JP3127025B2 - 薄膜ｅｌディスプレイ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌディスプレイ素子Info
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、計器類のバッ
クライト用の面発光源などに使用される薄膜ＥＬ(Elect
roluminescence）ディスプレイ素子に関する。
クライト用の面発光源などに使用される薄膜ＥＬ(Elect
roluminescence）ディスプレイ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、薄膜ＥＬディスプレイ素子は、硫化
亜鉛(ＺnＳ）などの蛍光体に電界をかけたときに発光す
る現象を利用したもので自発光型の平面ディスプレイを
構成するものとして注目されている。図７は、従来の薄
膜ＥＬディスプレイ素子１０の典型的な断面構造を示し
た模式図である。薄膜ＥＬディスプレイ素子１０は、絶
縁性基板であるガラス基板１上に、光学的に透明なＩＴ
Ｏ膜から成る第１電極２、五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)な
どから成る第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５及び
ＩＴＯ膜から成る第２電極６を順次積層して形成されて
いる。ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、酸化インジウ
ム（Ｉn2Ｏ3)に錫（Ｓn)をドープした透明の導電膜で、
低抵抗率であることから従来より透明電極用として広く
使用されている。発光層４としては、例えば、硫化亜鉛
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)や三フ
ッ化テルビウム(ＴbＦ3)を添加したものが使用される。
薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光色は硫化亜鉛中の添加
物の種類によって決まり、例えば、発光中心としてマン
ガン（Ｍn)を添加した場合にはオレンジ色、三フッ化テ
ルビウム(ＴbＦ3)を添加した場合にはグリーン色の発光
が得られる。
亜鉛(ＺnＳ）などの蛍光体に電界をかけたときに発光す
る現象を利用したもので自発光型の平面ディスプレイを
構成するものとして注目されている。図７は、従来の薄
膜ＥＬディスプレイ素子１０の典型的な断面構造を示し
た模式図である。薄膜ＥＬディスプレイ素子１０は、絶
縁性基板であるガラス基板１上に、光学的に透明なＩＴ
Ｏ膜から成る第１電極２、五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)な
どから成る第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５及び
ＩＴＯ膜から成る第２電極６を順次積層して形成されて
いる。ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、酸化インジウ
ム（Ｉn2Ｏ3)に錫（Ｓn)をドープした透明の導電膜で、
低抵抗率であることから従来より透明電極用として広く
使用されている。発光層４としては、例えば、硫化亜鉛
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)や三フ
ッ化テルビウム(ＴbＦ3)を添加したものが使用される。
薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光色は硫化亜鉛中の添加
物の種類によって決まり、例えば、発光中心としてマン
ガン（Ｍn)を添加した場合にはオレンジ色、三フッ化テ
ルビウム(ＴbＦ3)を添加した場合にはグリーン色の発光
が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造から成る薄
膜ＥＬディスプレイ素子１０において、赤色発光を得る
発光層４の構成材料として、三フッ化サマリウム(ＳmＦ
3)を添加した硫化亜鉛などが検討されている。この構成
材料から成る発光層４を有する薄膜ＥＬディスプレイ素
子１０は、発光輝度が最大でも1000cd/m2(５ＫＨz 駆
動）と低く、発光スペクトルに赤色より短波長側の成分
を含むため色純度が悪く、現状ではＥＬパネルなど表示
器としては実用性に乏しいものである。そこで、近年、
オレンジ色発光を呈するＺnＳ：Ｍn系の発光層から成る
薄膜ＥＬディスプレイ素子に 570nm以下の光をカットす
るフィルタを用いて赤色光を得る方法が提案されてい
る。この薄膜ＥＬディスプレイ素子の赤色光は元々のオ
レンジ色発光の輝度が高いのでフィルタを介しても十分
な発光輝度を確保することができるとするものである。
しかしながら、色素とバインダを含む塗料を印刷法によ
り形成したフィルタにおいては、耐熱温度が約 200℃と
低いものとなる。このため、蒸着、スパッタなどでガラ
ス基板を加熱しながら各層を堆積させ薄膜ＥＬディスプ
レイ素子を形成する製造工程途中に上記フィルタを挿入
することは不可能である。従って、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子の各層を堆積後に上記フィルタは形成するしかな
く、挿入位置が限定される。更に、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子が発光中の発熱により塗料の特性が変化し、発光
色が経時変化すると共に素子特性の劣化にもつながると
いう問題があった。又、硫化亜鉛(ＺnＳ）を母体材料と
した発光層上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る絶縁
層を堆積する際、酸素プラズマにより硫化亜鉛(ＺnＳ）
表面が酸化され硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層が生成される。こ
の硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層の生成は、五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る絶縁層を堆積時における酸素濃度、基板
温度、堆積時間などに影響される。硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)
は水に対する溶解度が極めて大きく、その後工程である
水洗工程などにおいて発光層と絶縁層との密着性を損な
いそれら層間で膜剥離が生じるという問題があった。
又、上記硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層の生成深さなどのバラツ
キにより薄膜ＥＬディスプレイ素子は発光特性及び信頼
性が極めて不安定なものとなっていた。
膜ＥＬディスプレイ素子１０において、赤色発光を得る
発光層４の構成材料として、三フッ化サマリウム(ＳmＦ
