JPH11220175A - 化合物半導体発光素子 - Google Patents

化合物半導体発光素子

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JPH11220175A
JPH11220175A JP10332248A JP33224898A JPH11220175A JP H11220175 A JPH11220175 A JP H11220175A JP 10332248 A JP10332248 A JP 10332248A JP 33224898 A JP33224898 A JP 33224898A JP H11220175 A JPH11220175 A JP H11220175A
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light emitting
conductive layer
layer
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zns
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Yoshitaka Tomomura
好隆 友村
Masahiko Kitagawa
雅彦 北川
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、発光素子本体に電流が必ずしも狭窄さ
れないという問題があり、そのため発光素子本体側面を
電流がリークするから、発光素子本体に電流を狭窄し、
高密度の電流を発光層に注入されないという問題があっ
た。 【解決手段】 本発明の化合物半導体発光素子では、基
板上に、少なくとも、第１導電型の導電層と、前記第１
導電型の導電層の一部領域に立設され、少なくとも前記
発光層とからなる発光素子本体と、を有する化合物半導
体発光素子において、前記発光素子本体から舌状に接続
された前記第１導電型の導電層の露出部分に設けられた
第１の電極と、前記発光素子本体の上方に設けられた第
２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に
発光素子表面に設けられた絶縁層と、を備えていること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体発光素
子に関し、特に青色発光ダイオードをはじめとする紫外
光から可視領域にわたる化合物半導体発光素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、II-VI族化合物半導体ＺｎＳ、
ＺｎＳｅ等は青色発光ダイオードをはじめとする紫外光
から可視領域にわたる高効率発光素子用の材料である。
【０００３】このII-VI族化合物半導体を用いた発光素
子において、従来用いられている構造の例を図１７に示
す。図中、７１はハロゲン化学輸送法により成長させた
ＺｎＳバルク単結晶を１０００℃の溶融亜鉛中で１００
時間熱処理し、低抵抗したｎ型ＺｎＳ単結晶基板であ
る。この低抵抗化ｎ型ＺｎＳ基板７１上に分子線エピタ
キシー（ＭＢＥ）法、あるいは有機金属熱分解（ＭＯＣ
ＶＤ）法を用いてｎ型ＺｎＳからなる発光層７４、絶縁
性ＺｎＳからなる絶縁層７５を順次エピタキシャル成長
させ、上記絶縁層７５上に金（Ａｕ）を蒸着して正電極
７７とし、低抵抗化ｎ型基板７１の裏面にインジウム
（Ｉｎ）を用いたオーミック電極を形成し、これを負電
極７８として、ＭＩＳ型発光素子が製作されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の発光素子の構造では、導電性基板を必要とした。
しかし、青色発光素子などのワイドギャップ半導体にお
いては、必ずしも導電性基板を得ることが容易でなかっ
た。例えば、上述の従来の化合物発光素子では、基板の
低抵抗化のために、溶融亜鉛中での熱処理工程が必要で
あった。高抵抗もしくは絶縁性の基板を用いる場合、発
光素子の上面に正、負の両方の電極を形成することが考
えられるが、この場合には発光を有効に取り出せないと
いう問題が生じた。すなわち、電極や発光素子外部より
電流を供給するために、電極に接続されるリード線によ
り、発光の取り出しが遮られていた。特に、青色発光素
子の場合、発光効率が小さいため、発光の取り出し効率
を高めることは重要であった。
【０００５】また、正、負電極を両方とも発光素子の上
面に形成する場合において、発光層の下層である導電層
を露出させる必要があるが、青色発光素子などのワイド
ギャップ半導体において、ドライエッチングにより露出
したｐ型半導体表面に電極を形成すると、電極部分での
抵抗が高くなるという問題が判明した。これは、青色発
光素子などのワイドギャップ半導体においては、良好な
正電極の形成が難しく、正電極を接続する半導体表面は
適切に形成される必要があるためである。
【０００６】本発明は係る点に鑑みてなされたもので、
発光の取り出し効率の高い化合物半導体発光素子と、そ
の化合物半導体発光素子の電極における抵抗を小さくし
た製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】さらに、上述の従来の発光素子の構造で
は、発光層を含む主要部、つまり発光素子本体に電流が
必ずしも狭窄されないという問題があった。これは発光
素子本体側面を電流がリークするからである。本発明は
係る点に鑑みてなされたもので、発光素子本体に電流を
狭窄し、発光層に高密度の電流を注入することを特徴と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による化合物半導
体発光素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型の導
電層と、前記第１導電型の導電層の一部領域に立設さ
れ、少なくとも前記発光層とからなる発光素子本体と、
を有する化合物半導体発光素子において、前記発光素子
