JPS61224372A - 青色発光素子及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野」 本発明は表示用あるいはセンサーなどの光源に用いられ
ている青色発光素子及びその製法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は低抵抗Ｚｎ８　を用いたプレーナ構造を有する
ｉＩＳ型青色発光素子において、単結晶基板にＧａＡｓ
　　ｋ用いたことを特徴とし、さらにその製法において
活性層に付加体を用いたＭＯ−ＣＶＤ法によシ形成した
Ｚｎ８　単結晶薄膜を用いたことにより、高輝度・高効
率のＭＩＳ型青型光色発光素子その製法を提供するもの
でおる。

〔従来技術〕

硫化亜鉛（Ｚｎ８）は、室温で１６ｅＴＩという広い禁
制帯幅を有するために青色発光素子材料として注目され
、素子の試作が進められている。（例えば　Ａｐｐ’ｌ
、Ｐｈｙｓ、　Ｌｏｔｔ、、　２７（１’９７５）６９
７．　Ｐｈｙ８８ｔａｔ、　ｓｏｌ、（ａ）　５０　（
１９７Ｂ）４９１．　Ｐｈｙｓ、　５ｔａｔ。

！＋１０１．（ａ）　６４　（１９８１）６９７．　）
ＺｎＳｉｊｎ型結晶しか得られてないこと、及び禁制帯
幅に相当する発光が紫外域に属することのため可視光が
得られる素子構造はＭＸＢｆｊｌ、又はＭｌＳ屋であり
、発光は不純物の添加によって形成される不純物準位を
介しての遷移によって是ら従来研究されている素子構造
を第２図及び第３図に示す。

Ｐ型ＧａＰ基板■上にジエチル亜鉛と硫化水素及びＵ型
ドーパントを原料に用いたＭＯ−（’ＶＤ法によｔ）ｎ
型Ｚｎ８　　エピタキシャル膜■を成長させ、絶縁層■
を積層した後、フォトエツチングに、よりコンタクトホ
ールを開けｎ側のオーミック電極０を形成する。絶縁層
上に形成したもう一方の電極■との間で印加するプレー
ナ型素子構造で作製されている。

第５図はｎ型Ｚｎ８　エピタキシャル膜上に絶縁層０を
介して金電極［相］を形成し、基板裏面のオーミック電
極［相］と平行に配置する対向電極型素子構造で作られ
たものである。。この際に用いられる基板◎としてはｎ
ｆｉＧａＰ　単結晶基板が使えることになる。

〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕上述の従来
技術には以下の問題点を有し、改善が望まれてい九。

（１）　　Ｚｎ８　は大型で良質の単結晶基板の製造が
困難であるために、表１に示すように基板としてＧａｐ
、８１等の比較的格子定数の近い材料を選んでエピタキ
シャル成長させることが試みられている。Ｓｌを基板と
して用い九場合、表面が極めて活性なことにより容品に
酸化膜を形成するため、薄膜成長の前処理として、１０
００℃〜に予備加熱する熱エッチ工程や娩気工程を行な
わなければならない。またＧａＰ　　を用いた場合では
、例えば電子通信学会技術研究報告（半導体、トランジ
スタ）８８Ｄ８５−１６６に見られる様に４００℃以下
の温度領域ではＺｎ８　　薄膜の結晶性が悪くなり、多
結晶状態を呈する様になる。Ｊａｐａｎ。

Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙａ、２２（１９８５）ｔ４４．に
も見られる様に一般に■−■族化合物半導体では低い成
長温度で作成した素子において比抵抗の極小値が現れる
傾向が６Ｄ、前述したように４００℃以下では多結晶に
なってしまうＧａＰ　　を基板として用いたのでは低抵
抗薄膜の形成がむずかしくそのため高（２）　　対向電
極型素子構造では基板−薄膜間のへテロエピタキシャル
界面を通して電圧がかかるためこの部分の影響が避けら
れない。ヘテ四な界面〆 は多くの欠陥を有し易く、界面近傍の結晶性の乱れに伴
う抵抗の増加及びそのばらつきが素子特性のばらつきに
影響を及ぼしている。　　　゛本発明の目的は上記の問
題点を解決し、高輝度。