3)を添加した硫化亜鉛などが検討されている。この構成
材料から成る発光層４を有する薄膜ＥＬディスプレイ素
子１０は、発光輝度が最大でも1000cd/m2(５ＫＨz 駆
動）と低く、発光スペクトルに赤色より短波長側の成分
を含むため色純度が悪く、現状ではＥＬパネルなど表示
器としては実用性に乏しいものである。そこで、近年、
オレンジ色発光を呈するＺnＳ：Ｍn系の発光層から成る
薄膜ＥＬディスプレイ素子に 570nm以下の光をカットす
るフィルタを用いて赤色光を得る方法が提案されてい
る。この薄膜ＥＬディスプレイ素子の赤色光は元々のオ
レンジ色発光の輝度が高いのでフィルタを介しても十分
な発光輝度を確保することができるとするものである。
しかしながら、色素とバインダを含む塗料を印刷法によ
り形成したフィルタにおいては、耐熱温度が約 200℃と
低いものとなる。このため、蒸着、スパッタなどでガラ
ス基板を加熱しながら各層を堆積させ薄膜ＥＬディスプ
レイ素子を形成する製造工程途中に上記フィルタを挿入
することは不可能である。従って、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子の各層を堆積後に上記フィルタは形成するしかな
く、挿入位置が限定される。更に、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子が発光中の発熱により塗料の特性が変化し、発光
色が経時変化すると共に素子特性の劣化にもつながると
いう問題があった。又、硫化亜鉛(ＺnＳ）を母体材料と
した発光層上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る絶縁
層を堆積する際、酸素プラズマにより硫化亜鉛(ＺnＳ）
表面が酸化され硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層が生成される。こ
の硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層の生成は、五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る絶縁層を堆積時における酸素濃度、基板
温度、堆積時間などに影響される。硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)
は水に対する溶解度が極めて大きく、その後工程である
水洗工程などにおいて発光層と絶縁層との密着性を損な
いそれら層間で膜剥離が生じるという問題があった。
又、上記硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層の生成深さなどのバラツ
キにより薄膜ＥＬディスプレイ素子は発光特性及び信頼
性が極めて不安定なものとなっていた。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、高輝度、
高信頼性を有する赤色発光の薄膜ＥＬディスプレイ素子
を提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、高輝度、
高信頼性を有する赤色発光の薄膜ＥＬディスプレイ素子
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の第１の構成は、絶縁性基板上に第１電極、第１
絶縁層、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)から成る発光
層、第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り出し
側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し形成した
薄膜ＥＬディスプレイ素子であって、前記発光層からの
光を目視する光取り出し側にシリコン又はシリコン合金
にて形成されたフィルタを備え、該フィルタは発光層か
らの発光色のうち赤色成分を透過する特性を有してお
り、これにより該赤色光透過フィルタを通して目視され
る、発光層からの発光色を赤色とすることを特徴とす
る。また、第２の構成は、赤色光透過フィルタは、発光
層と第１絶縁層又は第２絶縁層との間に配置されている
ことを特徴とする。また、第３の構成は、赤色光透過フ
ィルタの光学ギャップは1.72eVであることを特徴とす
る。
の発明の第１の構成は、絶縁性基板上に第１電極、第１
絶縁層、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)から成る発光
層、第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り出し
側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し形成した
薄膜ＥＬディスプレイ素子であって、前記発光層からの
光を目視する光取り出し側にシリコン又はシリコン合金
にて形成されたフィルタを備え、該フィルタは発光層か
らの発光色のうち赤色成分を透過する特性を有してお
り、これにより該赤色光透過フィルタを通して目視され
る、発光層からの発光色を赤色とすることを特徴とす
る。また、第２の構成は、赤色光透過フィルタは、発光
層と第１絶縁層又は第２絶縁層との間に配置されている
ことを特徴とする。また、第３の構成は、赤色光透過フ
ィルタの光学ギャップは1.72eVであることを特徴とす
る。
【０００６】
【作用及び効果】フィルタは硫化亜鉛：マンガン(Ｚn
Ｓ：Ｍn)から成る発光層からの光取り出し側に形成さ
れ、その材料がアモルファスシリコン又はシリコン合金
から成る。このように構成された薄膜ＥＬディスプレイ
素子は、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)から成る発光
層のオレンジ色発光を赤色発光とすることができる。上
記フィルタは耐熱温度が高いことから薄膜ＥＬディスプ
レイ素子を形成する製造工程途中に挿入することも可能
となる。又、薄膜ＥＬディスプレイ素子はその発光中の
発熱によりフィルタの特性が変化することがないので、
発光色の経時変化もない。即ち、本発明の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子は発光特性が安定すると共に信頼性が向上
する。更に、フィルタが発光層と第１絶縁層又は第２絶
縁層との間に形成された薄膜ＥＬディスプレイ素子で
は、発光層が直接第１絶縁層又は第２絶縁層と接するこ
とがなくなる。すると、母体材料が硫化亜鉛(ＺnＳ）か
ら成る発光層が製造工程途中で酸素プラズマに晒される
ことがなくなる。従って、発光層表面に水に対する溶解
度が極めて大きい硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層が生成されるこ
とがなくなる。これにより、フィルタを介した発光層と
第１絶縁層又は第２絶縁層との間の密着性が著しく向上