本体から舌状に接続された前記第１導電型の導電層の露
出部分に設けられた第１の電極と、前記発光素子本体の
上方に設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記
第２の電極との間に発光素子表面に設けられた絶縁層
と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】この発明における基板としては、低抵抗ｎ
型ＺｎＳ、低抵抗ｎ型ＺｎＳｅあるいは低抵抗ｎ型Ｚｎ
ＳｅxＳｅ1-x等からなるものや、絶縁性ＺｎＳ、絶縁性
ＺｎＳｅあるいは絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-x等からなるもの
が好ましいものとして挙げられる。また、ＧａＡｓやＧ
ａＰあるいはＳｉ等の材料も適用可能である。
【００１０】そして、例えば、低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板
（や低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ基板あるいは低抵抗ｎ型ＺｎＳ
xＳｅ1-x基板）としては、ハロゲン化学輸送法により成
長させたＺｎＳバルク単結晶（やＺｎＳｅバルク単結晶
あるいはＺｎＳxＳｅ1-xバルク単結晶）を１０００℃の
溶融亜鉛中で約１００時間熱処理することにより、それ
ぞれ以下に示す抵抗率を有する低抵抗化した基板を用い
るのが好ましい。 ＺｎＳ：抵抗率（Ω・ｃｍ）として１〜１０が好まし
く、１程度がより好ましい。 ＺｎＳｅ：１０-2〜１０が好ましく、１程度がより好ま
しい。 ＺｎＳxＳｅ1-x：１〜１０が好ましく、１程度がより好
ましい。 この際、上記各基板を作成する上でｎ型不純物として
は、Ａｌ，Ｇａ等やＣｌ，Ｂｒが用いられ、ＩｎやＩ等
も適用可能である。
【００１１】また、絶縁性ＺｎＳ［絶縁性ＺｎＳｅ（あ
るいは絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-x）］は、ハロゲン輸送法、
昇華法あるいは高圧溶融法により成長させたＺｎＳバル
ク単結晶（やＺｎＳｅバルク単結晶あるいはＺｎＳxＳ
ｅ1-xバルク単結晶）をそれぞれ低抵抗化処理せずに用
いるのが好ましい。
【００１２】この発明における発光部としては、ｎ型Ｚ
ｎＳあるいはｎ型ＺｎＳｅ等からなる。いわゆるＺｎＳ
ＭＩＳ型あるいはＺｎＳｅ ＭＩＳ型の発光素子を構
成する発光層や、一対のｎ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＳ
ｅ等からなる、いわゆるプレーナ構造を含むモノリシッ
ク素子構造のｐｎ接合発光素子を構成する発光層が好ま
しいものとして挙げられる。
【００１３】導電層ならびに発光層を作成する上でｎ型
不純物としては、III族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、タリウム（Ｔｌ）等を、あるいはＶＩＩ族元素の
塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、フッ素（Ｆ）、ヨウ素
（Ｉ）等のうち少なくとも一つ、あるいは上記のIII族
元素とVII族元素とを少なくとも一つずつ組み合わせた
ものが用いられる。一方、ｐ型不純物としては、Ｉａ族
元素のリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウ
ム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等
や、Ｉｂ族元素の銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）
を、あるいはIII族元素のタリウム（Ｔｌ）やＶ族元素
の窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン
（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等のうち少なくとも一つ、
あるいは上記のＩａ族、Ｉｂ族ならびにＶ族の元素と、
III族ならびにVII族とを少なくとも一つずつ組み合わせ
たものが用いられる。
【００１４】次に、本発明において、発光素子本体が実
質的に基板の一部領域上に立設されるとは、基板が、発
光素子本体を配設しうる第１領域と少なくとも発光素子
本体の側面を包囲する絶縁部を配設しうる第２領域とを
有することを意味するものであり、発光素子本体が基板
の上面全体に渡って配設されていないことを意味する。
【００１５】すなわち、発光素子本体は、例えば、３０
０μｍ×３００μｍの素子（チップ）寸法に対して、図
１３、図１４に示すように、直径Ｄ1が３０〜１００μ
ｍ程度（より好ましくは５０μｍ）の円柱構造を有する
ものが好ましいものとして挙げられる。
【００１６】また、絶縁部としては、材料としてＺｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳxＳｅ1-x等のII-VI族化合物半導
体からなる絶縁層が挙げられる。ＣａＳやＣａＳｅ、Ｓ
ｒＳあるいはＳｒＳｅも適用可能である。そして、抵抗
率としては１０10〜１０15Ω・ｃｍが好ましく、１０15
Ω・ｃｍがより好ましく、その絶縁層における上記発光
素子本体の側面を包囲する部分である包囲壁の肉厚Ｗ
（図１３参照）は２〜１０μｍが好ましく、５μｍがよ
り好ましい。
【００１７】さらに、本発明においては、導電部は、電
子濃度１０18ｃｍ-3以上（あるいは正孔濃度１０17ｃｍ
-3以上）の低抵抗（抵抗率として１０-1〜１０-3Ω・ｃ
ｍが好ましく、５×１０-3Ω・ｃｍがより好ましい）
の、例えば、ｎ型（あるいはｐ型）ＺｎＳｅ層やＺｎＳ
xＳｅ1-x層から構成される。そして、発光部は、ｎ型発
光層の場合、電子濃度として１０15〜１０18ｃｍ-3が好
ましく、ｐ型発光層の場合では、正孔濃度として１０14