高効率のＭＩＳ型青型光色発光素子その製法を提供する
ところにある。

表１．主な半導体材料の格子定数 〔問題を解決するための手段〕 本発明の青色発光素子は、単結晶基板としてＧａＡｆｌ
　を用いたことを特徴とし、また該Ｍ工Ｓ発光素子の製
造法において、■族元素を添加したｎ型Ｚｎ５ｘＥｌｅ
−ｘ単結晶薄膜を形成し、該薄膜を形成し、該薄膜上に
絶縁層を設けた後、フォトエツチングにより一部を除去
し、この開口部と絶縁層上に各々電極を形成すること釦
よってプレナー屋構造を有することを特徴とする。さら
に活性層を付加体を用いたＭＯ−ＣＶＤにより形成する
ことを特徴とする。

ここでいう付加体とはＲ１Ｚｎ及びＩｔ、Ｂｆ、両者の
うち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によって
反応及び熟成を行なった後過剰成分を留出除去して得ら
れるＲ１ＺｎとＲ，Ｂの付加体である有機亜鉛化合物を
さす。

低温でも良質な単結晶膜が得られるＧａＡｓ基板を用い
ることで、膜の比抵抗の極小値の部分での素子作製が可
能となった。

第１図には、本発明に係る青色発光素子の断面構造の一
例を示す。■は低抵抗のｎ型ＧａＡｓ単結晶基板で、そ
の上に付加体を用いたＭＯ−０・ＶＤ法により作製した
厘族元素を含む低抵抗ｎｌ！ｚｎｓ単結晶薄膜■、絶縁
層■、エツチングにより除去した開口部■、絶縁層上の
電極■と開口部に形成、したオーミック電極■から成る
。製造は以下の工程で行なった。

″　１．低抵抗ｎ型単結晶基板■への■族元素を含む低
抵抗ｎ型Ｚｎ８　　単結晶薄膜■のＭＯ−ＣＶＤ法によ
る形成 ２　絶縁膜■の積層 五　フォトエツチングによる開口部の形成未　電極材料
の蒸着又はスパッタ 以下、上述の素子作製工程に従い、本発明に係る青色発
光素子の製造法を詳細に説明する。

第４因は本発明において■族元素を含む低抵抗ｎ型Ｚｎ
８　　単結晶薄膜を作製する際に；用いるＭｏ−ＣＶＤ
装置の概略図である。

石英ガラス製の横型反応管［相］の内部にはａｉａコー
ティングを施したグラファイト製サセプターＯが置かれ
、さらにその上には基板［相］が置蜘れている。反応炉
の側面から高周波加熱炉、赤外線炉、または抵抗加熱炉
０などＫよシ基板加熱を行なう。

基板温度はゲラフィト製サセプター〇の中に埋め込んだ
熱電対［相］によりモンターする。反応管は排気系の及
び廃ガス処理系＠とバルブ＠、＠を介して接続されてい
る。Ｚｎソースであるジアルキル亜鉛とシア榊ル硫黄又
はジアルキルセレンとの等セル混合によって得られる付
加体はバブラー［相］に封入されている。また■族元素
のソースとなる有機金属化合物、例えばトリエチルアル
ミニウム（Ｔ］！１Ａｊ）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇａ）、トリエチルインジウム（Ｔｌ工ｎ）などはバブ
ラー■に封入されている。

キャリアーガス及び硫化水素はそれぞれボンベ［相］、
［株］に充填されている。純水装置■によって精製され
たキャリアーガス及び硫化水素はそれぞれマスフローエ
ントローラのによ）流量制御される。

バブラー・、■に封入された付加体及び■族有機金属化
合物は恒温槽［相］によ）それぞれ所定の温度に維持さ
れている。

このバブラーの中の適当量のキャリアーガスを導入、バ
ブリングを行なうことによ）、所望の量の付加体及び■
族有機金属化合物が気化し供給される。バブラーの、＠
及びボンベ０より供給され象付加体■族有機物、化合物
、硫化水素はそれぞれキャリアーガスによって希釈され
合流した後、三方バルブノヲ経て反応管［相］へ導入さ
れる。三方パルプ［相］は原料ガスの反応管［相］への
導入及び廃ガス処理系［株］への廃棄の切シ換えを行な
う。第４図には横型反応炉を示したが縦型反応炉におい
ても基本的構成は同じである。但し基板の回転機構を設
けることにより、得られる膜の均一性全確保する必・要
がある。

