JPS6247176A - 青色発光素子の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＭ工Ｓ　（Ｍｅｔａ’ｌ−工ｎｓｕｌａｔｏｒ
−８ａｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　）　　構造を有するＺ
ｎＥＩｙＳａｌ−ｙ　（Ｄ≦ｙ≦１）の青色発光素子に
閃する。

〔発明の概要〕

本発明は単結晶基板上に低抵抗ｎ−型Ｚｎ５ｙＳｅｌ−
ｙ　（０≦ｙ≦１）層、絶縁層、電極層を順次積層した
構造を有する青色発光素子の製造法において、ジアルキ
ル亜鉛（以下Ｒ２Ｚｎ　　と略す）及びジアルキルセレ
ン（以下Ｒ２Ｓθ　と略す）を両者のうち低沸点成分の
量を概ね過剰に混合し、加熱によって反応及び熟成を行
なった後、過剰成分を留、出除去して得られるジアルキ
ル亜鉛とジアルキルセレンの付加体である有機亜鉛化合
物を亜鉛ソースとし、硫黄又はセレンソースとして硫化
水素又はセレン化水素を用いた有機金属気相熱分解法（
ＭＯＯＶＤ法）で低抵抗外−型Ｚｎ５ｙＳｅｌ−ｙ層を
作製することを特徴とし、このＺｎ５ｙＳθ１−ｙ層を
発光層とした高輝度高効率の青色発光素子を再現性よく
大倣生産することを目的としている。

〔従来技術〕

従来考察されているＺｎ５ｙＳθ１−ｙＮを発光層とし
たＭＩＳ型青色発光素子の製造法には次の様なものがあ
る。

１、　バルクのｚｎｓｅ又はＺｎＳに亜鉛融液処理を施
すことにより低抵抗化した後に、壁開面」二に絶縁層、
金属電極を積層する。（例えば　　Ａｐｐｌ、、Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ、、ヱ７（１９７５）６９７゜Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ　Ｊ、Ａｐｐｌ−、Ｐｈｙｓ、、１６（１９７７
）７７、参照） ２、　　ｎ−Ｇａｐ　上にジアルキル亜鉛とＨ２Ｓ　　
を原料としたＭＯＯＶＤ法によって作製した九−型Ｚｎ
Ｓ層に絶縁層、金属電極を積層する。（例えば、公開特
許公報　昭５８−１６５５　８　６　　、Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ　　Ａ’ｂｓｔｒａｃｔｓ　　ｏｆ　’ｔｈｅ１５
ｔｈ　０ｏｎｆｅｖｅｎｃｅ　ｏｎ　５ｏｌｉｄ　５ｔ
ａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　
１９８３　ｐｐ３４９Ｂ−７−８参照） 五　単結晶基板上に分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）
によりＺｎ５ｅ　層を成長して、Ｍ工Ｓ構造又は、ヘテ
ロｐｎ接合を形成する。

（例えば、公開特許公報　昭５７−１８８８９１昭５８
−２１５Ｂ５．昭５９−１１６８８、昭５９−１６３９
３．昭５９−１７２２７８　参照） 〔発明が解決しようとした問題点及び目的〕上述の従来
技術１〜５については次の様な問題点がある。

従来技術１について バルクのＺｎ５ｅ、ＺｎＳ　　の結晶成長及び亜鉛融液
処理がそれぞれバッチプロセスであり、長時間を要する
ため量産性に乏しい。（例えば、封管を用いたヨウ素輸
送法では７〜１゜日で約１ｄ程度の結晶しかできない） 従来技術２について ％　−Ｇ　ａ　Ｐ上にジメチル亜鉛とＨ２Ｓを用いたＭ
ＯＯＶＤ法において、トリエチルアルミニウム（ＴｘＡ
ｔ）をドーピングすることによりＡＬ添加ｚｎｓ（以下
ｚｎｓ：Ａｔと略す）を形成したがａｓ−ｇｒｏｕｎに
おける比□抵抗が１０４０・ｍと極めて高いために、こ
のｚｎｓ：Ａｔを発光層としたＭｉｓ型青色発光素子は
実現していない。

従来技術５について ＭＢＦｉ法では１０→〜１０−１ＩＴｏｒｒ　　という
超高真空を必要としたため装置製造費及び維持費が高い
。また装置の構造が複雑なために大型化が難しく、１バ
ッチ当りのウェハー処理能力もさほど多くないために、
量産性に乏しいことが欠点となっている。