〜１０17ｃｍ-3が好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下図に示す実施例にもとづいて
この発明を詳述する。なお、これによってこの発明は限
定を受けるものではない。図１は本発明の第１の実施例
の発光素子を模式的に示した断面図である。同図におい
て、１は抵抗率１Ωｃｍの低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板、２は
低抵抗ｎ型ＺｎＳからなる第１導電層、３は第１導電層
２よりも高いキャリア濃度をもつ低抵抗ｎ型ＺｎＳから
なる第２導電層、４はｎ型ＺｎＳ発光層、５は絶縁性Ｚ
ｎＳからなる正孔注入用絶縁層、７は正電極、８は負電
極である。
【００１９】この素子において、第１導電層２、発光層
４、正孔注入用絶縁層５はＭＢＥ法を用いて基板１上に
順次エピタキシャル成長させた単結晶半導体層である。
【００２０】そして、第１導電層２より高いキャリア濃
度を有する第２導電層３は、第１導電層２の成長時に、
成長層表面の一部に光（例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光）を照射することにより形成される。
すなわち、光を照射しながら成長することにより、光照
射部分に不純物元素が高濃度に添加され、非照射部と比
較して約１桁キャリア濃度の高い領域を形成することが
できた。第１導電層２は厚さ５μｍ、電子濃度１０18ｃ
ｍ-3とし、第２導電層３は第１導電層２のほぼ全層にわ
たって形成し、電子濃度を上記の成長法を用いて第１導
電層１の約１０倍の１０19ｃｍ-3程度とした。この場合
抵抗率は第１導電層２が５×１０-2Ωｃｍ、第２導電層
３のそれは５×１０-3Ωｃｍであった。
【００２１】この際、第２導電層３は電流が十分に狭窄
されるように、例えば、３００μｍ×３００μｍの素子
（チップ）寸法に対して、径ｄ1を５０μｍ程度に設定
する。発光層４は厚さ２μｍ、電子濃度１０17ｃｍ-3と
し、正孔注入用の絶縁層５は２０〜７００Åの厚さとし
た。
【００２２】そして、正孔注入用の絶縁層５としては、
不純物を添加せずに成長させた絶縁性のＺｎＳ、あるい
は上述したｎ型不純物とＶ族元素の窒素（Ｎ）、リン
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等のｐ型不
純物を同時に添加して成長させた絶縁性ＺｎＳを用いる
ことにより安定した特性が得られた。
【００２３】正電極７は絶縁層５上の第２導電層３の直
上の位置に金（Ａｕ）を５００〜１０００Å蒸着して形
成した。負電極８は、基板１の裏側全面にインジウム−
水銀（Ｉｎ−Ｈｇ）を塗布し、高純度水素（Ｈ2）中で
約４００℃（３０ｓｅｃ）加熱することにより形成した
オーミック電極である。
【００２４】以上のＺｎＳＭＩＳ型発光素子において、
素子内の電流経路は第１および第２導電層２および３中
において、高キャリア濃度で、より低い抵抗率をもつ第
２導電層３中に狭窄され、発光層４へ高密度の電流を注
入することが可能となり、従来のＺｎＳ ＭＩＳ型発光
素子と比較して５〜１０倍の輝度を有する青色発光が正
電極７、絶縁層５ならびに素子端面を通して観察され
た。
【００２５】図２は上記実施例の発光素子において、高
キャリア濃度の第２導電層をリング状に形成した、第２
の実施例であるＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子を模式的に示
す断面図である。同図において基板１、第１導電層２、
発光層４、絶縁層５は上記実施例に示す発光素子と同様
のものであり、第２導電層１３は、第１導電層２を成長
する際にＡｒＦレーザー光をリング状に照射することで
形成した内径ｄ2３０μｍ、外径ｄ3１００μｍのリング
状の高キャリア濃度層である。各層の膜厚ならびにキャ
リア濃度は、上記第１実施例の発光素子と同程度に設定
した。正電極７として、直径３０〜１００μｍのＡｕ蒸
着電極を絶縁層５上の第２導電層１３の直上の位置に形
成し、負電極８として、基板１裏面にＩｎ−Ｈｇを用
い、リング状のオーミック電極を形成した。
【００２６】この場合においても、第２導電層１３によ
り発光層４に流れる電流が狭窄され、高輝度の青色発光
が得られた。さらに、高いキャリア濃度をもつ第２導電
層１３は第１導電層２に対して低い屈折率をもつため、
発光層４の正電極７と第２導電層１３に挟まれた発光部
より生じた光は、リング状の第２導電層１３に囲まれ
た、より高い屈折率を持つ第１導電層２中に閉じ込めら
れ、素子端面より漏れることなく基板１の裏面より素子
外部へ効率良く取り出すことができた。本実施例により
高輝度でしかも高い取り出し効率をもつＺｎＳ ＭＩＳ
型発光素子を実現することができた。
【００２７】図３は本発明による第３の実施例の発光素
子を模式的に示す断面図である。同図において、２１は
絶縁性ＺｎＳｅ基板、２２は低抵抗ｎ型ＺｎＳｅからな
る第１導電層、２３は第１導電層２２より高キャリア濃
度のｎ型ＺｎＳｅからなる第２導電層、２４はｎ型Ｚｎ
Ｓｅ発光層、２５はｐ型ＺｎＳｅ発光層、２６は低抵抗
ｐ型ＺｎＳｅからなる導電層、７は正電極、８は負電極
である。
【００２８】この素子において、絶縁性ＺｎＳｅ基板２
１としては、ハロゲン輸送法、昇華法、あるいは高圧溶
融法により成長させたＺｎＳｅバルク単結晶を低抵抗化
処理せずに用い、この基板２１上にＭＢＥ法を用いて各
半導体層を順次エピタキシャル成長させる。ｎ型ＺｎＳ
ｅからなる導電層２２，２３、発光層２４は実施例１の
ＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子とほぼ同様の形状、寸法、特
性とし、この上にｐ型ＺｎＳｅからなる厚さ２μｍ、正
孔濃度５×１０16ｃｍ-3の発光層２５、厚さ５μｍ、正
孔濃度５×１０17ｃｍ-3の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ導電層２
６を形成し、ｐ型ＺｎＳｅ導電層２６の端部にＡｕを蒸
