JPH0152878B2 - - Google Patents
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- JPH0152878B2 JPH0152878B2 JP59087363A JP8736384A JPH0152878B2 JP H0152878 B2 JPH0152878 B2 JP H0152878B2 JP 59087363 A JP59087363 A JP 59087363A JP 8736384 A JP8736384 A JP 8736384A JP H0152878 B2 JPH0152878 B2 JP H0152878B2
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 229910002616 GeOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面薄型デイスプレイ・デバイスと
して、コンピユータの出力表示端末機器その他
種々の表示装置に文字、記号及び図形等の静止画
像、動画像を表示する手段として利用される薄膜
EL素子に関し、より詳しくはコントラストを向
上させた薄膜EL素子に関する。
して、コンピユータの出力表示端末機器その他
種々の表示装置に文字、記号及び図形等の静止画
像、動画像を表示する手段として利用される薄膜
EL素子に関し、より詳しくはコントラストを向
上させた薄膜EL素子に関する。
従来、この種の薄膜EL素子としては、第１図
ａ，ｂ及びｃに示すものが紹介されており、同図
において、１はガラス基板、２はIn2O3、SnO2等
からなる透明電極、３はY2O3、Ta2O5等からな
る第１誘電体層、４は発光中心として0.1〜2.0wt
％Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br等）をドープ
したZnS（又はZnSe等）からなる発光層、５は
Y2O3、Ta2O5等からなる第２誘電体層、６はAl
等からなる背面電極、７はCdTeからなる光吸収
層、及び８はAl低級酸化物とAlとの多層膜から
なる複合電極である。ここで、透明電極２はガラ
ス基板１上に複数帯状に平行配列され、背面電極
６と複合電極８は透明電極２と直交する方向に複
数帯状に平行配列されており、透明電極２と背面
電極６又は複合電極８とが平面図的に見て交叉し
た位置がパネルの１絵素に相当する。そして、電
極２，６（又は８）間にAC電圧を印加すること
により、発光層４内に発生した電界によつて伝導
帯に励起され且つ加速されて充分なエネルギーを
得た電子が、直接Mn発光中心を励起し、この励
起されたMn発光中心が基底状態に戻る際に黄色
の発光を呈する。その際、光吸収層７は、ガラス
基板１側から入射した外部光を吸収して、薄膜
EL素子のコントラストを高くする。
ａ，ｂ及びｃに示すものが紹介されており、同図
において、１はガラス基板、２はIn2O3、SnO2等
からなる透明電極、３はY2O3、Ta2O5等からな
る第１誘電体層、４は発光中心として0.1〜2.0wt
％Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br等）をドープ
したZnS（又はZnSe等）からなる発光層、５は
Y2O3、Ta2O5等からなる第２誘電体層、６はAl
等からなる背面電極、７はCdTeからなる光吸収
層、及び８はAl低級酸化物とAlとの多層膜から
なる複合電極である。ここで、透明電極２はガラ
ス基板１上に複数帯状に平行配列され、背面電極
６と複合電極８は透明電極２と直交する方向に複
数帯状に平行配列されており、透明電極２と背面
電極６又は複合電極８とが平面図的に見て交叉し
た位置がパネルの１絵素に相当する。そして、電
極２，６（又は８）間にAC電圧を印加すること
により、発光層４内に発生した電界によつて伝導
帯に励起され且つ加速されて充分なエネルギーを
得た電子が、直接Mn発光中心を励起し、この励
起されたMn発光中心が基底状態に戻る際に黄色
の発光を呈する。その際、光吸収層７は、ガラス
基板１側から入射した外部光を吸収して、薄膜
EL素子のコントラストを高くする。
しかしながら、第１図ａによる薄膜EL素子は、