そこで本発明はこの様な問題を解決するものでその目的
としたところは、Ｚｎ５ｙＳａｌ−ｙ　（０≦ｙ≦１）
を発光層、７穀するＭＩＳ型青色発光素子を優れた量産
性と再現性をもって製造する方法を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る青色発光素子の製造法においては単結晶基
板上に低抵抗外−型Ｚｎ５ｙ８ｅｌ−ｙ　（０≦ｙ≦１
）層、絶縁層、電極層を順次積層した構造を有する青色
発光素子の製造法において、ジアルキル亜鉛及びジアル
キルセレンを両者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混
合し、加熱によって反応及び熟成を行なった後、過剰成
分を留出除去して得られるジアルキル亜鉛とジアルキル
セレンの付加体である有機亜鉛化合物を亜鉛ソースとし
、硫黄又はセレンソースとして硫化水素又はセレン化水
素を用いた有機金属気相熱分解法（ＭＯＯＶＤ法）で低
抵抗外−型ｚｎｓｙｓｅｌ−ｙ層を作製することを特徴
とした。

〔実施例〕

本発明において用いる付加体からなる有機亜鉛化合物の
製法について説明する。

ａｚｚｎとＲ２Ｓｅの付加体は電子受容体とじてのＲ２
Ｚｎと、電子供与体としてのＲｚｓｅとの１対１の酸−
塩基反応の結果得られるものでＲ２Ｚｎ　　　−Ｓ　θ
Ｒ２ の構造からなる。付加体の製造にあたっては以下の工程
が必要である。

Ｒ２ＺｎとＨｚｓ６とを、両者のうち低沸点成分を概ね
過剰に、好ましくは、低沸点成分対高沸点成分の比率を
１．０５〜１．２当量比として混合し、両者を低沸点成
分の沸点以下で、概そ０℃〜４０℃で１０分〜３時間、
好ましくは１０〜３５°Ｃで０．５〜１時間、充分に反
応させる。

その後反応を完結するために、徐々に昇温し、３０〜８
０°Ｃで１０分〜２時間、好ましくは１０〜ｂ ３０分〜１時間熟成させる。

最後に過剰成分を蒸留により除去する。

付加体の生成は以下の事実により確認できる。

（１）両者の混合により発熱する。

（２）生成した付加体の蒸気圧一温度曲線は、出発原料
のＲ２Ｚｎ及びＲ２５ｅのいずれとも異なる。

（８）原料の仕込み量から留出過剰成分を差し引いた残
量はＲ１１ＺｎとＲ２Ｂが１＝１で付加体を形成してい
ると仮定した重量に一致する。

具体的な実施例として（ａｕｇ）２ｚｎと（ＯＨａ）２
ｓｅからなる付加体（ＣＩＨ３）ＩＩＺＩＩＩ−８１３
（ＯＨ１１）２について述べる。

３００ｄ丸底７　ラス：ｒ　ニ（ａＨｓ　）ｚｓｅを６
五５１（０，５８３モｙ）仕込み、攪拌しながら（ｏａ
ｇ　）２Ｚｎ５ａ５ｆ（０，６１３モル）を滴下四−ト
にょ滴下して反応させた。反応は発熱反応で、発熱量は
大であった。

反応温度を８〜１５℃に制御し、４０分間反応を行った
。その後１５℃／時間の割で徐々に昇温し、４５℃で１
時間熟成した。その後蒸留により不要な過剰分を留出除
去した。生成物は１１８りであった。

第１図は得られた付加体の蒸気圧一温度特性を示す。横
軸１が温度、縦軸２が蒸気圧である。

実線３が付加体の、又破線４．゛５が各々、原料である
５ｅ（ＣＨｓ）ｚ及び（ＯＨａ）２Ｚｎの蒸気圧特性を
示す。

又、表１に代表的温度に於ける蒸気圧の値を示す。

（表１） 又同様の工程お経る事により表２に示す付加体が得られ
た。

以下に上述の製造方法によって形成される付加体を用い
た青色発光素子の製造例を示す。

〔実施例１〕 Ｚｎ５ｅを発光層としたＭＩＳ型発光発光素子造実施例
を以下に示す。

第２図は本発明において用いるＭＯＯＶＤ装置の概略図
である。

石英ガラス製の横型反応管乙の内部には８１０コーテイ
ングを施したグラファイト製サセプター７が置かれ、さ
らにその上には基板８が置かれている。反応炉の側面か
ら高周波加熱炉、赤外線炉、または抵抗加熱炉９などに
より基板加熱を行なう。基板温度はグラファイト製サセ
プター７の中に埋め込んだ熱電対１ｏによりモニターす
る。反応管は排気系１１及び廃ガス処理系１２とバルブ
１３．１４を介して接続されている。Ｚｎソースである
付加体はバブラー１５に封入されている。

