JP2837004B2 - Ｅｌディスプレイ素子 - Google Patents
Ｅｌディスプレイ素子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種情報端末機器のデ
ィスプレイ等に使用されるＥＬ(Electroluminescence）
ディスプレイ素子に関し、特に、発光効率が高く、寿命
特性等の劣化の少ない安定なＥＬディスプレイ素子構造
に関する。
ィスプレイ等に使用されるＥＬ(Electroluminescence）
ディスプレイ素子に関し、特に、発光効率が高く、寿命
特性等の劣化の少ない安定なＥＬディスプレイ素子構造
に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、薄膜ＥＬディスプレイ素子は、硫化
亜鉛(ＺnＳ）、セレン化亜鉛(ＺnＳe)及びアルカリ土類
硫化物(ＣaＳ,ＳrＳ,ＢaＳ等）等を発光母体とする蛍光
体に電界をかけた時に発光する現象を利用したものであ
り自発光型の平面ディスプレイ素子として注目されてい
る。図３は、その典型的な断面構造を示したものであ
り、従来より発光層の部分が空気中の水分や水洗工程等
で劣化することが知られている。特に、上記アルカリ土
類硫化物は空気中では二酸化炭素と水分との作用で分解
等を起こす。このため、発光母体にアルカリ土類硫化物
を用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子は寿命特性等に問題
がある。通常、約2000Åの膜厚のノンドープの硫化亜鉛
(ＺnＳ）で保護する方法が知られている。又、発光層に
隣接する絶縁層の一部或いは全部を熱力学的安定性の高
い硫化物、即ち、 IIIｂ族及び希土類の硫化物で保護す
る構成のものやＳe 化合物又はＴe 化合物で保護する構
成のものが知られている。一方、硫化亜鉛(ＺnＳ）を発
光母体とする薄膜ＥＬディスプレイ素子では、アルカリ
土類硫化物ほど不安定ではないもののやはり水分に対し
て弱く、特に、発光層上に反応性スパッタ法等で絶縁膜
としての酸化膜を生成した薄膜ＥＬディスプレイ素子で
は、発光効率や寿命特性等が劣化することが知られてい
る。更に、特公昭５３−４２３９８号公報「ＺnＳ 薄膜
発光素子とその製造方法」にて開示されたように、発光
層上の第２絶縁膜を窒化物（例えば、Ｓi3Ｎ4等)で構成
することやシリコンオイル等で薄膜ＥＬディスプレイ素
子全体を封止する方法等が提案されている。
亜鉛(ＺnＳ）、セレン化亜鉛(ＺnＳe)及びアルカリ土類
硫化物(ＣaＳ,ＳrＳ,ＢaＳ等）等を発光母体とする蛍光
体に電界をかけた時に発光する現象を利用したものであ
り自発光型の平面ディスプレイ素子として注目されてい
る。図３は、その典型的な断面構造を示したものであ
り、従来より発光層の部分が空気中の水分や水洗工程等
で劣化することが知られている。特に、上記アルカリ土
類硫化物は空気中では二酸化炭素と水分との作用で分解
等を起こす。このため、発光母体にアルカリ土類硫化物
を用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子は寿命特性等に問題
がある。通常、約2000Åの膜厚のノンドープの硫化亜鉛
(ＺnＳ）で保護する方法が知られている。又、発光層に
隣接する絶縁層の一部或いは全部を熱力学的安定性の高
い硫化物、即ち、 IIIｂ族及び希土類の硫化物で保護す
る構成のものやＳe 化合物又はＴe 化合物で保護する構
成のものが知られている。一方、硫化亜鉛(ＺnＳ）を発
光母体とする薄膜ＥＬディスプレイ素子では、アルカリ
土類硫化物ほど不安定ではないもののやはり水分に対し
て弱く、特に、発光層上に反応性スパッタ法等で絶縁膜
としての酸化膜を生成した薄膜ＥＬディスプレイ素子で
は、発光効率や寿命特性等が劣化することが知られてい
る。更に、特公昭５３−４２３９８号公報「ＺnＳ 薄膜
発光素子とその製造方法」にて開示されたように、発光
層上の第２絶縁膜を窒化物（例えば、Ｓi3Ｎ4等)で構成
することやシリコンオイル等で薄膜ＥＬディスプレイ素
子全体を封止する方法等が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、アルカリ土類硫化物等を発光母体とする薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子を硫化亜鉛や IIIｂ族及び希土類の
硫化物にて保護することは、本質的な対策とはならなか
った。つまり、依然として硫化亜鉛や IIIｂ族及び希土
類の硫化物の元来有する特質に基づく問題が解決されて
いなかった。従って、このような薄膜ＥＬディスプレイ
素子は程度の差こそあれ未だ水分に対し弱く不安定なも
のであった。又、窒化物であるＳi3Ｎ4 等を発光層上で
隣接する第２絶縁膜に用いたものでは、確かに水分に対
する安定性は増すもののＳi3Ｎ4 等の誘電率が小さいた
め、発光層に印加される電圧（分圧）が低くなる。この
ため、薄膜ＥＬディスプレイ素子全体の駆動電圧が高く
なるというデメリットから脱却しきれていないのが現状
である。
ように、アルカリ土類硫化物等を発光母体とする薄膜Ｅ
Ｌディスプレイ素子を硫化亜鉛や IIIｂ族及び希土類の
硫化物にて保護することは、本質的な対策とはならなか
った。つまり、依然として硫化亜鉛や IIIｂ族及び希土
類の硫化物の元来有する特質に基づく問題が解決されて
いなかった。従って、このような薄膜ＥＬディスプレイ
素子は程度の差こそあれ未だ水分に対し弱く不安定なも
のであった。又、窒化物であるＳi3Ｎ4 等を発光層上で
隣接する第２絶縁膜に用いたものでは、確かに水分に対
する安定性は増すもののＳi3Ｎ4 等の誘電率が小さいた
め、発光層に印加される電圧（分圧）が低くなる。この
ため、薄膜ＥＬディスプレイ素子全体の駆動電圧が高く
なるというデメリットから脱却しきれていないのが現状
である。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、発光効率
に優れ、より安定で優れた寿命特性を示すＥＬディスプ
レイ素子を提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、発光効率
に優れ、より安定で優れた寿命特性を示すＥＬディスプ
レイ素子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、絶縁性基板上に両電極間に挟持され、
母体材料が硫化物又はセレン化物から成る発光層を配置
し、前記両電極の内、前記基板とは反対側に位置する電
極と前記発光層との間に絶縁膜を配置したＥＬディスプ
