JP2686170B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
この発明は、絶縁層をゾル−ゲル（sol−gel）法によ
って形成した薄膜EL素子に関する。
って形成した薄膜EL素子に関する。
従来、発光層を絶縁層ではさんだ二重絶縁構造の薄膜
EL素子は、ガラスなどの透明基板上に、SnO2やITOなど
で形成した透明電極と、SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5、T
iO2あるいはY2O3などの材料を用いた単層膜あるいは積
層膜からなる下部絶縁層と、ZnSなどの母体材料中にMn,
Tbなどの発光中心を添加した発光層と、下部絶縁層と同
様の材料からなる上部絶縁層と、Alなどの金属からなる
背面電極とを順次積層した構造をしている。
EL素子は、ガラスなどの透明基板上に、SnO2やITOなど
で形成した透明電極と、SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5、T
iO2あるいはY2O3などの材料を用いた単層膜あるいは積
層膜からなる下部絶縁層と、ZnSなどの母体材料中にMn,
Tbなどの発光中心を添加した発光層と、下部絶縁層と同
様の材料からなる上部絶縁層と、Alなどの金属からなる
背面電極とを順次積層した構造をしている。
従来、薄膜EL素子を構成する各層は、通常、蒸着法や
スパッタ法により形成されている。しかしながら、これ
らの方法は真空を用いるために、大型の装置が必要であ
り、また、真空排気に時間かかかるという問題がある。
特に、絶縁膜を形成するためによく用いられるスパッタ
法は、成膜速度が遅いため、必要な膜厚を得るには更に
時間がかかり、薄膜EL素子の低コスト化を妨げる原因の
１つになっている。 この問題を解決するために、真空を用いないゾル−ゲ
ル法による絶縁膜を薄膜EL素子に適用することが試みら
れている。 通常、ゾル−ゲル法で絶縁膜を形成する場合には、焼
成温度が高い程、気孔が少なく絶縁耐圧の大きな膜が得
られる。しかしながら、Al2O3やTiO2のよに比較的誘電
率の大きな絶縁膜を、ZnS:Mnなどの発光層上にゾル−ゲ
ル法により形成して薄膜EL素子を作成すると、高温で焼
成した場合、発光輝度が低くなったり、全く発光しない
という問題がある。 第２図は、Al2O3膜を上部絶縁層としてゾル−ゲル法
によりZnS:Mn発光層上に形成した場合の焼成温度の違い
による薄膜EL素子の発光特性の変化を調べた実験結果を
示す図である。焼成温度が300℃の場合は従来の素子と
同等の輝度−電圧特性が得られている。しかしながら、
この場合には、耐圧が低く、素子の信頼性に問題があっ
た。また、焼成温度が600℃の場合には、発光開始電圧
が極端に低くなり、輝度も低くなる。680℃では発光し
なかった。 一方、誘電率の小さいSiO2膜をゾル−ゲル法により形
成した場合には、高温で焼成しても発光輝度の低下とい
う問題は生じないが、駆動電圧が高くなったり、画素破
壊が生じ易く、信頼性に劣るという問題がある。 つまり、ゾル−ゲル法による絶縁膜の形成は、真空を
用いる必要がないため、大型の装置を用いることも、真
空排気することも不要となるので、膜形成時間を短縮す
ることができ、薄膜EL素子の製造費の低減を可能にする
ことができる反面、比較的誘電率の大きい絶縁膜の形成
においては、薄膜EL素子の輝度特性が焼成温度に大きく
影響されると共に、輝度特性が焼成温度の影響を受けな
い誘電率の小さいSiO2膜の場合には信頼性に劣るという
問題がある。 そこで、本発明の目的は、絶縁膜をゾル−ゲル法によ
り形成して薄膜EL素子を作製する場合、高い温度で焼成
を行っても良好な輝度特性が得られ、信頼性にも優れた
薄膜EL素子を提供することである。
スパッタ法により形成されている。しかしながら、これ
らの方法は真空を用いるために、大型の装置が必要であ
り、また、真空排気に時間かかかるという問題がある。
特に、絶縁膜を形成するためによく用いられるスパッタ
法は、成膜速度が遅いため、必要な膜厚を得るには更に
時間がかかり、薄膜EL素子の低コスト化を妨げる原因の
１つになっている。 この問題を解決するために、真空を用いないゾル−ゲ
ル法による絶縁膜を薄膜EL素子に適用することが試みら
れている。 通常、ゾル−ゲル法で絶縁膜を形成する場合には、焼
成温度が高い程、気孔が少なく絶縁耐圧の大きな膜が得
られる。しかしながら、Al2O3やTiO2のよに比較的誘電
率の大きな絶縁膜を、ZnS:Mnなどの発光層上にゾル−ゲ
ル法により形成して薄膜EL素子を作成すると、高温で焼
成した場合、発光輝度が低くなったり、全く発光しない
という問題がある。 第２図は、Al2O3膜を上部絶縁層としてゾル−ゲル法
