JPS62145694A - 電場発光素子の製造方法 - Google Patents
電場発光素子の製造方法Info
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- JPS62145694A JPS62145694A JP60285281A JP28528185A JPS62145694A JP S62145694 A JPS62145694 A JP S62145694A JP 60285281 A JP60285281 A JP 60285281A JP 28528185 A JP28528185 A JP 28528185A JP S62145694 A JPS62145694 A JP S62145694A
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- JP
- Japan
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- positive integer
- integral multiple
- film
- integer equal
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平板型ディスプレイ、各種光源、照明に用い
られる電場発光素子（エレクトロルミネッセンス素子、
以下、ｒＥＬ素子」と称する）及びその製造方法に関す
るものである。
られる電場発光素子（エレクトロルミネッセンス素子、
以下、ｒＥＬ素子」と称する）及びその製造方法に関す
るものである。
固体膜に電界を印加することにより発光するＥＬ素子は
、１：し膜化、軽が化が可能であり、ちらつきがなく、
低１“Ｌ正駆動が可能であるという点でＣＲＴに対抗す
る表示素子として期待されている。しかし、これまでＥ
Ｌ素子は、発光効率も低く、充分な発光輝度が得られて
いない。
、１：し膜化、軽が化が可能であり、ちらつきがなく、
低１“Ｌ正駆動が可能であるという点でＣＲＴに対抗す
る表示素子として期待されている。しかし、これまでＥ
Ｌ素子は、発光効率も低く、充分な発光輝度が得られて
いない。
その原因として１発光層の結晶性が悪く、不純物などに
よる電子の散乱が生じ、充分な励起が達成されないとい
うことが考えられる。
よる電子の散乱が生じ、充分な励起が達成されないとい
うことが考えられる。
従来知られているＥＬ素子の製造法において、その電場
発光体膜（以下ｒＥＬ発光体膜」と称す）の堆積法とし
ては、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、ＡＬＥ（原子層エピタキシー）法等があり、一般
的には、プラズマＣＶＤ法が用いられている。
発光体膜（以下ｒＥＬ発光体膜」と称す）の堆積法とし
ては、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、ＡＬＥ（原子層エピタキシー）法等があり、一般
的には、プラズマＣＶＤ法が用いられている。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法による堆積
膜の形成においての反応プロセスは、従来の所謂、８Ｃ
ｖＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応機構も不
明な点が少なくなかった。また、その堆積膜の形成パラ
メーターも多く（例えば、基体温度、導入ガスの流量と
比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反応容器の
構造、排気速度、プラズマ発生方式など）、これらの多
くのパラメータの組み合せによるため１時にはプラズマ
が不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影
響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置特有
のパラメーターを装置ごとに設定しなければならず、し
たがって製造条件を一般化することがむずかしいという
のが実状であった。
膜の形成においての反応プロセスは、従来の所謂、８Ｃ
ｖＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応機構も不
明な点が少なくなかった。また、その堆積膜の形成パラ
メーターも多く（例えば、基体温度、導入ガスの流量と
比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反応容器の
構造、排気速度、プラズマ発生方式など）、これらの多
くのパラメータの組み合せによるため１時にはプラズマ
が不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影
響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置特有
のパラメーターを装置ごとに設定しなければならず、し
たがって製造条件を一般化することがむずかしいという
のが実状であった。
しかしながら、堆積膜の応用用途によっては。
大面積化、膜厚の均一性、膜品質の均一性を十分に満足
させて、再現性のある量産化を図らねばならないため、
プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成においては、量産
装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の為
の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置
の今後改善すべき問題点として指摘されている。
させて、再現性のある量産化を図らねばならないため、
プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成においては、量産
装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の為
の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置
の今後改善すべき問題点として指摘されている。
他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必
要とすると共に、企業的なレベルでは必ずしも満足する
様な特性を有する堆積膜が得られていなかった。
要とすると共に、企業的なレベルでは必ずしも満足する
様な特性を有する堆積膜が得られていなかった。
上述の如く１機能性膜の形成において、その天川可能な
特性の確保と、均一性を維持させながら低コストな装置
で量産化できる堆積膜の形成方法を開発することが切望
されている。
特性の確保と、均一性を維持させながら低コストな装置
で量産化できる堆積膜の形成方法を開発することが切望
されている。