する。即ち、本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子は発光
特性が安定すると共に信頼性が向上する。赤色光透過フ
ィルタの光学ギャップが1.72eVであれば赤色光の透過度
が他の波長光に比べ最大となる。
Ｓ：Ｍn)から成る発光層からの光取り出し側に形成さ
れ、その材料がアモルファスシリコン又はシリコン合金
から成る。このように構成された薄膜ＥＬディスプレイ
素子は、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)から成る発光
層のオレンジ色発光を赤色発光とすることができる。上
記フィルタは耐熱温度が高いことから薄膜ＥＬディスプ
レイ素子を形成する製造工程途中に挿入することも可能
となる。又、薄膜ＥＬディスプレイ素子はその発光中の
発熱によりフィルタの特性が変化することがないので、
発光色の経時変化もない。即ち、本発明の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子は発光特性が安定すると共に信頼性が向上
する。更に、フィルタが発光層と第１絶縁層又は第２絶
縁層との間に形成された薄膜ＥＬディスプレイ素子で
は、発光層が直接第１絶縁層又は第２絶縁層と接するこ
とがなくなる。すると、母体材料が硫化亜鉛(ＺnＳ）か
ら成る発光層が製造工程途中で酸素プラズマに晒される
ことがなくなる。従って、発光層表面に水に対する溶解
度が極めて大きい硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層が生成されるこ
とがなくなる。これにより、フィルタを介した発光層と
第１絶縁層又は第２絶縁層との間の密着性が著しく向上
する。即ち、本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子は発光
特性が安定すると共に信頼性が向上する。赤色光透過フ
ィルタの光学ギャップが1.72eVであれば赤色光の透過度
が他の波長光に比べ最大となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１１
上に順次、以下の薄膜が積層形成され構成されている。
ガラス基板１１上には、光学的に透明な酸化亜鉛(Ｚn
Ｏ）から成る第１透明電極（第１電極）１２が形成さ
れ、その上面には、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る第１絶縁層１３、マンガン（Ｍn)が添加
された硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層１４、アモルフ
ァスシリコン(ａ-Ｓi)から成る赤色光透過フィルタ１
７、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る
第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛(ＺnＯ）から
成る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１１
上に順次、以下の薄膜が積層形成され構成されている。
ガラス基板１１上には、光学的に透明な酸化亜鉛(Ｚn
Ｏ）から成る第１透明電極（第１電極）１２が形成さ
れ、その上面には、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5)から成る第１絶縁層１３、マンガン（Ｍn)が添加
された硫化亜鉛(ＺnＳ）から成る発光層１４、アモルフ
ァスシリコン(ａ-Ｓi)から成る赤色光透過フィルタ１
７、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る
第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛(ＺnＯ）から
成る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
【０００８】次に、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子１
００の製造方法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１
上に第１透明電極１２を成膜した。蒸着材料としては、
酸化亜鉛(ＺnＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇa2Ｏ3)を加え
て混合し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置
としては、イオンプレーティング装置を用いた。具体的
には、ガラス基板１１の温度を 150℃に保持したままイ
オンプレーティング装置内を５×10-3Ｐa まで排気し
た。その後、アルゴン（Ａr)ガスを導入して 6.5×10-1
Ｐa に保ち、成膜速度が1.0〜3.0Å/secの範囲となるよ
うビーム電力及び高周波電力を調整した。
００の製造方法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１
上に第１透明電極１２を成膜した。蒸着材料としては、
酸化亜鉛(ＺnＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇa2Ｏ3)を加え
て混合し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置
としては、イオンプレーティング装置を用いた。具体的
には、ガラス基板１１の温度を 150℃に保持したままイ
オンプレーティング装置内を５×10-3Ｐa まで排気し
た。その後、アルゴン（Ａr)ガスを導入して 6.5×10-1
Ｐa に保ち、成膜速度が1.0〜3.0Å/secの範囲となるよ
うビーム電力及び高周波電力を調整した。
【０００９】次に、第１透明電極１２上に五酸化タンタ
ル（Ｔa2Ｏ5)から成る第１絶縁層１３をスパッタにより
形成した。具体的には、ガラス基板１１の温度を 200℃
に保持し、スパッタ装置内を 1.0Ｐa に維持し、装置内
にアルゴン（Ａr)と酸素（Ｏ2)の混合ガスを導入（200c
c/min)し、１ＫＷの高周波電力で堆積速度２Å/secの条
件で行った。
ル（Ｔa2Ｏ5)から成る第１絶縁層１３をスパッタにより
形成した。具体的には、ガラス基板１１の温度を 200℃
に保持し、スパッタ装置内を 1.0Ｐa に維持し、装置内
にアルゴン（Ａr)と酸素（Ｏ2)の混合ガスを導入（200c
c/min)し、１ＫＷの高周波電力で堆積速度２Å/secの条
件で行った。
【００１０】上記第１絶縁層１３上に硫化亜鉛(ＺnＳ）
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)を添加
した硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)発光層１４を蒸着
により形成した。具体的には、ガラス基板１１の温度を
120℃に保持し、スパッタ装置内を５×10-4Ｐa 以下に
