンプルＢ及びＤの場合に
は、熱処理されていないため初期値の抵抗値と同じ約 1
35Ωで変化がなかった。
【００１５】次に、図２に示した構造から成るサンプル
Ｃの透明電極１２と背面電極１９との間に通電し発光さ
せた。透明電極１２のａ2 側から給電した場合、ａ2 側
に近い部分ほど輝度が高くａ2 側から離れたｂ2 側に近
づくにつれて輝度が低くなった。次に、透明電極１２の
ｂ2 側から給電した場合、ｂ2 側に近い部分ほど輝度が
高くｂ2 側から離れたａ2 側に近づくにつれて輝度が低
くなった。更に、透明電極１２のａ2 及びｂ2側両方か
ら給電した場合、ａ2 及びｂ2 側に近い部分ほど輝度が
高くａ2 及びｂ2 側から離れた中心部の輝度が低くなっ
た。最後に、再び透明電極１２のａ2 側から給電し、ｂ
2 側に近い部分の輝度を上げるため給電電圧を上げたと
ころａ2側に近い部分が絶縁破壊してしまった。以上の
結果より、酸素拡散防止層は透明電極となるＩＴＯ透明
導電膜の劣化防止、特に、高抵抗化防止に有効であると
共にそのＩＴＯ透明導電膜の高抵抗化防止が薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子の輝度ムラ防止、信頼性の向上に有効で
あることが明らかになった。同様に、サンプルＢ及びＤ
に通電し発光させたが、これらはサンプルＡ及びＣに比
べて低い輝度しか得られなかった。これらサンプルＢ及
びＤは発光層成膜時の温度が低くその後の熱処理が施さ
れていないことが輝度の低い原因と考えられる。
Ｃの透明電極１２と背面電極１９との間に通電し発光さ
せた。透明電極１２のａ2 側から給電した場合、ａ2 側
に近い部分ほど輝度が高くａ2 側から離れたｂ2 側に近
づくにつれて輝度が低くなった。次に、透明電極１２の
ｂ2 側から給電した場合、ｂ2 側に近い部分ほど輝度が
高くｂ2 側から離れたａ2 側に近づくにつれて輝度が低
くなった。更に、透明電極１２のａ2 及びｂ2側両方か
ら給電した場合、ａ2 及びｂ2 側に近い部分ほど輝度が
高くａ2 及びｂ2 側から離れた中心部の輝度が低くなっ
た。最後に、再び透明電極１２のａ2 側から給電し、ｂ
2 側に近い部分の輝度を上げるため給電電圧を上げたと
ころａ2側に近い部分が絶縁破壊してしまった。以上の
結果より、酸素拡散防止層は透明電極となるＩＴＯ透明
導電膜の劣化防止、特に、高抵抗化防止に有効であると
共にそのＩＴＯ透明導電膜の高抵抗化防止が薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子の輝度ムラ防止、信頼性の向上に有効で
あることが明らかになった。同様に、サンプルＢ及びＤ
に通電し発光させたが、これらはサンプルＡ及びＣに比
べて低い輝度しか得られなかった。これらサンプルＢ及
びＤは発光層成膜時の温度が低くその後の熱処理が施さ
れていないことが輝度の低い原因と考えられる。
【００１６】実施例２ 図４は本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素子
である薄膜ＥＬディスプレイ素子２００の断面構成を示
した模式図である。本実施例の層構造は、実施例１にお
けるシリコン窒化物から成る酸素拡散防止層１３に替え
てＳiＯＮ から成る酸素拡散防止層２３を用いた以外は
実施例１と同様の構成であり、同じ符号を付して示し
た。上記酸素拡散防止層２３を構成するＳiＯＮ 膜はＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法にて形成した。具体的には、
透明電極１２が形成されたガラス基板１１をスパッタ装
置にセットし、 300℃で30分間保持した後、真空槽内を
3.5×10-3Ｐa まで排気した。この後、Ａr ガスを105c
c/min 、Ｏ2 ガスを８cc/min、Ｎ2 ガスを37cc/minの割
合で真空槽内に導入しつつ、排気バルブを調整して真空
槽内の圧力を 0.5Ｐaに設定した。ターゲットとしては
Ｓi を用い、高周波電力をターゲット単位面積あたり１
W/cm2 投入してプリスパッタを40分間行った。この後、
高周波電力を３W/cm2 投入して成膜を行い、ＳiＯＮ 膜
を 100nm堆積した。次に、上記ＳiＯＮ 膜から成る酸素
拡散防止層２３上に実施例１と同じ条件にて第１絶縁層
１４以降の膜を成膜して薄膜ＥＬディスプレイ素子２０
０を形成した。
である薄膜ＥＬディスプレイ素子２００の断面構成を示
した模式図である。本実施例の層構造は、実施例１にお
けるシリコン窒化物から成る酸素拡散防止層１３に替え
てＳiＯＮ から成る酸素拡散防止層２３を用いた以外は
実施例１と同様の構成であり、同じ符号を付して示し
た。上記酸素拡散防止層２３を構成するＳiＯＮ 膜はＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法にて形成した。具体的には、
透明電極１２が形成されたガラス基板１１をスパッタ装
置にセットし、 300℃で30分間保持した後、真空槽内を
3.5×10-3Ｐa まで排気した。この後、Ａr ガスを105c
c/min 、Ｏ2 ガスを８cc/min、Ｎ2 ガスを37cc/minの割
合で真空槽内に導入しつつ、排気バルブを調整して真空
槽内の圧力を 0.5Ｐaに設定した。ターゲットとしては
Ｓi を用い、高周波電力をターゲット単位面積あたり１
W/cm2 投入してプリスパッタを40分間行った。この後、
高周波電力を３W/cm2 投入して成膜を行い、ＳiＯＮ 膜
を 100nm堆積した。次に、上記ＳiＯＮ 膜から成る酸素
拡散防止層２３上に実施例１と同じ条件にて第１絶縁層
１４以降の膜を成膜して薄膜ＥＬディスプレイ素子２０
０を形成した。
【００１７】上述の実施例２における酸素拡散防止層２