着して正電極７とし、成長層の一部を化学エッチングあ
るいは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等を用いて除
去し、露出させたｎ型ＺｎＳｅからなる第１導電層２２
上にＩｎを蒸着して負電極８とし、プレーナ構造のＺｎ
Ｓｅ ｐｎ接合発光素子とした。
【００２９】この際、ｐ型ＺｎＳｅからなる発光層２５
ならびに導電層２６に対するｐ型不純物としては、Ｉａ
族元素のリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリ
ウム（Ｋ）、Ｉｂ族の銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａ
ｕ）、III族元素のタリウム（Ｔｌ）、Ｖ族元素の窒素
（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等を用いた。
【００３０】正電極７をｐ型ＺｎＳｅ導電層２６の端部
に形成することによって、電極が発光を遮ることを最小
限にすることができ、発光を発光素子上部より有効に取
り出すことができた。なお、基板２１として昇華法で成
長させた無色透明の絶縁性ＺｎＳＳｅ単結晶基板を用い
ることにより、基板側からも高輝度の発光を取り出すこ
とができた。
【００３１】この青色発光素子のようにワイドギャップ
半導体を用いた場合には、ｎ型半導体を反応性イオンエ
ッチングによって露出させることによって、負電極を形
成しているので、抵抗の低い、電極部での発熱の小さ
く、信頼性の高い化合物半導体発光素子が得られた。
【００３２】また、絶縁性基板２１を用いたプレーナ構
造とすることにより、基板結晶の低抵抗化処理が不要と
なり、素子作成プロセスが大幅に簡素化されるととも
に、素子抵抗の低減により、素子の低損失化が可能とな
った。本実施例により、高輝度のｐｎ接合型発光素子を
実現することができた。
【００３３】図４は、本発明による第４の実施例である
ＺｎＳｅ ｐｎ接合型発光素子の断面模式図を示す。基
本的な素子構造は上記第３の実施例と同様であるが、低
抵抗ｎ型ＺｎＳｅからなる第１導電層２２中にこの第１
導電層２２より高いキャリア濃度の低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ
からなる第２導電層３３が複数形成されている。
【００３４】この場合、個々の第２導電層３３の位置で
電流が狭窄され高輝度の発光が生じる。１０μｍ×１０
μｍ程度以上の微小寸法からなる矩形の第２導電層３３
を複数、任意の形状に配列することにより、第２導電層
３３の配列に対応した形状の高輝度の発光が得られた。
【００３５】さらに、本発明の発光素子の第５の実施例
の概略図を図５に示す。図中、１はｎ型ＺｎＳ単結晶基
板である。この低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板１上に、低抵抗ｎ
型ＺｎＳ層ならびに低抵抗ｎ型イオウ・セレン化亜鉛合
金（ＺｎＳxＳｅ1-x）層を連続にエピタキシャル成長さ
せ、その後、化学エッチングあるいは反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）等のエッチング法により、上記ｎ型Ｚ
ｎＳxＳｅ1-x層を、発光部の下部に相当する部分を残し
て除去し、低抵抗ｎ型ＺｎＳ層を再び成長させ、ｎ型Ｚ
ｎＳからなる第１導電層２と、この第１導電層２中にｎ
型ＺｎＳxＳｅ1-xからなる第２導電層１３１とを形成す
る。ＺｎＳの屈折率は２．４であり、ＺｎＳxＳｅ1-xの
屈折率はイオウ（Ｓ）組成（ｘ）に応じてＺｎＳの屈折
率２．７からＺｎＳｅの屈折率２．４まで連続的に変化
し、第１導電層２に対し、第２導電層１３１は高い屈折
率をもつ。さらに、この第１導電層２上にｎ型ＺｎＳか
らなる発光層４ならびに絶縁性のＺｎＳからなる絶縁層
５を積層し、絶縁層５上にＡｕ電極を蒸着し、正電極７
とし、低抵抗化ｎ型ＺｎＳ基板１裏面にＩｎオーミック
電極を形成し、負電極８とし、ＭＩＳ型発光素子とす
る。
【００３６】各半導体層のエピタキシャル成長には、Ｍ
ＢＥ法、あるいはＭＯＣＶＤ法を用いる。すなわち、い
ずれの成長法においても、供給する原料の種類、量を変
えることにより各層を制御性良く成長させることができ
た。また、ＺｎＳ絶縁層５は不純物を添加しないことで
得られるが、絶縁性の低い高抵抗ｎ型ＺｎＳとなる場合
は、ｐ型ＺｎＳ形成用の不純物であるＩａ族元素のリチ
ウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、
Ｉｂ族元素の銅、銀、金、III族元素タリウム、Ｖ族元
素リン、砒素、アンチモン、ビスマスうち少なくとも一
つ、あるいは、上記のＩａ族、Ｉｂ族ならびにＶ族の元
素と、III族の元素とを少なくとも一つずつ組み合わせ
たものを添加することにより、高い絶縁性を示すＺｎＳ
を成長させることができた。
【００３７】そして、第１導電層２及び第２導電層１３
１は素子の電気抵抗を下げるために電子濃度を略約１０
18〜１０19ｃｍ-3として抵抗率を小さく（例えば５×１
０-2〜５×１６-3Ωｃｍ）設定する。この場合、第２導
電層１３１の抵抗率を第１導電層２のそれより小さくす
ることにより電流は第２導電層１３１中を主に流れ、発
光層４中に高密度の電流注入が生じることにより高輝度
の青色発光を得ることが可能となる。第２導電層１３１
を形成するＺｎＳxＳｅ1-xは第１導電層１にたいして十
分大きな屈折率となるように、イオウ（Ｓ）の組成
（ｘ）を０．５以下とし、発光層から放射された光が効
率良く基板側に導かれるように厚さを１０μｍ程度とす
る。第１導電層２の厚さは、第２導電層１３１との間に
おいて、界面の歪が緩和されるよう各２μｍ程度とす
る。
【００３８】発光層４は高い発光効率を得るために、電
子濃度を１０17ｃｍ-3程度に、導電層より低く抑えた高
い結晶性を有するｎ型ＺｎＳ層で形成し、厚さは約１〜
５μｍとする。絶縁層５は電流注入の効率を最大とする