維持し、堆積速度1.0〜3.0Å/secの条件で電子ビーム蒸
着を行った。
を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)を添加
した硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)発光層１４を蒸着
により形成した。具体的には、ガラス基板１１の温度を
120℃に保持し、スパッタ装置内を５×10-4Ｐa 以下に
維持し、堆積速度1.0〜3.0Å/secの条件で電子ビーム蒸
着を行った。
【００１１】次に、上記発光層１４上に本発明に係るフ
ィルタであるアモルファスシリコン（ａ-Ｓi）から成る
赤色光透過フィルタ１７を形成した。具体的には、ガラ
ス基板１１の温度を 200℃に保持し、高周波プラズマＣ
ＶＤ装置内に水素（Ｈ2)で10％まで希釈したシラン（Ｓ
iＨ4）ガスを100s ccm導入し、排気速度を調整すること
によって装置内圧力を 1.0Ｐa に維持し50Ｗの高周波電
力で堆積速度15Å/secの条件で行った。このようにして
得られた赤色光透過フィルタ１７の光学ギャップ（光学
的エネルギーバンドギャップ）Ｅg は約1.81eVであっ
た。又、500〜750nmの波長域での光透過特性を分光光度
計で測定すると、この波長域では、 600nmで透過率が最
大（55％）となり、カットしたい 570nm以下の透過率は
５％以下であった。上記透過率は、下地との干渉により
波状になるため、透過させたい波長域で最大にするに
は、上記赤色光透過フィルタ１７の膜厚を調整すればよ
い。又、ガラス基板１１の温度、高周波電力など堆積条
件の選択によりアモルファスシリコン（ａ-Ｓi）膜の光
学ギャップは1.70〜2.10eVまで変化できるが、この光学
ギャップは主に透過率が零になる波長に影響を与える。
ィルタであるアモルファスシリコン（ａ-Ｓi）から成る
赤色光透過フィルタ１７を形成した。具体的には、ガラ
ス基板１１の温度を 200℃に保持し、高周波プラズマＣ
ＶＤ装置内に水素（Ｈ2)で10％まで希釈したシラン（Ｓ
iＨ4）ガスを100s ccm導入し、排気速度を調整すること
によって装置内圧力を 1.0Ｐa に維持し50Ｗの高周波電
力で堆積速度15Å/secの条件で行った。このようにして
得られた赤色光透過フィルタ１７の光学ギャップ（光学
的エネルギーバンドギャップ）Ｅg は約1.81eVであっ
た。又、500〜750nmの波長域での光透過特性を分光光度
計で測定すると、この波長域では、 600nmで透過率が最
大（55％）となり、カットしたい 570nm以下の透過率は
５％以下であった。上記透過率は、下地との干渉により
波状になるため、透過させたい波長域で最大にするに
は、上記赤色光透過フィルタ１７の膜厚を調整すればよ
い。又、ガラス基板１１の温度、高周波電力など堆積条
件の選択によりアモルファスシリコン（ａ-Ｓi）膜の光
学ギャップは1.70〜2.10eVまで変化できるが、この光学
ギャップは主に透過率が零になる波長に影響を与える。
【００１２】次に、上記赤色光透過フィルタ１７上に、
五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第２絶縁層１５を第
１絶縁層１３と同一の方法で形成した。以上の各層をガ
ラス基板１１上に形成後、５×10-4Ｐa の真空中、400
〜600℃で２時間熱処理を行った。この熱処理により、
発光層１４の結晶性が向上して発光輝度が高くなった。
熱処理後、酸化亜鉛(ＺnＯ）膜から成る第２透明電極１
６を、上述の第１透明電極１２と同一の方法により、第
２絶縁層１５上に形成した。各層の膜厚は、第１、第２
透明電極１２，１６が3000Å、第１、第２絶縁層１３，
１５が4000Å、発光層１４が6000Å、赤色光透過フィル
タ１７が3000Åである。このようにして得た薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子１００の発光スペクトルを測定したとこ
ろ、スペクトルのピークが 610nmと長波長側にシフト
し、色純度の良好な赤色発光が得られた。
五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第２絶縁層１５を第
１絶縁層１３と同一の方法で形成した。以上の各層をガ
ラス基板１１上に形成後、５×10-4Ｐa の真空中、400
〜600℃で２時間熱処理を行った。この熱処理により、
発光層１４の結晶性が向上して発光輝度が高くなった。
熱処理後、酸化亜鉛(ＺnＯ）膜から成る第２透明電極１
６を、上述の第１透明電極１２と同一の方法により、第
２絶縁層１５上に形成した。各層の膜厚は、第１、第２
透明電極１２，１６が3000Å、第１、第２絶縁層１３，
１５が4000Å、発光層１４が6000Å、赤色光透過フィル
タ１７が3000Åである。このようにして得た薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子１００の発光スペクトルを測定したとこ
ろ、スペクトルのピークが 610nmと長波長側にシフト
し、色純度の良好な赤色発光が得られた。
【００１３】図２は、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００で使用されている赤色光透過フィルタ１７の分光
光度計による可視光透過曲線を示した特性図である。赤
色光透過フィルタ１７を用いない場合の硫化亜鉛：マン
ガン(ＺnＳ：Ｍn)発光層１４を有する薄膜ＥＬディスプ
レイ素子のオレンジ色発光輝度は約2800cd/m2(１ＫＨz
駆動）であり、赤色光透過フィルタ１７の透過率は約21
％であった。透過率が極大値及び極小値を持つのは、光
の干渉によるもので、ガラス基板や堆積してある膜の屈
折率及び膜厚により透過曲線の形状は決まる。この透過
曲線における赤色光透過フィルタ１７の膜厚は約3000
Å、透過率が零となる近傍、所謂、吸収端より求まる光
学ギャップは1.72eVである。この透過率が零になる波長
は赤色光透過フィルタ１７の光学ギャップにより決ま
り、光学ギャップが広ければ短波長側にシフトする。
１００で使用されている赤色光透過フィルタ１７の分光
光度計による可視光透過曲線を示した特性図である。赤
色光透過フィルタ１７を用いない場合の硫化亜鉛：マン
ガン(ＺnＳ：Ｍn)発光層１４を有する薄膜ＥＬディスプ
レイ素子のオレンジ色発光輝度は約2800cd/m2(１ＫＨz
駆動）であり、赤色光透過フィルタ１７の透過率は約21
％であった。透過率が極大値及び極小値を持つのは、光
の干渉によるもので、ガラス基板や堆積してある膜の屈
折率及び膜厚により透過曲線の形状は決まる。この透過
曲線における赤色光透過フィルタ１７の膜厚は約3000
Å、透過率が零となる近傍、所謂、吸収端より求まる光
学ギャップは1.72eVである。この透過率が零になる波長
は赤色光透過フィルタ１７の光学ギャップにより決ま
り、光学ギャップが広ければ短波長側にシフトする。
【００１４】図３は、種々の光学ギャップＥg を有する
アモルファスシリコン(ａ-Ｓi)系フィルタを用いた薄膜
