JPS61232627A - 半導体薄膜の製造法 - Google Patents
半導体薄膜の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は短波長可視発光ダイオード、半導体レーザー及
び薄膜ＥＬ素子等の構成要素であるところの、亜鉛を含
むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜の製造法
に関する。
び薄膜ＥＬ素子等の構成要素であるところの、亜鉛を含
むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜の製造法
に関する。
本発明は亜鉛を構成元素に含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体及びその混晶薄膜の製造法において、ジアルキル亜鉛
及びジアルキルセレンを両者のうチ低沸点成分の量を概
ね過剰に混合し、加熱によって反応及び熟成を行なった
後、過剰成分を留出除去して得られるジアルキル亜鉛（
以下Ｒ２Ｚｎと略す）とジアルキルセレン（以下ＲｚＳ
ｅと略す）の付加体である有機亜鉛化合物を亜鉛ソース
とする有機金属気相熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）によって
前記■−■族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成し、
高品質な薄膜を再現性よく得ることを目的としている。
体及びその混晶薄膜の製造法において、ジアルキル亜鉛
及びジアルキルセレンを両者のうチ低沸点成分の量を概
ね過剰に混合し、加熱によって反応及び熟成を行なった
後、過剰成分を留出除去して得られるジアルキル亜鉛（
以下Ｒ２Ｚｎと略す）とジアルキルセレン（以下ＲｚＳ
ｅと略す）の付加体である有機亜鉛化合物を亜鉛ソース
とする有機金属気相熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）によって
前記■−■族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成し、
高品質な薄膜を再現性よく得ることを目的としている。
従来、亜鉛を構成元素に含むＩＩ −ＶＩ族化合物半導
体及びその混晶薄膜のＭＯＣＶＤ法による製造において
は、原料として亜鉛ソースにはジメチル亜鉛’ （ＣＨ
３）ｚＺｎ、 ジエチル亜鉛： （Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ等
のジアルキル亜鉛を用い、硫化水素： Ｈ２Ｓ及びセレ
ン化水素：Ｈ２Ｓｅ などの■放水素化物と反応させ
るのが通例であった。これらの原料を用いた場合の化学
反応は次式で表わされる。
体及びその混晶薄膜のＭＯＣＶＤ法による製造において
は、原料として亜鉛ソースにはジメチル亜鉛’ （ＣＨ
３）ｚＺｎ、 ジエチル亜鉛： （Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ等
のジアルキル亜鉛を用い、硫化水素： Ｈ２Ｓ及びセレ
ン化水素：Ｈ２Ｓｅ などの■放水素化物と反応させ
るのが通例であった。これらの原料を用いた場合の化学
反応は次式で表わされる。
Ｒ２Ｚｎ＋Ｈ２Ｓ → Ｚ’ｎＳ＋Ｒ−Ｒ−・・・■
ＲＺｎ＋１（Ｓｅ→ Ｚｎ５ｅ十Ｒ−Ｒ−−−■しかし
これらの反応はＲ２ｚｎ が活性であるため■放水素
化物との混合と同時に室温近傍でも気相中で反応が進行
し、基板表面に原料が到達する以前に微粒子状の反応生
成物が形成されてし甘う。
ＲＺｎ＋１（Ｓｅ→ Ｚｎ５ｅ十Ｒ−Ｒ−−−■しかし
これらの反応はＲ２ｚｎ が活性であるため■放水素
化物との混合と同時に室温近傍でも気相中で反応が進行
し、基板表面に原料が到達する以前に微粒子状の反応生
成物が形成されてし甘う。
この微粒子が基板表面に付着し、基板表面で進行する薄
膜成長プロセスに悪影響を及はすために、得られる結晶
の質はあまり良くなく、半導体装置の製造に用いること
は不可能であった。
膜成長プロセスに悪影響を及はすために、得られる結晶
の質はあまり良くなく、半導体装置の製造に用いること
は不可能であった。
従来これらの問題を解決する方法として、次の様な対策
がとられていた。
がとられていた。
１）基板のどく近傍において原料ガスの混合を行うなら
。（例えばＪ、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｑｒｏｗｔｈ５９（
１９８２）Ｐ、１ 参照） ２）減圧にしてガスの線速度を大きくする。
。（例えばＪ、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｑｒｏｗｔｈ５９（
１９８２）Ｐ、１ 参照） ２）減圧にしてガスの線速度を大きくする。
（例えば、Ｊａｐａｎ Ｊ、Ａｐｐｌ ｐｈｙｏ
２３（１９８４） Ｌ３６０参照） ３） ＶＩ族原料として水素化物（例えばＨ２Ｓｅ）
の代りにアルキル化合物（例えばＲ２５ｅ）を用いる。
２３（１９８４） Ｌ３６０参照） ３） ＶＩ族原料として水素化物（例えばＨ２Ｓｅ）
の代りにアルキル化合物（例えばＲ２５ｅ）を用いる。
（例えば、第４５回応用物理学会学術講演会予稿集 Ｐ
、 ６２９（１９８４）講演番号１２ａ−８−３参照） ４）Ｒ２ＺｎとＲ２Ｓ ｅをガス状態で混合し、気相中
でＲｚＺｎ−８ｅＲ２なる付加体を形成後、Ｈ２Ｓ ｅ
と混合して反応管へ供給する。ＣＪ。
、 ６２９（１９８４）講演番号１２ａ−８−３参照） ４）Ｒ２ＺｎとＲ２Ｓ ｅをガス状態で混合し、気相中
