JPH09115671A - 誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜el素子 - Google Patents
誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜el素子Info
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Abstract
善するとともに、ITOでの電気抵抗の上昇を防止す
る。 【解決手段】 絶縁基板11上に、ITOからなる第1
透明電極12、第1絶縁層13、発光層14、第2絶縁
層15、ITOからなる第2透明電極16が順次積層形
成された薄膜EL素子300において、第1、第2絶縁
層13、15として、タンタルと、錫と、酸素と、窒素
のそれぞれの元素からなるTaSnON膜を用いた。
Description
示素子、調光素子などに利用される高い性能を有する誘
電体薄膜およびこの誘電体薄膜を用いた薄膜EL(エレ
クトロルミネッセンス)素子に関するものである。
誘電率が高く、かつ透明導電膜であるITO(IndiumTi
n Oxide )と積層しても絶縁耐圧が低下しない誘電体薄
膜として、タンタルと錫の複合酸化膜(TaSnO膜)
で構成したものを先に出願した(特願平7ー25724
号)。この複合酸化膜は、比誘電率が約20と大きく、
ITO上に成膜しても高い絶縁耐圧を示すものである。
この複合酸化膜は、EL素子の誘電体薄膜として用いる
ことができる。
L素子の誘電体膜として使用すべく、一元スパッタ装置
を用いてさらに検討を進めたところ、ITOの電気抵抗
上昇防止効果および誘電特性に改善の余地があることを
見い出した。本発明は上記問題に鑑みたもので、誘電特
性、およびITOと積層した場合の電気抵抗上昇防止効
果をさらに改善することを目的とする。
体薄膜は、タンタルと、インジウムおよび錫の少なくと
も1種と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からなり、ア
モルファス状態の薄膜(以下、本発明の誘電体薄膜を、
錫を用いた場合を例にとりTaSnON膜とする)であ
ることを特徴としている。
とも1種と、酸素からなる先に出願した誘電体薄膜に対
し、さらに窒素を含ませることにより、誘電特性をさら
に向上させることができる。なお、アモルファス状態の
薄膜とすることで、結晶粒界が原因となるリークや特性
のばらつきを抑えることができる。
て形成した場合には、ITOの電気抵抗の上昇を一層効
果的に防止することができる。これは、窒素が酸化タン
タルの酸素空孔を補完し、酸化タンタルとITO間の酸
素拡散を防いでいるからであると考えられる。ここで、
TaSnON膜に含まれる窒素の原子割合を、0.5a
t%以上5.0at%以下、あるいはインジウムおよび
錫の少なくとも1種の元素に対する窒素の原子数の比
を、0.1以上20.0以下とすれば、望ましい誘電特
性を得ることができる。
素子の絶縁層に用いたことを特徴としている。この場
合、TaSnON膜による絶縁層が高い比誘電率をもつ
ので、発光層にかかる分圧を上げることができ、発光開
始電圧を下げることができる。また、TaSnON膜が
高い絶縁破壊電界強度を有するので、薄膜EL素子とし
ての絶縁破壊電界強度を高めることができる。
をITOにて形成し、絶縁層としてのTaSnON膜を
ITOに接して形成することにより、ITOでの電気抵
抗の上昇を防止することができる。TaSnON膜は発
光層の上にそのまま形成してもよく、また発光層とTa
SnON膜との間にSiNx膜又はSiON膜を介在さ
せてもよい。そのような膜を介在させた場合、発光開始
電圧の変化を抑制することができるという効果を有す
る。
形成する場合、その膜をTaSnON膜とすることがで
きる。この場合、TaSnON膜により防湿効果を得る
とともに、ITOの電気抵抗の上昇を防ぐことができ
る。上記した薄膜EL素子における誘電体薄膜は、酸化
タンタルと、酸化インジウムおよび酸化錫の少なくとも
1つをスパッタリングターゲットとして、アルゴンと酸
素と窒素を含む混合ガス雰囲気中でスパッタリングする