ＥＬディスプレイ素子の発光スペクトルを示した特性図
である。硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)系発光層を有
する薄膜ＥＬディスプレイ素子に用いたフィルタの光学
ギャップを小さくすることで、スペクトルのピークが長
波長側、即ち、赤色側へシフトしていることが判る。こ
こで、光学ギャップが2.10eVでは広すぎて赤色化のため
のフィルタ効果は殆どない。逆に、光学ギャップが1.60
eVと狭すぎる場合には、赤色側へシフトするものの透過
率が10％以下となり、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)
系発光層の輝度を上昇させないと赤色成分の輝度が小さ
くなる。
アモルファスシリコン(ａ-Ｓi)系フィルタを用いた薄膜
ＥＬディスプレイ素子の発光スペクトルを示した特性図
である。硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)系発光層を有
する薄膜ＥＬディスプレイ素子に用いたフィルタの光学
ギャップを小さくすることで、スペクトルのピークが長
波長側、即ち、赤色側へシフトしていることが判る。こ
こで、光学ギャップが2.10eVでは広すぎて赤色化のため
のフィルタ効果は殆どない。逆に、光学ギャップが1.60
eVと狭すぎる場合には、赤色側へシフトするものの透過
率が10％以下となり、硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)
系発光層の輝度を上昇させないと赤色成分の輝度が小さ
くなる。
【００１５】図４は、図３の発光スペクトルをＣＩＥ
（国際照明委員会）ｘｙ色度図の座標上にプロットした
図である。尚、光学ギャップＥg(eV）の値に対応した黒
丸の位置にて各ＣＩＥ座標を示した。又、フィルタなし
の二重丸で示された位置は、従来のＺnＳ：Ｍn系発光層
を有する薄膜ＥＬディスプレイ素子のオレンジ色発光の
スペクトルを示している。光学ギャップが狭くなると共
に、オレンジ色から赤色へ色度が移行することが判る。
尚、光学ギャップが1.72eVの色度は、硫化亜鉛：サマリ
ウム(ＺnＳ：Ｓm)系発光層を有する薄膜ＥＬディスプレ
イ素子の発光スペクトルより赤色側にシフトしており、
現在最も色純度が良いとされている硫化カルシウム：ユ
ウロピウム(ＣaＳ：Ｅu)系発光層を有する薄膜ＥＬディ
スプレイ素子と並ぶものである。
（国際照明委員会）ｘｙ色度図の座標上にプロットした
図である。尚、光学ギャップＥg(eV）の値に対応した黒
丸の位置にて各ＣＩＥ座標を示した。又、フィルタなし
の二重丸で示された位置は、従来のＺnＳ：Ｍn系発光層
を有する薄膜ＥＬディスプレイ素子のオレンジ色発光の
スペクトルを示している。光学ギャップが狭くなると共
に、オレンジ色から赤色へ色度が移行することが判る。
尚、光学ギャップが1.72eVの色度は、硫化亜鉛：サマリ
ウム(ＺnＳ：Ｓm)系発光層を有する薄膜ＥＬディスプレ
イ素子の発光スペクトルより赤色側にシフトしており、
現在最も色純度が良いとされている硫化カルシウム：ユ
ウロピウム(ＣaＳ：Ｅu)系発光層を有する薄膜ＥＬディ
スプレイ素子と並ぶものである。
【００１６】図５は、本発明に係る薄膜ＥＬディスプレ
イ素子とフィルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子とに
おける印加電圧と輝度との関係を示した特性図である。
従来の硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)系発光層を有す
るフィルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子のオレンジ
色発光と比較して、本発明の硫化亜鉛：マンガン(Ｚn
Ｓ：Ｍn)系発光層を有するフィルタありの薄膜ＥＬディ
スプレイ素子は透過率が約20％と低い。このため、本発
明の薄膜ＥＬディスプレイ素子の赤色発光としての輝度
は450cd/m2（１ＫＨz 駆動）であるが発光開始電圧が 1
92Ｖから 171Ｖへ10％以上低減し、輝度の立ち上がりも
鋭くなっている。これは、赤色光透過フィルタ１７であ
るアモルファスシリコン(ａ-Ｓi)層が光起電力を持つた
め、発光開始と共に発光層への電荷注入量が増加するた
めと考えられる。本実施例の薄膜ＥＬディスプレイ素子
のオレンジ色発光の輝度は約2200cd/m2(１ＫＨz 駆動）
であるが、膜質などの改善によって輝度を向上すれば、
赤色発光もそれに伴って高輝度化することが可能であ
る。
イ素子とフィルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子とに
おける印加電圧と輝度との関係を示した特性図である。
従来の硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)系発光層を有す
るフィルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子のオレンジ
色発光と比較して、本発明の硫化亜鉛：マンガン(Ｚn
Ｓ：Ｍn)系発光層を有するフィルタありの薄膜ＥＬディ
スプレイ素子は透過率が約20％と低い。このため、本発
明の薄膜ＥＬディスプレイ素子の赤色発光としての輝度
は450cd/m2（１ＫＨz 駆動）であるが発光開始電圧が 1
92Ｖから 171Ｖへ10％以上低減し、輝度の立ち上がりも
鋭くなっている。これは、赤色光透過フィルタ１７であ
るアモルファスシリコン(ａ-Ｓi)層が光起電力を持つた
め、発光開始と共に発光層への電荷注入量が増加するた
めと考えられる。本実施例の薄膜ＥＬディスプレイ素子
のオレンジ色発光の輝度は約2200cd/m2(１ＫＨz 駆動）
であるが、膜質などの改善によって輝度を向上すれば、
赤色発光もそれに伴って高輝度化することが可能であ
る。
【００１７】次に、比較のため、前述の図７に示したよ
うな、フィルタなしの従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ
素子を作製した。即ち、本発明に係る薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１００から赤色光透過フィルタ１７を省き、発
光層１４を発光中心として三フッ化サマリウム(ＳmＦ3)
を１wt％添加した硫化亜鉛(ＺnＳ）をターゲットにし、
スパッタ法で作製した赤色発光層３３に替えているのみ
で、他の構造は同一であり、製法も同一である。このフ
ィルタなしの従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子に対
して同様な発光試験を行ったところ、輝度は約200cd/m2
と低く、色純度も図４の光学ギャップＥg=1.95eVの赤色
光透過フィルタを有する薄膜ＥＬディスプレイ素子と同
程度であった。
うな、フィルタなしの従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ
素子を作製した。即ち、本発明に係る薄膜ＥＬディスプ
レイ素子１００から赤色光透過フィルタ１７を省き、発
光層１４を発光中心として三フッ化サマリウム(ＳmＦ3)
を１wt％添加した硫化亜鉛(ＺnＳ）をターゲットにし、
スパッタ法で作製した赤色発光層３３に替えているのみ
で、他の構造は同一であり、製法も同一である。このフ
ィルタなしの従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子に対
して同様な発光試験を行ったところ、輝度は約200cd/m2
と低く、色純度も図４の光学ギャップＥg=1.95eVの赤色
光透過フィルタを有する薄膜ＥＬディスプレイ素子と同
程度であった。
【００１８】図６は、本発明に係る薄膜ＥＬディスプレ
イ素子の第２の実施例の縦断面を示した模式図である。
本実施例に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子５００は、第
１の実施例の赤色発光の薄膜ＥＬディスプレイ素子１０
０の構造上に、更に、第２の発光層２４を有する第２の
薄膜ＥＬディスプレイ素子２００を組み合わせて積層型
の薄膜ＥＬディスプレイ素子を構成している。尚、第１
の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の各層には
同じ符号を付してその説明を省略する。第２の薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子２０のガラス基板２１上（図面では下
側）には、酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る第３透明電極２２
及び五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第３絶縁層２３
を先の実施例と同一の方法で形成した。次に、その上に
第２の発光層２４がスパッタ法により形成した。第２の
発光層２４は、硫化亜鉛(ＺnＳ）を母体材料とし、発光
中心としてテルビウム：酸素：フッ素(ＴbＯＦ）を添加
したもので、グリーン色を発光する。第２の発光層２４
上には五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第４絶縁層２
５及び第４透明電極２６を上述の実施例と同一の方法で
形成した。第３、第４絶縁層２３，２４の膜厚は4500
Å、第２の発光層２４は8000Å、第３、第４透明電極２
２，２６は3000Åとした。
イ素子の第２の実施例の縦断面を示した模式図である。
本実施例に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子５００は、第
１の実施例の赤色発光の薄膜ＥＬディスプレイ素子１０
０の構造上に、更に、第２の発光層２４を有する第２の
薄膜ＥＬディスプレイ素子２００を組み合わせて積層型
の薄膜ＥＬディスプレイ素子を構成している。尚、第１
の実施例の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の各層には
同じ符号を付してその説明を省略する。第２の薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子２０のガラス基板２１上（図面では下
側）には、酸化亜鉛(ＺnＯ）から成る第３透明電極２２
及び五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第３絶縁層２３
を先の実施例と同一の方法で形成した。次に、その上に
第２の発光層２４がスパッタ法により形成した。第２の
発光層２４は、硫化亜鉛(ＺnＳ）を母体材料とし、発光
中心としてテルビウム：酸素：フッ素(ＴbＯＦ）を添加
したもので、グリーン色を発光する。第２の発光層２４
上には五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)から成る第４絶縁層２
５及び第４透明電極２６を上述の実施例と同一の方法で
形成した。第３、第４絶縁層２３，２４の膜厚は4500
Å、第２の発光層２４は8000Å、第３、第４透明電極２
２，２６は3000Åとした。
【００１９】上述の構造から成る薄膜ＥＬディスプレイ
素子５００では、第１の発光層１４又は第２の発光層２
４に電圧を印加することにより、それぞれ赤色、緑色の
発光色が得られる。更に、第１、第２の発光層１４，２
４を同時に発光させることにより、これらの混色である
アンバーの発光層が得られるので、これらを組み合わせ
ることにより、マルチカラー化が可能となる。
素子５００では、第１の発光層１４又は第２の発光層２
４に電圧を印加することにより、それぞれ赤色、緑色の
発光色が得られる。更に、第１、第２の発光層１４，２
４を同時に発光させることにより、これらの混色である
アンバーの発光層が得られるので、これらを組み合わせ
ることにより、マルチカラー化が可能となる。
【００２０】上記ガラス基板１１，２１は、吸湿を防ぐ
ため、シリコンオイルを真空注入して組み付けられてい
る。そして、赤色、緑色及びその中間色は、ガラス基板
２１側からの発光色である。又、上記構造において、第
２透明電極１６と第４透明電極２６は共通化してもかま
わない。即ち、第２透明電極１６を形成後、その上に直
接第４絶縁層２５、第２の発光層２４、第３絶縁層２
３、第３透明電極２２の順に積層し、ガラス基板２１
は、シリコンオイルを真空注入して組み付けるためのダ
ミーガラスとして使用することも可能である。
ため、シリコンオイルを真空注入して組み付けられてい
る。そして、赤色、緑色及びその中間色は、ガラス基板
２１側からの発光色である。又、上記構造において、第
２透明電極１６と第４透明電極２６は共通化してもかま
わない。即ち、第２透明電極１６を形成後、その上に直
接第４絶縁層２５、第２の発光層２４、第３絶縁層２
３、第３透明電極２２の順に積層し、ガラス基板２１
は、シリコンオイルを真空注入して組み付けるためのダ
ミーガラスとして使用することも可能である。
【００２１】上述の第１、第２の実施例では共に、従来
の薄膜ＥＬディスプレイ素子で見られるような水洗工程
などにおける膜剥離の現象は全く生じなかった。即ち、
水に対する溶解度が極めて大きい硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層
の形成が防止できた。又、赤色光透過フィルタ１７を透
過した赤色発光の輝度は約600cd/m2（１ＫＨz 駆動）と
十分実用に耐えるもので、高温プロセスを経ることによ
るフィルタ特性の変化や経時劣化も見られなかった。
の薄膜ＥＬディスプレイ素子で見られるような水洗工程
などにおける膜剥離の現象は全く生じなかった。即ち、
水に対する溶解度が極めて大きい硫酸亜鉛(ＺnＳＯ4)層
の形成が防止できた。又、赤色光透過フィルタ１７を透
過した赤色発光の輝度は約600cd/m2（１ＫＨz 駆動）と
十分実用に耐えるもので、高温プロセスを経ることによ
るフィルタ特性の変化や経時劣化も見られなかった。