でＲｚＺｎ−８ｅＲ２なる付加体を形成後、Ｈ２Ｓ ｅ
と混合して反応管へ供給する。ＣＪ。
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｑｒｏｗｔｈ、６６、（１９８４）ｐ
、２３１参照） 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕上述の従来
技術に基づ＜ Ｍ ＯＬ−ｃ Ｖ Ｄ法に於ては、製法
上及びデバイスへの応用上次の如き問題点を有し、解決
が望まれていた。
、２３１参照） 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕上述の従来
技術に基づ＜ Ｍ ＯＬ−ｃ Ｖ Ｄ法に於ては、製法
上及びデバイスへの応用上次の如き問題点を有し、解決
が望まれていた。
従来技術（１）及び（２）に対１〜で
１、 基板直前で混合するために、薄膜の膜厚、組成、
ドーパント分布等の均一性が得にくい。
ドーパント分布等の均一性が得にくい。
２）大面積、多数枚基板の処理が困難で量産性に乏しい
。
。
３、 結晶の質が悪く、発光特性、電導特性が制御でき
ない。
ない。
例えば、従来の製造法に於ては、Ｒ２ｚｎとＨ２Ｓｅと
を基板から〜２ｃＩｒＬの距離で混合吹き付けをしてお
り、これにより処理できる基板の大きさは、高々直径２
０關１枚であった。又、得られた結晶は多くの欠陥を有
し、そのフォトルミネッセンス特性は、高品質な結晶に
見られる、青色発光の他に深い準位からの赤い発光も観
測されていた。
を基板から〜２ｃＩｒＬの距離で混合吹き付けをしてお
り、これにより処理できる基板の大きさは、高々直径２
０關１枚であった。又、得られた結晶は多くの欠陥を有
し、そのフォトルミネッセンス特性は、高品質な結晶に
見られる、青色発光の他に深い準位からの赤い発光も観
測されていた。
又、Ｚｎ５ｅ は室温で約２．７５ｅＶ程度のバンドギ
ャップを有するため、高品質であれば、例えば、Ａｐｐ
ｌ Ｐｈｙｏ Ｌｅｔｔ、４５（１９８４）１３００
に示される様に、少なくとも１０４Ω・ｕｎ以上の比
抵抗を呈するはずである。しかし、と五まで、従来技術
１）及び２）において得られているＺｎ５ｅ はｎ−型
で１０−３〜１０ｇ・ｕｎ程度の比抵抗を呈している（
例えば、Ｊａｐａｎ Ｊ、Ａｐｐｌ ＰＪｒｓ、２３（
−１９８４） Ｌ５６０参照） 上述の低抵抗Ｚｎ５ｅ における自由電子が何に由来す
るものかは、明確ではないが、結晶成長時に内包される
格子欠陥あるいは、混入した不純物であると考えられる
。以上の事実は従来技術１）、２）において得られるＺ
ｎ５ｅ の結晶品位が、あまり高くないことを示してい
る。
ャップを有するため、高品質であれば、例えば、Ａｐｐ
ｌ Ｐｈｙｏ Ｌｅｔｔ、４５（１９８４）１３００
に示される様に、少なくとも１０４Ω・ｕｎ以上の比
抵抗を呈するはずである。しかし、と五まで、従来技術
１）及び２）において得られているＺｎ５ｅ はｎ−型
で１０−３〜１０ｇ・ｕｎ程度の比抵抗を呈している（
例えば、Ｊａｐａｎ Ｊ、Ａｐｐｌ ＰＪｒｓ、２３（
−１９８４） Ｌ５６０参照） 上述の低抵抗Ｚｎ５ｅ における自由電子が何に由来す
るものかは、明確ではないが、結晶成長時に内包される
格子欠陥あるいは、混入した不純物であると考えられる
。以上の事実は従来技術１）、２）において得られるＺ
ｎ５ｅ の結晶品位が、あまり高くないことを示してい
る。
従来技術（５）に対して、
１、 混合に伴う室温でのｚｎＳｅ 微粒子の堆積は抑
制できるが、逆にＲ２Ｓ ｅ が分解しにくいため、
十分な成長速度を得るため４５０℃程度の高温が必要で
あり、得られた結晶は多くの欠陥を有する。
制できるが、逆にＲ２Ｓ ｅ が分解しにくいため、
十分な成長速度を得るため４５０℃程度の高温が必要で
あり、得られた結晶は多くの欠陥を有する。
２）膜の成長は５００℃以下では反応律速であリ、成長
基板−トの温度分布等によりバラ付きが太きい。
基板−トの温度分布等によりバラ付きが太きい。
従来技術（４）に対ｌ〜で
１、 気相中での混合ではＲ２Ｚ ｎとＲ２Ｓ ｅの反
応は、不完全であり、又その度合は、ガス流速、配管の
長さ、流度等にも影響を受け、完全に不要な前反応を抑
制する那はできず、又、テークのバラ付きも太きかった
。
応は、不完全であり、又その度合は、ガス流速、配管の
長さ、流度等にも影響を受け、完全に不要な前反応を抑
制する那はできず、又、テークのバラ付きも太きかった
。
特に、赤外線吸収スペクトルにより反応管内のガスを分
析したところ、Ｒ２Ｚｎ ５ｅＲ２という付加体は形
成されていないという報告（Ｊ。
析したところ、Ｒ２Ｚｎ ５ｅＲ２という付加体は形
成されていないという報告（Ｊ。
Ｃｒｙｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ ６８（１９８４）Ｐ、 ６
５６記載）が為されている。
５６記載）が為されている。
上記Ｒ２Ｚ ｎ −Ｓ ｅ Ｒ２付加体をＺｎ原料に使
う方法は、両者をはじめから等モル量混合して得られる
付加体を用いる事により、より向」−するが、この場合
にも次の如き間融点を有する。
う方法は、両者をはじめから等モル量混合して得られる
付加体を用いる事により、より向」−するが、この場合
にも次の如き間融点を有する。
１、 Ｒ２ＺｎとＲ２Ｓ ｅとの反応性はあ１り高く
無く、単に両者を等モル量混合したたけでは、次式の Ｒ２Ｚｎ＋Ｒ２Ｓｅ −Ｒ２Ｚｎ−８ｅＲ２■反応を
完結できず、得られたものの蒸気圧等の物性も、混合条
件、反応に用いる迄の履歴等により異なり、バラ付きが
大きかった。