第２図の曲線ａで示す通り、印加電圧に対する発
光輝度の立ち上りがゆるやかであり、発光輝度を
高くするためには、印加電圧を相当高くしなけれ
ばならず、また絶縁性の光吸収層７を介在してい
るために、高電界を加えた場合に絶縁破壊を起こ
しやすい欠点があつた。次に、第１図ｂによる薄
膜EL素子は、第２図の曲線ｂで示す通り、発光
開始電圧が高くなる欠点と、前述したと同様な理
由で高電界を加えた場合に絶縁破壊を起こしやす
い欠点があつた。そして、第１図Ｃによる薄膜
EL素子は、第２図の曲線ｃで示す通り発光開始
電圧が比較的低くなる利点と、電界が加わる領域
に前述したような絶縁性の光吸収層７が存在して
いないために、絶縁破壊が起こりにくい構造であ
る利点とがあるものの、主目的であるコントラス
トが充分に得られていなかつた。すなわち、この
薄膜EL素子は、第２誘電体層５と複合電極８と
の間の反射率が約19％もあるために、薄膜EL素
子の発光輝度Ｂの６倍以上の光強度Ｉの入射光が
あつた場合、そのコントラスト比Ｃは後述する式
(3)により、２より小さくなり、表示品位が低下す
る欠点があつた。
第２図の曲線ａで示す通り、印加電圧に対する発
光輝度の立ち上りがゆるやかであり、発光輝度を
高くするためには、印加電圧を相当高くしなけれ
ばならず、また絶縁性の光吸収層７を介在してい
るために、高電界を加えた場合に絶縁破壊を起こ
しやすい欠点があつた。次に、第１図ｂによる薄
膜EL素子は、第２図の曲線ｂで示す通り、発光
開始電圧が高くなる欠点と、前述したと同様な理
由で高電界を加えた場合に絶縁破壊を起こしやす
い欠点があつた。そして、第１図Ｃによる薄膜
EL素子は、第２図の曲線ｃで示す通り発光開始
電圧が比較的低くなる利点と、電界が加わる領域
に前述したような絶縁性の光吸収層７が存在して
いないために、絶縁破壊が起こりにくい構造であ
る利点とがあるものの、主目的であるコントラス
トが充分に得られていなかつた。すなわち、この
薄膜EL素子は、第２誘電体層５と複合電極８と
の間の反射率が約19％もあるために、薄膜EL素
子の発光輝度Ｂの６倍以上の光強度Ｉの入射光が
あつた場合、そのコントラスト比Ｃは後述する式
(3)により、２より小さくなり、表示品位が低下す
る欠点があつた。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたも
のであり、本発明の目的は、印加電圧−発光輝度
特性を良好に維持することと、絶縁破壊を起こし
にくくすることと、コントラストを向上すること
を同時に満足する新規な薄膜EL素子を提供する
ことである。
のであり、本発明の目的は、印加電圧−発光輝度
特性を良好に維持することと、絶縁破壊を起こし
にくくすることと、コントラストを向上すること
を同時に満足する新規な薄膜EL素子を提供する
ことである。
本発明は上記の目的を達成するためになされた
ものであり、電圧印加によりEL発光を呈する発
光層と、入射光を光吸収する光吸収層とを透明電
極と背面電極との間に介在してなる薄膜EL素子
において、前記光吸収層がゲルマニウムの低級酸
化物（GeOx：０＜ｘ＜２）からなり、かつ前記
背面電極及び前記背面電極の間隙の下方に形成さ
れていることを特徴とする薄膜EL素子である。
ものであり、電圧印加によりEL発光を呈する発
光層と、入射光を光吸収する光吸収層とを透明電
極と背面電極との間に介在してなる薄膜EL素子
において、前記光吸収層がゲルマニウムの低級酸
化物（GeOx：０＜ｘ＜２）からなり、かつ前記
背面電極及び前記背面電極の間隙の下方に形成さ
れていることを特徴とする薄膜EL素子である。
ここで、光吸収率Ａは光吸収層の光吸収係数α
及び膜厚ｄに関係し、次の式(1)で表わされる。
及び膜厚ｄに関係し、次の式(1)で表わされる。
Ａ＝１−exp（−αd） ……(1)
そして、光吸収率Ａはコントラスト効果を奏す
る上で、波長580nmにおいて80％以上であること
が望ましく、そのためには光吸収係数αと膜厚ｄ
の積が大きい程良いが、膜厚ｄの実用範囲が光吸
収効果及び蒸着時間等を考慮して500〜5000Åで
あり、その最大値5000Åに対する光吸収係数αの
最小値は、式(1)により3.3×104cm-1となり、結
局、実用的な光吸収係数αは波長580nmにおいて