以下■族元素を含む低抵抗ｎ−型Ｚｎ８単結晶薄膜の具
体的な作製プロセスを説明する。

（１０Ｇ）面、（１００）面から（１１０）面の方向に
５０あるいは２°　のずれを有する面においてスライス
し、鏡面研・磨した低抵抗ｎ−型のヒ化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）’ｉ、トリクロルエチレン。

アセトン、メタノールによる超音波洗浄を施した後にエ
ツチングをする。エツチング条件は、以下の通りでおる
。

Ｇａ＊４基板　Ｂｚ８０４：　Ｈｌｏｌ、）：Ｈｌ　０
−５：１：１　　（体積比）　室温で　２− 純水を用いてエツチングを停止し、純水、メタノールに
て洗浄した後、グイフロン中に保存した。

基板は反応管へのセラトラ行なう直前にグイフロンより
取シ出し、乾燥窒素ブローによりグイフロンを乾燥除去
する。基板セットの後反応炉内を１０　””　Ｔｏｒｒ
程度まで真空引きし、系内に残留するガスを除く。キャ
リアーガスを導入して系内金常圧に戻した後１〜２を一
程度のキャリアーガスを流しつつ昇温を開始する。加熱
には赤外線加熱炉ゼ用いた。キャリアーガスとしては、
純度９９．９９９９−のＨｅまたは純化装置全通過させ
たＨ、を用いた。基板温度が所定温度に到達し、安定し
次後、を行なう。用いた付加体は純度９９．９９９９　
′＄のジメチル亜鉛とジエチル硫黄を等モル混合して得
られる付加体である。この付加体は５０℃において２８
０ａ＋ｍＨｇ　程度の蒸気圧を有する。■族元素を含む
有機金属化合物としてトリエチルマルミニウム（ＴｇＡ
ＩＬ）を用いた。

成長条件は下記の通りである。

基板温度５００℃〜５５０℃、原料導入口から基板まで
の距離２０ｃ１ｎ、付加体パブリニング量−１５℃にお
い°Ｃ５０ｔｄ　／　ｗｉｎ、　Ｔ　Ｉ　Ａｌバブリン
グ量−１０℃において２０　ｒｔｄ　／　ＩＩｋ−ＦＩ
　ｅで希釈した２％のＦＩ２　Ｂ　　の供給量　２００
　ｍ　／　”　、キャリアーガスを含む全ガス流量　４
．５ｔ／−成長時間９〇−所定の時間成長を行なった後
、原料の供給をストップし、冷却する。冷却中はＨｅ’
ｉ１〜２１／−流しておく。基板表面の熱エッチを防ぐ
ためにＨｅ希釈２％のＨ＝　ｓ　をｓ　ｏ　〜ｂ　ｏ　
ｖｔ　／−程度流しながら冷却してもよい。基板が室温
に戻ったら反応炉内を排気し、系内に残留する硫化水素
を除去する。系内を大気圧に戻した後に基板を取９出す
。この時に得られたＺｎ８：Ａｌ膜の厚さは、約１μ購
でメジ、成長速度は約１７μｍ／ｎ　ｒであった。

以上のプロセスにより作製したＺｎ８：Ａ１単結晶薄膜
は室温において比抵抗ρ−α１〜１００Ω画程度の値を
再現性良く示した。成長温度を２５０℃から４５０℃の
間で変化させたとき、比抵抗は３００〜５１０℃付近で
極小値を呈した。比抵抗の成長温度依存性も再現性は良
好であった。また、Ｈｅ−０（ｉレーザー（発振波長５
ｚｓｏＸ）で励起した時に室温において強い青色発光（
発光波長４６０〜４７０ｎｍ）を示した。キセノンラン
プを用いて、励起波長に２５０　ｎｍから４００　ｎｍ
まで変化させても、４６０〜４７　Ｏｎｍ付近の発光以
外は観測されなかった。以上の事実は本発明で作製され
るＺｎ８：Ａｌ薄膜が極めて高品位でらる１　　ことを
示している。