無く、単に両者を等モル量混合したたけでは、次式の Ｒ２Ｚｎ＋Ｒ２Ｓｅ −Ｒ２Ｚｎ−８ｅＲ２■反応を
完結できず、得られたものの蒸気圧等の物性も、混合条
件、反応に用いる迄の履歴等により異なり、バラ付きが
大きかった。
２）又その結果として、該等モル量混合による付加体を
原料として、ＭＯ−ＣＶＤ法によりＨ２Ｓ ｅ と反
応させて、Ｚｎ５ｅ エピタキシャル成長を行うと、エ
ピタキシャル薄膜の成長速度並びにその物性の再現性が
悪かった。
原料として、ＭＯ−ＣＶＤ法によりＨ２Ｓ ｅ と反
応させて、Ｚｎ５ｅ エピタキシャル成長を行うと、エ
ピタキシャル薄膜の成長速度並びにその物性の再現性が
悪かった。
６ 得られたＺｎ５ｅ 単結晶薄膜は、アン・ドープの
場合にもａｓ−ｇｒｏｕｓｒで０．５〜５Ω・ｕｎの比
抵抗を示した。これは反応■が完結しないで残留するＲ
２ Ｚ ｎがＨ，２Ｓ ｅと気相中で反応し微粒子と
なって薄膜中に取り込まれるために結晶品位が低下した
結果である。
場合にもａｓ−ｇｒｏｕｓｒで０．５〜５Ω・ｕｎの比
抵抗を示した。これは反応■が完結しないで残留するＲ
２ Ｚ ｎがＨ，２Ｓ ｅと気相中で反応し微粒子と
なって薄膜中に取り込まれるために結晶品位が低下した
結果である。
そこで、本発明はこのよう々問題点を解決するもので、
その目的とするところは、次の通りである。
その目的とするところは、次の通りである。
１、 アンドープで高抵抗のＺｎ５ｅ 及びその混晶薄
膜を製造する。
膜を製造する。
２ 上記薄膜中ヘドナー原子を添加することにより、比
抵抗を制御する。
抵抗を制御する。
６、 亜鉛を構成元素に含む！Ｉ−Ｖｆ族化合物半導体
及びその混晶薄膜を特性のバラツキを少なくかつ、すぐ
れた再現性をもって製造する方法を提供する。
及びその混晶薄膜を特性のバラツキを少なくかつ、すぐ
れた再現性をもって製造する方法を提供する。
本発明に係る半導体薄膜の製造法においては、亜鉛を構
成元素に含むＨ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜
の製造法においてＲ２Ｚｎ 及びＲ２Ｓ ｅ を両
者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によ
って反応及び熟成を行なった後、過剰成分を留出除去し
て得られるＲ ２ Ｚ ｎ とＲ２Ｓ ｅ の付加
体である有機亜鉛化合物を」１鉛ソースとする有機金属
気相熱分解法（Ｍ、 ＯＣＶ Ｄ法）によって前記ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成するこ
とを特徴としている。
成元素に含むＨ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜
の製造法においてＲ２Ｚｎ 及びＲ２Ｓ ｅ を両
者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によ
って反応及び熟成を行なった後、過剰成分を留出除去し
て得られるＲ ２ Ｚ ｎ とＲ２Ｓ ｅ の付加
体である有機亜鉛化合物を」１鉛ソースとする有機金属
気相熱分解法（Ｍ、 ＯＣＶ Ｄ法）によって前記ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成するこ
とを特徴としている。
本発明において用いる付加体からなる有機亜鉛化合物の
製法について説明する。
製法について説明する。
Ｒ２Ｚ ｎとＲ２Ｓ ｅの付加体形成の反応は、電子受
容体としてのＲ２Ｚ ｎ と電子供与体としてのＲ２
Ｓ ｅとがＲ２Ｚ ｎ −Ｓ ｅ Ｒ２型の付加体を形
成するものである。付加体の製造にあたっては以下の工
程が必要である。
容体としてのＲ２Ｚ ｎ と電子供与体としてのＲ２
Ｓ ｅとがＲ２Ｚ ｎ −Ｓ ｅ Ｒ２型の付加体を形
成するものである。付加体の製造にあたっては以下の工
程が必要である。
（１） Ｒ２Ｚ、ｎとＲ２Ｓ ｅとを、両者のうち低
沸点成分を概ね過剰に混合する。
沸点成分を概ね過剰に混合する。
（２１Ｒ２Ｚ ｎとＲ２Ｓ ｅの個々のアルキル基の組
み合せによって多少異なるが、０℃〜４０℃において１
０〜１８０分間反応させる。
み合せによって多少異なるが、０℃〜４０℃において１
０〜１８０分間反応させる。
（６）徐々に昇温し３０℃〜８０℃で１０〜１２０分間
の熟成を行なう。
の熟成を行なう。
（４）過剰成分を留出除去する。
付加体の生成は以下の事実により確認できる。
（１）両者の混合により発熱する。
（２）生成した付加体の蒸気圧一温度曲線は、出発原料
のＲ２Ｚ ｎ及びＲ２Ｓのいずれとも異々る。
のＲ２Ｚ ｎ及びＲ２Ｓのいずれとも異々る。
（３）原料の仕込み量から留出過剰成分を差し引いた残
量はＲ２ＺｎとＲｚｓｅが１＝１で付加体を形成してい
ると仮定した重量に一致する。
量はＲ２ＺｎとＲｚｓｅが１＝１で付加体を形成してい
ると仮定した重量に一致する。
具体的な製造例として（ＣＨａ）２Ｚｎと（ＣＨ３）２
５ ｅ ｉ＝らなる付加体（ＣＨｓ）２Ｚｎ−８ｅ（Ｃ
Ｈｓ）２について述べる。
５ ｅ ｉ＝らなる付加体（ＣＨｓ）２Ｚｎ−８ｅ（Ｃ
Ｈｓ）２について述べる。
３００ｍｌ丸底フラスコに（ＣＨａ：）＋Ｓｅ を６６
５ｇ（０，’５８３モル）仕込み、攪拌しながら（ＣＨ
ａ）ｚＺｎ ５ ａ、 ５９ （０，６１３モ／Ｌ）全
滴下ロートにより滴下して反応させた。反応は発熱反応
で、発熱量は犬であった。
５ｇ（０，’５８３モル）仕込み、攪拌しながら（ＣＨ
ａ）ｚＺｎ ５ ａ、 ５９ （０，６１３モ／Ｌ）全
滴下ロートにより滴下して反応させた。反応は発熱反応
で、発熱量は犬であった。