3.3×104cm-1以上であることが望ましい。
る上で、波長580nmにおいて80％以上であること
が望ましく、そのためには光吸収係数αと膜厚ｄ
の積が大きい程良いが、膜厚ｄの実用範囲が光吸
収効果及び蒸着時間等を考慮して500〜5000Åで
あり、その最大値5000Åに対する光吸収係数αの
最小値は、式(1)により3.3×104cm-1となり、結
局、実用的な光吸収係数αは波長580nmにおいて
3.3×104cm-1以上であることが望ましい。
そして、この光吸収係数αを小→大の方向に制
御する手段としては、後述する実施例の蒸着条件
において、温度を高温→低温、酸素分圧を大→小
（酸素ガス導入量を多→少）、蒸着速度を低→高の
方向にそれぞれ変えればよい。
御する手段としては、後述する実施例の蒸着条件
において、温度を高温→低温、酸素分圧を大→小
（酸素ガス導入量を多→少）、蒸着速度を低→高の
方向にそれぞれ変えればよい。
本実施例による薄膜EL素子は、第３図に示す
ようにアルミノシリケートガラス（(株)保谷硝子
製：NA−40）からなるガラス基板９上に、スズ
酸化物を混入した酸化インジウムからなる透明電
極１０（膜厚：2000Å）と、Y2O3からなる第１
誘電体層１１（膜厚：3000Å）と、活性物質とし
て0.5wt％のMnを添加したZnS：Mn焼結ペレツ
トを素材にした発光層１２（膜厚：6000Å）と、
Y2O3からなる第２誘電体層１３（膜厚：3000Å）
とを順次真空蒸着法により成膜した。そして、温
度350℃、５×10-5Torrの酸素分圧下で（高真空
にした後、酸素ガスを導入して５×10-5Torrの
酸素雰囲気状態にしている。）、Geをターゲツト
として電子ビームにより加熱して、蒸着速度１
Å／secで反応性真空蒸着し、Geの低級酸化物
（GeOx：０＜ｘ＜２）からなる光吸収層１４
（膜厚：1000Å）を前述した第２誘電体層１３上
に成膜した。次に、Alからなる背面電極１５
（膜厚：3000Å）を光吸収層１４上に、そして、
ガラス基板９表面からの光反射を低減させるため
に、MgF2からなる反射防止層１６（膜厚：1000
Å）をガラス基板９の光取り出し側に、それぞれ
真空蒸着法により成膜した。なお、透明電極１０
と背面電極１５は、第１図に示したものと同様、
互いに直交するように複数帯状に配列させた。ま
た、光吸収層１４は第３図に示したように、背面
電極１５の下方、及び背面電極１５の間隙Ｇの下
方に形成されている。
ようにアルミノシリケートガラス（(株)保谷硝子
製：NA−40）からなるガラス基板９上に、スズ
酸化物を混入した酸化インジウムからなる透明電
極１０（膜厚：2000Å）と、Y2O3からなる第１
誘電体層１１（膜厚：3000Å）と、活性物質とし
て0.5wt％のMnを添加したZnS：Mn焼結ペレツ
トを素材にした発光層１２（膜厚：6000Å）と、
Y2O3からなる第２誘電体層１３（膜厚：3000Å）
とを順次真空蒸着法により成膜した。そして、温
度350℃、５×10-5Torrの酸素分圧下で（高真空
にした後、酸素ガスを導入して５×10-5Torrの
酸素雰囲気状態にしている。）、Geをターゲツト
として電子ビームにより加熱して、蒸着速度１
Å／secで反応性真空蒸着し、Geの低級酸化物
（GeOx：０＜ｘ＜２）からなる光吸収層１４
（膜厚：1000Å）を前述した第２誘電体層１３上
に成膜した。次に、Alからなる背面電極１５
（膜厚：3000Å）を光吸収層１４上に、そして、
ガラス基板９表面からの光反射を低減させるため
に、MgF2からなる反射防止層１６（膜厚：1000
Å）をガラス基板９の光取り出し側に、それぞれ
真空蒸着法により成膜した。なお、透明電極１０
と背面電極１５は、第１図に示したものと同様、
互いに直交するように複数帯状に配列させた。ま
た、光吸収層１４は第３図に示したように、背面
電極１５の下方、及び背面電極１５の間隙Ｇの下
方に形成されている。
このように製作した本例の薄膜EL素子の透明
電極１０と背面電極１５間に交流電圧（周波数
100Hz正弦波）を印加することにより、ピーク波
長580nmで黄色に発光し、そのときの発光輝度は
150cd／m2であつた。そして、本例の光吸収層１
４のシート抵抗は約109Ω／□もあることから、
背面電極１５の存在部分以外が発光すること、す