【００２２】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 赤色光透過フィルタ１７は、アモルファスシリコン
(ａ-Ｓi)の他に、微結晶シリコン、多結晶シリコン、Ｓ
iaＸb(Ｘ：炭素(Ｃ),錫(Ｓn)，ゲルマニウム（Ｇe)より
択一）で表されるシリコン合金であるＳiＣ,ＳiＳn,Ｓi
Ｇe 及びその微結晶、多結晶体で構成することができ
る。 (2) 第１、第２、第３、第４絶縁層１３，１５，２３，
２５は五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)で構成したが、Ａl2Ｏ
3,Ｓi3Ｎ4,ＰbＴiＯ3,Ｙ2Ｏ3で構成しても良い。 (3) 発光層を、１層、２層の他に３層以上、例えば、Ｒ
ＧＢをそれぞれ発光する３つの発光層を重ねた薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子ではフルカラー化が可能となる。 (4) 赤色光透過フィルタは複層としても良い。例えば、
透明電極側に、光学ギヤップが大きい層を形成し、絶縁
層側に向けて段階的に光学ギヤップが小さくなるよう順
次積層するようにしても良い。このような構成とした薄
膜ＥＬディスプレイ素子では発光層への電荷注入効率が
更に改善できる。 (5) 赤色光透過フィルタの挿入位置は、発光層と第２絶
縁層との間に限定されることなく、発光層より光取り出
し側ならば良い。例えば、第２絶縁層と第２透明電極と
の間、又、電荷注入効率の改善を期待しなければ、第２
透明電極上に形成しても構わない。 (6) ガラス基板側から光を取り出す場合には、赤色光透
過フィルタは、第１絶縁層と発光層との間などの他に、
ガラス基板側の第１透明電極と反対側に形成してもフィ
ルタの効果を得ることが可能である。
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 赤色光透過フィルタ１７は、アモルファスシリコン
(ａ-Ｓi)の他に、微結晶シリコン、多結晶シリコン、Ｓ
iaＸb(Ｘ：炭素(Ｃ),錫(Ｓn)，ゲルマニウム（Ｇe)より
択一）で表されるシリコン合金であるＳiＣ,ＳiＳn,Ｓi
Ｇe 及びその微結晶、多結晶体で構成することができ
る。 (2) 第１、第２、第３、第４絶縁層１３，１５，２３，
２５は五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)で構成したが、Ａl2Ｏ
3,Ｓi3Ｎ4,ＰbＴiＯ3,Ｙ2Ｏ3で構成しても良い。 (3) 発光層を、１層、２層の他に３層以上、例えば、Ｒ
ＧＢをそれぞれ発光する３つの発光層を重ねた薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子ではフルカラー化が可能となる。 (4) 赤色光透過フィルタは複層としても良い。例えば、
透明電極側に、光学ギヤップが大きい層を形成し、絶縁
層側に向けて段階的に光学ギヤップが小さくなるよう順
次積層するようにしても良い。このような構成とした薄
膜ＥＬディスプレイ素子では発光層への電荷注入効率が
更に改善できる。 (5) 赤色光透過フィルタの挿入位置は、発光層と第２絶
縁層との間に限定されることなく、発光層より光取り出
し側ならば良い。例えば、第２絶縁層と第２透明電極と
の間、又、電荷注入効率の改善を期待しなければ、第２
透明電極上に形成しても構わない。 (6) ガラス基板側から光を取り出す場合には、赤色光透
過フィルタは、第１絶縁層と発光層との間などの他に、
ガラス基板側の第１透明電極と反対側に形成してもフィ
ルタの効果を得ることが可能である。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る薄膜ＥＬディ
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】同実施例の薄膜ＥＬディスプレイ素子で使用さ
れているフィルタの分光光度計による可視光透過曲線を
示した特性図である。
れているフィルタの分光光度計による可視光透過曲線を
示した特性図である。
【図３】種々の光学ギャップを有するアモルファスシリ
コン系フィルタを用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子の発
光スペクトルを示した特性図である。
コン系フィルタを用いた薄膜ＥＬディスプレイ素子の発
光スペクトルを示した特性図である。
【図４】図３の発光スペクトルをＣＩＥｘｙ色度図の座
標上にプロットした図である。
標上にプロットした図である。
【図５】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子とフィ
ルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子とにおける印加電
圧と輝度との関係を示した特性図である。
ルタなしの薄膜ＥＬディスプレイ素子とにおける印加電
圧と輝度との関係を示した特性図である。
【図６】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の他の
実施例の縦断面を示した模式図である。
実施例の縦断面を示した模式図である。
【図７】従来の薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示
した模式図である。
した模式図である。
１１−ガラス基板（絶縁性基板） １２−第１透明電
極（第１電極） １３−第１絶縁層 １４−発光層 １５−第２絶縁
層 １６−第２透明電極（第２電極） １７−赤色光透過
フィルタ（フィルタ） １００−薄膜ＥＬディスプレイ素子
極（第１電極） １３−第１絶縁層 １４−発光層 １５−第２絶縁
層 １６−第２透明電極（第２電極） １７−赤色光透過
フィルタ（フィルタ） １００−薄膜ＥＬディスプレイ素子
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−105897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−10494（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−273496（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−201390（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−168997（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−168998（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第１電極、第１絶縁層、
硫化亜鉛：マンガン(ＺnＳ：Ｍn)から成る発光層、第２
絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り出し側の材料