範囲で薄くし、２０〜７００Åとする。
【００３９】正電極７は発光層から上方へ放射された光
が基板側へ全反射されるように２０００〜３０００Åの
厚さとし、これを第２導電層１３１の直上に形成する。
負電極８は、青色発光が基板裏面より取り出せるように
リング状に形成する。
【００４０】本実施例において、発光層４より放射され
た光は導電層中を透過する際に、屈折率の高い第２導電
層１３１中に閉じ込められ、基板側に効率良く取り出す
ことが可能となり、従来構造の素子と比較して１桁高い
取り出し効率を有するＺｎＳＭＩＳ型青色発光素子を実
現することができた。
【００４１】なお、本実施例において、ｎ型ＺｎＳ発光
層４の上に、絶縁層５のかわりに正孔濃度１０14〜１０
17ｃｍ-3ｐ型ＺｎＳからなる発光層を積層することによ
り、上述のＭＩＳ型発光素子の場合と同様に、従来のｐ
ｎ接合型あるいはＴｌｎ接合型の素子と比較してさらに
約１桁高い取り出し効率を有するＺｎＳｐｎ接合型発光
素子を実現できた。
【００４２】図６はＺｎＳＭＩＳ型発光素子において、
第２導電層１３１を凸レンズ状の形状とした本発明によ
る発光素子の第６の実施例を示す概略図である。同図に
おいて、各層は、ＭＯＣＶＤ法を用い、成長層であるＺ
ｎＳあるいはＺｎＳxＳｅ1-xの禁制帯幅よりも大きなエ
ネルギーをもつ光、例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキ
シマレーザ光、あるいは、分光出力５０ｍＷ／ｎｍ／ｃ
ｍ2のキセノンランプより分光した単色光等を基板に照
射しながら成長を行う。光照射により、光を照射しない
通常の場合には、ほとんど成長の生じない（０．００１
μｍ／ｈ以下）低い成長温度（２００〜３５０℃）にお
いても十分な成長が得られ、しかも光の強度により、概
数０．０１μｍ／ｈ〜１０μｍ／ｈにわたる広い範囲で
成長速度を制御することができる。
【００４３】この光照射成長法を用い、まず低抵抗化ｎ
型ＺｎＳ基板１上に図７の実線Ａで示される強度分布を
もつ光の照射下で低抵抗のｎ型ＺｎＳを成長させ、中央
部での厚さが約２μｍ、端部での厚さが約７μｍの中央
部にすり鉢状の凹部を有する第１導電層の下部層１２ａ
を形成する。続けて図７の破線Ｂで示される強度分布を
もつ光の照射下で低抵抗のｎ型ＺｎＳxＳｅ1-xを成長さ
せ、上記の第１導電層の下部層１２ａに形成された凹部
上に中央部の厚さが約１０μｍの凸レンズ状の第２導電
層１３１を形成し、再び図７の実線Ａで示される強度分
布の光照射下で低抵抗ｎ型ＺｎＳを成長させて第１導電
層の上部層１２ｂを形成し、導電層とする。
【００４４】次にこの導電層上にｎ型ＺｎＳ発光層４、
絶縁性ＺｎＳからなる絶縁層５を成長させ、絶縁層５に
正電極７、低抵抗化ｎ型ＺｎＳ基板１の裏面に負電極８
を形成し、ＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子とする。
【００４５】このような構成では、第１導電層１２ａ、
１２ｂより高い屈折率をもつ第２導電層１３１が凸レン
ズ状の形状を有することから、発光層４から生じた光に
集光性ならびに指向性を持たせることが可能となり、発
光を素子外部の任意の方向にさらに効率良く取り出すこ
とができた。
【００４６】次に、本発明による第７の実施例の概略図
を図８に示す。同図において、基板は、ハロゲン化学輸
送法で成長させたＺｎＳxＳｅ1-xバルク単結晶を低抵抗
化処理せずに用いた絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-x基板２１ａで
あり、この基板上に低抵抗ｎ型ＺｎＳyＳｅ1-yからなる
第１導電層３２と、低抵抗ｎ型ＺｎＳｅからなり、第１
導電層３２より屈折率の高い第２導電層３３とを形成す
る。この場合、第１導電層３２に対して第２導電層２３
が十分に高い屈折率を持つように第１導電層３２を形成
するＺｎＳyＳｅ1-yのイオウ（Ｓ）組成（ｙ）を０．５
以上とする。
【００４７】次にこの導電層上にｎ型ＺｎＳｅからなる
発光層２４ならびにｐ型ＺｎＳｅからなる発光層２５を
形成し、ｐ型ＺｎＳｅ発光層２５にＡｕを用いたオーミ
ック電極を形成し正電極７とし、発光層の一部をエッチ
ングにより除去し露出させたｎ型ＺｎＳyＳｅ1-yからな
る第１導電層３２にＩｎを用いたオーミック電極を形成
し、負電極８とし、ｐｎ接合型発光素子とする。この素
子は基板がＺｎＳｅ発光層よりソイドギャップであり、
基板による再吸収が無く、さらにプレーナ型構造である
ため、基板２１ａ裏面に電極が形成されず、発光を有効
に取り出すことが可能である。
【００４８】本実施例においてさらに高い取り出し効率
を有するＺｎＳｅ ｐｎ接合型発光素子と実現すること
ができた。次に本発明による第８の実施例の概略図を図
９に示す。同図において、基板はハロゲン化学輸送法に
より成長させたＺｎＳｅバルク単結晶を低抵抗化せずに
用いた絶縁性のＺｎＳｅ基板２１である。この基板２１
上に低抵抗ｐ型ＺｎＳｅからなる導電層３８、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ発光層２５、ｎ型ＺｎＳｅ発光層２４エピタキシャ
ル成長させた後、層厚１０μｍの低抵抗ｎ型ＺｎＳyＳ
ｅ1-yからなる第１導電層３２ならびに第１導電層３２
中に低抵抗ｎ型ＺｎＳkＳｅ1-k（ｋ＜ｙ）からなる第２
導電層１３３とを形成し、第１導電層３２上にＩｎを用
いた負電極８を、エッチングにより露出させたＰ型Ｚｎ
Ｓｅ導電層３８にＡｕを用いた正電極７を、それぞれ形
成し、ｐｎ接合型発光素子とする。
【００４９】なお、第１導電層３２を形成するＺｎＳy
Ｓｅ1-yのイオウ（Ｓ）組成（ｙ）は、ＺｎＳkＳｅ1-k
で形成される第２導電層１３３の屈折率が第１導電層３
２の屈折率より十分に大きくなるようにｙ＞ｋ＋０．５
とする。
【００５０】本実施例においては、絶縁性のＺｎＳｅ基
板２１を用いたプレーナ構造とすることにより、基板結
晶の低抵抗化処理が不要となり、素子作製プロセスが簡