（発明の目的〕
本発明は上述した従来の欠点を除去すると同時に、従来
の製造法によらない新規なＥＬ素子及びその製造法を提
供するものである。
の製造法によらない新規なＥＬ素子及びその製造法を提
供するものである。
本発明の目的は、従来に比べて、発光輝度及び寿命の向
上したＥＬ素子を提供することである。
上したＥＬ素子を提供することである。
また、本発明の他の目的は、形成されるＥＬ発光膜の特
性を容易に管理出来、その良好な特性を保持すると共に
１発光輝度、寿命、堆積速化、及び量産化を容易に達成
させることの出来るＥＬ素子の製造法を提供することで
ある。
性を容易に管理出来、その良好な特性を保持すると共に
１発光輝度、寿命、堆積速化、及び量産化を容易に達成
させることの出来るＥＬ素子の製造法を提供することで
ある。
本発明の電場発光素子は、成膜空間に、下記−・般式（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表わされる化合物（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）と該化合物（Ａ）。
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表わされる化合物（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）と該化合物（Ａ）。
（Ｂ）、（Ｃ）の少なくともいずれが１つと化学反応す
る気体状ハロゲン系酸化剤とを夫々導入することによっ
て形成された電場発光体膜を有することを特徴とする。
る気体状ハロゲン系酸化剤とを夫々導入することによっ
て形成された電場発光体膜を有することを特徴とする。
Ｍ ｍ Ｒｎ −−−−−−−−−−−−−（Ａ ）Ａ
ａ Ｂ ｂ −−−−−−−−−−−−−−（Ｂ ）
Ｊ ｊ Ｑ ｑ −＝−−−−−−−−−−−（Ｃ）（
但し１ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、
ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍは亜
鉛（Ｚ ｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、
＆化水素基を夫々示す。
ａ Ｂ ｂ −−−−−−−−−−−−−−（Ｂ ）
Ｊ ｊ Ｑ ｑ −＝−−−−−−−−−−−（Ｃ）（
但し１ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、
ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍは亜
鉛（Ｚ ｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、
＆化水素基を夫々示す。
ａはＢの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、ｂはＡ
の価数に等しいかまたは整数倍の正整３．Ａはイオウ（
Ｓ）またはセレン（Ｓ ｅ）元素、Ｂは水素（Ｈ）、／
・ロゲン（Ｘ）、炭化水］＋５基を夫々示す。
の価数に等しいかまたは整数倍の正整３．Ａはイオウ（
Ｓ）またはセレン（Ｓ ｅ）元素、Ｂは水素（Ｈ）、／
・ロゲン（Ｘ）、炭化水］＋５基を夫々示す。
ｊはＱの価数に笠しいかまたは整数倍の正整ｆｆ＆、ｑ
はＪの価数に等しいかまたは整数倍のＩＥ整９．Ｊはマ
ンガン（Ｍ ｎ ）または希土類金属元、も、Ｑは水素
（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。） また、本発明の電場発光素子の製造法は。
はＪの価数に等しいかまたは整数倍のＩＥ整９．Ｊはマ
ンガン（Ｍ ｎ ）または希土類金属元、も、Ｑは水素
（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。） また、本発明の電場発光素子の製造法は。
基体上に電場発光体膜を形成する為の成膜空間に、下記
の一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ，）で表わされる化合物
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）と。
の一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ，）で表わされる化合物
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）と。
該化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の少なくともいずれか
１つと化学反応する気体状ハロゲン系酸化剤とを夫々導
入することによって、前記基体上に電場発光体膜を形成
することを特徴とする。
１つと化学反応する気体状ハロゲン系酸化剤とを夫々導
入することによって、前記基体上に電場発光体膜を形成
することを特徴とする。
Ｍ ｍ Ｒｎ −−−−−−−−−−−−−−（Ａ ）
Ａ ａ Ｂ ｂ −−−−−−−−−−−−−−（Ｂ
）Ｊ ｊ Ｑ ｑ −−−−−−−−−−−−−−（Ｃ
）（但し、ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整
数、ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍ
は亜鉛（Ｚ ｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ
）、炭化水素基を夫々示す。
Ａ ａ Ｂ ｂ −−−−−−−−−−−−−−（Ｂ
）Ｊ ｊ Ｑ ｑ −−−−−−−−−−−−−−（Ｃ
）（但し、ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整
数、ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍ
は亜鉛（Ｚ ｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ
）、炭化水素基を夫々示す。
ａはＢの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、ｂはＡ
の価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ａはイオウ（
Ｓ）またはセレン（Ｓｅ）元素、Ｂは水素（Ｈ）、ハロ
ゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。
の価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ａはイオウ（
Ｓ）またはセレン（Ｓｅ）元素、Ｂは水素（Ｈ）、ハロ
ゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。
ｊはＱの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、ｑはＪ
の価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｊはマンガン
（Ｍ ｎ ）または希土類金属元素、Ｑは水素（Ｈ）、
ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。） 〔実施例〕 次に本発明の製造法によって製造されるＥＬ素子の典型
的な例を挙げて、本発明を説明する。
の価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｊはマンガン
（Ｍ ｎ ）または希土類金属元素、Ｑは水素（Ｈ）、
ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。） 〔実施例〕 次に本発明の製造法によって製造されるＥＬ素子の典型
的な例を挙げて、本発明を説明する。
第１図は、本発明によって得られる典型的なＥＬ素子の
断面図である。第１図に於て、１はガラス基板であり、
２は、スズ（Ｓ ｎ）添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等
の透明電極であり、３はＹ２Ｏ３等の絶縁体層、４はＥ
Ｌ発光体層、５はＹ２Ｏ３等の絶縁体層、６はＡ文等の
電極である。
断面図である。第１図に於て、１はガラス基板であり、
２は、スズ（Ｓ ｎ）添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等
の透明電極であり、３はＹ２Ｏ３等の絶縁体層、４はＥ
Ｌ発光体層、５はＹ２Ｏ３等の絶縁体層、６はＡ文等の
電極である。
ＥＬ発光体層４は、ＺｎＳまたはＺｎ５ｅにＭｎやＰｒ
ｌＳｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ。
ｌＳｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ。
Ｅｒ、Ｔｍ、Ｎｄなどの希土類元素やそれら希土類元素
のフッ化物を含有させたものから構成される。
のフッ化物を含有させたものから構成される。
本発明′の方法では、所望のＥＬ発光体層としての膜を
形成するに際して、膜の形成パラメーターが、導入する
前記一般式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で夫々示される化
合物（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）及びこれらの化合物の少な
くともいずれか１つと化学反応する活性種の導入量、基
体及び成膜空間内の温度、成膜空間内の内圧となり、従
って、ｊ１！２形成条件のコントロールが容易になり、
再現性、量産性のあるＥＬ発光体層としての膜を形成さ
せることができる。
形成するに際して、膜の形成パラメーターが、導入する
前記一般式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で夫々示される化
合物（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）及びこれらの化合物の少な
くともいずれか１つと化学反応する活性種の導入量、基
体及び成膜空間内の温度、成膜空間内の内圧となり、従
って、ｊ１！２形成条件のコントロールが容易になり、
再現性、量産性のあるＥＬ発光体層としての膜を形成さ
せることができる。
、４．、発明に於て使用されるハロゲン系酸化剤は１反
応室間内に導入される際気体状とされ、口１時に反応空
間内に導入される堆積膜形成用の気体状原ネ４物買に化
学的接触だけで効果的に醇化作用をする性質を有するも
ので、Ｆ２゜０Ｍ２．Ｂｒ２．Ｉ２等のハロゲンガス、
発生期状態の弗素、塩素、臭素等が有効なものとして挙
げることが出来る。
応室間内に導入される際気体状とされ、口１時に反応空
間内に導入される堆積膜形成用の気体状原ネ４物買に化
学的接触だけで効果的に醇化作用をする性質を有するも
ので、Ｆ２゜０Ｍ２．Ｂｒ２．Ｉ２等のハロゲンガス、
発生期状態の弗素、塩素、臭素等が有効なものとして挙
げることが出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形
成用の原料物質の気体と共に所望の流量と供給圧を与え
られて反応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突
することで接触をし、前記原料物質に酸化作用をして励
起状態のＯｉ７堅体を含む複数種の前駆体を効率的に生
成する。生成される励起状態の前駆体及び他の前駆体は
、少なくともそのいずれか１つが形成される堆積膜の構
成要素の供給源として働く。
成用の原料物質の気体と共に所望の流量と供給圧を与え
られて反応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突
することで接触をし、前記原料物質に酸化作用をして励
起状態のＯｉ７堅体を含む複数種の前駆体を効率的に生
成する。生成される励起状態の前駆体及び他の前駆体は
、少なくともそのいずれか１つが形成される堆積膜の構
成要素の供給源として働く。
本発明において使用される前記一般式（Ａ）。
（Ｂ）及び（Ｃ）の夫々で示される化合物（Ａ）（Ｂ）
及び（Ｃ）としては、成膜される基体が存在する空間に
おいて、前記の気体状ハロゲン系酸化剤と分子的衝突を
起して化学反応を起し、基体上に形成される堆積膜の形
成に寄与する化学種を自発的に発生するものを選択する
のがより望ましいものであるが、通常の存在状ｍでは、
前記の活性種とは不活性であったり、或は、それ程の活
性性がない場合には、化合物（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）
に該化合物（Ａ）。
及び（Ｃ）としては、成膜される基体が存在する空間に
おいて、前記の気体状ハロゲン系酸化剤と分子的衝突を
起して化学反応を起し、基体上に形成される堆積膜の形
成に寄与する化学種を自発的に発生するものを選択する
のがより望ましいものであるが、通常の存在状ｍでは、
前記の活性種とは不活性であったり、或は、それ程の活
性性がない場合には、化合物（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）
に該化合物（Ａ）。
（Ｂ）及び（Ｃ）が前記一般式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ
）中のＭ、Ａ及びＪを完全解離しない程度の強さの励起
エネルギーを成膜前または成膜時に与えて、化合物（Ａ
）、（Ｂ）及び（Ｃ）を気体状ハロゲン系酸化剤と化学
反応し得る励起状態にすることが必要であり、また、そ