反応温度を８〜１５℃に制御し、４０分間反応を行った
。その後１５℃／時間の割で徐々に昇温し、４５℃で１
時間熟成した。その後蒸留により不要な過剰分を溜出除
去した。生成物は１１８１９であった。
。その後１５℃／時間の割で徐々に昇温し、４５℃で１
時間熟成した。その後蒸留により不要な過剰分を溜出除
去した。生成物は１１８１９であった。
第１図は得られた付加体の蒸気圧一温度特性を示す。横
軸■が温度、縦軸■が蒸気圧である。
軸■が温度、縦軸■が蒸気圧である。
実線■が付加体の、又破線■■が各々、原料である５ｅ
（ＣＨｓ）２及び（ＣＨａ）２Ｚｎの蒸気圧特性を示す
。
（ＣＨｓ）２及び（ＣＨａ）２Ｚｎの蒸気圧特性を示す
。
又、表（１）に代表的温度に於ける蒸気圧の値を示す。
（表１）
上述の実施例と同様にして付加体の形成が可能なＲ２Ｚ
ｎ及びＲｚ Ｓ ｅを表２にまとめて示すが、この限り
でない事は明らかである。
ｎ及びＲｚ Ｓ ｅを表２にまとめて示すが、この限り
でない事は明らかである。
（表２）
（ＣＨｓ）ｚＺｎ−８ｅ（ＣＨａ）２なる付加体の製造
と同様の工程を経る事により、表３に示す付加体が得ら
れた。 （表３） 得られた付加体の蒸気圧特性等物性値の異なるロット間
のバラ付きは検出以下であり、付加体のプロトンＮＭＲ
スペクトルにおいては、原料の（ＣＨａ）ｚＺｎの単独
成分に対応するシグナルは観測されなかった。極めて高
純度な状態に付加体の製造及び精製が行なわれているこ
とがわかる。
と同様の工程を経る事により、表３に示す付加体が得ら
れた。 （表３） 得られた付加体の蒸気圧特性等物性値の異なるロット間
のバラ付きは検出以下であり、付加体のプロトンＮＭＲ
スペクトルにおいては、原料の（ＣＨａ）ｚＺｎの単独
成分に対応するシグナルは観測されなかった。極めて高
純度な状態に付加体の製造及び精製が行なわれているこ
とがわかる。
上記実施例によって得られた付−加俸を亜妬ソースとす
るＭＯＣＶＤ法によって半導体薄膜を製造する実施例と
してＺｎ５ｅをとりあけ、本発明の内容を詳細に説明す
る、。
るＭＯＣＶＤ法によって半導体薄膜を製造する実施例と
してＺｎ５ｅをとりあけ、本発明の内容を詳細に説明す
る、。
第２図には本発明において用いるＭＯＣＶＤ装置の概略
図である。
図である。
石英ガラス製の模型反応管■゛の内部にはｓｉｃコーテ
ィングを施したグラファイト製サセプター■が置かれ、
さらにその上には基板■が置かれている。反応炉の側面
から高周波加熱炉、赤外線炉、または抵抗加熱炉■など
により基板加熱を行なう。
ィングを施したグラファイト製サセプター■が置かれ、
さらにその上には基板■が置かれている。反応炉の側面
から高周波加熱炉、赤外線炉、または抵抗加熱炉■など
により基板加熱を行なう。
基板温度はグラファイト製サセプター■の中に埋め込ん
だ熱電対■によりモニターする。反応管は排気系■及び
廃ガス処理系０とパルプ０、■を介して接続されている
。Ｚｎソースである付加体はバブラー■に封入されてい
る。またｎ−型ドーパントとしてトリエチルアルミニウ
ム（ＴＥＡＩ）がバブラー［株］に封入されている。キ
ャリアーガス及びセレン化水素はそれぞれボンベＯ％［
相］に充填されている。純化装置０によって精製された
キャリアーガス及び硫化水素はマスクローコントローラ
１＠によシ流量制御される。バブラー■、［株］に封入
された付加体及び’ｆ’ＦＡ ｌ は恒温槽Ｏによシ
所定温度に維持されている。バブラーの中に適当量のキ
ャリアーガスを導入しバブリングを行なうことによシ所
望の量の付加体及びＴＥＡ １ が供給される。バブ
ラー■、［相］及びボンベ０よシ供給された付加体、Ｔ
ＥＡｌ、セレン化水素はそれぞれキャリアーガスによっ
て希釈された後に合流し三方パルプ■を経て反応管■へ
導入される。三方パルプＯは原料ガスの反応管■への導
入及び廃ガス処理系Ｏへの廃棄の切シ換えを行なう。第
２図には横型反応炉を示したが縦型反応炉においても基
本的構成は同じである。但し基板の回転機構を設けると
とにより得られる膜の均一性を確保する必要がある。
だ熱電対■によりモニターする。反応管は排気系■及び
廃ガス処理系０とパルプ０、■を介して接続されている
。Ｚｎソースである付加体はバブラー■に封入されてい
る。またｎ−型ドーパントとしてトリエチルアルミニウ
ム（ＴＥＡＩ）がバブラー［株］に封入されている。キ
ャリアーガス及びセレン化水素はそれぞれボンベＯ％［
相］に充填されている。純化装置０によって精製された
キャリアーガス及び硫化水素はマスクローコントローラ
１＠によシ流量制御される。バブラー■、［株］に封入
された付加体及び’ｆ’ＦＡ ｌ は恒温槽Ｏによシ
所定温度に維持されている。バブラーの中に適当量のキ
ャリアーガスを導入しバブリングを行なうことによシ所
望の量の付加体及びＴＥＡ １ が供給される。バブ
ラー■、［相］及びボンベ０よシ供給された付加体、Ｔ
ＥＡｌ、セレン化水素はそれぞれキャリアーガスによっ
て希釈された後に合流し三方パルプ■を経て反応管■へ
導入される。三方パルプＯは原料ガスの反応管■への導
入及び廃ガス処理系Ｏへの廃棄の切シ換えを行なう。第
２図には横型反応炉を示したが縦型反応炉においても基
本的構成は同じである。但し基板の回転機構を設けると
とにより得られる膜の均一性を確保する必要がある。
（１ｏ 、ｏ ）面、（１ｏｏ）面から（１１０）面の
方向５°あるいは２°のずれを有する面においてスライ
スし、鏡面研磨した。
方向５°あるいは２°のずれを有する面においてスライ
スし、鏡面研磨した。
低抵抗ｎ−型のヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）にトリクロル