素化された。また、負電極８を低抵抗ｎ型ＺｎＳyＳｅ
1-y層３２の端部に形成することによって、負電極８が
発光を遮ることを最小限にすることができ、発光素子上
部より発光を有効に取り出すことができた。更に、発光
素子外部より電流を発光素子に供給する為の各リード線
を電極に形成する場合には、正電極に対して負電極が低
抵抗ｎ型ＺｎＳyＳｅ1-y層３２上の最も離間した端部位
置に設けられているので、発光素子上部より取り出され
る発光を遮ることなく、リード線を発光素子の外側に向
かって引き出すことができた。
【００５１】また、本実施例の発光素子においては、発
光層上方の負電極が、発光層下部のｐ型ＺｎＳｅからな
る導電層３８の露出部に設けられた正電極７とは最も離
間した端部位置に設けられたので、中央付近を含めて発
光層のほぼ全体に電流が流れて発光するので、発光素子
上部より発光を有効に取り出すことができた。
【００５２】次に本発明による第９の実施例の概略図を
図１０に示す。同図において、基本的な構造は、上述し
たＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子と同様であるが、第２導電
層４３はイオウ（Ｓ）とセレン（Ｓｅ）の組成比が厚さ
方向（Ｙ方向）に段階的あるいは連続的に変化するｎ型
ＺｎＳx(l)Ｓｅ1-x(l)［ｌ：第２導電層４３の底面４３
ａから厚さ方向（Ｙ方向）へ向かう変位量］より形成さ
れている。
【００５３】すなわち、この第２導電層４３のＳ組成
［ｘ（ｌ）］は第１導電層２との界面（ｌ＝０，ｌ＝
Ｌ，Ｌ：第２導電層４３の厚み）でｘ（０）＝ｘ（Ｌ）
＝１とし、中央部（ｌ＝Ｌ／２）で最小となるようにす
る。このときの最小値Ｘ（Ｘ＝ｘ（Ｌ／２））は第２導
電層４３が第１導電層２に対して十分高い屈折率を持つ
ようにＸ＜０．５とする。
【００５４】このように、第２導電層４３の組成が第１
導電層２との界面よりＺｎＳからＺｎＳxＳｅ1-xまで連
続的に変化しているため、界面での各層の格子定数の違
いによる欠陥の発生を完全に抑えることができる。本実
施例においても、高い取り出し効率をもつＺｎＳ ＭＩ
Ｓ型あるいはｐｎ接合型発光素子を実現することができ
た。
【００５５】次に、本発明による第１０の実施例の概略
図を図１１に示す。同図において、基本的な構造は上述
したＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子と同様であるが、第２の
導電層１３１が台形状の断面を有し、幅方向に中央部に
対して両端部の厚みが小さくなっている。
【００５６】この場合、低抵抗化ｎ型ＺｎＳ基本１上に
低抵抗ｎ型ＺｎＳxＳｅ1-x層の第２導電層１３１を順次
エピタキシャル成長させた後、低抵抗ｎ型ＺｎＳxＳｅ
1-x層を台形状にエッチングし、その上に再び低抵抗ｎ
型ＺｎＳ層をエピタキシャル成長させ、第１導電層２お
よび第２導電層１３１を形成する。
【００５７】このような構成では、第２導電層１３１は
第１の導電層２に対して高い屈折率をもち、第２の導電
層１３１の端部、すなわち、第１の導電層２と第２導電
層１３１の界面が発光層に対して傾斜した部分におい
て、入射した光は中央部に向かって屈折するため、発光
層より放射される光を基板側へ向かって集光させること
が可能となり、さらに取り出し効率を向上させることが
できる。本実施例においてさらに取り出し効率の高いＺ
ｎＳ ＭＩＳ型あるいはｐｎ接合型発光素子を実現する
ことができた。
【００５８】なお、上記実施例７、８および９の発光素
子においても本実施例と同様に第２導電層を台形状とす
ることで、発光層より放射される光に集光性を持たせる
ことが可能となり、発光を素子外部へ効率良く取り出す
ことができた。
【００５９】さらに第２導電層１３１の形状を図１２に
示す本発明による第１１の実施例のように、フレネルレ
ンズ構造とすることにより、発光層から生じる光に高い
集光性ならびに指向性を与えることが可能となり、発光
を素子外部に任意の方向に高い効率で取り出すことがで
きる発光素子を実現することができる。
【００６０】このように、上記第５〜第１１の実施例に
よれば、発光の集光性、指向性、ならびに取り出効率を
大幅に高めた高効率の化合物半導体発光素子を実現する
ことができ、情報表示処理用高輝度青色発光装置をはじ
めとして、極めて有用なオプトエレクトロニクス用光源
を提供することが可能となった。
【００６１】さらに、本発明の請求項４による発光素子
の第１２の実施例の概略図を図１３に示す。図中、１ａ
はハロゲン化学輸送法により成長させたＺｎＳｅバルク
単結晶を１０００℃の溶融亜鉛中で１００時間熱処理
し、低抵抗化した抵抗率約１Ωｃｍのｎ型ＺｎＳｅ基板
である。この低抵抗化ｎ型ＺｎＳｅ基板１ａ上に直径３
０〜１００μｍの円形孔をもつマスクを設置し、ＭＢＥ
法により電子濃度１０18ｃｍ-3以上の低抵抗ｎ型ＺｎＳ
ｅからなる導電層５３、電子濃度が５×１０16ｃｍ-3程
度のｎ型ＺｎＳｅからなる発光層４２、絶縁性のＺｎＳ
ｅからなる正孔注入用絶縁層１４４を順次エピタキシャ
ル成長させ、続けて金（Ａｕ）からなる正電極７を堆積
させる。
【００６２】この際、ＭＢＥ法では原料分子線が方向性
をもつため、基板を各原料分子線の入射方向に対して垂
直に配置することにより基板上のマスクの円形孔に対応
した位置に直径３０〜１００μｍの円柱状の発光素子主
要部を制御性よく部分成長させることができた。
【００６３】次に、マスクを除去し、絶縁性のＺｎＳｅ
からなる絶縁層１１５をエピタキシャル成長させる。こ
の際、基板を各分子線の入射方向に対して傾斜させて配
置し、基板を回転させながら成長を行い、円柱構造の側
面に厚く成長させる。
【００６４】その後、正電極７上に堆積した余剰の絶縁
性ＺｎＳｅを化学エッチング等により除去し、低抵抗化
ｎ型ＺｎＳｅ基板１ａの裏面にＩｎを用いたリング状の
オーミック電極を負電極８として形成し、ＭＩＳ型発光
素子とする。
【００６５】本実施例においては、素子内の電流は円柱
状の主要部に狭窄され発光層に高密度の電流を注入する