の様な励起状態にし得る化合物を、本発明の方法に使用
される化合物（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の１種として採
用するものである。
）中のＭ、Ａ及びＪを完全解離しない程度の強さの励起
エネルギーを成膜前または成膜時に与えて、化合物（Ａ
）、（Ｂ）及び（Ｃ）を気体状ハロゲン系酸化剤と化学
反応し得る励起状態にすることが必要であり、また、そ
の様な励起状態にし得る化合物を、本発明の方法に使用
される化合物（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の１種として採
用するものである。
尚、本発明においては、化合物が前記の励起状態になっ
ているものを以後「前駆体（Ｅ）」と呼称することにす
る。
ているものを以後「前駆体（Ｅ）」と呼称することにす
る。
本発明において、前記一般式（Ａ）（Ｂ）で夫々示され
る化合物（Ａ）ＲｎＭｍ、化合物（Ｂ）ＡａＢｂ及び化
合物（Ｃ）ＪｊＱｑとｌ。
る化合物（Ａ）ＲｎＭｍ、化合物（Ｂ）ＡａＢｂ及び化
合物（Ｃ）ＪｊＱｑとｌ。
て、有効に使用されるものとしては以下の化合物を挙げ
ることが出来る。
ることが出来る。
即ち、「Ｍ」としてＺｎ元素、「Ａ」としてＳまたはＳ
ｅ元素、ｒＪＪとしてＭ ｎ 、 Ｐ ｒ 。
ｅ元素、ｒＪＪとしてＭ ｎ 、 Ｐ ｒ 。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ。
Ｎｄ元素を有する化合物を夫々、化合物（Ａ）。
（Ｂ）及び（Ｃ）として挙げることが出来る。
「Ｒ」、「Ｂ」及び「Ｑ」としては、直鎖状及び側鎖状
の位相炭化水素や不飽和炭化水素から誘導される一価、
二価及び三価の炭化水素基、或いは飽和または不飽和の
単環状の及び多環状の炭化水素より誘導される一価、二
価及び三価の炭化水素基を挙げることが出来る。
の位相炭化水素や不飽和炭化水素から誘導される一価、
二価及び三価の炭化水素基、或いは飽和または不飽和の
単環状の及び多環状の炭化水素より誘導される一価、二
価及び三価の炭化水素基を挙げることが出来る。
不飽和の炭化水素基としては、炭素・炭素の結合は単一
種の結合だけではなく、−重結合、二重結合、及び三重
結合の中の少なくとも２種の結合を有しているものも本
発明の目的の達成にかなうものであれば有効に採用され
得る。
種の結合だけではなく、−重結合、二重結合、及び三重
結合の中の少なくとも２種の結合を有しているものも本
発明の目的の達成にかなうものであれば有効に採用され
得る。
また、二重結合を複数布する不飽和炭化水素基の場合、
非集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支
えない。
非集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支
えない。
非環状炭化水素基としてはアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キリデン基、アルキリジン基、アルケニリジン基、アル
キニリジン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としては、好ましくは１−１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キリデン基、アルキリジン基、アルケニリジン基、アル
キニリジン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としては、好ましくは１−１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。
本発明においては、有効に使用される化合物（Ａ）、（
Ｂ）及び（Ｃ）として、準備状態で気体状であるか或い
は使用環境下において容易に気化し得るものが選択され
る様に、上記に列挙した「Ｒ」とｒ Ｍ Ｊ、ｒＡＪと
「Ｂ」及び「Ｊ」とｒＱＪとの選択において、適宜所望
に従って、ｒｌ（Ｊと「Ｍ」、「Ａ」と「Ｂ」及び「Ｊ
」とｒＱＪ との組合せの選択がなされる。
Ｂ）及び（Ｃ）として、準備状態で気体状であるか或い
は使用環境下において容易に気化し得るものが選択され
る様に、上記に列挙した「Ｒ」とｒ Ｍ Ｊ、ｒＡＪと
「Ｂ」及び「Ｊ」とｒＱＪとの選択において、適宜所望
に従って、ｒｌ（Ｊと「Ｍ」、「Ａ」と「Ｂ」及び「Ｊ
」とｒＱＪ との組合せの選択がなされる。
；（発明において、
化合物（Ａ）として有効に使用される具体的なものとし
ては。
ては。
ＺｎＭｅ２ 、ＺｎＥｔ２．ＺｎＸ２等を。
化合物（Ｂ）として有効に使用される具体的なものとし
ては、 Ｍｅ２Ｓ、Ｍｅ２Ｓｅ、Ｅｔ２Ｓ、Ｅｔ２Ｓｅ等を。
ては、 Ｍｅ２Ｓ、Ｍｅ２Ｓｅ、Ｅｔ２Ｓ、Ｅｔ２Ｓｅ等を。
化合物（Ｃ）として有効に使用される具体的なものとし
ては、 Ｍｅ ２Ｍｎ 、 Ｍｅ、３ Ｐ ｒ 、 Ｍｅ ３
Ｓｍ 。
ては、 Ｍｅ ２Ｍｎ 、 Ｍｅ、３ Ｐ ｒ 、 Ｍｅ ３
Ｓｍ 。
Ｍｅ３Ｅｕ 、Ｍｅ３Ｔｂ、Ｍｅ３Ｄｙ 。
Ｍｅ３Ｈｏ 、Ｍｅ３Ｅｒ、Ｍｅ３Ｔｍ。
Ｍｅ３Ｎｄ、Ｅｔ２Ｍｎ、Ｅｔ３Ｐｒ。
Ｅｔ３Ｓｍ、Ｅｔ３Ｅｕ、Ｅｔ３Ｔｂ。
Ｅｔ３Ｄｙ、Ｅｔ３Ｈｏ、Ｅｔ３Ｅｒ。
Ｅｔ３Ｔｍ、Ｅｔ３Ｎｄ、ＰｒＸ３゜
ＳｍＸ３ 、Ｅ ｕＸ３ 、ＴｂＸ３ 、ＤｙＸ３ 。
ＨｏＸ３ 、ＥｒＸ３ 、ＴｍＸ３．ＮｄＸ３等を挙げ
ることが出来る。
ることが出来る。
］二記において、Ｘはハロゲン（Ｆ’、０文。
Ｂｒ、Ｉ）、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を示す。
本発明に於ては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し、
高品質で所９ノの物理特性を有する膜が形成される可〈
、成ｎ＜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤
の種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流
沿、成膜空間内圧、ガスの波型、成膜温度（基体温度及
び雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等
の成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるもので
はなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発明
に於て、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体状原
料物質と気体状ハロゲン系酸化剤との量の割合は、上記
成膜因子の中間速する成膜因子との関係に於て適宜所望
に従って決められるが、導入流量比で、好ましくは、１
／２０〜１００／１が適当であり、より好ましくは１１