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＥ，Ｆを作成しそれらのＩＴ
Ｏ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較を行っ
た。図５はその結果を示している。ここで、サンプルＥ
は、図４と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において 600℃で３時
間の熱処理を施したものである。サンプルＦは、図４と
同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり酸
素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。尚、
図５における初期値及びサンプルＣ，Ｄは、実施例１に
対応して図３に示された初期値及びサンプルＣ，Ｄの測
定値を示した。サンプルＥの抵抗値は約 125Ωであり、
サンプルＦの抵抗値は初期値とほぼ同じ約 135Ωであっ
た。サンプルＥの抵抗値の低下は、発光層成膜時の温度
と発光層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥
が改善されたためと考えられる。
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＥ，Ｆを作成しそれらのＩＴ
Ｏ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較を行っ
た。図５はその結果を示している。ここで、サンプルＥ
は、図４と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において 600℃で３時
間の熱処理を施したものである。サンプルＦは、図４と
同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり酸
素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。尚、
図５における初期値及びサンプルＣ，Ｄは、実施例１に
対応して図３に示された初期値及びサンプルＣ，Ｄの測
定値を示した。サンプルＥの抵抗値は約 125Ωであり、
サンプルＦの抵抗値は初期値とほぼ同じ約 135Ωであっ
た。サンプルＥの抵抗値の低下は、発光層成膜時の温度
と発光層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥
が改善されたためと考えられる。
【００１８】次に、実施例１と同様、サンプルＦ及びサ
ンプルＤに通電し発光させたが、これらはサンプルＥ及
びサンプルＣに比べて低い輝度しか得られなかった。こ
れらサンプルＦ及びサンプルＤは発光層成膜時の温度が
低くその後の熱処理が施されていないことが輝度の低い
原因と考えられる。
ンプルＤに通電し発光させたが、これらはサンプルＥ及
びサンプルＣに比べて低い輝度しか得られなかった。こ
れらサンプルＦ及びサンプルＤは発光層成膜時の温度が
低くその後の熱処理が施されていないことが輝度の低い
原因と考えられる。
【００１９】実施例３ 図６は本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素子
である薄膜ＥＬディスプレイ素子３００の断面構成を示
した模式図である。本実施例の層構造は、実施例１にお
けるシリコン窒化物から成る酸素拡散防止層１３に替え
てＡl2Ｏ3 から成る酸素拡散防止層３３を用いた以外は
実施例１と同様の構成であり、同じ符号を付して示し
た。上記酸素拡散防止層３３を構成するＡl2Ｏ3 膜は電
子ビーム蒸着法にて形成した。具体的には、透明電極１
２が形成されたガラス基板１１を電子ビーム蒸着装置に
セットし、 200℃に加熱しながら６×10-4Ｐa まで排気
した後、１時間そのまま保持した。この後、電子ビーム
電源を10kVに設定し、ビーム電流を80〜100mAにて蒸着
を行った。電子ビームは蒸着材に均一に当たるように充
分拡大し、成膜速度0.6〜0.8nm/secにて、Ａl2Ｏ3 膜を
100nm成膜した。次に、上記Ａl2Ｏ3 膜から成る酸素拡
散防止層３３上に実施例１と同じ条件にて第１絶縁層１
４以降の膜を成膜して薄膜ＥＬディスプレイ素子３００
を形成した。
である薄膜ＥＬディスプレイ素子３００の断面構成を示
した模式図である。本実施例の層構造は、実施例１にお
けるシリコン窒化物から成る酸素拡散防止層１３に替え
てＡl2Ｏ3 から成る酸素拡散防止層３３を用いた以外は
実施例１と同様の構成であり、同じ符号を付して示し
た。上記酸素拡散防止層３３を構成するＡl2Ｏ3 膜は電
子ビーム蒸着法にて形成した。具体的には、透明電極１
２が形成されたガラス基板１１を電子ビーム蒸着装置に
セットし、 200℃に加熱しながら６×10-4Ｐa まで排気
した後、１時間そのまま保持した。この後、電子ビーム
電源を10kVに設定し、ビーム電流を80〜100mAにて蒸着
を行った。電子ビームは蒸着材に均一に当たるように充
分拡大し、成膜速度0.6〜0.8nm/secにて、Ａl2Ｏ3 膜を
100nm成膜した。次に、上記Ａl2Ｏ3 膜から成る酸素拡
散防止層３３上に実施例１と同じ条件にて第１絶縁層１
４以降の膜を成膜して薄膜ＥＬディスプレイ素子３００
を形成した。
【００２０】上述の実施例３における酸素拡散防止層３
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＧ，Ｈを作成しそれらのＩＴ
Ｏ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較を行っ
た。図７はその結果を示している。ここで、サンプルＧ