によりZnS:Mn発光層上に形成した場合の焼成温度の違い
による薄膜EL素子の発光特性の変化を調べた実験結果を
示す図である。焼成温度が300℃の場合は従来の素子と
同等の輝度−電圧特性が得られている。しかしながら、
この場合には、耐圧が低く、素子の信頼性に問題があっ
た。また、焼成温度が600℃の場合には、発光開始電圧
が極端に低くなり、輝度も低くなる。680℃では発光し
なかった。 一方、誘電率の小さいSiO2膜をゾル−ゲル法により形
成した場合には、高温で焼成しても発光輝度の低下とい
う問題は生じないが、駆動電圧が高くなったり、画素破
壊が生じ易く、信頼性に劣るという問題がある。 つまり、ゾル−ゲル法による絶縁膜の形成は、真空を
用いる必要がないため、大型の装置を用いることも、真
空排気することも不要となるので、膜形成時間を短縮す
ることができ、薄膜EL素子の製造費の低減を可能にする
ことができる反面、比較的誘電率の大きい絶縁膜の形成
においては、薄膜EL素子の輝度特性が焼成温度に大きく
影響されると共に、輝度特性が焼成温度の影響を受けな
い誘電率の小さいSiO2膜の場合には信頼性に劣るという
問題がある。 そこで、本発明の目的は、絶縁膜をゾル−ゲル法によ
り形成して薄膜EL素子を作製する場合、高い温度で焼成
を行っても良好な輝度特性が得られ、信頼性にも優れた
薄膜EL素子を提供することである。
本発明者らは、第２図に示した焼成温度の違いによる
電圧−輝度特性の変化の原因を調べるために、オージェ
電子分光分析により、深さ方向の元素分析を行った。そ
の結果、第３図に示すように、680℃で焼成した場合に
は、ZnS:Mn発光層へAl原子やＯ原子が拡散していること
がわかった。 ところが、SiO2膜の場合は、前述したように、高温で
焼成しても、Al2O3膜やTiO2膜のように発光輝度の低下
は起こらない。つまり、膜中の原子の発光層への拡散が
起こらない。 そこで、本発明の薄膜EL素子は、基板上に透明電極、
下記絶縁層、発光層、上部絶縁層および背面電極を順次
積層してなり、上記下部絶縁層および上部絶縁層はゾル
−ゲル法により形成された薄膜EL素子において、上記上
部絶縁層は、SiO2膜からなる低誘電率絶縁膜と、上記低
誘電率絶縁膜の上に積層された高誘電率絶縁膜とからな
り、上記低誘電率絶縁膜は上記発光層に接触しているこ
とを特徴としている。
電圧−輝度特性の変化の原因を調べるために、オージェ
電子分光分析により、深さ方向の元素分析を行った。そ
の結果、第３図に示すように、680℃で焼成した場合に
は、ZnS:Mn発光層へAl原子やＯ原子が拡散していること
がわかった。 ところが、SiO2膜の場合は、前述したように、高温で
焼成しても、Al2O3膜やTiO2膜のように発光輝度の低下
は起こらない。つまり、膜中の原子の発光層への拡散が
起こらない。 そこで、本発明の薄膜EL素子は、基板上に透明電極、
下記絶縁層、発光層、上部絶縁層および背面電極を順次
積層してなり、上記下部絶縁層および上部絶縁層はゾル
−ゲル法により形成された薄膜EL素子において、上記上
部絶縁層は、SiO2膜からなる低誘電率絶縁膜と、上記低
誘電率絶縁膜の上に積層された高誘電率絶縁膜とからな
り、上記低誘電率絶縁膜は上記発光層に接触しているこ
とを特徴としている。
高い温度で焼成を行っても、低誘電率膜であるSiO2膜
によって、高誘電率絶縁膜中の例えばAl原子やＯ原子等
の発光層への拡散が防止されるので、素子特性が劣化し
ない。また、SiO2膜は上部絶縁層の一部を占めているだ
けなので、誘電率が小さくても、駆動電圧が高くなった
り、画素破壊が生じたりすることがなく、信頼性が得ら
れる。
によって、高誘電率絶縁膜中の例えばAl原子やＯ原子等
の発光層への拡散が防止されるので、素子特性が劣化し
ない。また、SiO2膜は上部絶縁層の一部を占めているだ
けなので、誘電率が小さくても、駆動電圧が高くなった
り、画素破壊が生じたりすることがなく、信頼性が得ら
れる。
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。 第１図は本発明の薄膜EL素子の一実施例を示した断面
図である。この図において、１はガラス基板、２はITO
からなる透明電極、３はAl2O3膜からなる下部絶縁層、
４はZnS:Mn膜からなる発光層、５は上記発光層４上に形
成されたSiO2膜5aとこのSiO2膜5a上に形成されたAl2O3
膜5bとからなる上部絶縁層、６はAlの背面電極である。 上記発光層４は電子ビーム蒸着法により、また、下部
絶縁層３および上部絶縁層５はゾル−ゲル法によって形
成したものである。 以下、下部絶縁層３および上部絶縁層５を構成するAl
2O3膜およびSiO2膜の形成材料および形成方法について