またＡｔのソースとなるトリエチルアルミニウム（Ｔｉ
Ａｔ）はバブラー１６に封入されている。

キャリアーガス及びセレン化水素はそれぞれボンベ１７
．１８に充填されている。純化装置ｊ９に表はマスクロ
ーコントローラ２０により流量制御される。バブラー１
５．１６に封入された付加体及び、ＴＥＡｔは恒温槽２
１により所定温度に維持されている。バブラーの中に適
当量のキャリアーガスを導入しバブリングを行なうこと
により所望の量の付加体及び’ｒｇＡｚが供給される。

バブラー１５．１６及びボンベ１８より供給された付加
体、ＴＥＡｔセレン化水素はそれぞれキャリアーガスに
よって希釈された後に合流し三方バ２ｖブ２２を経て反
応管６へ導入される。三方バルブ２２は原料ガスの反応
管６への導入及び廃ガス処理系１２への廃棄の切シ換え
を行なう。第２図には横型反応炉を示したが縦型反応炉
においても基本的構成は同じである。但し基板の回転機
構を設けることにより得られる膜の均一性を確保する必
要がある。

（１ｏｏ）面、（ｉｏｏ）ＷＪから（１１０）面の方向
に５°あるいは２°のずれを有する面においてスライス
し、鏡面研磨した低抵抗ｎ−型のヒ化ガリウム（ＧＬＡ
日６）にトリクロルエチレン。

ｐ アセトン、メタノールによる超音波洗浄を施こす。しか
る後にＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ：５：１！１（体
積比）なるエツチング液により室温で２ｉのエツチング
を行なう。純水を用いてエツチングを停止し、純水、メ
タノールにて洗浄した後、ダイア０ン中に保存した。基
板は反応管へのセットを行なう直前にダイフロンより取
り出し、乾燥窒素ブローによりダイフロンを乾燥除去す
る。基板セットの後反応炉内を１ｏ→ＴＯｒｒ程度まで
真空引きし、系内に残留するガスを除く。キャリアーガ
スを導入して系内を常圧に戻した後１〜２１　／　ｍ程
度のキャリアーガスを流しっつ昇温を開始する。加熱に
は赤外線加熱炉を用いた。キャリアーガスとしては、純
度９９．９９９９％のＨｅまたは純化装置を通過させた
■、を用いた。基板温度が所定温度に到達し、安定した
後、原料ガスの供給を開始し、低抵抗Ｚｎ５ｅ膜の成長
を行なう。付加体として、ジメチル亜鉛とジメチルセレ
ンによって形成される（ＯＨＭ）ｚｚｎ−Ｂｅ（ＯＨ３
）２を用いた。以下に示す成長条件により約３μｍのＺ
ｎ５ｅ←・しくイ） ｔＡｔが形成される。

基板温度２００〜３３０℃、原料導入口から基板までの
距離２０ｃｒｎ１付加体バブリング量−１５℃において
６０雪１／ｍ−，Ｔ　ＦＩ　Ａ　Ｉ−バブリング量−１
０℃において２０ｍ１ｍ、Ｈｅで希釈した１％のＨｏ５
ｅの供給量、２００１ｄ　／　１１１１１　ｓキャリア
ーガスを含む全ガス流量、４−５　Ｚ　／　”’１　％
成長時間１９０ｍ　　ＺｎＳθ：Ａｔ層の、形成後、次
の手順に従い、Ｚｎ５ｅ絶縁層を形成する。