Ｚｎ８　　との格子マツチングの点から考えれば表１に
示す通りＧａＰ、Ｓｉが比較的良く、ＧａＡ３では４チ
程度のずれが大きく結晶成長に影響するとされてきた。

そのため従来はＧａｐ　が基板として用いられたが４０
０℃以下の低温で゛は薄膜の結晶性が極端に悪くなシ表
面の凹凸が顕著になることが指摘されていた。

ノンドープでＧａＡ３＋基板上にＺｎ８　膜の成長を行
なった実験によると、基板温度が３００℃位での低温領
域でもエピタキシャル成長が行なわれＸ線ロッキングカ
ーブの値もα１５°　付近を再現性良く示しており、極
めて良好な膜が得られ°ていることがわかった。今回の
素子化の工程で比抵抗を測定したところ３００℃付近で
極小を示したことより、ＧａＡ３基板を用いればこうし
た膜の比抵抗の小さい領域を用いて発光素子の作製が可
能となり、高輝度、高効率の発光が取出せることが可能
となった。

以下本発明に係る青色発光素子の作製工程について述べ
る。

まず上述のＭＯＣＶＤプロセスにより（１００）面又は
（１０°０）面から（１１０）面方向へ２°−又は５°
　傾いた面でスライスしたｎ−型のＧａＡ３１の基板上
の低抵抗ＺｎＳ　　層を約３μｍ成長させる。

次にスパッタ、又は電子ビーム蒸着等により、ＺｎＳ　
　上に厚さ１０００〜２０００１程度の絶縁層を形成す
る。材料はＳ　ｉ　Ｏ２２Ｓ１３１Ｊ４　、　Ｔａ２０
Ｂ　、　Ａｌ４Ｇｈ。

ＺｎＳ、　ＮａＦ、　Ｍｇ１Ｆｓなどで良い。

続いてフォトリソグラフィーの技術及びエラチン１グを
施して、絶縁膜■に開口部■を設ける、次にフォトソゲ
ラフイーの技術を用いて、パターニングされた電極■を
形成する。電極材料は、Ａｕ又は工ＴＯを用いた。Ａｕ
の場合光の取り出しを確保するため厚さは５００〜５０
０Ｘ程度にする。

絶縁膜■に設けた開口部■全通して、Ｉｎ−Ｇａ。

ｌｎ−Ｈｇにより低抵抗ＺｎＳ薄膜■にオーム性接続を
形成した。Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｆｉｇを付着させた時に
不活性雰囲気中、３５０℃〜４００℃において、２〜５
分間の熱処理を施こすことによシ、良好のオーム性接触
が形成できた。

以上の様にして作製したＭ工Ｓ構造を有する素子に順方
向のバイアス電圧を印加すると、１〜２Ｖ付近から発光
が観測された。発光の閾値電圧は用いる絶縁膜の厚さと
材料に依存した。例えば、１００Ｘの８ｉＱ雪の場合、
約２．２７で発光が観測され、発光強度は素子を流れる
電流に比例して増加した０発光波長は室温で４７０μｍ
、量子効率は約１０１であった。得られた素子の発光ス
ペクトルの代表例を第５図に示す。同一ウニバー内又は
異なるパッチ間で比較した素子特、性のバラツキは約８
％でめった。素子作製工程の改良により特性のバラツキ
はさらに低減できると思われる。

上述の工程の中で、ＭＯＣＶＤ法によるＺｎ８層の作製
に要する時間は、１バッチ当り約４時間程度であり、従
来法におけるバルク結晶の成長に比べ、１ケタ以上の量
産化が期待できる。また、処理するワエハーの大きさも
、反応管の大きさとその形状の最適化により大口径化で
きる。

〔実施例〕

Ｚｎ８　薄膜は禁制帯幅が室温で五６ｅＶと、それ自体
では絶縁物であシ、付加体を用りたＭＯ−ＯＴＩＤ法で
良質のＺｎＢ　　薄膜が形成され、た場合、それがその
まま・絶縁膜として使用可能と壜る。これを用いると活
性層と絶縁層がドーパントの供給を中断するだけで連続
的に成長が行なえるため、界面の再現性が優れ、電流特
性のバラツキが小さいものが得られる。

以下に素子の作製工程を述べる。構造は実施例１と同様
なプレーナ型ＭＩＳ構造を有する。

実施例１と同様にして清浄化されたｎ型ＧａＡＪ単結晶
基板上に、付加体を用いたＭ　Ｏ−０７’Ｄ法により、
ドーパントとして０に封入しであるＴｌ１１１Ｍ　全Ｈ
ｅバブリングすることによってＮ、全導入し、Ｚｎ　Ｓ
　：Ａ１層を約２μｍ積層した。