説明する。 Al2O3膜はトリブトキシアルミニウムAl（OC4H9）３、
トリエタノールアミン（C2H4OH）3NおよびエタノールC2
H5OHをモル比で1:1:20の割合で混合した溶液をスピンナ
ーで塗布した後、所定の温度で１時間、空気中で焼成し
た。また、SiO2膜は、テトラエトキシシランSi（OC
2H5）４、エタノールC2H5OHおよび水H2Oをモル比で1:2
0:1の割合で混合した溶液を用いて、Al2O3膜と同様の方
法で作成した。 上記構成の薄膜EL素子の輝度−電圧特性を調べたとこ
ろ、500℃以上の高温で焼成しても、スパッタ法や蒸着
法で絶縁層を形成した場合と同等の特性が得られた。第
２図にその結果を示す。これは、上部絶縁層５におい
て、Al2O3膜5b中のAl原子やＯ原子の発光層４への拡散
がSiO2膜5aによって阻止されたためである。 なお、上記実施例では絶縁膜3,5bをAl2O3膜によって
形成したが、テトラプロポキシチタンTi（OC3H7）４を
用いたTiO2膜やペンタブトキシタンタルTa（OC4H9）５
を用いたTa2O5膜等によって形成してもよい。
図である。この図において、１はガラス基板、２はITO
からなる透明電極、３はAl2O3膜からなる下部絶縁層、
４はZnS:Mn膜からなる発光層、５は上記発光層４上に形
成されたSiO2膜5aとこのSiO2膜5a上に形成されたAl2O3
膜5bとからなる上部絶縁層、６はAlの背面電極である。 上記発光層４は電子ビーム蒸着法により、また、下部
絶縁層３および上部絶縁層５はゾル−ゲル法によって形
成したものである。 以下、下部絶縁層３および上部絶縁層５を構成するAl
2O3膜およびSiO2膜の形成材料および形成方法について
説明する。 Al2O3膜はトリブトキシアルミニウムAl（OC4H9）３、
トリエタノールアミン（C2H4OH）3NおよびエタノールC2
H5OHをモル比で1:1:20の割合で混合した溶液をスピンナ
ーで塗布した後、所定の温度で１時間、空気中で焼成し
た。また、SiO2膜は、テトラエトキシシランSi（OC
2H5）４、エタノールC2H5OHおよび水H2Oをモル比で1:2
0:1の割合で混合した溶液を用いて、Al2O3膜と同様の方
法で作成した。 上記構成の薄膜EL素子の輝度−電圧特性を調べたとこ
ろ、500℃以上の高温で焼成しても、スパッタ法や蒸着
法で絶縁層を形成した場合と同等の特性が得られた。第
２図にその結果を示す。これは、上部絶縁層５におい
て、Al2O3膜5b中のAl原子やＯ原子の発光層４への拡散
がSiO2膜5aによって阻止されたためである。 なお、上記実施例では絶縁膜3,5bをAl2O3膜によって
形成したが、テトラプロポキシチタンTi（OC3H7）４を
用いたTiO2膜やペンタブトキシタンタルTa（OC4H9）５
を用いたTa2O5膜等によって形成してもよい。
以上の説明より明らかなように、本発明の薄膜EL素子
は下部絶縁層および上部絶縁層がゾル−ゲル法により形
成されるので、膜形成時間を短縮できて低コスト化を実
現できると共に、上記上部絶縁層を、SiO2膜からなる低
誘電率絶縁膜と、上記低誘電率絶縁膜の上に積層された
高誘電率絶縁膜とから形成し、上記低誘電率絶縁膜を上
記発光層に接触させているので、高い焼成温度によって
も発光特性が損なわれず、しかも信頼性にも優れたもの
となる。
は下部絶縁層および上部絶縁層がゾル−ゲル法により形
成されるので、膜形成時間を短縮できて低コスト化を実
現できると共に、上記上部絶縁層を、SiO2膜からなる低
誘電率絶縁膜と、上記低誘電率絶縁膜の上に積層された
高誘電率絶縁膜とから形成し、上記低誘電率絶縁膜を上
記発光層に接触させているので、高い焼成温度によって
も発光特性が損なわれず、しかも信頼性にも優れたもの
となる。
第１図は本発明の薄膜EL素子の一実施例の断面図、第２
図は上部絶縁層をAl2O3膜のみを用いて形成した薄膜EL
素子と第１図に示した実施例の薄膜EL素子の特性図、第
３図は上部絶縁層にAl2O3膜のみを用いて680℃で焼成し
た場合の薄膜EL素子の深さ方向の分析結果を示す図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……下部絶縁
層、４……発光層、５……上部絶縁層、5a……SiO2膜、
5b……Al2O3膜、６……背面電極。
図は上部絶縁層をAl2O3膜のみを用いて形成した薄膜EL
素子と第１図に示した実施例の薄膜EL素子の特性図、第
３図は上部絶縁層にAl2O3膜のみを用いて680℃で焼成し
た場合の薄膜EL素子の深さ方向の分析結果を示す図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……下部絶縁
層、４……発光層、５……上部絶縁層、5a……SiO2膜、