エチレン、アセトン、メタノールによる超音波洗浄を施
した後に Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２０ｚ：Ｈ２０＝５：１：１（体積比）
なるエツチング液によって、室温で２ ｒｎｉｎ間のエ
ツチングを施す。純水を用いてエツチングを停止し、純
水、メタノールにて洗浄した後、ダイフロン中に保存し
た。基板は反応管へのセットを行なう直前にダイア０ン
より取シ出し、乾燥密緊プローによりダイア０ンを乾燥
除・去する。１基板セツトの後反応炉内を１０−５Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空引きし、系内に残留するガスを除く。
エチレン、アセトン、メタノールによる超音波洗浄を施
した後に Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２０ｚ：Ｈ２０＝５：１：１（体積比）
なるエツチング液によって、室温で２ ｒｎｉｎ間のエ
ツチングを施す。純水を用いてエツチングを停止し、純
水、メタノールにて洗浄した後、ダイフロン中に保存し
た。基板は反応管へのセットを行なう直前にダイア０ン
より取シ出し、乾燥密緊プローによりダイア０ンを乾燥
除・去する。１基板セツトの後反応炉内を１０−５Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空引きし、系内に残留するガスを除く。
キャリアーガスを導入して系内を常圧に戻した後１〜２
ｌ／ｍｉｎ程度のキャリアーガスを流しつつ昇温を開
始する。加熱には赤外線加熱炉を用いた。キャリアーガ
スとしては、純度９９．９９９９％のＨｅ−’ｉたけ純
化装置を通過させたＨ２を用いた。基板温度が所定温度
に到達し、安定した後原料ガスの供給を開始し薄膜の成
長を行々う。所定の時間成長を行なった後、原料の供給
を中止し、冷却する。冷却中はＨｅ又はＨ２を１〜２
ｌ／ｍｉｎ 流しておく。成長膜の熱エッチを防ぐた
めに、Ｈｅ希釈２％のＨ２Ｓ ｅ を５０〜６０ ｍ
ｌ／ ｍ ｉ ｎ程度流しながら冷却してもよい。
ｌ／ｍｉｎ程度のキャリアーガスを流しつつ昇温を開
始する。加熱には赤外線加熱炉を用いた。キャリアーガ
スとしては、純度９９．９９９９％のＨｅ−’ｉたけ純
化装置を通過させたＨ２を用いた。基板温度が所定温度
に到達し、安定した後原料ガスの供給を開始し薄膜の成
長を行々う。所定の時間成長を行なった後、原料の供給
を中止し、冷却する。冷却中はＨｅ又はＨ２を１〜２
ｌ／ｍｉｎ 流しておく。成長膜の熱エッチを防ぐた
めに、Ｈｅ希釈２％のＨ２Ｓ ｅ を５０〜６０ ｍ
ｌ／ ｍ ｉ ｎ程度流しながら冷却してもよい。
基板が室温にもどったら、反応炉内を排気し系内に残留
するセレン化水素を除去する。系内を大気圧に戻した後
に基板をと９出す。
するセレン化水素を除去する。系内を大気圧に戻した後
に基板をと９出す。
〔実施例１〕
高抵抗Ｚｎ５ｅ薄膜の製造
上述の成長プロセスに従い、下記の条件で薄膜形成を行
なうことによシ高抵抗ｚｎＳｅ が得られた。
なうことによシ高抵抗ｚｎＳｅ が得られた。
基板温度：２５０〜６５０℃
原料導入口から基板までの距離＝２０ｍ（ＣＨａ） ２
Ｚｎ−８ｅ（ＣＨａ）２のバブリング量ニー１５℃にお
いて、３０膨／ｍ１ｎ Ｈ１ｌ！希釈２ ％ ）１２ Ｓ ｅの供給量： ２０
０ｍｌ／ｍｉｎキャリアーガスを含む総ガス流量： ４
５１／ｍｉｎ成長時間：１９０ｒｎｉｎ この特約３μｍのＨ２Ｓ ｅ 単結晶薄膜が得られた
。
Ｚｎ−８ｅ（ＣＨａ）２のバブリング量ニー１５℃にお
いて、３０膨／ｍ１ｎ Ｈ１ｌ！希釈２ ％ ）１２ Ｓ ｅの供給量： ２０
０ｍｌ／ｍｉｎキャリアーガスを含む総ガス流量： ４
５１／ｍｉｎ成長時間：１９０ｒｎｉｎ この特約３μｍのＨ２Ｓ ｅ 単結晶薄膜が得られた
。
四探針法によって測定した比抵抗は少なくとも１０４Ω
・・１１以上であり、成長に関する再現性は良好であっ
た。加熱による反応及び熟成、精製工程を施して形成さ
れた高純度の付加体を亜鉛ソースに用いたことにより、
ａｓ−ｇｒｏｕｎで高抵抗のＺｎ５ｅ が得られたもの
と思われる。第３図にＨｅ−ｃｄレーザー（発振波長５
２５０ Ａ’）で励起した際に得られた７７°Ｋ（第３
図（ａ））及び３００”Ｋ（第３図（ｂｌ ）における
フォトルミネッセンススペクトルを示す。バンド端近傍
の鋭い青色発光が観測されただけで、深い準位の関与す
る発光はスペクトル上に現われていない。このことは、
得られたｚｎＳｅ が高品位であることを示している。
・・１１以上であり、成長に関する再現性は良好であっ
た。加熱による反応及び熟成、精製工程を施して形成さ
れた高純度の付加体を亜鉛ソースに用いたことにより、
ａｓ−ｇｒｏｕｎで高抵抗のＺｎ５ｅ が得られたもの
と思われる。第３図にＨｅ−ｃｄレーザー（発振波長５
２５０ Ａ’）で励起した際に得られた７７°Ｋ（第３
図（ａ））及び３００”Ｋ（第３図（ｂｌ ）における
フォトルミネッセンススペクトルを示す。バンド端近傍
の鋭い青色発光が観測されただけで、深い準位の関与す
る発光はスペクトル上に現われていない。このことは、
得られたｚｎＳｅ が高品位であることを示している。
〔実施例２〕
Ｚｎ５ｅ ：Ａｌ単結晶薄膜の製造
〔実施例１〕と同じ成長条件下でＺｎ５ｅ 単結晶膜を
形成する際、ＴＥＡｌ を−１０℃において２０ｍ１／
ｍｉｎのキャリアーガスのバブリングによって供給しｓ
ＺｎＳ ｅ ： Ａ １の製造を行なった。厚さ約３
μｍのＺｎ５ｅ：Ａｌは比抵抗１０ Ω拳α〜１Ω・工