ＺｎＳ：Ａ１層の形成後、次の手順に従い、ＺｎＳ　絶
縁層全形成する。

１、　三方パルプ■の操作によシ原料ガスをガス処理系
０へ廃棄することによシ反応管■への供給を中断する。

２　バブラー■のパルプのの操作によＦ）ＴＨＭの供給
を中止する。

五　しばらくガスの廃棄を行ない配管内に残留するＴＫ
Ａｌ’ｉ除去する。ＴＥＭの除去！１効率よく行なうた
めに、すべての原料ガス及びキャリ゛アーガスの供給を
中断し、パルプ０．［相］を介して配管内の脱気を排気
系兜によフ行なってもよい。

４、平方パルプ■の操作により、付加体と硫化水素から
なる原料ガスを反応管■に導入する。

これＫよりアンドープＺｎ８　　の成長が開始、する。

約７−の成長により１０００Ａ程度のアンドープＺｎＳ
層が形成される。

後工程は実施ＰＪ　Ｉを踏襲し、絶縁層上にコンタクト
をとった工Ｔｏ膜と、開口部に形成され九１工ｎ−Ｇａ
（Ｚ）７［順バイアス電圧を印加した。

本素子では印加電圧が１〜２ｖ付近から発光が確認され
、素子を流れる電流に比例して発光一度は増加した。発
光スペクトルは室温で４７０　ｎｍ付近にビーフを有し
、発光効率は釣り″’−ｔ”、ｓつた。

本実施例ではドナー性不純物材料として■族元素である
Ｍを用いた場合について述べたが、容易に類推できる如
く他のｌｌＩｂ族元素Ｇａ、Ｉｎについても対応する有
機金属化合物、例えばトリエチルガリウム（沸点！１４
３℃）、トリエチルインジウム（沸点目１８４℃）を用
いるこくによシ可能である。バブリング温度における蒸
気圧とバブリングガスの流量から計算される供給量がト
リエチルアルミニクムのそれと等しいとき、Ｚ　ｎ　Ｓ
　：　Ｇ　ａ　＊ＺｎＳ：工ｎｉ活性層とするＭＩＳ型
青型光色発光素子ｎ８：Ａｌを活性層とするものと同様
の特性を示した。

またハ四ゲン元素であるＯＬ、Ｂｒ、工　等を不純物と
して含む活性層を形成した場合にもほぼ同様の素子特性
を示した。

〔実施例３〕 単結晶基板とその上へ成長する半導体薄膜材料は、結晶
系及び格子定数が一致したものを選ぶのが望ましく、そ
うでな−場合では両者の一界面に多数の欠陥が生じ易く
、結晶性の乱れに伴う高抵抗化等の悪影響を及ぼす。

そこでｅａＡｓ単結晶基板上へ、■族ソースとしてセレ
ン化水素を加えることによりＺｎ８ｘＳｅ１−ｘ（０＜
ｘ≦１）結晶をエピタキシャル成長し、基板との格子定
数のずれを十分小さな範囲におさえることで良質な素子
の作製が可能となった。混晶比Ｘは基板により与えられ
るが、成長温度によりその前後で最適な値が選ばれる。

以下、実施例２に従いＭ工８型素子の作製を行なった。

ｘｆα０２としたときの活性層の厚さ約２μｍ、絶縁層
は１ｏｏｏＸである。このときの発光波長は実施例１．
２とほぼ等しい４７０ｎｍ付近に見られ、印加電圧も１
ｖ付近から立ち上が凱そのばらつきも小さいものとなっ
た。これは格子定数のずれの解消に伴う活性層の結晶性
が向上したことに対応していると思われる。

上記実施例では付加体としてジメチル亜鉛とジエチル硫
黄の組合せにより得られるものについて述べ九が、他の
アルキル基の組合せに対しても可能で表２にその代表的
な付加体と蒸気圧の値を示した。これらの付加体を用い
た場合の製法も本発明の範ちゅうに入るものである。

表２　主な付加体とその蒸気圧 〔発明の効果〕 以上述べた様に本発明によれば、プレーナ構造によるＭ
ＩＳ型発光素子圧おいて、単結晶基板としてＧ　ａ　Ａ
　ｓ’を用いたことで、高品質の結晶成長が低温で可能
となり、仁れによシ素子の低抵抗域での作製が可能とな
シ高輝度・高効率の青色発光素子を提供できる様になっ
た。また付加体を用いたＭＯ−ＣＶＤ法を用いたことで
活性層の質の向上と量産性の利点を有する。