を光学的に透明なものにて順次積層し形成した薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子であって、 前記発光層からの光を目視する光取り出し側にシリコン
又はシリコン合金にて形成されたフィルタを備え、該フ
ィルタは前記発光層からの発光色のうち赤色成分を透過
する特性を有しており、これにより該赤色光透過フィル
タを通して目視される、前記発光層からの発光色を赤色
とすることを特徴とする薄膜ＥＬディスプレイ素子。 - 【請求項２】 前記赤色光透過フィルタは、前記発光層
と前記第１絶縁層又は前記第２絶縁層との間に配置され
ていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子。 - 【請求項３】 前記赤色光透過フィルタの光学ギャップ
は1.72eVであることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の薄膜ＥＬディスプレイ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03334180A JP3127025B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
| US08/197,492 US5539424A (en) | 1991-11-22 | 1994-02-16 | Thin-film electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03334180A JP3127025B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144571A JPH05144571A (ja) | 1993-06-11 |
| JP3127025B2 true JP3127025B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=18274435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03334180A Expired - Lifetime JP3127025B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5539424A (ja) |
| JP (1) | JP3127025B2 (ja) |
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| US5837390A (en) * | 1995-05-10 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Metal complex, method for producing the same and optical device |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| KR100354823B1 (ko) * | 1999-09-10 | 2002-10-04 | 전자부품연구원 | 투명 절연층을 이용한 후막형 전계 발광 소자 |
| JP4131218B2 (ja) | 2003-09-17 | 2008-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル、及び表示装置 |
| DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
| CN104396346B (zh) | 2012-06-21 | 2017-05-10 | Beneq有限公司 | 透明无机薄膜电致发光显示器元件及其制造方法 |
| US10448481B2 (en) * | 2017-08-15 | 2019-10-15 | Davorin Babic | Electrically conductive infrared emitter and back reflector in a solid state source apparatus and method of use thereof |
Family Cites Families (20)
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|---|---|---|---|---|
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| US2685365A (en) * | 1953-08-19 | 1954-08-03 | Louis I Sieven | Tissue roll and support therefor |
| US2790608A (en) * | 1953-10-07 | 1957-04-30 | Louis I Sieven | Supporting bracket for a roll |
| US2872124A (en) * | 1954-11-19 | 1959-02-03 | Louis I Sieven | Spare tissue roll bracket |
| US3038677A (en) * | 1959-03-30 | 1962-06-12 | Stevens & Thompson Paper Co | Toilet tissue holding and dispensing device |
| US3297265A (en) * | 1965-08-26 | 1967-01-10 | Jerome C Turro | Holder for reserve toilet tissue roll |
| US3837595A (en) * | 1973-05-01 | 1974-09-24 | P Boone | Supplemental sheet-dispensing device for a toilet-tissue dispenser |
| US3848822A (en) * | 1973-06-04 | 1974-11-19 | P Boone | Dispensing device |
| US3834636A (en) * | 1973-11-15 | 1974-09-10 | R Linick | Extensible toilet tissue roll holder |
| US4103838A (en) * | 1977-02-07 | 1978-08-01 | Young Ernest V | Adjustable toilet paper holder |
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| US4713493A (en) * | 1985-10-11 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
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