程度を示し、再現性は良好であった。室温における自由
電子濃度は５ Ｘ １０１５〜１ ｏ”Ｃｍ、−３、移
動度は１００〜２００鑵”／Ｖ＠ｓｅｅ程度であった。
形成する際、ＴＥＡｌ を−１０℃において２０ｍ１／
ｍｉｎのキャリアーガスのバブリングによって供給しｓ
ＺｎＳ ｅ ： Ａ １の製造を行なった。厚さ約３
μｍのＺｎ５ｅ：Ａｌは比抵抗１０ Ω拳α〜１Ω・工
程度を示し、再現性は良好であった。室温における自由
電子濃度は５ Ｘ １０１５〜１ ｏ”Ｃｍ、−３、移
動度は１００〜２００鑵”／Ｖ＠ｓｅｅ程度であった。
また、７７°Ｋにおけるフォトルミネッセンススペクト
ルでは、２．７９８ｅＶにピークを持つ中性ドナー束縛
励起子発光が支配的で深いレベルからの発光は観測され
なかった。
ルでは、２．７９８ｅＶにピークを持つ中性ドナー束縛
励起子発光が支配的で深いレベルからの発光は観測され
なかった。
容易に類推できる様に、ｎ型ドーパントとしては、Ｑａ
、Ｉｎも使用が可能であυ、Ｚｎ５ｅ へのＡｌの添
加と同様にして、Ｑａ、Ｉｎの添加も、対応する有機金
属化合物、例えばトリエチルガリウム（沸点−１４３℃
）、トリエチルインジウム（沸点−１８４℃）を用いれ
ばよい。又、ノ・ロゲン元素もｎ型ドーパントとして利
用でき、添加を行なうためには、ノ・ロゲン元素を含む
化合物、例えば、Ｃ１２，ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ 等
のガスやジクロルブタン、臭化プロピレン、ヨウ化メチ
レン等の有機化合物をＺｎ５ｅ 成長雰囲気中へ供給
すればよい。ドーパントの供給量がＴＥＡＬ と等し
い時、得られたＺｎ５ｅ：Ｉｎ、Ｚｎ５ｅ：Ｇａ、Ｚｎ
５ｅ：Ｘ（Ｘ＝ＣＩ 、’Ｂ ｒ 、 Ｉ ）もＺｎ５
ｅ：Ａｌ と同様の電気的特性を示した。
、Ｉｎも使用が可能であυ、Ｚｎ５ｅ へのＡｌの添
加と同様にして、Ｑａ、Ｉｎの添加も、対応する有機金
属化合物、例えばトリエチルガリウム（沸点−１４３℃
）、トリエチルインジウム（沸点−１８４℃）を用いれ
ばよい。又、ノ・ロゲン元素もｎ型ドーパントとして利
用でき、添加を行なうためには、ノ・ロゲン元素を含む
化合物、例えば、Ｃ１２，ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ 等
のガスやジクロルブタン、臭化プロピレン、ヨウ化メチ
レン等の有機化合物をＺｎ５ｅ 成長雰囲気中へ供給
すればよい。ドーパントの供給量がＴＥＡＬ と等し
い時、得られたＺｎ５ｅ：Ｉｎ、Ｚｎ５ｅ：Ｇａ、Ｚｎ
５ｅ：Ｘ（Ｘ＝ＣＩ 、’Ｂ ｒ 、 Ｉ ）もＺｎ５
ｅ：Ａｌ と同様の電気的特性を示した。
前述の実施例に示した様な工程を経て製造された高純度
の付加体を亜鉛ソースとすることにより次め様な効果が
得られた。
の付加体を亜鉛ソースとすることにより次め様な効果が
得られた。
１、 アンドープで高抵抗を示す高品位のＺｎ５ｅ単結
晶膜が再現性よく製造できる様に々つた。
晶膜が再現性よく製造できる様に々つた。
２ ｎ型ドーパントの導入により、低抵抗Ｚｎ５ｅを再
現性よく製造できる様になった。
現性よく製造できる様になった。
３、 同一バプラ−内に封入した付加体を用いて薄膜製
造を続けた場合同一製造条件で得られたＺｎ５ｅ薄ｉの
比抵抗、フォトルミネッセンスのピーク波長及び強度結
晶品位、薄膜の成長速度については、製造回数によって
変化することなく同一の特性を示し、再現性は極めてよ
かった。乙のとき、比抵抗、フオ７トルミネツセンス強
度、成長速度のバラツキは従来技術の数分の１以下であ
った。
造を続けた場合同一製造条件で得られたＺｎ５ｅ薄ｉの
比抵抗、フォトルミネッセンスのピーク波長及び強度結
晶品位、薄膜の成長速度については、製造回数によって
変化することなく同一の特性を示し、再現性は極めてよ
かった。乙のとき、比抵抗、フオ７トルミネツセンス強
度、成長速度のバラツキは従来技術の数分の１以下であ
った。
４、 ロットの異なる付加体をソースとしてＺｎＳ：Ａ
ｌの製造を行なった時、特性のバラツキは全くなかった
。
ｌの製造を行なった時、特性のバラツキは全くなかった
。
〔実施例３〕
本発明で製造された低抵抗ＺｎＳ ｅ のデバイスへ
の応用例として以下の様にして青色発光素子の作製を行
なった。
の応用例として以下の様にして青色発光素子の作製を行
なった。
まず（１００）面ｎ−ＧａＡＳ 基板上に上述のＭＯＣ
ＶＤプロセスに従ってＡｌ ドープの低抵抗ＺｎＳ
ｅ 層を約３μｍ成長させる。ＱａＡｓ 基板裏面
にオーム性接触を形成した後、Ｚｎ５ｅ 上にＳ ｉ
Ｏ２などの絶縁層及び半透明電極−を一層する。半透明
電極は金でよい。
ＶＤプロセスに従ってＡｌ ドープの低抵抗ＺｎＳ
ｅ 層を約３μｍ成長させる。ＱａＡｓ 基板裏面
にオーム性接触を形成した後、Ｚｎ５ｅ 上にＳ ｉ
Ｏ２などの絶縁層及び半透明電極−を一層する。半透明
電極は金でよい。
表面Ａ’ｕ電極とＧａＡ３ 基板に設けだオーム性接触
の間に順方向の具イアスミ圧を印加すると、１〜２■付
近から発光が観測された。発光スペクトルは室温におい
て４６０〜４７０ ｍｉｎ付近にピークを有し、発光強
度は素子を流れる電流に比例して増大した。量子効率は
約１０−４であった。
の間に順方向の具イアスミ圧を印加すると、１〜２■付
近から発光が観測された。発光スペクトルは室温におい
て４６０〜４７０ ｍｉｎ付近にピークを有し、発光強
度は素子を流れる電流に比例して増大した。量子効率は
約１０−４であった。
薄膜の特性に対する効果と同様に付加体を亜鉛ソースと
することにより、発光素子の閾値電圧。
することにより、発光素子の閾値電圧。