レイ素子であって、前記絶縁膜の、前記発光層側の少な
くとも一部を硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない硫化物
又はセレン化物から成る薄膜で構成し、前記絶縁膜の前
記薄膜面を前記発光層と隣接、配置したことを特徴とす
る。
の発明の構成は、絶縁性基板上に両電極間に挟持され、
母体材料が硫化物又はセレン化物から成る発光層を配置
し、前記両電極の内、前記基板とは反対側に位置する電
極と前記発光層との間に絶縁膜を配置したＥＬディスプ
レイ素子であって、前記絶縁膜の、前記発光層側の少な
くとも一部を硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない硫化物
又はセレン化物から成る薄膜で構成し、前記絶縁膜の前
記薄膜面を前記発光層と隣接、配置したことを特徴とす
る。
【０００６】
【作用及び効果】ＥＬディスプレイ素子は絶縁性基板上
に両電極間に挟持され、母体材料が硫化物又はセレン化
物から成る発光層を配置し、前記両電極の内、前記基板
とは反対側に位置する電極と前記発光層との間に絶縁膜
を配置している。そして、上記絶縁膜の、上記発光層側
の少なくとも一部を硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない
硫化物又はセレン化物から成る薄膜で構成し、上記絶縁
膜の前記薄膜面を前記発光層と隣接、配置している。
に両電極間に挟持され、母体材料が硫化物又はセレン化
物から成る発光層を配置し、前記両電極の内、前記基板
とは反対側に位置する電極と前記発光層との間に絶縁膜
を配置している。そして、上記絶縁膜の、上記発光層側
の少なくとも一部を硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない
硫化物又はセレン化物から成る薄膜で構成し、上記絶縁
膜の前記薄膜面を前記発光層と隣接、配置している。
【０００７】ＥＬディスプレイ素子を上述のような構成
とする理由は、硫化物又はセレン化物である例えば、硫
化亜鉛、セレン化亜鉛及びアルカリ土類硫化物等を母体
材料とする発光層を用いたＥＬディスプレイ素子が水分
の影響で劣化する原因を明らかにしたことに基づいてい
る。即ち、硫化亜鉛、セレン化亜鉛及びアルカリ土類硫
化物等の発光母体が絶縁膜としての酸化膜、特に、スパ
ッタ等の酸素プラズマ共存下で成膜される酸化膜と隣接
している場合に、発光層表面近傍の非常に薄い領域に極
めて水溶性が高く不安定な硫酸亜鉛( Ｚn ＳＯ4)又は発
光母体によってセレン酸亜鉛( Ｚn Ｓe Ｏ4)が形成され
るという事実を見出した。
とする理由は、硫化物又はセレン化物である例えば、硫
化亜鉛、セレン化亜鉛及びアルカリ土類硫化物等を母体
材料とする発光層を用いたＥＬディスプレイ素子が水分
の影響で劣化する原因を明らかにしたことに基づいてい
る。即ち、硫化亜鉛、セレン化亜鉛及びアルカリ土類硫
化物等の発光母体が絶縁膜としての酸化膜、特に、スパ
ッタ等の酸素プラズマ共存下で成膜される酸化膜と隣接
している場合に、発光層表面近傍の非常に薄い領域に極
めて水溶性が高く不安定な硫酸亜鉛( Ｚn ＳＯ4)又は発
光母体によってセレン酸亜鉛( Ｚn Ｓe Ｏ4)が形成され
るという事実を見出した。
【０００８】従来は、硫化亜鉛等を酸化すると直接に単
純酸化物（例えば、ＺnＯ)が形成されると思われてい
た。しかし、硫化亜鉛等の硫化物の酸化は、直接に硫黄
と酸素とが置換されるのではなく、一旦、硫酸亜鉛のよ
うな複合酸化物が形成された後、それが加熱又は水分共
存下で亜硫酸ガス(ＳＯ2）や硫酸(Ｈ2ＳＯ4)として抜け
出した後、酸化亜鉛が生成されるのである。従って、発
光層と隣接する絶縁膜としては、酸素を含まない材料、
例えば、窒化物、硫化物又はセレン化物等が好ましいこ
とになる。
純酸化物（例えば、ＺnＯ)が形成されると思われてい
た。しかし、硫化亜鉛等の硫化物の酸化は、直接に硫黄
と酸素とが置換されるのではなく、一旦、硫酸亜鉛のよ
うな複合酸化物が形成された後、それが加熱又は水分共
存下で亜硫酸ガス(ＳＯ2）や硫酸(Ｈ2ＳＯ4)として抜け
出した後、酸化亜鉛が生成されるのである。従って、発
光層と隣接する絶縁膜としては、酸素を含まない材料、
例えば、窒化物、硫化物又はセレン化物等が好ましいこ
とになる。
【０００９】ところが、窒化物（例えば、Ｓi3Ｎ4)で
は、発光層材料（硫化物、セレン化物等）と共通する元
素や結合をつくる因子がないので、強固な密着力が得ら
れない。このような、ＥＬディスプレイ素子に駆動のた
めの繰り返しパルスを印加すると、徐々に注入できる電
荷量が減少し発光輝度が低下することになる。又、Ｓi3
Ｎ4 では絶縁破壊電界強度Ｅb は高いものの比誘電率
ε′が約 8.0と小さい。このため、発光層に印加される
電圧（分圧）が低くなり、同じ発光輝度を得るためには
高い駆動電圧を印加することが必要となる。
は、発光層材料（硫化物、セレン化物等）と共通する元
素や結合をつくる因子がないので、強固な密着力が得ら
れない。このような、ＥＬディスプレイ素子に駆動のた
めの繰り返しパルスを印加すると、徐々に注入できる電
荷量が減少し発光輝度が低下することになる。又、Ｓi3
Ｎ4 では絶縁破壊電界強度Ｅb は高いものの比誘電率
ε′が約 8.0と小さい。このため、発光層に印加される
電圧（分圧）が低くなり、同じ発光輝度を得るためには
高い駆動電圧を印加することが必要となる。
【００１０】一方、硫化物又はセレン化物は硫黄又はセ
レンといった発光層母材と同種の元素を含んでいる。こ
のため、硫化物又はセレン化物は発光層と強固に密着す
ることができ、この界面から発光層に確実に電荷を注入
することができる。しかしながら、これらの硫化物又は
セレン化物自身が酸化によって硫酸塩やセレン酸塩を形
成するものであってはならない。何故なら、背面電極を
ＩＴＯ〔酸化インジウム（ＩnＯ2）と酸化錫（ＳnＯ2）
から成る〕や酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る酸化物系の透明
導電膜で構成する場合、更に、高誘電率の絶縁膜として
の酸化膜（例えば、Ｔa2Ｏ5,ＴiＯ2,ＢaＴa2Ｏ6,ＰbＴi
Ｏ3 及びＰＺＴ系の高誘電体等）を挿入しようとする場
合において、前述と同様な作用により劣化を招くからで
ある。又、背面電極をＡl 等の金属で形成し、上記酸化
膜を挿入しなかったとしても空気中の酸素及び二酸化炭
素と水分により徐々に劣化が進行することになる。この
現象は、ケミカルな反応の進行であって、例えそれ自身
が熱力学的安定性の高いものであっても防止することは
不可能である。例えば、 IIIｂ族及び希土類の硫化物は