なわち背面電極１５の間隙部分が発光することに
よるクロストークの発生を防止している。
電極１０と背面電極１５間に交流電圧（周波数
100Hz正弦波）を印加することにより、ピーク波
長580nmで黄色に発光し、そのときの発光輝度は
150cd／m2であつた。そして、本例の光吸収層１
４のシート抵抗は約109Ω／□もあることから、
背面電極１５の存在部分以外が発光すること、す
なわち背面電極１５の間隙部分が発光することに
よるクロストークの発生を防止している。
また、本例の光吸収層１４の光吸収係数αは２
×105cm-1であることから、光吸収率Ａは前述し
た式(1)により86％であつた。そして、このように
光吸収層１４が充分に高い光吸収率Ａを有するた
め、背面電極１５の下方の光吸収層１４の部分、
及び背面電極１５の間隙Ｇの下方の光吸収層１４
の部分で薄膜EL素子への入射光を充分に吸収し、
この結果、背面電極１５の存在部分とその間隙部
分とで分光反射率特性が異なつてばらつくことに
より、背面電極１５の存在部分とその間隙部分と
がガラス基板９側から区別して見えることを防止
し、薄膜EL素子の外観上の品位を向上させる。
×105cm-1であることから、光吸収率Ａは前述し
た式(1)により86％であつた。そして、このように
光吸収層１４が充分に高い光吸収率Ａを有するた
め、背面電極１５の下方の光吸収層１４の部分、
及び背面電極１５の間隙Ｇの下方の光吸収層１４
の部分で薄膜EL素子への入射光を充分に吸収し、
この結果、背面電極１５の存在部分とその間隙部
分とで分光反射率特性が異なつてばらつくことに
より、背面電極１５の存在部分とその間隙部分と
がガラス基板９側から区別して見えることを防止
し、薄膜EL素子の外観上の品位を向上させる。
次に、第２誘電体層１３の屈折率n1は1.9、光
吸収層１４の屈折率n2は3.8、その消衰係数k2は
0.8であることから、第２誘電体層１３と光吸収
層１４の界面でのガラス基板９側への戻り光にお
ける反射率r1は、次の式(2)より12.8％であつて、
これ自体可なり小さい値である。
吸収層１４の屈折率n2は3.8、その消衰係数k2は
0.8であることから、第２誘電体層１３と光吸収
層１４の界面でのガラス基板９側への戻り光にお
ける反射率r1は、次の式(2)より12.8％であつて、
これ自体可なり小さい値である。
r1＝（n1−n2）2＋k2 2／（n1＋n2）2＋k2 2……(2)
また、光吸収層１４を通つて、この光吸収層１
４と背面電極１５の界面でのガラス基板９側への
戻り光は、光吸収層１４を２回通過することか
ら、exp（−2αd）＝0.018となり、２％以下に減衰
する。
４と背面電極１５の界面でのガラス基板９側への
戻り光は、光吸収層１４を２回通過することか
ら、exp（−2αd）＝0.018となり、２％以下に減衰
する。
このように本例では、第２誘電体層１３と光吸
収層１４の界面での光反射を少なくすることと、
光吸収層１４と背面電極１５の界面で反射する光
の大部分を光吸収層１４内で吸収してしまうこと
により、背面電極１５の存在部分の反射率を低く
し、また前述したように背面電極１５の間隙Ｇの
下方に光吸収層１４の部分を形成し入射光を吸収
していることにより、背面電極１５の間隙部分の
反射率を低くし、この結果、全体的な薄膜EL素
子の反射率を低くしている。
収層１４の界面での光反射を少なくすることと、
光吸収層１４と背面電極１５の界面で反射する光
の大部分を光吸収層１４内で吸収してしまうこと
により、背面電極１５の存在部分の反射率を低く
し、また前述したように背面電極１５の間隙Ｇの
下方に光吸収層１４の部分を形成し入射光を吸収
していることにより、背面電極１５の間隙部分の
反射率を低くし、この結果、全体的な薄膜EL素
子の反射率を低くしている。
以上のようにして反射率を低くした本例の薄膜
EL素子のガラス基板９側での反射率特性は、第
４図の曲線ｄで示され、波長400〜700nmにおけ
る平均反射率は７％であり、低い値であつた。ま
た、コントラスト比Ｃが次の式(3)で表わされ、か
つ、上記たように薄膜EL素子の反射率ｒ低くし
ていることから、コントラストを向上させてい
る。
EL素子のガラス基板９側での反射率特性は、第
４図の曲線ｄで示され、波長400〜700nmにおけ