電流及び量子効率等の特性のバラツキが大幅に低減でき
、従来技術の数分の１以下に々つだ。
、従来技術の数分の１以下に々つだ。
ＡＩの代りに”Ｇａ、Ｉｎあるいはハロゲン元素をドー
ピングしたＺｎ５ｅ を用いてＭ’ＩＳ型発光型子光素
子ｌしても同様の特性を有する素子が得られた。
ピングしたＺｎ５ｅ を用いてＭ’ＩＳ型発光型子光素
子ｌしても同様の特性を有する素子が得られた。
本実施例においては（ＣＨ３）２Ｚｎと（ＣＨ３）２Ｓ
ｅから得られる付加体を用いたが、表−３に示す付加体
及び同様にして形成される他の付加体を′ｚｎソースと
しても供給量や製造条件が本実施例と同じであれば（Ｃ
Ｈ３）２Ｚｎ ５ｅ（ＣＨ’ａ’）２を用いて得られる
薄膜と同様の特性を有するものが得られた。
ｅから得られる付加体を用いたが、表−３に示す付加体
及び同様にして形成される他の付加体を′ｚｎソースと
しても供給量や製造条件が本実施例と同じであれば（Ｃ
Ｈ３）２Ｚｎ ５ｅ（ＣＨ’ａ’）２を用いて得られる
薄膜と同様の特性を有するものが得られた。
また上記薄膜を用いて製造した素”子の特性も（ＣＨ３
） ２Ｚｎｌｓ’ｅ （ＣＨ３’）’２ を用いて製造
した薄膜か″らなる素子と同様であつ羨。
） ２Ｚｎｌｓ’ｅ （ＣＨ３’）’２ を用いて製造
した薄膜か″らなる素子と同様であつ羨。
化水素゛又゛は、レアルキルテルル（以下Ｒ２Ｔ ｅと
略す）を導入することによりＺｎＳ ＺｕＴｅ単結晶
薄膜がＳｉ ＧａＡｓ Ｇａｐ Ｇｅ などの
単結晶基板上に形成できる。さらに、複数の■族元素ソ
ースを同時に供給することにより、Ｚｎ５ｘＳｅｌ−ｘ
。
略す）を導入することによりＺｎＳ ＺｕＴｅ単結晶
薄膜がＳｉ ＧａＡｓ Ｇａｐ Ｇｅ などの
単結晶基板上に形成できる。さらに、複数の■族元素ソ
ースを同時に供給することにより、Ｚｎ５ｘＳｅｌ−ｘ
。
Ｚｎ５ｘＴｅ ｌ−ｘ、 Ｚｎ５ｅｘｔｅ １−ｘ（ｏ
ｓｘ＜１ ）などの混晶の単結晶薄膜の成長も可能であ
る。
ｓｘ＜１ ）などの混晶の単結晶薄膜の成長も可能であ
る。
これらの単結晶薄膜に■族元素又はハロゲン元素をド□
−ピングして得られる発光層の上に絶縁層及び電極層を
積層してＭＩＳ構造とすることにより、発光層のバンド
キャップで決まる発光を呈するＭＩＳ￥！！Ｌ’ＥＤの
製作が可能である。
−ピングして得られる発光層の上に絶縁層及び電極層を
積層してＭＩＳ構造とすることにより、発光層のバンド
キャップで決まる発光を呈するＭＩＳ￥！！Ｌ’ＥＤの
製作が可能である。
また′、ＱａＡｓ 上に形成したｎ−型ｚｎＳｅ又は
ｎ−型Ｚｎ５Ｘ３ｅ １−ｘ 上にｐ−型Ｚｎ５ｅ
又はｐ−型Ｚｎ’５ｘＳｅｌ −ｘ を積層すること
によシ、ｐ−ｎ接合型の発光ダイオードへの応用も可能
である。
ｎ−型Ｚｎ５Ｘ３ｅ １−ｘ 上にｐ−型Ｚｎ５ｅ
又はｐ−型Ｚｎ’５ｘＳｅｌ −ｘ を積層すること
によシ、ｐ−ｎ接合型の発光ダイオードへの応用も可能
である。
さらに、上述の混晶薄膜を積層することによりＧａＡｓ
、Ｇｅ、ＩｕＡｓなどの単結晶基板上に次の様な材料系
からなるダブル・ペテロ構造又は超格子構造を有する発
光素子への応用も可能である。
、Ｇｅ、ＩｕＡｓなどの単結晶基板上に次の様な材料系
からなるダブル・ペテロ構造又は超格子構造を有する発
光素子への応用も可能である。
Ｚ’ｎ （ＳＴｅ ）／ｚｎ （ＳＳｅＴ’ｅ ）／Ｇ
ａＡｓ 、ＱｅＺｎ５ｏ６Ｔｅｏ、４／ＺｕＳｅ／Ｇａ
ＡｓＺｒｎ５ｅＴｅ／Ｚｎ （ＳＳｅＴｅ ）／ＧａＡ
ｓ 、Ｇｅ 、丁１１ Ａ Ｓ以上の説明から明らか々
様に、本発明に係る半導体薄膜の製造法は、Ｚｎを構成
元素とするｎ−■族化合物半導体及びその混晶薄膜の製
造に上述の実施例で示し、た効果と同等の効果を発揮す
るものである。容易に類推できる様に、成長基板の選択
によシ、本発明は多結晶薄膜への応用も可能である。
ａＡｓ 、ＱｅＺｎ５ｏ６Ｔｅｏ、４／ＺｕＳｅ／Ｇａ
ＡｓＺｒｎ５ｅＴｅ／Ｚｎ （ＳＳｅＴｅ ）／ＧａＡ
ｓ 、Ｇｅ 、丁１１ Ａ Ｓ以上の説明から明らか々
様に、本発明に係る半導体薄膜の製造法は、Ｚｎを構成
元素とするｎ−■族化合物半導体及びその混晶薄膜の製
造に上述の実施例で示し、た効果と同等の効果を発揮す
るものである。容易に類推できる様に、成長基板の選択
によシ、本発明は多結晶薄膜への応用も可能である。
以上説明した様に、本発明によれは、亜鉛を構成元素に
含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜の製造
法において、ジアルキル亜鉛及びジアルキルセレンを両
者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によ
って反応及び熟成を行なった後、過剰成分を留出除去し
て得られるジアルキル亜鉛とジアルキル硫黄の付加体で
ある有機亜鉛化合物を亜鉛ソースとする有機金属気相熱
分解法（Ｍ、 ＯＣＶ Ｄ法）によって前記ｌｌ−１１
族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成することにより
、アンドーグで１０４Ω・σ以上の高抵抗を呈するＺｎ
５ｅ及びその混晶薄膜の製造及び、ドナー原子の添加に
よる比抵抗の制御が可能となった。また亜鉛を構成元素
に含むＨ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜を特性
のバラツキを少なくかつすぐれた再現性をもって製造す
ることが可能と々つだ。
含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜の製造
法において、ジアルキル亜鉛及びジアルキルセレンを両