ことにより形成することができる。
て、酸化タンタルと、酸化インジウムおよび酸化錫の少
なくとも1つを混合し、焼結して一体となした混合焼結
ターゲットを用いることにより、一元スパッタ装置を用
いて薄膜EL素子の製造を容易にすることができる。ま
た、スパッタリング時の混合ガス雰囲気の圧力を0.3
Pa以下にすることにより高性能のTaSnON膜を高
速に得ることができる。なお、その圧力が非常に低くな
ると、安定なプラズマを得ることが困難になるため、
0.05Pa以上の圧力とするのが好ましい。
することにより、ITOの電気抵抗の上昇を防ぐことが
できる。この場合、混合ガス中の窒素ガスの体積割合を
5%以上とすることにより、適正な窒素原子の量を含ま
せることができ、誘電特性に優れ、かつITOの抵抗上
昇を低減させることができる。さらに、酸素ガスの体積
割合を、窒素ガスの体積割合を超えないようにすること
により、ITOの電気抵抗の上昇を防ぐことができる。
但し、その混合ガス中の酸素ガスと窒素ガスの合計の体
積割合を50%以上とすると、安定したプラズマ放電が
維持できないため、これらのガスの体積割合を50%未
満とする必要がある。
について説明する。 (第1実施形態)図1は、誘電体薄膜の性能測定用のサ
ンプル100の模式的な断面図である。無アルカリガラ
スからなる絶縁基板1上に、ITOからなる下部電極
2、絶縁層3、アルミニウム(Al)からなる上部電極
4を順次積層形成してサンプル100を構成している。
ためのサンプル200の斜視図である。絶縁基板1上
に、ITOからなるストライプ状の電極5および絶縁層
3を成膜してサンプル200を構成している。そして、
絶縁層3の種類による効果の確認を行うため、絶縁層3
として次の3種類の絶縁層a〜cを形成し、それらにつ
いて比較を行った。
2 O5 膜)である。このTa2 O5膜は次のようにして
形成される。ガラス基板1を300℃に加熱・保持し、
成膜室内の圧力を1.0×10-4Pa以下に排気する。
その後、アルゴン(Ar)+30%酸素(O2 )よりな
る混合ガスを成膜室に導入し、ガスの圧力を0.2Pa
に保持し、2KWの高周波電力でスパッタリングを行
う。この時、スパッタターゲットは酸化タンタル(Ta
2 O5 )100%の焼結ターゲットを用いる。形成した
膜の厚さは400nmである。
誘電体膜(TaSnO膜)である。このTaSnO膜は
次のようにして形成される。ガラス基板1を300℃に
加熱・保持し、成膜室内の圧力を1.0×10-4Pa以
下に排気する。その後、アルゴン(Ar)+30%酸素
(O2 )よりなる混合ガスを成膜室に導入し、ガスの圧
力を0.2Paに保持し、2KWの高周波電力でスパッ
タリングを行う。この時、スパッタターゲットは酸化タ
ンタル(Ta2 O5 )中に10mol%の酸化錫(Sn
O2 )を混ぜた混合焼結ターゲットを用い、一元スパッ
タを行う。形成した膜の厚さは400nmである。
らなる誘電体膜(TaSnON膜)である。このTaS
nON膜を形成するためスパッタ雰囲気に窒素ガスを導
入する。具体的には次のようにして形成される。ガラス
基板1を300℃に加熱・保持し、成膜室内の圧力を
1.0×10-4Pa以下に排気する。その後、アルゴン
(Ar)+20%窒素(N2 )+5%酸素(O2 )より
なる混合ガスを成膜室に導入し、ガスの圧力を0.2P
aに保持し、2KWの高周波電力でスパッタリングを行
う。この時、スパッタターゲットは酸化タンタル(Ta
2 O5 )中に10mol%の酸化錫(SnO2 )を混ぜ
た混合焼結ターゲットを用い、一元スパッタを行う。形
成した膜の厚さは400nmである。このようにして得
られたTaSnON膜は、X線回折の測定結果からアモ
ルファス状態であることがわかった。
両端の抵抗値を示す。この図3から分かるように、Ta
2 O5 膜(絶縁層a)およびTaSnO膜(絶縁層b)
ではITOの抵抗が上昇しているが、窒素雰囲気中でス
パッタを行ったTaSnON膜(絶縁膜c)ではITO
の抵抗上昇は見られない。窒素がITOの抵抗上昇防止
に役立つ理由としては、窒素が酸化タンタルの酸素空孔
を補完し、酸化タンタルとITO間の酸素拡散を防いで