る平均反射率は７％であり、低い値であつた。ま
た、コントラスト比Ｃが次の式(3)で表わされ、か
つ、上記たように薄膜EL素子の反射率ｒ低くし
ていることから、コントラストを向上させてい
る。
Ｃ＝（Ｉ・ｒ＋Ｂ）／（Ｉ・ｒ）……(3)
〔ここで、Ｉは入射光強度（cd／m2）、ｒは薄膜
EL素子の反射率及びＢは発光輝度である。〕そし
て、本例の薄膜EL素子について、そのコントラ
スト特性は第５図の曲線ｅで示され、本発明の光
吸収層１４を成膜しない薄膜EL素子の曲線ｆと
比較して大幅にコントラストを向上させているこ
とが分る。
EL素子の反射率及びＢは発光輝度である。〕そし
て、本例の薄膜EL素子について、そのコントラ
スト特性は第５図の曲線ｅで示され、本発明の光
吸収層１４を成膜しない薄膜EL素子の曲線ｆと
比較して大幅にコントラストを向上させているこ
とが分る。
一方、印加電圧−発光輝度特性については、本
発明の光吸収層１４の比抵抗が１０4Ω-cmであ
り、比較的低いことから、印加電圧が実質的に第
１誘電体層１１と第２誘電体層１３間に作用し、
前述した第２図の曲線ｃと同様になり、発光開始
電圧も低く維持することができ、絶縁破壊を防止
することができる。
発明の光吸収層１４の比抵抗が１０4Ω-cmであ
り、比較的低いことから、印加電圧が実質的に第
１誘電体層１１と第２誘電体層１３間に作用し、
前述した第２図の曲線ｃと同様になり、発光開始
電圧も低く維持することができ、絶縁破壊を防止
することができる。
本発明は以上の実施例に使用した各物質以外
に、ガラス基板についてはソーダライムガラス等
の多成分系ガラス又は石英ガラス、透明電極につ
いはIn2O3若しくはこれにＷを添加したもの又は
SnO2にSb、Ｆ等を添加したもの、第１誘電体層
及び第２誘電体層についてはTa2O5、Al2O3、
HfO2等の酸化物又はSi3N4等の窒化物、発光層に
ついてはZnS：Cu、ZnS：Al（何れも黄緑色発
光）、Zn（Ｓ・Se）：Cu、Zn（Ｓ・Se）：Br（何れ
も緑色発光）、ZnS：Sm（赤色発光）、ZnS：Tb
（緑色発光）、ZnS：Tm（青色発光）、背面電極に
ついてはTa、Mo、Fe、Ni、NiCr等の金属をそ
れぞれ使用してもよい。
に、ガラス基板についてはソーダライムガラス等
の多成分系ガラス又は石英ガラス、透明電極につ
いはIn2O3若しくはこれにＷを添加したもの又は
SnO2にSb、Ｆ等を添加したもの、第１誘電体層
及び第２誘電体層についてはTa2O5、Al2O3、
HfO2等の酸化物又はSi3N4等の窒化物、発光層に
ついてはZnS：Cu、ZnS：Al（何れも黄緑色発
光）、Zn（Ｓ・Se）：Cu、Zn（Ｓ・Se）：Br（何れ
も緑色発光）、ZnS：Sm（赤色発光）、ZnS：Tb
（緑色発光）、ZnS：Tm（青色発光）、背面電極に
ついてはTa、Mo、Fe、Ni、NiCr等の金属をそ
れぞれ使用してもよい。
以上の通り本発明によれば、薄膜EL素子の反
射率を低くしていることによりコントラストを向
上させ、かつ、光吸収層の比抵抗が低いことによ
り発光開始電圧を低くし印加電圧−発光輝度特性
を良好に維持するとともに、絶縁破壊を防止する
ことができる。さらに、本発明によれば背面電極
の下方及び背面電極の間隙の下方に高い光吸収率
を有する光吸収層を形成していることにより、背
面電極の存在部分とその間隙部分とが区別して見
えることを防止し、薄膜EL素子の外観上の品位
を向上させることができる。
射率を低くしていることによりコントラストを向
上させ、かつ、光吸収層の比抵抗が低いことによ
り発光開始電圧を低くし印加電圧−発光輝度特性
を良好に維持するとともに、絶縁破壊を防止する
ことができる。さらに、本発明によれば背面電極
の下方及び背面電極の間隙の下方に高い光吸収率
を有する光吸収層を形成していることにより、背
面電極の存在部分とその間隙部分とが区別して見
えることを防止し、薄膜EL素子の外観上の品位
を向上させることができる。
第１図は従来の薄膜EL素子を示す断面図、第
２図は従来の薄膜EL素子における印加電圧−発
光輝度特性図、第３図は本発明の薄膜EL素子を
示す断面図、第４図は本発明の薄膜EL素子にお
ける反射率特性図、及び第５図は本発明の薄膜
EL素子におけるコントラスト特性図である。 ９……ガラス基板、１０……透明電極、１１…