１、　三方バルブ２２の操作により原料ガスをガス処理
系１２へ廃棄することにより反応管６への供給を中断す
る。

Ｚ　バブラー１６のパルプ２３の操作によりＴＦｉＡｔ
の供給を中止する。

五　しばらくガスの廃棄を行ない配管内に残留するＴＥ
ＩＡｔを除去する。ＴＫＡｔの除去を効率よく行なうた
めに、すべての原料ガス及びキャリアーガスの供給を中
断し、バルブ１３．１４を介して配管内の脱気を排気系
１１により行な２てもよい。

＾べ ４、三方バルブ２２の操作により、付加体と硫化水素か
らなる原料ガスを反応管６に導入する。

これによりアンドープＺｎ５ｅの成長が開始する。約７
ｉの成長によりＩｏｏｏλ程度のアンドープＺｎ５ｅ層
が形成される。

所定の時間成長を行なった後、原料の供給をストップし
、冷却する。冷却中はＨｅ又はＨｌを１〜２　Ｌ　／　
４流しておく。基板表面の熱エッチを防ぐためにＨｅ希
釈１％のＨ２Ｓｅを３０〜６０　ｄ１ｍｓ程度流しなが
ら冷却してもよい。基板が室温にもゲクたら反応炉内を
排気し、系内に残留するセレン化水素を除去する。系内
を大気圧に戻した後に基板をとり出す。

絶縁層としては、上述の様に付加体を亜鉛ソースとした
ＭＯＯＶＤ法で形成されたアンドープＺｎ５ｅを用いる
他に、スパッタ又は電子ビーム蒸着等によりＺｎＳ冨Ａ
ｔ上に厚さ１０００〜２０００１程度の絶縁膜を積層し
ても良い。材料はＳｉＯ２，５ｉｌＮ４　、Ｔａ２０１
　、ムｔｔａｓ　、ＺｎＳ、Ｎａ１Ｆ。

ＭｇＦ２　　などで良し）。

・（−゛・、°し゛　　α→ 続いて下記の条件により、基板の裏面にオーム性接触を
形成する。

ＧａＡθ基板 Ａｕ−Ｇｏ　（Ｇｅ＝１２ｗｔ−％）又はＡｕ−５ｎを
約２０００＾程度蒸着後、不活性雰囲気中３３０〜３０
０℃で５〜１０＋＋ｕａ間熱処理最後に絶縁層上にコン
タクト用の電極として、金またはＴＴＯ層を形成する。

光の取り出しを確保するため、Ａｕは３００〜５ｏｏＸ
程度の厚さにする。

以上の様にして作製したＭ工ｓ構造を有する素子に順方
向のバイアス電圧を印加すると、１〜２■付近から発光
が観測された。

発光強度は素子を流れる電流に比例して増加した。発光
スペクトルは室温で４７５ｎｍ付近にピークを有してお
り、素子の発光効率は約１０″″３であった。

上述の実施例においては、従来技術にない次の様な効果
が得られた。

１、同一ウニバー内又は異なるバッチ間で比較した素子
特性のバラツキは約１ｏ％であった。

特性のバラツキは素子製造工程の改善によりさらに低減
できると思われる。

２上述の工程の中でＭＯＯＶＤ法によるＺｎ５ｅ層の作
製に要する時間は１バッチ当り約４時間であり、従来法
におけるバルク結晶の成長に比べ、１ケタ以上の量産化
が期待できる。

五ウェハーの１バッチ当りの処理能力は、反応管の大き
さと形状によって処理枚数及び口径の増大が可能である
。

以上の実施例から容易に類推できる如（ＺｎＢｅへのｈ
Ｌの添加と同様にして、Ｇａ、Ｉｎの添加も、対応する
有機金属化合物、例えばトリエチルガリウム（沸点＝１
４５℃）、トリエチルインジウム（沸点＝１８４℃）を
用いることにより可能である。バブリング温度における
蒸気圧とバブリングガスの流量から計算される供給量が
トリエチルアルミニウムのそれと等しいとき、ＺｎＢｅ
：Ｇａ　、Ｚｎ８ｅ！Ｉｎを発光層としたＭｌＳ型青色
発光素子もＺｎ８ｅ！Ａｔを発光層としたものと同様、
の特性を示した。

■族元素の有機金属化合物の代りに、塩素、塩化水素あ
るいはハロゲン元素を含む有機化合物を上述の実施例に
おけるＺｎＢｅ成長時に導入することにより、ＺｎＢｅ
：Ａｔと同様の電気的特性を呈するＺｎ５ｓ：Ｘ　（Ｘ
＝ＯＬ　、　Ｂ　ｒ　、工）なる単結晶薄膜が製造でき
る。これを発光層としたＭＩＳ型青色発光素子が作製で
きた。得られた素子の特性はＺｎ５ｅ：Ａｔを発光層と
した素子と同様であった。