ことが可能となり、高輝度のＺｎＳｅ ＭＩＳ型発光素
子を実現することができた。なお、本実施例における発
光素子の基板ならびに発光層をはじめとする各半導体を
ＺｎＳあるいはイオウ・セレン化亜鉛合金（ＺｎＳxＳ
ｅ1-x）により構成したＭＩＳ型発光素子においても高
輝度の発光を得ることができた。
【００６６】次に本発明の請求項４による第１３の実施
例の概略図を図１４に示す。同図において、上記第１実
施例と同様の低抵抗化ＺｎＳｅ基板１ａ上にＭＯＣＶＤ
法あるいはＭＢＥ法を用いて電子濃度１０18ｃｍ-3のｎ
型ＺｎＳｅからなる導電層５３、電子濃度１０17ｃｍ-3
のｎ型ＺｎＳｅからなる発光層２４、ならびに正孔濃度
が１０16ｃｍ-3のｐ型ＺｎＳｅからなる発光層２５を順
次エピタキシャル成長させる。
【００６７】次に、化学エッチングあるいは反応性イオ
ンビームエッチング等により、上記成長層を低抵抗化ｎ
型ＺｎＳｅ基板１の一部とともに直径５０μｍの円柱状
にエッチングし、発光素子の主要部（発光素子本体）を
形成した後、絶縁性のＺｎＳxＳｅ1-xをエピタキシャル
成長させてこれを絶縁層１２５とする。この絶縁性Ｚｎ
ＳxＳｅ1-xは、発光層２４、２５を含む主要部を構成す
るＺｎＳｅに対して十分屈折率が低く、かつ格子定数の
差が大きくならないようにイオウ（Ｓ）組成（ｘ）を
０．３〜０．７程度とする。
【００６８】次に、ｐ型ＺｎＳｅ発光層２５上に成長し
た絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-xをエッチングにより除去し、露
出したｐ型ＺｎＳｅ発光層２５上にＡｕを用いたオーミ
ック電極を形成し正電極７とし、低抵抗化ｎ型ＺｎＳｅ
基板１ａの裏面にＩｎを用いたオーミック電極を形成し
負電極８とし、ｐｎ接合型発光素子とする。
【００６９】本実施例においては、上記第１２の実施例
と同様に発光層における電流密度を上げることが可能と
なるとともに、絶縁層が発光層を含む主要部より低い屈
折率をもつため、発光層で生じた光が主要部内に閉じ込
められ、発光を基板側から効率良くとり出すことが可能
となり、高輝度でしかも高い取り出し効率を有するＺｎ
Ｓｅｐｎ接合型発光素子を実現することができた。
【００７０】なお、本実施例において、基板ならびに発
光層を含む主要部をＺｎＳyＳｅ１−ｙ（０．５＞ｙ＞
０）で、絶縁層を上記ＺｎＳｙＳｅ1-yよりＳ組成
（ｚ）が０．５程度大きいＺｎＳzＳｅ1-zで構成するこ
とにより、同様に高輝度で高い取り出し効率を有するＺ
ｎＳyＳｅ1-yｐｎ接合型発光素子を実現することができ
た。
【００７１】次に、本発明の請求項４による第１４の実
施例の概略図を図１５に示す。同図において、基板は、
ハロゲン化学輸送法により成長させたＺｎＳxＳｅ1-xバ
ルク単結晶を１０００℃の溶融亜鉛中で１００時間熱処
理し、低抵抗化した抵抗率約１Ωｃｍのｎ型ＺｎＳxＳ
ｅ1-x基板１２１であり、この基板上にＭＯＣＶＤ法あ
るいはＭＢＥ法を用いて電子濃度１０19ｃｍ-3のｎ型Ｚ
ｎＳxＳｅ1-x導電層６３、電子濃度１０17ｃｍ-3のｎ型
ＺｎＳｅからなる発光層２４、正孔濃度１０16ｃｍ-3の
ｐ型ＺｎＳｅからなる発光層２５ならびに５×１０17ｃ
ｍ-3の正孔濃度をもつｐ型ＺｎＳxＳｅ1-xからなる導電
層２７を順次エピタキシャル成長させる。
【００７２】次に上記第１３の実施例と同様に上記成長
層を円柱状にエッチングし、絶縁性のＺｎＳyＳｅ1-yか
らなる絶縁層１３５、Ａｕを用いた正電極７ならびにＩ
ｎを用いた負電極８を形成してｐｎ接合型発光素子とす
る。この際、ｎ型およびｐ型導電層６３、２７を形成す
るＺｎＳxＳｅ1-xのＳ組成（ｘ）を発光層２４、２５を
形成するＺｎＳｅに対して禁制帯幅が０．１ｅＶ程度大
きくなるようにｘ＝０．１程度とし、絶縁層１３５を形
成するＺｎＳyＳｅ1-yのＳ組成（ｙ）は主要部に対して
十分に低い屈折率が得られ、かつ格子定数の差が大きく
ならないようにｙ＝０．３〜０．７程度とする。
【００７３】本実施例において上記第１３の実施例と同
様に、電流狭窄ならびに発光の閉じ込めが可能となると
ともに、ＺｎＳｅからなる発光層がＺｎＳｅより禁制帯
幅の大きいＺｎＳxＳｅ1-xからなる導電層で狭まれてお
り、キャリアが発光層中に閉じ込められるため、高い発
光効率を得ることが可能となり、高輝度、高効率のＺｎ
Ｓｅ ｐｎ接合型発光素子を実現することができた。
【００７４】なお、本実施例においては、発光層をＳ組
成（ｚ）が０．５以下のＺｎＳzＳｅ1-zにより形成した
場合においても導電層ならびに絶縁層のＳ組成をそれぞ
れｚだけ増加させることにより、高輝度、高効率のＺｎ
ＳＳｅ ｐｎ接合型発光素子を実現することができた。
【００７５】第１２〜第１４の実施例においては、発光
素子本体が一部領域に立設され、発光素子本体の側面が
絶縁層で直接覆われているので、発光素子本体側面にダ
メージが生じにくくなり、発光素子本体側面付近のダメ
ージや側面に付着した汚れを通じて、発光に寄与しない
リーク電流が発生することが抑制され、つまり、電流狭
窄が実現され、発光層における電流密度を高めることが
できた。
【００７６】次に、本発明の請求項５による第１５の実
施例の概略図を図１６に示す。図中、２１はハロゲン化
学輸送法により成長させたＺｎＳｅバルク単結晶を低抵
抗化せずに用いた絶縁性のＺｎＳｅ基板である。この絶
縁性ＺｎＳｅ基板２１上に上記第２の実施例と同様の方
法でｎ型ＺｎＳｅ導電層５３、ｎ型ＺｎＳｅ発光層２４
ならびにｐ型ＺｎＳｅ発光層２５を順次エピタキシャル
成長した後、成長層をｎ型ＺｎＳｅ導電層が露出するま
で柱状にエッチングする。
【００７７】次にｎ型ＺｎＳｅ導電層の一部を残してさ
らに成長層を基板の一部とともに柱状にエッチングし、
柱状の主要部と、主要部から舌状に接続したｎ型ＺｎＳ
ｅ導電層５３の負電極形成部５３ａを作成する。
【００７８】さらに、この上にＳ組成（ｘ）が０．３〜
０．７程度の値をもつ、絶縁性のＺｎＳxＳｅ1-xを成長
させてこれを絶縁層１２５とし、ｐ型ＺｎＳｅ発光層２
５ならびにｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の舌状部に堆積した
絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-xをエッチングにより除去し、露出
したｐ型ＺｎＳｅ発光層２５上ならびにｎ型ＺｎＳｅ導
電層５３上に、それぞれ、Ａｕを用いた正電極７、Ｉｎ
を用いた負電極８を形成し、プレーナ型のｐｎ接合型発
光素子とする。
【００７９】発光素子本体が一部領域に立設され、発光
素子本体の側面が絶縁層で直接覆われているので、発光
素子本体側面にダメージが生じにくくなり、発光素子本
体側面付近のダメージや側面に付着した汚れを通じて、
発光に寄与しないリーク電流が発生することが抑制さ
れ、つまり、電流狭窄が実現され、発光層における電流
密度を高めることができた。また、本実施例の発光素子
においては、プレーナ型の発光素子であるにもかからわ
ず、発光素子本体が一部領域に立設され、その側面を含
めて正負電極間の導電層表面が、絶縁膜で覆われている
ので、正負電極間付近のダメージや正、負電極間の導電
層に付着した汚れを通じて、発光に寄与しないリーク電
流が発生することが抑制され、つまり、電流狭窄が実現
され、発光層における電流密度を高めることができた。
【００８０】このように第１２〜１５の実施例によれ
ば、高輝度で高い外部効率を有する青色発光を含む化合
物半導体発光素子を実現することが可能となり、各種表
示装置あるいはプリンタ、ファクシミリ等の高エネルギ
ーかつ高輝度の光源として極めて有用である。
【００８１】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、化合物半導体発光素子に付着した付着物などを通
じて発光層を通過しない電流、いわゆるリーク電流の発
生が抑えることができる。また、発光素子本体が、基板
上あるいは第１の導電型の導電層上の一部領域に立設さ
れているので、ウエハーから素子に分離するダイシング
の工程などで発光素子本体にダメージを及ぼさないよう
にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施例１を示す構成説明図である。
【図２】発明の第２の実施例を示す構成説明図である。
【図３】発明の第３の実施例を示す構成説明図である。
【図４】発明の第４の実施例を示す構成説明図である。
【図５】発明の第５の実施例を示す構成説明図である。
【図６】発明の第６の実施例を示す構成説明図である。
【図７】上記第６の実施例の発光素子を作成する上で用
いた光照射成長における照射光の強度分布を示す模式図
である。
【図８】発明の第７の実施例を示す構成説明図である。
【図９】発明の第８の実施例を示す構成説明図である。
【図１０】発明の第９の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１１】発明の第１０の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１２】発明の第１１の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１３】発明の第１２の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１４】発明の第１３の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１５】発明の第１４の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１６】発明の第１５の実施例を示す構成説明図であ
る。
【図１７】従来例を示す構成説明図である。
【符号の説明】
１、７１ 低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板 １ａ 低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ基板 ２ ｎ型ＺｎＳ第１導電層 ３、１３ ｎ型ＺｎＳ第２導電層 ４、７４ ｎ型ＺｎＳ発光層 ５、７５ ＺｎＳ絶縁層 ７、７７ 正電極 ８、７８ 負電極 １２ａ ｎ型ＺｎＳ第１導電層の下層部分 １２ｂ ｎ型ＺｎＳ第１導電層の上層部分 ２１ 絶縁性ＺｎＳｅ基板 ２１ａ 絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-x基板 ２２ ｎ型第ＺｎＳｅ第１導電層 ２３ ｎ型ＺｎＳｅ第２導電層 ２４ ｎ型ＺｎＳｅ発光層 ２５ ｐ型ＺｎＳｅ発光層 ２６、３８ ｐ型ＺｎＳｅ導電層 ２７ ｐ型ＺｎＳxＳｅ1-x導電層 ３２ ｎ型ＺｎＳyＳｅ1-y第１導電層 ３３ ｎ型ＺｎＳｅ第２導電層 ４２ ｎ型ＺｎＳｅ発光層 ４３ ｎ型ＺｎＳx(l)Ｓｅ1-x(l)第２導電層 ５３ ｎ型ＺｎＳｅ導電層 ６３ ｎ型ＺｎＳxＳｅ1-x導電層 １１５ ＺｎＳｅ絶縁層 １２１ 低抵抗ｎ型ＺｎＳxＳｅ1-x基板 １２５ ＺｎＳxＳｅ1-x絶縁層 １３１ ｎ型ＺｎＳxＳｅ1-x第２導電層 １３３ ｎ型ＺｎＳkＳｅ1-k第２導電層 １３５ ＺｎＳyＳｅ1-y絶縁層 １４４ ＺｎＳｅ正孔活入用絶縁層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、少なくとも、第１導電型の導
    電層と、前記第１導電型の導電層の一部領域に立設さ
    れ、少なくとも前記発光層とからなる発光素子本体と、
    を有する化合物半導体発光素子において、 前記発光素子本体から舌状に接続された前記第１導電型
    の導電層の露出部分に設けられた第１の電極と、 前記発光素子本体の上方に設けられた第２の電極と、 前記第１の電極と前記第２の電極との間に発光素子表面
    に設けられた絶縁層と、を備えていることを特徴とする
    化合物半導体発光素子。
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