は、図６と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において 600℃で３時
間の熱処理を施したものである。サンプルＨは、図６と
同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり酸
素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。尚、
図７における初期値及びサンプルＣ，Ｄは、実施例１に
対応して図３に示された初期値及びサンプルＣ，Ｄの測
定値を示した。サンプルＧの抵抗値は約 130Ωであり、
サンプルＨの抵抗値は初期値とほぼ同じ約 130Ωであっ
た。サンプルＧの抵抗値の低下は、発光層成膜時の温度
と発光層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥
が改善されたためと考えられる。
３の効果を調べるために以下に述べるような薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子のサンプルＧ，Ｈを作成しそれらのＩＴ
Ｏ透明導電膜から成る透明電極の抵抗値の比較を行っ
た。図７はその結果を示している。ここで、サンプルＧ
は、図６と同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素
子であり酸素拡散防止層を有し、実施例１と同様の工程
途中で２〜３Ｐa の気圧雰囲気中において 600℃で３時
間の熱処理を施したものである。サンプルＨは、図６と
同様の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ素子であり酸
素拡散防止層を有するが熱処理なしのものである。尚、
図７における初期値及びサンプルＣ，Ｄは、実施例１に
対応して図３に示された初期値及びサンプルＣ，Ｄの測
定値を示した。サンプルＧの抵抗値は約 130Ωであり、
サンプルＨの抵抗値は初期値とほぼ同じ約 130Ωであっ
た。サンプルＧの抵抗値の低下は、発光層成膜時の温度
と発光層熱処理の温度とによりＩＴＯ透明導電膜の欠陥
が改善されたためと考えられる。
【００２１】次に、実施例１と同様、サンプルＨに通電
し発光させたが、このものはサンプルＧに比べて低い輝
度しか得られなかった。このサンプルＨは発光層成膜時
の温度が低くその後の熱処理が施されていないことが輝
度の低い原因と考えられる。
し発光させたが、このものはサンプルＧに比べて低い輝
度しか得られなかった。このサンプルＨは発光層成膜時
の温度が低くその後の熱処理が施されていないことが輝
度の低い原因と考えられる。
【００２２】尚、上述の実施例における酸素拡散防止層
は、シリコン窒化物、ＳiＯＮ 及びＡl2Ｏ3 から形成し
たが、これらに限定されるものではなく、上述された以
外の例えば、窒化物、ボロン化物、高融点金属のシリサ
イド及び安定な酸化物のうち少なくとも一種より形成さ
れても良い。更に、詳細に述べれば、ＴiＮ,ＡlＮ,Ｂ
Ｎ,ＴiＢ,ＺrＢ,ＨfＢ,ＶＢ,ＮbＢ,ＴaＢ,ＣrＢ,ＭoＢ,
ＷＢ,ＭoＳi,ＶＳi,ＣrＳi,ＨfＳi,ＺrＳi及びＮbＳiの
うち少なくとも一種より形成されても良い。
は、シリコン窒化物、ＳiＯＮ 及びＡl2Ｏ3 から形成し
たが、これらに限定されるものではなく、上述された以
外の例えば、窒化物、ボロン化物、高融点金属のシリサ
イド及び安定な酸化物のうち少なくとも一種より形成さ
れても良い。更に、詳細に述べれば、ＴiＮ,ＡlＮ,Ｂ
Ｎ,ＴiＢ,ＺrＢ,ＨfＢ,ＶＢ,ＮbＢ,ＴaＢ,ＣrＢ,ＭoＢ,
ＷＢ,ＭoＳi,ＶＳi,ＣrＳi,ＨfＳi,ＺrＳi及びＮbＳiの
うち少なくとも一種より形成されても良い。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る酸化物透明導
電膜を有する電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ素子
の断面構成を示した模式図である。
電膜を有する電子素子である薄膜ＥＬディスプレイ素子
の断面構成を示した模式図である。
【図２】従来の薄膜ＥＬディスプレイ素子の断面構成を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図３】酸素拡散防止層の有無及び熱処理の有無に基づ
く薄膜ＥＬディスプレイ素子のＩＴＯ透明導電膜から成
る透明電極における抵抗値を比較した説明図である。
く薄膜ＥＬディスプレイ素子のＩＴＯ透明導電膜から成
る透明電極における抵抗値を比較した説明図である。
【図４】本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素
子である薄膜ＥＬディスプレイ素子の第２実施例におけ
る断面構成を示した模式図である。
子である薄膜ＥＬディスプレイ素子の第２実施例におけ
る断面構成を示した模式図である。
【図５】図４の断面構成から成る薄膜ＥＬディスプレイ
素子のＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極における抵抗
値を比較した説明図である。
素子のＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極における抵抗
値を比較した説明図である。
【図６】本発明に係る酸化物透明導電膜を有する電子素
子である薄膜ＥＬディスプレイ素子の第３実施例におけ
る断面構成を示した模式図である。
子である薄膜ＥＬディスプレイ素子の第３実施例におけ
る断面構成を示した模式図である。
【図７】図６の断面構成から成る薄膜ＥＬディスプレイ
素子のＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極における抵抗
値を比較した説明図である。