本実施例に於ては（ＯＨ３）２Ｚｎと（ＯＨ３）２Ｓｅ
とから得られる付加体を用いたが、表−２に示す付加体
及び同様にして形成される他の付加体を亜鉛ソースとし
ても、供給量や製造条件が本実施例と同じ時、同様の特
性を有する半導体装置が得られた。

〔実施例２〕 〔実施例１〕において、セレン化水素の代わりに硫化水
素を■族ソースとして用いることによりＺ４Ｂ！Ｘ　（
ｘ＝Ａｔ、　Ｇａ　、Ｉｎ　、　ＯＬ　、　Ｂ　ｒ　。

■）を発光層としたＭＩＳ型青色発光素子が作製できる
。この時、硫化水素は第２図において、ガスボンベ２４
よりＨｅベース２％のガスとして供給サレ、マスフロー
コントローラ２０により流量制御された後に反応管６へ
導入される。成長温度３３０℃以下では、アルキルセレ
ンの分解速度が極めて小さいため、Ｚ　ｎ　Ｓ　Ｓ　Ｘ
内へのセレンの取り込みは無視できる。

〔実施例１〕と同様の処理を施した低抵抗外−型のヒ化
ガリウム（Ｇａ　Ａ　ｓ　）　ｅリン化ガリウム（Ｇａ
ｐ　）及びシリコン（Ｓｌ）に〔実施例１〕と同様にし
てＺｎＳ寡Ｘの成長を行なう。エツチング条件及び成長
条件は次の通りである。

エツチング条件 ＧａＰ基板　ｇｏｔｓＨＮｏｓ＝ｓ：　１（体積比）室
温で３０１＋６ｃ Ｓ１基板　　１１１’！Ｈ２０＝１　！　１　（体積比
）室温で２− 成長条件 基板温度２３０〜３３０℃、原料導入口から基板までの
距離２０ｃｒｎ、付加体バブリング量−１３０Ｃにおい
て３０ｍ１／ｗｉｇ、ＴＦｉＡｔバブリング量−１０℃
において２０　ｄ　／　ｖｉａＳＨｅで希釈した２％の
Ｈ２Ｓ　　の供給量１００　ｍＡ　／　ｍ　ｓキャリア
ーガスを含む総ガス流量４．５　Ｌ　／　ｖｉａ　、成
長時間上記成長条件で約３μかのｚ、ｎ　Ｓ　Ｓ　Ａ　
１層が形成できる。ドーパントの種類を変えることによ
り同様にしてＺｎＥＩ：Ｘ（Ｘ＝Ｇａ、工ｎ　、　ＯＬ
　、　Ｂ　ｒ、工）が形成できる。

続いて〔実施例１〕と同じ後工程を施すことにより、Ｍ
ＩＳ型発光素子が作製できる。ＧａＰ基板Ｓｉ基板への
オーム性コンタクトの形成条件は以下の通りである。

ＧａＰ基板 Ａｕ−Ａｕ−８ｉ（Ｓｉ＝２％）を約２０００＾程度蒸
着後、不活性雰囲気中４００〜６００℃において５〜１
０ｓｉ間熱処理 Ｓ’　ｉ基板 ３０００Ｘ程度スパッタあるいは蒸着し、不活性雰囲気
中３００℃、３０１間熱処理作製されたＭＩＳ型発光素
子は、数ｖ程度の順方向バイアス電圧の印加により、４
７０〜４７５ｎｍ付近にピークを有する青色発光を呈し
た。ＥＬスペクトルはＺｎＳθ：Ｘを発光層とした素子
に比べてブロードであった。発光スペクトルの代表例を
第３図に示す、素子の発光効率は約１０″〜１０−３で
あった。また本実施例においても〔実施例１〕と同様の
効果が得られた。

〔実施例６〕 〔実施例１．２〕と同様にして、■族ソースにセレン化
水素と硫化水素を用いることでＺｎＥｔｙＳｅｌ−７２
Ｘ　（０＜７＜１　）（Ｘ：Ａｔ、Ｇａ　、Ｉｎ、ａｔ
、Ｂｒｓ工）を発光層としたＭＩＳ型青色発光素子が作
製できる。セレンと硫黄の組成は、供給量比により任意
に変えられる。第４図にガス組成とＺｎ５ｙＳθ１−ｙ
の固相組成比の相関を示す。