全て硫酸塩又はセレン酸塩を形成する。このように、殆
ど全ての金属元素は、硫化物又はセレン化物を形成し得
るが、硫酸塩やセレン酸塩を形成しないものは稀であ
る。又、シリコン（Ｓi)やゲルマニウム（Ｇe)の硫化物
又はセレン化物は硫酸塩やセレン酸塩を形成しないが、
それ自体が不安定で水によく溶ける。
レンといった発光層母材と同種の元素を含んでいる。こ
のため、硫化物又はセレン化物は発光層と強固に密着す
ることができ、この界面から発光層に確実に電荷を注入
することができる。しかしながら、これらの硫化物又は
セレン化物自身が酸化によって硫酸塩やセレン酸塩を形
成するものであってはならない。何故なら、背面電極を
ＩＴＯ〔酸化インジウム（ＩnＯ2）と酸化錫（ＳnＯ2）
から成る〕や酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る酸化物系の透明
導電膜で構成する場合、更に、高誘電率の絶縁膜として
の酸化膜（例えば、Ｔa2Ｏ5,ＴiＯ2,ＢaＴa2Ｏ6,ＰbＴi
Ｏ3 及びＰＺＴ系の高誘電体等）を挿入しようとする場
合において、前述と同様な作用により劣化を招くからで
ある。又、背面電極をＡl 等の金属で形成し、上記酸化
膜を挿入しなかったとしても空気中の酸素及び二酸化炭
素と水分により徐々に劣化が進行することになる。この
現象は、ケミカルな反応の進行であって、例えそれ自身
が熱力学的安定性の高いものであっても防止することは
不可能である。例えば、 IIIｂ族及び希土類の硫化物は
全て硫酸塩又はセレン酸塩を形成する。このように、殆
ど全ての金属元素は、硫化物又はセレン化物を形成し得
るが、硫酸塩やセレン酸塩を形成しないものは稀であ
る。又、シリコン（Ｓi)やゲルマニウム（Ｇe)の硫化物
又はセレン化物は硫酸塩やセレン酸塩を形成しないが、
それ自体が不安定で水によく溶ける。
【００１１】本発明における硫酸塩又はセレン酸塩を形
成しない硫化物又はセレン化物の好ましい一例は、モリ
ブデン（Ｍo)、テクネチウム（Ｔc)、タンタル（Ｔa)、
タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒe)又はオスミウム
（Ｏs)の硫化物又はセレン化物である。これらは、反応
性の高い酸素プラズマ等に曝されても硫酸塩やセレン酸
塩を形成することはなく、直接に亜硫酸ガス(ＳＯ2）を
放出して分解する。しかも、通常の空気中で極めて安定
であり水に不溶である。特に、ＴaＳx（ｘ＝1/6 〜３）
やＷＳx(ｘ＝1.5 〜３）は空気中 300℃まで加熱しても
安定であり、水中で煮沸しても変化しない。これらの硫
化物やセレン化物を硫化亜鉛やセレン化亜鉛及びアルカ
リ土類硫化物等を発光母体とする発光層と隣接するよう
に配置することにより発光層の酸化による硫酸塩やセレ
ン酸塩の形成を防止できると共に硫黄やセレンを介して
強固に密着結合することができる。又、それ自身が酸化
により硫酸塩やセレン酸塩を形成しないので、酸化物系
の透明導電膜を直接に接触して成膜することができる。
更に、駆動電圧の低減を図るための酸化膜の挿入を可能
にする。この酸化膜との接合界面では、金属元素を介し
て酸素と結合できるので、ここでも強固な密着力が得ら
れる。
成しない硫化物又はセレン化物の好ましい一例は、モリ
ブデン（Ｍo)、テクネチウム（Ｔc)、タンタル（Ｔa)、
タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒe)又はオスミウム
（Ｏs)の硫化物又はセレン化物である。これらは、反応
性の高い酸素プラズマ等に曝されても硫酸塩やセレン酸
塩を形成することはなく、直接に亜硫酸ガス(ＳＯ2）を
放出して分解する。しかも、通常の空気中で極めて安定
であり水に不溶である。特に、ＴaＳx（ｘ＝1/6 〜３）
やＷＳx(ｘ＝1.5 〜３）は空気中 300℃まで加熱しても
安定であり、水中で煮沸しても変化しない。これらの硫
化物やセレン化物を硫化亜鉛やセレン化亜鉛及びアルカ
リ土類硫化物等を発光母体とする発光層と隣接するよう
に配置することにより発光層の酸化による硫酸塩やセレ
ン酸塩の形成を防止できると共に硫黄やセレンを介して
強固に密着結合することができる。又、それ自身が酸化
により硫酸塩やセレン酸塩を形成しないので、酸化物系
の透明導電膜を直接に接触して成膜することができる。
更に、駆動電圧の低減を図るための酸化膜の挿入を可能
にする。この酸化膜との接合界面では、金属元素を介し
て酸素と結合できるので、ここでも強固な密着力が得ら
れる。
【００１２】このベストマッチの一例としては、硫化亜
鉛( Ｚn Ｓ）の発光母体にＭn(アンバー色のＥＬディス
プレイ素子を形成）又はＴb ＯＦ( グリーン色のＥＬデ
ィスプレイ素子を形成）をドープした発光層と隣接する
部分にタンタル（Ｔa)の硫化物（例えば、Ｔa Ｓ2 ）を
用い、絶縁膜としての酸化膜であるＴa2Ｏ5 系の酸化膜
を用いた場合があげられる。タンタルの硫化物は、比誘
電率が約130 〜240 の値であり、Ｓi3Ｎ4 の比誘電率約
8.0と比べると桁違いに高く、性能指数もＳi3Ｎ4 の約
４〜６μc/cm2 と比べて約1.5 〜2.0 倍と高い。しか
し、タンタル硫化物は元来黒色であるため膜厚を厚くす
ると光の透過率が低減してしまうことになる。従って、
片面発光取り出しの場合には、背景色となりコントラス
トの向上に寄与するが、透過型のＥＬディスプレイ素子
を得ようとすると、膜厚を薄くする必要がある。そし
て、膜厚が薄すぎる場合には、発光層のクランプ電界以
降において、耐圧余裕度が不足するため他の絶縁膜でこ
れを補う必要が生じる。このような透過型のＥＬディス
プレイ素子を得る場合には、高誘電率の酸化膜が有効に
作用する。例えば、Ｔa2Ｏ5 （性能指数：約４〜６μc/
cm2)は比誘電率が20〜25であり、例えば、硫化亜鉛を発
光母体とする発光層の比誘電率( 約6.5 〜15）に比べ高
い値を有し、ＥＬディスプレイ素子の駆動電圧を低減で
きると共に耐圧余裕度を増加する作用を有する。勿論、
挿入する酸化膜の誘電率は高ければ高い程、ＥＬディス
プレイ素子の駆動電圧を低減できるが、同時に、透明で
あって性能指数が高いものでなければならないことは言
うまでもない。透過型のＥＬディスプレイ素子を得るた
めの本発明の硫化物又はセレン化物の好ましい膜厚は 3
00Å以下である。
鉛( Ｚn Ｓ）の発光母体にＭn(アンバー色のＥＬディス
プレイ素子を形成）又はＴb ＯＦ( グリーン色のＥＬデ
ィスプレイ素子を形成）をドープした発光層と隣接する
部分にタンタル（Ｔa)の硫化物（例えば、Ｔa Ｓ2 ）を
用い、絶縁膜としての酸化膜であるＴa2Ｏ5 系の酸化膜