…第１誘電体層、１２……発光層、１３……第２
誘電体層、１４……光吸収層、１５……背面電
極、Ｇ……間隙。
２図は従来の薄膜EL素子における印加電圧−発
光輝度特性図、第３図は本発明の薄膜EL素子を
示す断面図、第４図は本発明の薄膜EL素子にお
ける反射率特性図、及び第５図は本発明の薄膜
EL素子におけるコントラスト特性図である。 ９……ガラス基板、１０……透明電極、１１…
…第１誘電体層、１２……発光層、１３……第２
誘電体層、１４……光吸収層、１５……背面電
極、Ｇ……間隙。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電圧印加によりEL発光を呈する発光層と、
入射光を光吸収する光吸収層とを透明電極と背面
電極との間に介在してなる薄膜EL素子において、
前記光吸収層がゲルマニウムの低級酸化物
（GeOx：０＜ｘ＜２）からなり、かつ前記背面
電極及び前記背面電極の間隙の下方に形成されて
いることを特徴とする薄膜EL素子。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記光吸収
層の光吸収係数が波長580nmにおいて3.3×104cm
-1以上であることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59087363A JPS60232696A (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US06/728,595 US4634639A (en) | 1984-04-30 | 1985-04-29 | Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59087363A JPS60232696A (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60232696A JPS60232696A (ja) | 1985-11-19 |
| JPH0152878B2 true JPH0152878B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=13912807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59087363A Granted JPS60232696A (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60232696A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293897A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | 日本精機株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS6310494A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | 株式会社小糸製作所 | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753094A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-29 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
-
1984
- 1984-04-30 JP JP59087363A patent/JPS60232696A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753094A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-29 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60232696A (ja) | 1985-11-19 |
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