作製されたＭＩＳ型素子は、〔実施例１〕又は〔実施例
２〕で作製１．、！素子と同様の特性を示した。また本
実施例においても〔実施例１〕と同様の効果が得られた
。

〔発明の効果〕

以上説明した様に本発明によれば、単結晶基板上に低抵
抗外−型Ｚｎ５ｙＳｅｌ−ｙ　（０≦ｙ≦１）層、絶縁
層、電極層を順次積層した構造を有する青色発光素子の
製造法において、ジアルキル亜鉛及びジアルキルセレン
を両者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱
によって反応及び熟成を行なった後、過剰成分を留出除
去して得られるジアルキル亜鉛とジアルキルセレンの付
加体である有機亜鉛化合物を亜鉛ソースとし、硫黄又は
セレンソースとして硫化水素又はセレン化水素を用いた
有機金属気相熱分解法（ＭＯＯＶＤ法）で低抵抗外−型
Ｚｎ５ｙＳｅｔ−ｙ、＃を作製することにより、ＭＩＳ
型青色発光素子を優れた量産性と再現性をもって製造す
ることが可能となった。。

本発明が可視発光ダイオードを用いたディスプレイの製
造等に寄与するところ極めて大きいと確信する−

【図面の簡単な説明】

第１図は（ＯＲＢ）２Ｚｎ−８ｅ（ＯＨ３）２の蒸気圧
一温度特性図 １・・・温度　　２・・・蒸気圧　　３・・・付加体４
…５ｅ（ＯＨＢ）ｘ　　５…Ｚｎ（ＯＨｓ）ｚ第２図は
本発明において用いるＭＯＯＶＤ装置の概略図 ６・・・石英ガラス製反応管　　７・・・ＳｉＯコーテ
ィングを施したグラファイト製サセプター８・・・基板
　　９・・・高周波加熱炉又は赤外線炉又は抵抗加熱炉
　　１０・・・熱電対　　１１・・・排気系　　１２・
・・廃ガス処理系　　１３．１４・・・パルプ　　１５
・・・付加体の入ったバブラー１６・・・トリエチルア
ルミニウムなどのドーパントが入ったバブラー　　１７
・・・キャリアーガスの入ったボンベ　　１８・・・セ
レン化水素の入ったボンベ　　１９・・・ガス純化装置
　　２０・・・マス７０コント四−ラ　　２１・・・恒
ｍｍ　　　２２・・・三方パルプ　　２３・・・パルプ
　　２４・・・硫化水素の入ったボンベ 第３図は本発明において作製された青色発光素子の発光
スペクトル◇ 第４図は、Ｚｎ５ｙＳθ１−７層を形成する際のガス組
成と得られる結晶組成の相関図。 以　　上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）単結晶基板上に低抵抗ｎ−型ＺｎＳ＿ｙＳｅ＿１
   ＿−＿ｙ（０≦ｙ≦１）層、絶縁層、電極層を順次積層
   した構造を有する青色発光素子の製造法において、ジア
   ルキル亜鉛及びジアルキルセレンを両者のうち低沸点成
   分の量を概ね過剰に混合し、加熱によって反応及び熟成
   を行なった後、過剰成分を留出除去して得られるジアル
   キル亜鉛とジアルキルセレンの付加体である有機亜鉛化
   合物を亜鉛ソースとし、硫黄又はセレンソースとして硫
   化水素又はセレン化水素を用いた有機金属気相熱分解法
   （ＭＯＣＶＤ法）で低抵抗ｎ−型ＺｎＳ＿ｙＳｅ＿１＿
   −＿ｙ層を作製することを特徴とした青色発光素子の製
   造法。
2. （２）亜鉛ソースとして用いる有機金属化合物が０℃〜
   ４０℃において１０〜１８０分間の加熱反応工程、除々
   に昇温して３０〜８０℃で１０〜１２０分間熟成する工
   程を含む加熱処理によって、ジアルキル亜鉛とジアルキ
   ルセレンから形成される付加体であることを特徴とした
   特許請求の範囲第１項記載の青色発光素子の製造法。