を用いた場合があげられる。タンタルの硫化物は、比誘
電率が約130 〜240 の値であり、Ｓi3Ｎ4 の比誘電率約
8.0と比べると桁違いに高く、性能指数もＳi3Ｎ4 の約
４〜６μc/cm2 と比べて約1.5 〜2.0 倍と高い。しか
し、タンタル硫化物は元来黒色であるため膜厚を厚くす
ると光の透過率が低減してしまうことになる。従って、
片面発光取り出しの場合には、背景色となりコントラス
トの向上に寄与するが、透過型のＥＬディスプレイ素子
を得ようとすると、膜厚を薄くする必要がある。そし
て、膜厚が薄すぎる場合には、発光層のクランプ電界以
降において、耐圧余裕度が不足するため他の絶縁膜でこ
れを補う必要が生じる。このような透過型のＥＬディス
プレイ素子を得る場合には、高誘電率の酸化膜が有効に
作用する。例えば、Ｔa2Ｏ5 （性能指数：約４〜６μc/
cm2)は比誘電率が20〜25であり、例えば、硫化亜鉛を発
光母体とする発光層の比誘電率( 約6.5 〜15）に比べ高
い値を有し、ＥＬディスプレイ素子の駆動電圧を低減で
きると共に耐圧余裕度を増加する作用を有する。勿論、
挿入する酸化膜の誘電率は高ければ高い程、ＥＬディス
プレイ素子の駆動電圧を低減できるが、同時に、透明で
あって性能指数が高いものでなければならないことは言
うまでもない。透過型のＥＬディスプレイ素子を得るた
めの本発明の硫化物又はセレン化物の好ましい膜厚は 3
00Å以下である。
【００１３】本発明は、上述したように、母体材料が硫
化物又はセレン化物から成る発光層と隣接する部分、特
に、発光層上部の絶縁膜、即ち絶縁性基板と反対側に位
置する絶縁膜の内、発光層と接する部分にＥＬディスプ
レイ素子の劣化原因となる硫酸塩やセレン酸塩を形成し
ない硫化物又はセレン化物からなる薄膜を形成する。こ
のため、それら硫化物又はセレン化物自身は勿論、発光
層表面においても酸化による有害な硫酸塩やセレン酸塩
の生成が防止でき、極めて信頼性の高い安定なＥＬディ
スプレイ素子となる。加えて、上記硫化物又はセレン化
物、具体的には、Ｍo,Ｔc,Ｔa,Ｗ, Ｒe 又はＯs のうち
何れかの硫化物又はセレン化物は、発光層の母体材料と
共通する元素、即ち、硫黄やセレンを介して強固に結合
される。従って、これら硫化物又はセレン化物の界面に
蓄えられた電荷を発光層に有効に注入することができ、
発光効率の向上を図ることができる。しかも、これら硫
化物又はセレン化物の比誘電率が発光層に対して非常に
高いので発光層に印加される分圧を高くできる。従っ
て、ＥＬディスプレイ素子の駆動電圧を低減することが
できるという効果を有する。更に、上記硫化物又はセレ
ン化物の中で黒色を呈するもの、例えば、Ｔa の硫化物
等の場合には、膜厚を3000Å以上とすることで背景色の
黒化膜として兼用でき、ＥＬディスプレイ素子のコント
ラストを向上することができる。
化物又はセレン化物から成る発光層と隣接する部分、特
に、発光層上部の絶縁膜、即ち絶縁性基板と反対側に位
置する絶縁膜の内、発光層と接する部分にＥＬディスプ
レイ素子の劣化原因となる硫酸塩やセレン酸塩を形成し
ない硫化物又はセレン化物からなる薄膜を形成する。こ
のため、それら硫化物又はセレン化物自身は勿論、発光
層表面においても酸化による有害な硫酸塩やセレン酸塩
の生成が防止でき、極めて信頼性の高い安定なＥＬディ
スプレイ素子となる。加えて、上記硫化物又はセレン化
物、具体的には、Ｍo,Ｔc,Ｔa,Ｗ, Ｒe 又はＯs のうち
何れかの硫化物又はセレン化物は、発光層の母体材料と
共通する元素、即ち、硫黄やセレンを介して強固に結合
される。従って、これら硫化物又はセレン化物の界面に
蓄えられた電荷を発光層に有効に注入することができ、
発光効率の向上を図ることができる。しかも、これら硫
化物又はセレン化物の比誘電率が発光層に対して非常に
高いので発光層に印加される分圧を高くできる。従っ
て、ＥＬディスプレイ素子の駆動電圧を低減することが
できるという効果を有する。更に、上記硫化物又はセレ
ン化物の中で黒色を呈するもの、例えば、Ｔa の硫化物
等の場合には、膜厚を3000Å以上とすることで背景色の
黒化膜として兼用でき、ＥＬディスプレイ素子のコント
ラストを向上することができる。
【００１４】又、逆に、上記硫化物又はセレン化物の膜
厚を薄くすることで、透過型のＥＬディスプレイ素子を
構成することができる。この場合には、更に、低電圧駆
動を実現できると共に耐圧余裕度を補償する意味で他の
絶縁膜、特に、発光層と直接接触すると有害な硫酸塩や
セレン酸塩を形成する酸化膜でさえ挿入することが可能
となる。例えば、反応性スパッタによる酸化膜を本発明
の硫化物又はセレン化物の上に成膜する時には、それら
硫化物又はセレン化物の表面では、例え酸化を引き起こ
したとしても亜硫酸ガスとなって放出されるためそれら
表面は常にリフレッシュされ有害な硫酸塩やセレン酸塩
を形成しない。しかも、本発明の硫化物又はセレン化物
である、例えば、Ｔa の硫化物Ｔa Ｓx ではｘが 1/6か
ら３まで多様な固容体〔Ｔa6Ｓ, Ｔa2Ｓ，２Ｓ- Ｔa1+x
Ｓ2(x=0.2 〜0.35),６Ｓ- Ｔa1+xＳ2(x=0.2), ３Ｓ- Ｔ
a1+xＳ2(x=0.15) ，１Ｓ- Ｔa Ｓ2,α- Ｔa Ｓ2,２Ｓ-
Ｔa Ｓ2,β- Ｔa Ｓ2,３Ｓ- Ｔa Ｓ2,６Ｓ- Ｔa Ｓ2,δ
- Ｔa Ｓ2,Ｔa Ｓ3 及びその中間物〕を形成し得るの
で、例え表面の数10Å程度が亜硫酸ガスとなって多少の
Ｓ抜けが起きたとしても、大きな問題とはならない。し
かも、本発明の硫化物又はセレン化物を構成する金属元
素は酸素と結合できるので、逆に酸素を介して酸化膜と
強固に密着できる。
厚を薄くすることで、透過型のＥＬディスプレイ素子を
構成することができる。この場合には、更に、低電圧駆
動を実現できると共に耐圧余裕度を補償する意味で他の
絶縁膜、特に、発光層と直接接触すると有害な硫酸塩や
セレン酸塩を形成する酸化膜でさえ挿入することが可能
となる。例えば、反応性スパッタによる酸化膜を本発明
の硫化物又はセレン化物の上に成膜する時には、それら
硫化物又はセレン化物の表面では、例え酸化を引き起こ
したとしても亜硫酸ガスとなって放出されるためそれら
表面は常にリフレッシュされ有害な硫酸塩やセレン酸塩
を形成しない。しかも、本発明の硫化物又はセレン化物
である、例えば、Ｔa の硫化物Ｔa Ｓx ではｘが 1/6か
ら３まで多様な固容体〔Ｔa6Ｓ, Ｔa2Ｓ，２Ｓ- Ｔa1+x
Ｓ2(x=0.2 〜0.35),６Ｓ- Ｔa1+xＳ2(x=0.2), ３Ｓ- Ｔ
a1+xＳ2(x=0.15) ，１Ｓ- Ｔa Ｓ2,α- Ｔa Ｓ2,２Ｓ-
Ｔa Ｓ2,β- Ｔa Ｓ2,３Ｓ- Ｔa Ｓ2,６Ｓ- Ｔa Ｓ2,δ