５〜５０／ｌとされるのが望ましい。
高品質で所９ノの物理特性を有する膜が形成される可〈
、成ｎ＜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤
の種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流
沿、成膜空間内圧、ガスの波型、成膜温度（基体温度及
び雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等
の成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるもので
はなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発明
に於て、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体状原
料物質と気体状ハロゲン系酸化剤との量の割合は、上記
成膜因子の中間速する成膜因子との関係に於て適宜所望
に従って決められるが、導入流量比で、好ましくは、１
／２０〜１００／１が適当であり、より好ましくは１１
５〜５０／ｌとされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸化剤との化学的
接触を確率的により高める為には、より高い方が良いが
、反応性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定する
のが良い。前記混合時の圧力としては、上記の様にして
決められるが、夫々の導入時の圧力として、好ましくは
ｔｘｔｏ−’７気圧〜１０気圧、より好ましくは１ ｘ
１０−Ｇ気圧〜３気圧七されるのが望ましい。
体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸化剤との化学的
接触を確率的により高める為には、より高い方が良いが
、反応性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定する
のが良い。前記混合時の圧力としては、上記の様にして
決められるが、夫々の導入時の圧力として、好ましくは
ｔｘｔｏ−’７気圧〜１０気圧、より好ましくは１ ｘ
１０−Ｇ気圧〜３気圧七されるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配置されている空間内の圧力は反応空間に於いて生成さ
れる励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆体
（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効果的
に寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
配置されている空間内の圧力は反応空間に於いて生成さ
れる励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆体
（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効果的
に寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の基体状原料物質と
気体状ハロゲン系酸化剤と＾ ば 庁 ｒｋ 凹 づ
＾ 、ｎ １ 丁 唱 １【 、内 −ワ シ 小 門
；市 １ｊ 込て、例えば差動排気或いは、大型の
排気装置の使用等の工夫を加えて調製することが出来る
。
続している場合には、堆積膜形成用の基体状原料物質と
気体状ハロゲン系酸化剤と＾ ば 庁 ｒｋ 凹 づ
＾ 、ｎ １ 丁 唱 １【 、内 −ワ シ 小 門
；市 １ｊ 込て、例えば差動排気或いは、大型の
排気装置の使用等の工夫を加えて調製することが出来る
。
或いは１反応室間と成膜空間の連結部のフンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
また、反応空間と成膜空間が一体的に囚っていて、反応
位置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述
の様に差動排気するか或いは、排気能力の十分ある大型
の排気装置を設けてやれば良い。
位置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述
の様に差動排気するか或いは、排気能力の十分ある大型
の排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と気体状ハロゲン酸化剤の導入圧
力との関係において決められるが、好ましくｌ＊ｏ、ｏ
ｏＩＴｏｒｒ 〜１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは０．
０ＩＴｏｒｒ〜３０Ｔｏ ｒ ｒ、最適には０．０５〜
１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい。
される気体状原料物質と気体状ハロゲン酸化剤の導入圧
力との関係において決められるが、好ましくｌ＊ｏ、ｏ
ｏＩＴｏｒｒ 〜１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは０．
０ＩＴｏｒｒ〜３０Ｔｏ ｒ ｒ、最適には０．０５〜
１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい。
ガスの波型に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質及びハロゲン系酸化剤の導入の際にこれ等か
均一に効率良く混合され、前記前駆体（Ｅ）が効率的に
生成され月つ成膜か支障なく適切になされる様に、カス
導入口と基体とカス排気口との幾何学的配置を考ＩＧシ
て設計される必要がある。この幾何学的な配置の好適な
例の１つが第２図に示される。
の原料物質及びハロゲン系酸化剤の導入の際にこれ等か
均一に効率良く混合され、前記前駆体（Ｅ）が効率的に
生成され月つ成膜か支障なく適切になされる様に、カス
導入口と基体とカス排気口との幾何学的配置を考ＩＧシ
て設計される必要がある。この幾何学的な配置の好適な
例の１つが第２図に示される。
成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて
１個々に適宜所望に従って１没定されるが、好ましくは
５０℃から１０００℃、より好ましくは１００°Ｃ〜９
００℃、最適には１００℃〜７５０℃とされるのが望ま
しい。
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて
１個々に適宜所望に従って１没定されるが、好ましくは
５０℃から１０００℃、より好ましくは１００°Ｃ〜９
００℃、最適には１００℃〜７５０℃とされるのが望ま