いるからであると考えられる。
を示す。ここでは、誘電体膜の性能比較として、誘電体
膜が絶縁破壊を起こす直前での単位面積あたりの蓄積電
荷量(以下、最大蓄積電荷量という)で比較する。最大
蓄積電荷量が大きいほど、高性能の誘電体膜であると言
うことができる。この測定は1KHzの正弦波を用いて
行い、Sawyer-Tower回路で電圧−蓄積電荷量特性を測定
する。
は従来のTa2 O5 膜(絶縁層a)と比較して高い性能
を示すが、窒素雰囲気中でスパッタを行ったTaSnO
N膜(絶縁膜c)はさらに高い性能を示していることが
分かる。TaSnOを窒素含有雰囲気中でスパッタリン
グによってTaSnON膜として成膜した場合は、図4
からわかるように膜の特性改善に極めて有効である。そ
の場合、測定に用いた複数のサンプル間で特性のばらつ
きも低減されていた。
ていない酸化タンタルを窒素を含んだ雰囲気中でスパッ
タリングを行ったものでは、特性のばらつきは低減され
るものの、性能の大幅な向上は見られなかった。なお、
Ta2 O5 膜(絶縁層a)、TaSnO膜(絶縁層
b)、TaSnON膜(絶縁膜c)の最大蓄積電荷量
は、図4からそれぞれ約2.5、約4.5、約6.0
[μC/cm2 ]であり、酸化錫を添加していない酸化
タンタルを窒素を含んだ雰囲気中でスパッタリングを行
った場合には、図4中には示してないが約2.8[μC
/cm2 ]であった。
は、約0.3[μC/cm2 ]の向上効果があるのに対
し、TaSnOに窒素を入れた場合には、約1.5[μ
C/cm2 ]の向上効果があり、錫と窒素の相乗効果に
より、誘電特性が一層向上していることが分かる。本実
施形態においては、タンタルと錫原子の総量を100%
とした時、錫原子の総量、すなわち錫濃度を3.7at
%としている。この錫濃度は、先に出願した特願平7ー
25724号に示すものと同様、55at%以下、望ま
しくは0.4at%〜45at%がよい。なお、混合焼
結ターゲットによる一元スパッタリングを行った場合、
錫濃度が、ターゲット中の錫濃度よりも約1割減少する
ので、混合焼結ターゲット中の錫濃度は0.5at%〜
50at%であることが望ましい。
圧力と、誘電特性および成膜レートとの関係を示す。雰
囲気ガスとしてはアルゴン(Ar)+20%窒素(N
2 )+5%酸素(O2 )よりなる混合ガスを用い、2K
Wの高周波電力でスパッタリングを行う。この時、スパ
ッタターゲットは酸化タンタル(Ta2 O5 )中に10
mol%の酸化錫(SnO2 )を混ぜた混合焼結ターゲ
ットを用いる。なお、図中の矢印は、図中の特性が左右
の軸に対するものであることを示している。
ス圧力下でスパッタリングを行うことによって、より高
性能のTaSnO膜を高速に得ることができ、特に0.
3Pa以下の圧力でスパッタリングを行う場合にその効
果が顕著にあらわれ、同時に誘電性能も高くなってい
る。なお、スパッタリング時の雰囲気ガスの圧力が非常
に低くなると、安定なプラズマを得ることが困難になる
ため、0.05Pa以上の圧力下でスパッタリングを行
うことがより好ましい。
パッタガス中の窒素量と、ITOの抵抗変化およびTa
SnON膜の最大蓄積電荷量との関係を示す。このグラ
フから分かるように、窒素が5%以上の時、ITOの抵
抗上昇が小さく、かつ誘電性能が高くなっている。な
お、スパッタガス中の酸素量が窒素量を超えた場合、十
分にITOの抵抗が下がらないことがあるため、酸素量
は窒素量を超えないように制御することが望ましい。ま
た、スパッタガス中のアルゴン分圧が低いと成膜レート
が下がり、安定な放電を長時間持続し得ないため、アル
ゴンの体積割合を50%以上、より好ましくは60%以
上にすべきである。これは特に、0.3Pa以下の低圧
力下でのスパッタリングには顕著であり、アルゴン分圧
が十分でないと放電が停止してしまう恐れが大きい。ま
た、スパッタガス中に酸素を全く導入しない場合には、
酸素欠損が原因の膜の黒色化が見られる場合があるため
に、微量でも酸素をスパッタガス中に導入する必要があ
る。
の窒素濃度と誘電特性の関係を調査した結果について説
明する。調査用サンプルとしては、図1に示す性能測定