素子のＩＴＯ透明導電膜から成る透明電極における抵抗
値を比較した説明図である。
１１…ガラス基板 １２…透明電極（酸化物透明導電膜） １３…酸素拡散防止層 １４…第１絶縁層（酸化物絶縁層） １５…発光層 １６，１７…第２絶縁層 １９…背面電極 １００…薄膜ＥＬディスプレイ素子（電子素子）
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784 (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化物透明導電膜と、 該酸化物透明導電膜に隣接して形成された酸化物絶縁層
と、 前記酸化物透明導電膜と前記酸化物絶縁層との間に介在
させると共に該酸化物絶縁層に含有される酸素が前記酸
化物透明導電膜に拡散することを防止する酸素拡散防止
層とを有することを特徴とする酸化物透明導電膜を有す
る電子素子。 - 【請求項２】 前記酸素拡散防止層は、透明な酸素を遊
離し難い層から成ることを特徴とする請求項１記載の酸
化物透明導電膜を有する電子素子。 - 【請求項３】 前記酸素拡散防止層は、窒化物、ボロン
化物、高融点金属のシリサイド及び安定な酸化物のうち
少なくとも一種から成ることを特徴とする請求項１記載
の酸化物透明導電膜を有する電子素子。 - 【請求項４】 前記酸素拡散防止層は、ＴiＮ,ＡlＮ,Ｂ
Ｎ,ＴiＢ,ＺrＢ,ＨfＢ,ＶＢ,ＮbＢ,ＴaＢ,ＣrＢ,ＭoＢ,
ＷＢ,ＭoＳi,ＶＳi,ＣrＳi,ＨfＳi,ＺrＳi,ＮbＳi,Ｓi
ＯＮ及びＡl2Ｏ3 のうち少なくとも一種から成ることを
特徴とする請求項１記載の酸化物透明導電膜を有する電
子素子。 - 【請求項５】 請求項１における酸化物透明導電膜を有
する電子素子は、薄膜ＥＬディスプレイ素子であること
を特徴とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269731A JPH05226075A (ja) | 1991-09-30 | 1992-09-10 | 酸化物透明導電膜を有する電子素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28064791 | 1991-09-30 | ||
| JP3-280647 | 1991-09-30 | ||
| JP4269731A JPH05226075A (ja) | 1991-09-30 | 1992-09-10 | 酸化物透明導電膜を有する電子素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226075A true JPH05226075A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=26548891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269731A Pending JPH05226075A (ja) | 1991-09-30 | 1992-09-10 | 酸化物透明導電膜を有する電子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511045A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
| KR101372500B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2014-03-11 | 안상정 | 반도체 자외선 발광소자 |
| US9666615B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-05-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor on insulator substrate with back bias |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP4269731A patent/JPH05226075A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511045A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
| JP2010171027A (ja) * | 2002-12-20 | 2010-08-05 | Ifire Ip Corp | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
| US7989088B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-08-02 | Ifire Ip Corporation | Barrier layer for thick film dielectric electroluminescent displays |
| KR101372500B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2014-03-11 | 안상정 | 반도체 자외선 발광소자 |
| US9666615B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-05-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor on insulator substrate with back bias |
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