者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に混合し、加熱によ
って反応及び熟成を行なった後、過剰成分を留出除去し
て得られるジアルキル亜鉛とジアルキル硫黄の付加体で
ある有機亜鉛化合物を亜鉛ソースとする有機金属気相熱
分解法（Ｍ、 ＯＣＶ Ｄ法）によって前記ｌｌ−１１
族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成することにより
、アンドーグで１０４Ω・σ以上の高抵抗を呈するＺｎ
５ｅ及びその混晶薄膜の製造及び、ドナー原子の添加に
よる比抵抗の制御が可能となった。また亜鉛を構成元素
に含むＨ−ＶＩ族化合物半導体及びその混晶薄膜を特性
のバラツキを少なくかつすぐれた再現性をもって製造す
ることが可能と々つだ。
本発明が可視発光ダイオード、半導体レーザー。
及び薄膜ＥＬ素子等の製造に対して寄与するところ極め
て大きいと確信する。
て大きいと確信する。
第１図は、（ＣＨｓ ） ２Ｚｎ−８ｅ （ＣＨ，ｓ
） ２ の蒸気圧一温度特性図。 １、 温度 ２． 蒸気圧 五 付加体４− （
ＣＨ３）２５ｅａ （ＣＨ３）２Ｚｎ第２図は本発明
において用いるＭ ＯＣＶ １）装置の概略図。 ６、 石英ガラス製反応管 ７． ｓｉｃコーティ
ングを施したグラファイト製サセプター＆ 基板 ９
． 高周波加熱炉又は赤外線炉又は抵抗加熱炉 １０
． 熱電材 １ｔｌｌｉ気系１２） 廃ガス処理
系 １３ 、１４． ノくルブ１５ 付加体の入っ
たバブラー １６、トリエチルアルミニウムなどのＩｉ元累の有機金
属化合物の入ったバブラー １Ｚ キャリアーガスの入ったボンベ １ａ セレン化水素の入ったボンベ １９ ガスＮ化装ｆ ２０ マスクロコンｌ−ロ
ーラ ２１． 恒温槽 ２２． 三方パルプ２
６、 バルブ 第６図（ａ）、山）は本発明において作製されたｚｎＳ
ｅのフォトルミネッセンススペクトル図以上
） ２ の蒸気圧一温度特性図。 １、 温度 ２． 蒸気圧 五 付加体４− （
ＣＨ３）２５ｅａ （ＣＨ３）２Ｚｎ第２図は本発明
において用いるＭ ＯＣＶ １）装置の概略図。 ６、 石英ガラス製反応管 ７． ｓｉｃコーティ
ングを施したグラファイト製サセプター＆ 基板 ９
． 高周波加熱炉又は赤外線炉又は抵抗加熱炉 １０
． 熱電材 １ｔｌｌｉ気系１２） 廃ガス処理
系 １３ 、１４． ノくルブ１５ 付加体の入っ
たバブラー １６、トリエチルアルミニウムなどのＩｉ元累の有機金
属化合物の入ったバブラー １Ｚ キャリアーガスの入ったボンベ １ａ セレン化水素の入ったボンベ １９ ガスＮ化装ｆ ２０ マスクロコンｌ−ロ
ーラ ２１． 恒温槽 ２２． 三方パルプ２
６、 バルブ 第６図（ａ）、山）は本発明において作製されたｚｎＳ
ｅのフォトルミネッセンススペクトル図以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）亜鉛を構成元素に含むII−VI族化合物半導体及びそ
の混晶薄膜の製造法において、ジアルキル亜鉛及びジア
ルキルセレンを両者のうち低沸点成分の量を概ね過剰に
混合し、加熱によつて反応及び熟成を行なつた後、過剰
成分を留出除去して得られるジアルキル亜鉛とジアルキ
ルセレンの付加体である有機亜鉛化合物を亜鉛ソースと
する有機金属気相熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）によつて前
記II−VI族化合物半導体及びその混晶薄膜を形成するこ
とを特徴とした半導体薄膜の製造法。 ２）特許請求の範囲第１）項において、亜鉛ソースとし
て用いる有機金属化合物が、０℃〜４０℃において１０
〜１８０分間の加熱反応工程、除々に昇温して３０〜８
０℃で１０〜１２０分間熟成する工程を含む加熱処理に
よって、ジアルキル亜鉛とジアルキルセレンから形成さ
れる付加体であることを特徴とした半導体薄膜の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7494185A JPH06101432B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7494185A JPH06101432B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232627A true JPS61232627A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH06101432B2 JPH06101432B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=13561873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7494185A Expired - Lifetime JPH06101432B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101432B2 (ja) |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP7494185A patent/JPH06101432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101432B2 (ja) | 1994-12-12 |
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