本発明がディスプレー及び照明用光源として、その果た
す役割は大でおると確橘する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によって作製される青色発光素子の断面
図。 １、　　ｎ型ＧａＡｓ単結晶基板　　２．Ｉ族元素を含
むｎ型ＺｎＢ　単結晶薄膜　　　＆　絶縁層４、開口部
　　　　　　　　　＆　電極＆　オーミック電極 第２図は従来研究されてきたブレーナ型素子構造を示す
断面図。 ７、　　Ｐ型ＧａＡｓ基板　　　　　ａＮｆｉＺｎＳｅ
単結晶薄膜　　　　　　　　　　９　絶縁膜１α　オー
ミック電極　　　　１１．半透明金属電極 第３図には対向電極型素子構造を示す断面図。 ＩＺ　　ｎｆｉＧａＰ　　基板　　　　ｌｉ　　ｎ型Ｚ
ｎ８単結晶膜　　　　　　　　　　　１４．絶縁層１区
　電極　　　　　　　　　１６．　　電極第４図は本発
明において用いるＭＯ−ＣＶＤ装置の概略図。 １７．８１０　　コーティングを施したグラファイト製
すセ゛ブタ−１ａ　基板 １９、　　高周波加熱炉又は赤外線炉又は抵抗加熱炉２
（Ｌ　　マスフローコントローラ ２１、　　恒温槽　　　　　　２２−　三方パルプ２五
　パルプ　　　　　　２４．熱電対２５、排気系　　　
　　　２＆　廃ガス処理系２７、．２ａ　　パルプ ２９、　　付加体の入ったバブラ ３（Ｌ　　［１族元素の有機金属化合物の入ったバブラ
ー３１、　　キャリアーガスの入ったボンベ３２、硫化
水素の入ったボンベ ３五　ガス純化装置 ３４、石英ガラス製反応管 第５図は本発明において作製された青色発光素子の発光
スペクトル 以　　　上 ｉ−包込り春９１筒旧 第１−図 ｆ色軽υｈ釘伽目 第２図 ）−４０ＣＶｅＳ　Ｘ　、Ｐ１８ＬＩＪ＝回’第４図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）単結晶基板上に、低抵抗ｎ型ＺｎＳ＿ＸＳｅ＿１
   ＿−＿Ｘ（０＜Ｘ≦１）単結晶薄膜を形成し、該薄膜上
   同一面内に絶縁層及びオーミック電極を形成し、該絶縁
   層上に半透明電極を設けたプレーナ型構造を有するＭＩ
   Ｓ型青色発光素子において、単結晶基板としてＧａＡｓ
   を用いたことを特徴とする青色発光素子。
2. （２）単結晶ＧａＡｓ基板上に低抵抗−ｎ型ＺｎＳ＿Ｘ
   −Ｓｅ＿１＿−＿Ｘ薄膜を形成し、該薄膜上に絶縁層を
   設けた後、フォトエッチングにより一部を除去し、開口
   部にオーミック電極を形成し、他方の、絶縁層上に形成
   した電極との間で導通をとるプレーナ型構造を有するこ
   とを特徴とする青色発光素子の製法。
3. （３）特許請求の範囲第２項において、亜鉛ソースとし
   てジアルキル亜鉛（以下Ｒ＿２Ｚｎと略す）及びジアル
   キル硫黄（以下Ｒ＿２Ｓと略す）を、両者のうち低沸点
   成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によつて反応及び熟
   成を行なつた後過剰成分を留出除去して得られるＲ＿２
   ＺｎとＲ＿２Ｓの付加体である有機亜鉛化合物を用いV
   I族元素のソースとして硫化水素又はセレン化水素、ド
   ナー性不純物として、III族元素を含む有機金属化合物
   及びVII族元素のガスまたはVIII族元素を含む水素ガス
   、有機金属化合物を用いたＭＯ−ＣＶＤ法によりｎ型Ｚ
   ｎＳ＿ｘＳｅ＿１＿−＿Ｘ単結晶薄膜を形成することを
   特徴とする青色発光素子の製法。