用サンプル100を用いた。この場合、上記した絶縁層
1cと同様、ガラス基板1を300℃に加熱・保持し、
酸化タンタル(Ta2 O5 )中に10mol%の酸化錫
(SnO2 )を混ぜた混合焼結ターゲットを用い、アル
ゴン(Ar)、酸素(O2 )、窒素(N2 )を調整した
混合ガスを成膜室に導入し、ガスの圧力を0.2Paに
保持し、2KWの高周波電力でスパッタリングして、T
aSnON膜を形成した。
sccm、酸素流量5sccmを固定し、窒素流量を0
〜30sccmまで5sccm刻みで変化させ、(ア)
〜(キ)の7水準のサンプルを用意した。組成の分析
は、島津製作所製のEPMA8705を用いて、タンタ
ル(Ta)、錫(Sn)、酸素(O)、および窒素
(N)の各元素について、表1の条件で行った。
10sccm以下の場合、EPMAでの窒素検出が困難
であるため、EPMAより高感度であるSIMSを用い
て、窒素の分析調査を行った。ここで、SIMSの分析
に当たっては、イオン注入試料を用いた定量化手法(例
えば、「Secondary Ion Mass Spectrometry 」著者 R.
G.Wilson, F.a.Stevie,C.W.Mageeのp3.1−1〜p
3.1−2に記載)により、窒素の定量化を行った。定
量化のための標準試料としては、窒素を全く流さないガ
ス雰囲気中で成膜したサンプル(ア)に対し、窒素を加
速電圧140KeVでイオン注入して、総ドーズ量が
1.0×1015/cm2 となるサンプルを用いた。
社(仏)製のIMS−4Fを用い、表2の分析条件で、
上記(ア)〜(キ)の7サンプルを測定した。
示す。この図7に示す結果から、TaSnON膜に含ま
れる窒素原子の割合(at%)と性能指数(=最大蓄積
電荷量)の関係は図8に示すようになる。この図におい
て、左から順に(ア)〜(キ)のサンプルがプロットさ
れており、TaSnON膜に含まれる窒素原子の割合が
0.5at%以上5.0at%以下のときに、極めて高
い性能指数を示していることが分かる。
子の割合が0.5at%より少ない場合は、窒素元素が
不足していて、望ましい誘電特性が得られず、また、窒
素原子の割合が5.0at%を超えると、錫(Sn)が
構造中に入りにくくなり、これにより誘電特性の向上効
果が小さくなるためと考えられる。また、図7に示す結
果から、TaSnON膜中の窒素(N)と錫(Sn)の
割合(N/Sn)と性能指数の関係は図9に示すように
なる。この図において、横軸は対数目盛りであり、左か
ら順に(ア)〜(キ)のサンプルがプロットされてい
る。
/Snを0.1以上20.0以下とすれば、高い性能指
数を得ることができる。なお、上述したした実施形態で
は添加物として錫を用いるものについて説明したが、イ
ンジウム(In)を添加物として用いた場合、あるいは
錫およびインジウムを添加物として用いた場合でも同様
の効果を得ることができる。 (第2実施形態)図10に、第1実施形態で示したTa
SnON膜を薄膜EL素子の誘電体膜に用いた場合の模
式的な断面構成を示す。
からなる絶縁基板11上に、光学的に透明なITOから
なる第1透明電極(第1電極)12、光学的に透明なT
aSnONからなる第1絶縁層13、テルビウム(T
b)が添加された硫化亜鉛(ZnS)からなる発光層1
4、光学的に透明なTaSnONからなる第2絶縁層1
5、光学的に透明なITOからなる第2透明電極(第2
電極)16が順次積層形成されている。
て説明する。まず、無アルカリガラス基板11上に第1
電極12を形成する。具体的には、ガラス基板を350
℃に加熱・保持し、スパッタガスとしてアルゴン(A
r)と酸素(O2 )よりなる混合ガスを成膜室に導入
し、ガス圧力を0.46Paに保持し、3.2KWのD
Cパワーでスパッタリングを行う。この時、スパッタリ
ングターゲットは酸化インジウム(In2 O3 )中に酸
化錫(SnO2 )を混ぜた混合焼結ターゲットを用い、
200nmの厚さに成膜する。
によって所望の電極パターンに加工する。その際のエッ
チング液としては塩酸(HCl)と塩化第二鉄(FeC
l3)を主成分とした溶液を用いる。この第1電極12
上に、TaSnONからなる第1絶縁層13をスパッタ