- Ｔa Ｓ2,Ｔa Ｓ3 及びその中間物〕を形成し得るの
で、例え表面の数10Å程度が亜硫酸ガスとなって多少の
Ｓ抜けが起きたとしても、大きな問題とはならない。し
かも、本発明の硫化物又はセレン化物を構成する金属元
素は酸素と結合できるので、逆に酸素を介して酸化膜と
強固に密着できる。
【００１５】又、このように、本発明の硫化物又はセレ
ン化物と隣接した、絶縁性基板に近い側の電極の取り出
し部を除いて全体を覆うことで、発光層表面に有害な硫
酸塩やセレン酸塩が生成されることを防止できる。更
に、好ましくは、図２に示したように、絶縁性基板に近
い側の電極と発光層との間にも、本発明の硫化物又はセ
レン化物を挿入することが良い。この場合には、発光層
と一方の電極との間、発光層と他方の電極との間の絶縁
膜構造を発光層を挟んで対称にすると、交流駆動パルス
の対称性が保たれてより一層寿命特性を向上することが
できる。ここで、電気特性等の対称性が保たれるなら
ば、構造上の対称性を必ずしも保つ必要はない。そし
て、本発明の硫化物又はセレン化物のうち黒色を呈する
ものを用いる場合には、光取り出し側の膜厚、即ち、透
過率に留意せねばならないことは当然である。以上述べ
たように、多様なバリエーションと利点を有する硫酸塩
又はセレン酸塩を形成しない硫化物又はセレン化物を発
光層と隣接する部分に配設することにより、発光効率に
優れ、より安定で優れた寿命特性を有するＥＬディスプ
レイ素子が提供できる。
ン化物と隣接した、絶縁性基板に近い側の電極の取り出
し部を除いて全体を覆うことで、発光層表面に有害な硫
酸塩やセレン酸塩が生成されることを防止できる。更
に、好ましくは、図２に示したように、絶縁性基板に近
い側の電極と発光層との間にも、本発明の硫化物又はセ
レン化物を挿入することが良い。この場合には、発光層
と一方の電極との間、発光層と他方の電極との間の絶縁
膜構造を発光層を挟んで対称にすると、交流駆動パルス
の対称性が保たれてより一層寿命特性を向上することが
できる。ここで、電気特性等の対称性が保たれるなら
ば、構造上の対称性を必ずしも保つ必要はない。そし
て、本発明の硫化物又はセレン化物のうち黒色を呈する
ものを用いる場合には、光取り出し側の膜厚、即ち、透
過率に留意せねばならないことは当然である。以上述べ
たように、多様なバリエーションと利点を有する硫酸塩
又はセレン酸塩を形成しない硫化物又はセレン化物を発
光層と隣接する部分に配設することにより、発光効率に
優れ、より安定で優れた寿命特性を有するＥＬディスプ
レイ素子が提供できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１
（厚さ 1.1mm，HOYA製NA40：ノンアルカリガラス）上に
順次、以下の薄膜が形成され構成されている。ガラス基
板１上には、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide:酸化インジウ
ム、錫）透明導電膜から成る下部電極２、五酸化タンタ
ル（Ｔa2Ｏ5)薄膜から成る第１絶縁膜３１、母体材料と
して硫化物である硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層４、
硫酸塩を形成しないＴa の硫化物（以下、ＴaＳxとい
う）から成る薄膜６、五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)薄膜か
ら成る第２絶縁膜３２及びＡl 薄膜から成る背面電極５
が形成されている。
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１
（厚さ 1.1mm，HOYA製NA40：ノンアルカリガラス）上に
順次、以下の薄膜が形成され構成されている。ガラス基
板１上には、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide:酸化インジウ
ム、錫）透明導電膜から成る下部電極２、五酸化タンタ
ル（Ｔa2Ｏ5)薄膜から成る第１絶縁膜３１、母体材料と
して硫化物である硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層４、
硫酸塩を形成しないＴa の硫化物（以下、ＴaＳxとい
う）から成る薄膜６、五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)薄膜か
ら成る第２絶縁膜３２及びＡl 薄膜から成る背面電極５
が形成されている。
【００１７】次に、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子１
００の製造方法を以下に述べる。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏをアルゴン（Ａr)及び酸素（Ｏ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして2000Åの厚さに成膜し、ウェット
エッチングにより図面の左右方向であるＸ方向にストラ
イプ状の透明な下部電極２を形成した。次に、五酸化タ
ンタルをターゲットとし、アルゴン及び酸素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして下部電極２上に第１絶縁
膜３１を形成した。この膜厚は4000Åとした。第１絶縁
膜３１上には、ＴbＯＦを 3.6重量％の割合で含有する
硫化亜鉛(ＺnＳ）をターゲットとして、アルゴン60％及
びヘリウム（Ｈe)40％の混合ガス雰囲気中で高周波スパ
ッタして7000Åの厚さに成膜し発光層４を形成した。こ
の発光層４上に、粒径 325メッシュアンダー、純度99.9
％の添川理化学（株）製の二硫化タンタル(ＴaＳ2)黒色
粉末を石英シャーレに充填しターゲットとし、アルゴン
55％、硫化水素５％及びヘリウム40％の混合ガス雰囲気
中で高周波スパッタして1000Åの厚さに成膜しＴaＳx薄
膜６を形成した。次に、第１絶縁膜３１と同様の方法で
膜厚4000Åの五酸化タンタルから成る第２絶縁膜３２を
形成した。更に、その上面にはアルミニウムを電子ビー
ム蒸着法で5000Åの厚さに成膜し、フォトエッチング法
により図面に垂直な方向であるＹ方向にストライプ状の
背面電極５を形成した。従って、この薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１００は上面から見て下部電極２と背面電極５
との交差する部分の発光層４をドット的に発光させるこ
とができる。