5b……Al2O3膜、６……背面電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−232296（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−88789（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−309292（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54895（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−177898（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に透明電極、下部絶縁層、発光層、
上部絶縁層および背面電極を順次積層してなり、上記下
部絶縁槽および上部絶縁層はゾル−ゲル法により形成さ
れた薄膜EL素子において、 上記上部絶縁層は、SiO2膜からなる低誘電率絶縁膜と、
上記低誘電率絶縁膜の上に積層された高誘電率絶縁膜と
からなり、上記低誘電率絶縁膜は上記発光層に接触して
いることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188813A JP2686170B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188813A JP2686170B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475295A JPH0475295A (ja) | 1992-03-10 |
| JP2686170B2 true JP2686170B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=16230264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188813A Expired - Lifetime JP2686170B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686170B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4528923B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2010-08-25 | 学校法人金沢工業大学 | Ｅｌ素子 |
| CN105244450A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-01-13 | 北京大学深圳研究生院 | 一种用于交流电场驱动的有机发光器件及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388789A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-19 | 日立化成工業株式会社 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
| JPH0824072B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1996-03-06 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| JPH01177898U (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-19 | ||
| JPH01309292A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0254895A (ja) * | 1988-08-20 | 1990-02-23 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
| JPH02132791A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2188813A patent/JP2686170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0475295A (ja) | 1992-03-10 |
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Legal Events
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