法により形成する。
ス基板を300℃に加熱・保持し、成膜室内の圧力を
1.0×10-4Pa以下に排気する。その後、アルゴン
(Ar)+20%窒素(N2 )+5%酸素(O2 )より
なる混合ガスを成膜室に導入し、ガスの圧力を0.2P
aに保持し、2KWの高周波電力でスパッタリングを行
う。この時、スパッタターゲットは酸化タンタル(Ta
2 O5 )中に10mol%の酸化錫(SnO2 )を混ぜ
た混合焼結ターゲットを用い、一元スパッタを行う。形
成した膜の厚さは400nmである。
S)を母体材料として発光中心としてテルビウム(T
b)を添加した硫化亜鉛:テルビウム(ZnS:Tb)
発光層14をスパッタにより形成する。具体的には、ガ
ラス基板の温度を250℃に保持し、スパッタ装置内を
1.0×10-4Pa以下に排気する。その後アルゴン
(Ar)およびヘリウム(He)からなる混合ガスを成
膜室に導入し、ガスの圧力を3.0Pa、2.2KWの
高周波電力でスパッタリングを行う。形成する膜の厚さ
は500nmである。その後、真空中で500℃の熱処
理を行う。
る第2絶縁層15を第1絶縁層13と同一の方法で40
0nm形成し、この第2絶縁層15上にITOよりなる
第2透明電極16を第1電極12と同一の方法で200
nm成膜する。上記のようにして製造された薄膜EL素
子300に対し、絶縁層13、15を酸化窒化珪素(S
iON)にて形成した薄膜EL素子を作製して、両者の
性能比較を行った。
波電圧を印加して駆動した時の発光輝度特性を図11に
示す。グラフ中の破線はTaSnONを絶縁層とした薄
膜EL素子300の特性を示し、実線はSiONを絶縁
層とした薄膜EL素子の特性を示す。この図から明らか
なように、TaSnONを絶縁層とした薄膜EL素子
は、SiONを絶縁層とした薄膜EL素子と比較して駆
動電圧が低く、かつ発光輝度を高くすることができる。
また、TaSnONを絶縁層とした薄膜EL素子を発光
開始電圧+60Vで連続発光耐久試験を行ったところ、
1000時間発光後も画素全体が破壊するような大きな
破壊や伝播型の破壊は発生しなかった。
N絶縁層の成膜方法は、特願平7ー25724号に示す
多元スパッタ法による成膜方法よりも容易に大面積化が
可能であり、量産に向いている。 (第3実施形態)上記薄膜EL素子300において、T
aSnON絶縁層を他の誘電体膜と積層しても同様の効
果を得ることができる。この例を、図12に薄膜EL素
子310として示す。この薄膜EL素子310は、発光
層14の上に形成される絶縁層を、SiON膜31とT
aSnON膜15の積層構成としたものであり、SiO
N膜31以外の構成は薄膜EL素子300と同じであ
る。なお、SiON膜31の膜厚は50nmである。
素子310の連続発光前と連続発光後の発光輝度特性を
示す。このグラフを分かるように、薄膜EL素子310
は発光開始電圧の変化がなく、より安定している。な
お、連続発光試験後の素子の破壊点の数も、薄膜EL素
子310は、より少なかった。 (第4実施形態)図14に、第2電極16上に防湿用パ
ッシベーション膜32を形成した薄膜EL素子320を
示す。そのパッシベーション膜32は、TaSnONに
て構成されている。このTaSnON膜の成膜条件は、
TaSnON絶縁層13、15と同様である。
ともにITOを用いているが、第1電極12および第2
電極16の電気抵抗の上昇は見られず、またTaSnO
N膜32は良好な防湿特性を示した。なお、このパッシ
ベーション膜32は、第3実施形態に適用するもののみ
ならず、第2実施形態にも適用してもよい。 (その他の実施形態)薄膜EL素子は、発光層14の両
側に絶縁層13、15を設けるものに限らず、片側のみ
に絶縁層を設けるものであってもよい。また、透明電極
12、16については、両方とも透明にするものに限ら
ず、光取り出し側の電極のみ透明電極とするようにして
もよい。
性能測定サンプルの断面図である。
斜視図ある。
におけるITOの電気抵抗値を比較した図である。
における最大蓄積電荷量を比較した図である。
ートの関係を示した図である。
電荷量の関係を示した図である。
表である。
t%)と性能指数の関係を示す図である。
n)と性能指数の関係を示す図である。