００の製造方法を以下に述べる。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏをアルゴン（Ａr)及び酸素（Ｏ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして2000Åの厚さに成膜し、ウェット
エッチングにより図面の左右方向であるＸ方向にストラ
イプ状の透明な下部電極２を形成した。次に、五酸化タ
ンタルをターゲットとし、アルゴン及び酸素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして下部電極２上に第１絶縁
膜３１を形成した。この膜厚は4000Åとした。第１絶縁
膜３１上には、ＴbＯＦを 3.6重量％の割合で含有する
硫化亜鉛(ＺnＳ）をターゲットとして、アルゴン60％及
びヘリウム（Ｈe)40％の混合ガス雰囲気中で高周波スパ
ッタして7000Åの厚さに成膜し発光層４を形成した。こ
の発光層４上に、粒径 325メッシュアンダー、純度99.9
％の添川理化学（株）製の二硫化タンタル(ＴaＳ2)黒色
粉末を石英シャーレに充填しターゲットとし、アルゴン
55％、硫化水素５％及びヘリウム40％の混合ガス雰囲気
中で高周波スパッタして1000Åの厚さに成膜しＴaＳx薄
膜６を形成した。次に、第１絶縁膜３１と同様の方法で
膜厚4000Åの五酸化タンタルから成る第２絶縁膜３２を
形成した。更に、その上面にはアルミニウムを電子ビー
ム蒸着法で5000Åの厚さに成膜し、フォトエッチング法
により図面に垂直な方向であるＹ方向にストライプ状の
背面電極５を形成した。従って、この薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１００は上面から見て下部電極２と背面電極５
との交差する部分の発光層４をドット的に発光させるこ
とができる。
【００１８】尚、比較のため、ＴaＳx薄膜６に替えてシ
リコンをターゲットとし、アルゴン及び窒素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして1000Åの膜厚の窒化珪素
薄膜を挿入した公知の構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子
を作成した。更に、比較のため、ＴaＳx薄膜６も窒化珪
素薄膜も挿入しない、図３に示したような、薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子を作成するため、アルミニウムから成る
上部電極５をフォトエッチングしようとしたところ、発
光層４と第２絶縁膜の五酸化タンタル薄膜の界面より剥
離が生じてしまって素子が得られなかった。
リコンをターゲットとし、アルゴン及び窒素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして1000Åの膜厚の窒化珪素
薄膜を挿入した公知の構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子
を作成した。更に、比較のため、ＴaＳx薄膜６も窒化珪
素薄膜も挿入しない、図３に示したような、薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子を作成するため、アルミニウムから成る
上部電極５をフォトエッチングしようとしたところ、発
光層４と第２絶縁膜の五酸化タンタル薄膜の界面より剥
離が生じてしまって素子が得られなかった。
【００１９】図４には、ＴaＳx薄膜６を挿入した本発明
の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００と上述の比較のため
窒化珪素薄膜を挿入した従来の薄膜ＥＬディスプレイ素
子との輝度−駆動電圧の測定結果を示した。尚、測定条
件としては、日本学術振興会の光電相互変換第１２５委
員会推奨の印加電圧波形、即ち、１ＫHzの両極性パルス
波形とし、パルスの半値幅（τ）を40μs 、パルスの立
ち上がり時間（ｔr)、立ち下がり時間（ｔr)を共に８μ
s とし、駆動電圧はピーク値で表した。図から分かるよ
うに、本発明品は従来品に比べ、発光開始電圧（発光輝
度が１cd/m2 の値の電圧）を約37Ｖ低くすることがで
き、且つ、耐圧余裕度（素子破壊電圧から発光開始電圧
を引いた電圧差）を約57Ｖ向上することができた。しか
も、同じ発光層（ＺnＳ：ＴbＯＦ）であっても、移動電
荷量を多くとれるため発光効率が高く、最高到達輝度も
従来品より約15％高い輝度が得られた。尚、硫化タンタ
ルの代わりに硫化タングステン(ＷＳ2,ＷＳ3）、硫化モ
リブデン（ＭoＳ2）、硫化レニウム（ＲeＳ2,Ｒe2Ｓ7）
についても実施し、硫化タンタルと同等の効果が得られ
た。以上の説明では、発光層材料として緑色発光の（Ｚ
nＳ：ＴbＯＦ）を用いたが、アンバー色発光の（Ｚn
Ｓ：Ｍn）及び赤色発光の（ＺnＳ：ＳmＦ3)等でも同様
の効果が認められた。
の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００と上述の比較のため
窒化珪素薄膜を挿入した従来の薄膜ＥＬディスプレイ素
子との輝度−駆動電圧の測定結果を示した。尚、測定条
件としては、日本学術振興会の光電相互変換第１２５委
員会推奨の印加電圧波形、即ち、１ＫHzの両極性パルス
波形とし、パルスの半値幅（τ）を40μs 、パルスの立
ち上がり時間（ｔr)、立ち下がり時間（ｔr)を共に８μ
s とし、駆動電圧はピーク値で表した。図から分かるよ
うに、本発明品は従来品に比べ、発光開始電圧（発光輝
度が１cd/m2 の値の電圧）を約37Ｖ低くすることがで
き、且つ、耐圧余裕度（素子破壊電圧から発光開始電圧
を引いた電圧差）を約57Ｖ向上することができた。しか
も、同じ発光層（ＺnＳ：ＴbＯＦ）であっても、移動電
荷量を多くとれるため発光効率が高く、最高到達輝度も
従来品より約15％高い輝度が得られた。尚、硫化タンタ
ルの代わりに硫化タングステン(ＷＳ2,ＷＳ3）、硫化モ
リブデン（ＭoＳ2）、硫化レニウム（ＲeＳ2,Ｒe2Ｓ7）
についても実施し、硫化タンタルと同等の効果が得られ
た。以上の説明では、発光層材料として緑色発光の（Ｚ
nＳ：ＴbＯＦ）を用いたが、アンバー色発光の（Ｚn
Ｓ：Ｍn）及び赤色発光の（ＺnＳ：ＳmＦ3)等でも同様
の効果が認められた。
【００２０】図５には、ＴaＳx薄膜６を挿入した本発明
の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００と上述の比較のため
窒化珪素薄膜を挿入した従来の薄膜ＥＬディスプレイ素
子とについて、１ＫHzの両極性パルス波形にて1000時間
駆動し輝度の経時変化の測定結果を示した。発光開始電