しい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては。
生成される前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｄ）が成
膜に不適当な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆
体（Ｅ）が生成される様に基体温度（Ｔ ｓ）との関連
で適宜所望に応じて決められる。
膜に不適当な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆
体（Ｅ）が生成される様に基体温度（Ｔ ｓ）との関連
で適宜所望に応じて決められる。
成ｎ！２空間に化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、化合物（
Ｃ）及び気体状ハロゲン系酸化剤を導入する際の導入の
仕方は、成Ｅ＋空間に、！ｉ！結されている１噛送管を
通して導入しても良いし、或いは成Ｉ４’空間に設置し
であるノ１（体の成１１り表面近くまで１）１」記の輸
送管を延在させて、先端をノズル状となして導入しても
良いとし、・陥送管を二重にして内側の管で一方、外側
の管で他方を、例えば内側の管で気体状ハロゲン系酸化
剤を、外側の管で化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、及び化
合物（Ｃ）を夫々輸送して成ｊ漠空間中に導入しても良
い。
Ｃ）及び気体状ハロゲン系酸化剤を導入する際の導入の
仕方は、成Ｅ＋空間に、！ｉ！結されている１噛送管を
通して導入しても良いし、或いは成Ｉ４’空間に設置し
であるノ１（体の成１１り表面近くまで１）１」記の輸
送管を延在させて、先端をノズル状となして導入しても
良いとし、・陥送管を二重にして内側の管で一方、外側
の管で他方を、例えば内側の管で気体状ハロゲン系酸化
剤を、外側の管で化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、及び化
合物（Ｃ）を夫々輸送して成ｊ漠空間中に導入しても良
い。
また、輸送管に連結されている４本のノズルを用意し、
該４本のノズルの先端を成膜空間に既に設置されている
基体の表面近傍に配して、基体の表面近くにおいて夫々
のノズルより吐出される化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）と
化合物（Ｃ）と気体状ハロゲン系酸化剤とが混合される
様にして導入しても良い、この場合には、基体上に選択
的にＥＬ発光体膜を形成することが可能なので膜形成と
同時にパターン化が出来る為に好都合である。
該４本のノズルの先端を成膜空間に既に設置されている
基体の表面近傍に配して、基体の表面近くにおいて夫々
のノズルより吐出される化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）と
化合物（Ｃ）と気体状ハロゲン系酸化剤とが混合される
様にして導入しても良い、この場合には、基体上に選択
的にＥＬ発光体膜を形成することが可能なので膜形成と
同時にパターン化が出来る為に好都合である。
本発明に於て使用される基体としては、形成される堆積
膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであれ
ば導電性でも電気絶縁性であっても良い、導電性基体と
しては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、
Ｍｏ。
膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであれ
ば導電性でも電気絶縁性であっても良い、導電性基体と
しては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、
Ｍｏ。
Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ 。
Ｐｂ等の金属またはこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、Ａｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、Ｉ Ｔｏ （Ｉ ｎ
２．０３ ＋Ｓ ｎ０２）等の薄１漠を設ける事によっ
て導電処理され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば。
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、Ｉ Ｔｏ （Ｉ ｎ
２．０３ ＋Ｓ ｎ０２）等の薄１漠を設ける事によっ
て導電処理され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば。
ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ。
Ａ ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉ ｒ、’Ｎ ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等で処理し、または前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状環、任意の形状とし得、所
望によって、その形状が決定される。
ｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等で処理し、または前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状環、任意の形状とし得、所
望によって、その形状が決定される。
基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
：実施例１〕
第２図に示す装置を使い、以下の如き操作により第１図
に示したＥＬ発光素子を作製した。
に示したＥＬ発光素子を作製した。
第２図において、２００−１，２００−２゜２００−３
．２００−４は夫々ノズル２０１−１．２０１−２．２
０１−３は夫々原料ガス導ス竹、２０２−１は気体状ハ
ロゲン系醇化剤の、漿料導入管、２０２は気体状ハロゲ
ン系酸化剤輸送管、２０４は成膜室、２０７は基体支持
台、２０８は基体、２０９は基体加熱用ヒータ、２１０
は／＜ルブ、２１１は排気装置である。
．２００−４は夫々ノズル２０１−１．２０１−２．２
０１−３は夫々原料ガス導ス竹、２０２−１は気体状ハ
ロゲン系醇化剤の、漿料導入管、２０２は気体状ハロゲ
ン系酸化剤輸送管、２０４は成膜室、２０７は基体支持
台、２０８は基体、２０９は基体加熱用ヒータ、２１０
は／＜ルブ、２１１は排気装置である。
カラス基体ｌのとに厚さ２００Ｃ）人のＩＴＯ電極２を
スパッタリング法により形成し、その」二に電子ビーム