断面図である。
SiONを絶縁層とした薄膜EL素子の発光輝度特性を
示す図である。
断面図である。
連続発光前と連続発光後の発光輝度特性を示す図であ
る。
断面図である。
電極、5…電極、11…絶縁性基板、12…第1透明電
極、13…第1絶縁層、14…発光層、15…第2絶縁
層、16…第2透明電極、31…SiON膜、32…パ
ッシベーション膜。
Claims (14)
- 【請求項1】 タンタルと、インジウムおよび錫の少な
くとも1種と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からな
り、アモルファス状態の薄膜であることを特徴とする誘
電体薄膜。 - 【請求項2】 タンタルと、インジウムおよび錫の少な
くとも1種と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からな
り、アモルファス状態の薄膜であって、酸化インジウム
と酸化錫からなる透明導電膜に接して形成されているこ
とを特徴とする誘電体薄膜。 - 【請求項3】 前記窒素の原子割合が、0.5at%以
上5.0at%以下であることを特徴とする請求項1又
は2に記載の誘電体薄膜。 - 【請求項4】 前記インジウムおよび錫の少なくとも1
種の元素に対する前記窒素の原子数の比が、0.1以上
20.0以下であることを特徴とする請求項1又は2に
記載の誘電体薄膜。 - 【請求項5】 一対の電極間に、発光層と絶縁層を配設
した薄膜EL素子において、前記絶縁層として請求項1
乃至4のいずれか1つに記載の誘電体薄膜を用いたこと
を特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項6】 前記発光層と前記誘電体薄膜との間に、
SiNx膜又はSiON膜が形成されていることを特徴
とする請求項5に記載の薄膜EL素子。 - 【請求項7】 前記一対の電極の少なくとも一方は、酸
化インジウムと酸化錫からなる透明導電膜であって、前
記誘電体薄膜は前記透明電極に接して形成されているこ
とを特徴とする請求項5又は6に記載の薄膜EL素子。 - 【請求項8】 前記透明導電膜の上に、請求項1乃至4
のいずれか1つに記載の誘電体薄膜がパッシベーション
膜として形成されていることを特徴とする請求項7に記
載の薄膜EL素子。 - 【請求項9】 一対の電極間に発光層と絶縁層を配設し
た薄膜EL素子の製造方法において、 前記絶縁層が、タンタルと、インジウムおよび錫の少な
くとも1種と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からなる
アモルファス状態の誘電体薄膜であり、 この誘電体薄膜を、酸化タンタルと、酸化インジウムお
よび酸化錫の少なくとも1つをスパッタリングターゲッ
トとして、アルゴンと酸素と窒素を含む混合ガス雰囲気
中でスパッタリングして成膜することを特徴とする薄膜
EL素子の製造方法。 - 【請求項10】 前記スパッタリングターゲットとし
て、酸化タンタルと、酸化インジウムおよび酸化錫の少
なくとも1つを混合し、焼結して一体となした混合焼結
ターゲットを用いることを特徴とする請求項9に記載の
薄膜EL素子の製造方法。 - 【請求項11】 前記スパッタリング時の混合ガス雰囲
気の圧力が0.3Pa以下であることを特徴とする請求
項9又は10に記載の薄膜EL素子の製造方法。 - 【請求項12】 前記一対の電極の少なくとも一方は、
酸化インジウムと酸化錫からなる透明導電膜であって、
前記誘電体薄膜を前記透明導電膜上に成膜することを特
徴とする請求項9乃至11のいずれか1つに記載の薄膜
EL素子の製造方法。 - 【請求項13】 前記混合ガス中の窒素ガスの体積割合
が5%以上であることを特徴とする請求項12に記載の
薄膜EL素子の製造方法。 - 【請求項14】 前記混合ガス中の酸素ガスと窒素ガス
の合計の体積割合が50%未満で、かつ酸素ガスの体積
割合が、窒素ガスの体積割合を超えないことを特徴とす
る請求項13に記載の薄膜EL素子の製造方法。
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