圧（Ｖth）に差があるので、各々の駆動電圧は発光開始
電圧に40Ｖを加えた値（即ち、本発明品では 218Ｖ，従
来品では 255Ｖ）とし、ほぼ輝度が等しい値からスター
トさせた。尚、縦軸は相対輝度を表し、Ｌ40（発光開始
電圧Ｖth＋40Ｖでの輝度を表す）の値を初期輝度 100と
した時の割合（％）を示す。窒化珪素薄膜を挿入した従
来品では約 200hrで輝度が半減してしまったが、本発明
品では1000hr耐久後も75％以上の輝度を維持しているこ
とが確認された。
の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００と上述の比較のため
窒化珪素薄膜を挿入した従来の薄膜ＥＬディスプレイ素
子とについて、１ＫHzの両極性パルス波形にて1000時間
駆動し輝度の経時変化の測定結果を示した。発光開始電
圧（Ｖth）に差があるので、各々の駆動電圧は発光開始
電圧に40Ｖを加えた値（即ち、本発明品では 218Ｖ，従
来品では 255Ｖ）とし、ほぼ輝度が等しい値からスター
トさせた。尚、縦軸は相対輝度を表し、Ｌ40（発光開始
電圧Ｖth＋40Ｖでの輝度を表す）の値を初期輝度 100と
した時の割合（％）を示す。窒化珪素薄膜を挿入した従
来品では約 200hrで輝度が半減してしまったが、本発明
品では1000hr耐久後も75％以上の輝度を維持しているこ
とが確認された。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る薄膜ＥＬディ
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の他の
実施例における縦断面を示した模式図である。
実施例における縦断面を示した模式図である。
【図３】従来の薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示
した模式図である。
した模式図である。
【図４】本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子と従来品と
の輝度−駆動電圧の測定結果を示した図である。
の輝度−駆動電圧の測定結果を示した図である。
【図５】本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子と従来品と
の輝度の経時変化の測定結果を示した図である。
の輝度の経時変化の測定結果を示した図である。
１−ガラス基板（絶縁性基板） ２−下部電極（ＩＴ
Ｏ透明導電膜） ３１−第１絶縁膜(Ｔa2Ｏ5） ３２−第２絶縁膜(Ｔa
2Ｏ5） ４−発光層（ＺnＳ：ＴbＯＦ） ５−上部電極（Ａl) ６−ＴaＳx薄膜（硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない硫
化物又はセレン化物から成る薄膜） １００−薄膜ＥＬディスプレイ素子
Ｏ透明導電膜） ３１−第１絶縁膜(Ｔa2Ｏ5） ３２−第２絶縁膜(Ｔa
2Ｏ5） ４−発光層（ＺnＳ：ＴbＯＦ） ５−上部電極（Ａl) ６−ＴaＳx薄膜（硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない硫
化物又はセレン化物から成る薄膜） １００−薄膜ＥＬディスプレイ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/22 H05B 33/14
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に両電極間に挟持され、母
体材料が硫化物又はセレン化物から成る発光層を配置
し、前記両電極の内、前記基板とは反対側に位置する電
極と前記発光層との間に絶縁膜を配置したＥＬディスプ
レイ素子であって、前記絶縁膜の、前記発光層側の少なくとも一部を硫酸塩
又はセレン酸塩を形成しない硫化物又はセレン化物から
成る薄膜で構成し、前記絶縁膜の前記薄膜面を前記発光
層と隣接、配置 したことを特徴とするＥＬディスプレイ
素子。 - 【請求項２】 前記基板に近い側の電極と前記発光層と
の間に、前記薄膜と同じ材料からなる薄膜を有する絶縁
膜を配置し、該薄膜面を前記発光層と隣接関係に配置し
たことを特徴とする請求項１に記載のＥＬディスプレイ
素子。 - 【請求項３】 前記硫酸塩又はセレン酸塩を形成しない
硫化物又はセレン化物は、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓの群からら選択された一種であることを特徴と
する請求項１又は２に記載のＥＬディスプレイ素子。 - 【請求項４】 前記絶縁膜は前記発光層に隣接する第１
の部分と、該発光層から離れる側に位置する第２の部分
とから構成されており、前記第１の部分が硫酸塩又はセ
レン酸塩を形成しない硫化物又はセレン化物から成る前
記薄膜により構成されており、かつ前記第２の部分が前
記発光層の誘電率よりも大きい誘電率を有する酸化膜に
より構成されていることを特徴とする請求項１〜３の何
れか一つに記載のＥＬディスプレイ素子。 - 【請求項５】 前記発光層は硫化亜鉛セレン化亜鉛、ア
ルカリ土類硫化物から選択された一種を母材とすること
を特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載のＥＬデ
ィスプレイ素子。 - 【請求項６】 前記絶縁膜の全部が前記硫酸塩又はセレ
ン酸塩を形成しない硫化物又はセレン化物から構成され
ていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一つに記
載のＥＬディスプレイ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280648A JP2837004B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｌディスプレイ素子 |
| US07/953,068 US5369333A (en) | 1991-09-30 | 1992-09-29 | Thin film electroluminescence display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280648A JP2837004B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｌディスプレイ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594881A JPH0594881A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2837004B2 true JP2837004B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=17627989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280648A Expired - Lifetime JP2837004B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｌディスプレイ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5369333A (ja) |