法着法により、１２０℃の基体温度で６００人の厚さの
Ｙ２Ｏ３絶縁体層３を形成した。その上に、第２図のガ
ラス導入管２０２よりＦ２ガス２００ＳＣＣＭを、ノイ
ズ２００−４より成膜室２０４に導入した。
スパッタリング法により形成し、その」二に電子ビーム
法着法により、１２０℃の基体温度で６００人の厚さの
Ｙ２Ｏ３絶縁体層３を形成した。その上に、第２図のガ
ラス導入管２０２よりＦ２ガス２００ＳＣＣＭを、ノイ
ズ２００−４より成膜室２０４に導入した。
これと同時にカス導入管２０１−１，２０１−２．２０
１−３を通じてＨｅガスによりバブリングされた（ＣＨ
３） ２Ｚｎ 、（ＣＨ３）２Ｓｅ 、（ＣＨ３） ２
Ｍｎをそれぞれ５ｍｍｏｕ／’ｍｉｎ、５ｍｍｏ 文
／ｍｉｎ、０．１ｍｍｏ 文／ ｍ ｉ ｎの割合で
ノズル２００−１．２００−２．２００−３より成膜室
２０４に導入した。
１−３を通じてＨｅガスによりバブリングされた（ＣＨ
３） ２Ｚｎ 、（ＣＨ３）２Ｓｅ 、（ＣＨ３） ２
Ｍｎをそれぞれ５ｍｍｏｕ／’ｍｉｎ、５ｍｍｏ 文
／ｍｉｎ、０．１ｍｍｏ 文／ ｍ ｉ ｎの割合で
ノズル２００−１．２００−２．２００−３より成膜室
２０４に導入した。
この場合（ＣＨ３） ２Ｚｎ 、（ＣＨ３）５ ｅ及び
（ＣＨ３） ２ＭｎはＦ２カスの酸化作用によって、化
学反応し、基体ヒーター２０９により約４００℃に加熱
された基体上２０８に３０分間で約４０００人のＺｎＳ
ｅ（Ｍｎ）発光体層４が形成された。
（ＣＨ３） ２ＭｎはＦ２カスの酸化作用によって、化
学反応し、基体ヒーター２０９により約４００℃に加熱
された基体上２０８に３０分間で約４０００人のＺｎＳ
ｅ（Ｍｎ）発光体層４が形成された。
更に発光体層４の上に基体温度１２０°Ｃで゛セ了ビー
ム蒸着法により３０００人の厚さのＹ２Ｏ５絶縁体層５
を形成し、その上に電子ビーム蒸着法により厚さ１００
０人のＡ立電極６を形成した。
ム蒸着法により３０００人の厚さのＹ２Ｏ５絶縁体層５
を形成し、その上に電子ビーム蒸着法により厚さ１００
０人のＡ立電極６を形成した。
従来用いら丸でいるＭｎを含むＺｎ５ｅターゲツトを用
いて、Ａｒガス雰囲気中で高周波スパッタリングするこ
とによりＺｎＳｅ（Ｍｎ）発光体層４を形成した。尚、
他の層の形成は実施例１と同様にしておこない、ＥＬ素
子を作製した。
いて、Ａｒガス雰囲気中で高周波スパッタリングするこ
とによりＺｎＳｅ（Ｍｎ）発光体層４を形成した。尚、
他の層の形成は実施例１と同様にしておこない、ＥＬ素
子を作製した。
実施例１及び比較例で示した本発明と従来の方法によっ
て作製したＥＬ発光素子を用いて透明電極２とＡ文電極
６０間に５ＫＨｚの正弦波電圧を印加して輝度−電圧特
性を求めた。
て作製したＥＬ発光素子を用いて透明電極２とＡ文電極
６０間に５ＫＨｚの正弦波電圧を印加して輝度−電圧特
性を求めた。
その結果を第１表に示す。
第 １ 表
□
この結果から、従来法ではＺｎＳｅ（Ｍｎ）の結晶性が
悪く、不純物による電子の散乱が生じ、励起が不充分で
あることが考えられ、結果的にしきい電圧の増加と輝度
の低下が生じてるのに対し１本発明では、結晶性の良好
なＺｎＳｅ（Ｍｎ）が作製され、低いしきい電圧と高輝
度のＥＬ発光素子が得られた。
悪く、不純物による電子の散乱が生じ、励起が不充分で
あることが考えられ、結果的にしきい電圧の増加と輝度
の低下が生じてるのに対し１本発明では、結晶性の良好
なＺｎＳｅ（Ｍｎ）が作製され、低いしきい電圧と高輝
度のＥＬ発光素子が得られた。
〔実施例２〕
実施例１において用いた（ＣＨ３） ２Ｚｎ 。
（ＣＨ３） ２ｓｅ 、（ＣＨ３） ２Ｍｎの代わりに
第１表に示す化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）及び化合物（
Ｃ）を発光体層形成用の原料ガスとしてそれぞれ使用し
、第２表に記載した条件にした以外は実施例１と同様に
してＥＬ発光素子を作成した。
第１表に示す化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）及び化合物（
Ｃ）を発光体層形成用の原料ガスとしてそれぞれ使用し
、第２表に記載した条件にした以外は実施例１と同様に
してＥＬ発光素子を作成した。
これ等のＥＬ発光素子について、５ＫＨｚの正弦波電圧
を印加し、節度−電圧特性を求めた。その時のしきい電
圧と輝度を第２表に示した。
を印加し、節度−電圧特性を求めた。その時のしきい電
圧と輝度を第２表に示した。
第２表
〔発明の効果〕
本発明のよれば、所望される高輝度、低しきい電圧を達
成し 耐電圧性及び機械的特性にすぐれたＥＬ発光素子
を得ることかできる。また１本発明の製造法によれば、
ＥＬ発光体層となる膜の形成に於て、再現性が向上し、
１９品質の向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜
の大面積化に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産
化を容易に達成することができる、歩留り良＜ＥＬ発光
素子を製造することができる。
成し 耐電圧性及び機械的特性にすぐれたＥＬ発光素子
を得ることかできる。また１本発明の製造法によれば、
ＥＬ発光体層となる膜の形成に於て、再現性が向上し、
１９品質の向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜
の大面積化に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産
化を容易に達成することができる、歩留り良＜ＥＬ発光
素子を製造することができる。
それに加えて、低温での膜形成も可能であるために、＃
熱性に乏しい基体上にもＥＬ素子を形成することができ
、また低温処理によって工程の短縮化を図れる。更に、
活性種の導入量を制御することによって、形成されるＥ
Ｌ発光体膜の組成比及び特性を管理することができると
いった効果が発揮される。
熱性に乏しい基体上にもＥＬ素子を形成することができ
、また低温処理によって工程の短縮化を図れる。更に、
活性種の導入量を制御することによって、形成されるＥ
Ｌ発光体膜の組成比及び特性を管理することができると
いった効果が発揮される。
第１図は、本発明によって作製されたＥＬ発光素子の模
式的断面図であり、第２図は本発明を具現化する製造装
置の模式図である。 ｉ −−−−−−−−−−−−−−−一基板２−−−−
−−一−−−−−−−−−透明電極３ 、５−−−−−
−−−−−−一絶縁層４−−−−−−−−−−−−−−
−一発光体層６−−−−−−−−−−−−−−−一電極
２００−１〜４−−−−ノズル ２０１−１〜３−一一一導入管 ２０２−１〜２−一一一輸送管 ２０４−−−−−−−−−−−一成膜室。
式的断面図であり、第２図は本発明を具現化する製造装
置の模式図である。 ｉ −−−−−−−−−−−−−−−一基板２−−−−
−−一−−−−−−−−−透明電極３ 、５−−−−−
−−−−−−一絶縁層４−−−−−−−−−−−−−−
−一発光体層６−−−−−−−−−−−−−−−一電極
２００−１〜４−−−−ノズル ２０１−１〜３−一一一導入管 ２０２−１〜２−一一一輸送管 ２０４−−−−−−−−−−−一成膜室。
Claims (1)
- （１）成膜空間に、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
で表わされる化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）と該化合物
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の少なくともいずれか１つと化
学反応する気体状ハロゲン系酸化剤とを夫々導入するこ
とによって形成された電場発光体膜を有することを特徴
とする電場発光素子。 ＭｍＲｎ−−−−−−−−−−−−−−（Ａ） ＡａＢｂ−−−−−−−−−−−−−−（Ｂ） ＪｊＱｑ−−−−−−−−−−−−−−（Ｃ） （但し、ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整数
、ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍは
亜鉛（Ｚｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、
炭化水素基を夫々示す。ａはＢの価数に等しいかまたは
整数倍の正整数、ｂはＡの価数に等しいかまたは整数倍
の正整数、Ａはイオウ（Ｓ）またはセレン（Ｓｅ）元素
、Ｂは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々
示す。ｊはＱの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、
ｑはＪの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｊはマ
ンガン（Ｍｎ）または希土類金属元素、Ｑは水素（Ｈ）
、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。） ２）電場発光素子の製造法に於て、基体上に電場発光体
膜を形成する為の成膜空間に、下記の一般式（Ａ）、（
Ｂ）、（Ｃ）で表わされる化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ
）の少なくともいずらか１つと化学反応する気体状ハロ
ーゲン系酸化剤とを夫々導入することによって、前記基
体上に電場発光体膜を形成することを特徴とする電場発
光素子の製造法。 ＭｍＲｎ−−−−−−−−−−−−−−（Ａ） ＡａＢｂ−−−−−−−−−−−−−−（Ｂ） ＪｊＱｑ−−−−−−−−−−−−−−（Ｃ） （但し、ｍはＲの価数に等しいかまたは整数倍の正整数
、ｎはＭの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｍは
亜鉛（Ｚｎ）元素、Ｒは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、
炭化水素基を夫々示す。ａはＢの価数に等しいかまたは
整数倍の正整数、ｂはＡの価数に等しいかまたは整数倍
の正整数、Ａはイオウ（Ｓ）またはセレン（Ｓｅ）元素
、Ｂは水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々
示す。ｊはＱの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、
ｑはＪの価数に等しいかまたは整数倍の正整数、Ｊはマ
ンガン（Ｍｎ）または希土類金属元素、Ｑは水素（Ｈ）
、ハロゲン（Ｘ）、炭化水素基を夫々示す。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285281A JPH0744069B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 電場発光素子の製造方法 |
| US06/942,793 US4804558A (en) | 1985-12-18 | 1986-12-17 | Process for producing electroluminescent devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285281A JPH0744069B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 電場発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145694A true JPS62145694A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0744069B2 JPH0744069B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=17689477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285281A Expired - Lifetime JPH0744069B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 電場発光素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4804558A (ja) |
| JP (1) | JPH0744069B2 (ja) |
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| US5763111A (en) * | 1992-12-25 | 1998-06-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescence element and process for fabricating same |
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| JP2795194B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| CN100529155C (zh) * | 2003-07-03 | 2009-08-19 | 伊菲雷知识产权公司 | 用于无机发光材料沉积的硫化氢注射方法 |
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| JPH0744069B2 (ja) | 1995-05-15 |
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