| JP (1) | JP2837004B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853552A (en) * | 1993-09-09 | 1998-12-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for the production of electroluminescence element, electroluminescence element |
| JP2850820B2 (ja) * | 1995-02-09 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | Ｅｌ素子 |
| DE19625993A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht |
| DE19647710A1 (de) * | 1996-11-11 | 1998-05-14 | Hertz Inst Heinrich | Phosphor für Displays, insbesondere Dünnschicht-Lumineszenz-Displays |
| US6072198A (en) * | 1998-09-14 | 2000-06-06 | Planar Systems Inc | Electroluminescent alkaline-earth sulfide phosphor thin films with multiple coactivator dopants |
| US6771019B1 (en) * | 1999-05-14 | 2004-08-03 | Ifire Technology, Inc. | Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties |
| US8058797B2 (en) * | 2001-05-18 | 2011-11-15 | Cambridge University Technical Services Limited | Electroluminescent device |
| KR100609830B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2006-08-09 | 럭스피아 주식회사 | 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치 |
| US10448481B2 (en) * | 2017-08-15 | 2019-10-15 | Davorin Babic | Electrically conductive infrared emitter and back reflector in a solid state source apparatus and method of use thereof |
| US11289423B2 (en) * | 2019-06-11 | 2022-03-29 | Purdue Research Foundation | Ultra-thin diffusion barrier |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4099091A (en) * | 1976-07-28 | 1978-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescent panel including an electrically conductive layer between two electroluminescent layers |
| JPS5342398A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-17 | Hitachi Metals Ltd | Method of manufacturing multiicrystal garnet |
| JPS62108496A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01241795A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP2708183B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1998-02-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| US5220243A (en) * | 1990-10-05 | 1993-06-15 | Gte Products Corporation | Moisture insensitive zinc sulfide electroluminescent materials and an electroluminescent device made therefrom |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3280648A patent/JP2837004B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-29 US US07/953,068 patent/US5369333A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0594881A (ja) | 1993-04-16 |
| US5369333A (en) | 1994-11-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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