JPH0287685A - 化合物半導体発光素子 - Google Patents

化合物半導体発光素子

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JPH0287685A
JPH0287685A JP63240556A JP24055688A JPH0287685A JP H0287685 A JPH0287685 A JP H0287685A JP 63240556 A JP63240556 A JP 63240556A JP 24055688 A JP24055688 A JP 24055688A JP H0287685 A JPH0287685 A JP H0287685A
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light emitting
layer
compound semiconductor
conductive layer
emitting element
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Yoshitaka Tomomura
好隆 友村
Masahiko Kitagawa
雅彦 北川
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、化合物半導体発光素子に関し、ことに青色
発光を含む多色の高輝度発光素子、モノリシック表示装
置及び大面積発光表示装置に用いられろ。
（ロ）従来の技術 従来、化合物半導体発光素子は、例えば第６図に示すよ
うに、例えば、沃素輸送法により育成して得た高抵抗Ｚ
ｎＳバルク単結晶（抵抗率的１０”〜＋ｏ１５Ω・ａｍ
）を１０００°Ｃ程度の高温に保ったＺｎ９０％−Ａ’
２１０％の融液中で約１００時間にわたる熱処理を行っ
て抵抗率を１０〜ｌΩ・ｃｍまで低下させ、厚さを３０
０〜１ｆ）００μｍに加工して低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板５
３を作製し、この基板５３の上に、例えば、分子線エピ
タキシャル成長法（Ｍ　Ｂ　Ｅ法）を用いてＺｎＳにＡ
ＱあるいはＣｆ２等を添加してエピタキシャル成長を行
い抵抗率１０−”−１０°３Ω・ｃｆｆｌの低抵抗ｎ型
ＺｎＳ導電層５４を形成し、さらにこの上に、例えばＭ
ＢＥ法によって低抵抗ｎ型ＺｎＳ発光層及びＺｎＳ高抵
抗層５６を順次成長させ、基板５３の裏面にインジウム
を蒸着し、これを高純、度ガス雰囲気中で４５０℃にお
いて数秒から数分間の加熱処理を行ってオーミック電極
５２を、高抵抗ＺｎＳｎＳ層上６上を蒸着し電極５７を
形成し、リード線５１及び５８を適宜配設して製造して
いた。
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、上記のようにして製造１．た従来の化合物半導
体発光素子は、例えば基板側に微細な分離パターンを形
成し１００μｍ単位の微小発光素子チップを多数配設し
たモノリンツク表示素子を作製し、これに電流を流した
際、その損失の大部分が基板中で生じ、チップの直列抵
抗が高くなり、能力チップ間の絶縁性が低いという極め
て大きな問題があった。
そしてかかる問題は、ＧａＡｓ等の■−■族半導体基板
を用いた発光素子においてら同様に生じるものであった
。
この発明は、このような上記問題を解決するためになさ
れたものであり、簡便な製法によって発光素子間の絶縁
性を向上し発光素子電極間の抵抗を下げ、損失を防止し
て輝度の高い化合物半導体発光素子を礎供しようとする
しのである。
（ニ）課題を解決するための手段 この発明は、上記課題を解決すべく、化合物半導体基板
上にエピタキノヤル化合物半導体層を順次積層して発光
素子層を形成すると共に、これら発光素子層に外部から
電圧を印加できる少なくとも一対のｉｔ極を設けてなり
、上記（ヒ合物半導体基板が高抵抗性半導体であり、か
つ上記発光素子層を構成する半導体層のうち最下層！；
′）−、ｉに対し電極形成用のスペースを残してこの上
１こ半導体層を積層し、この最下層の上記スペース支び
最上層に電極を配設した構造とする手段を講こｆ二乙の
てうる。
このような化合物半導体発光素子：ま、例えば抵抗率１
０６〜ｒｏ１５Ω・ｃｍの高抵抗性化合物半導体基板の
上に、所定矩形状孔を有するマスクを設置し、例えば分
子線エピタキシャル成長法（’、、Ｉ　Ｂ　Ｅ法）を用
いて、まず最下層として販低抗半導体導電層を形成し、
この導電膜上に、電極形成部位を残して化合物半導体発
光層、化合物半導体高抵抗層又は化合物半導体導電層を
適宜積層して製造されろ。
ここでマスクの取扱いによって、次の２つのｇ６１があ
る。
第１の製法は、上記化合物半導体基板の上に、ｌ又は複
数の所定矩形状孔を有する金属薄膜からなるマスクを設
置し、まず最下層に化合物半導体導電層をエピタキシャ
ル成長させた後、この導電層上のＮ極形成部位をマスク
で覆うように上記マスクを移動させ、上記導電層上に化
合物半導体発光層を形成し、さらに化合物半導体高抵抗
層又は化合物半導体導電層をエピタキシャル成長させて
発光素子層を形成し、上記マスクを除去後、上記発光素
子層の、最下層を形成する上記導電層上の電極形成部位
と、最上層の化合物半導体高抵抗層又は化合物半導体導
電層の表面に電極を配設して行うことができる。
第２の製法は、上記化合物半導体基板上に、Ｉ又は複数
の所定矩形状孔を有する金属薄膜からなるマスクを上記
基板から所定間隔（通常ｌＯ〜５００μｍが適している
）だけ離して設置し、まず化合物半導体導電層をエピタ
キシャル成長させた後、上記マスクを設置した基板の分
子線照射方向に対する傾斜角を変化（通常５〜４５°が
適している）さけて上記導電層上の電極形成部位をマス
クし、上記導電層上に化合物半導体発光層を形成し、さ
らに化合物半導体高抵抗層又は化合物半導体導電７をエ
ピタキシャル成長させて発光素子層を形成し、上記マス
クを除去して上記発光素子層の最下層を形成する上記導
電層上の電極形成部位と最上層の化合物半導体抵抗層又
は化合物半導体導電層の表面に電極を配設して行うこと
かできろ。
このようにして得られ几発光素子層は、全て同一の平面
形状を有するエビタキノヤル化合物半導体層から構成さ
れることになり、上記最下層の電極形成部位は、通常最
下層表面５〜８０％か適している。
この発明における化合物半導体基板としては、ＺｎＳや
Ｚｎ５ｅ等のｆｆ−１７７族化合物半導体を、例えば沃
素輸送法、昇華法、あるいは高圧融解法により成長させ
たバルク単結晶より作成した基板やＧａＡｓ、　Ｇ２Ｌ
Ｐ　　Ｔ　ｎＰ等の［］Ｔ−Ｖ族化合物半導体が用いら
れ、沃素輸送法あるいは高圧溶融法により成長させたＺ
ｎ５ｏ　、　５ｓｅｏ　、　ｓ結晶を用いた場合には基
板は黄色あるいは橙色に着色しており発光波長に対する
透明度が低く、例えば青色発光は半導体層側から取り出
す必要があるが、昇華法により成長させたＺｎ５ｏ　、
ｓｅｏ　、　ｓ結晶を用いた場合、基板はほとんど無色
透明であり、基板側からも青色発光を取り出すことがで
きるので好ましい。ここで用いる基板は、従来のように
低抵抗化処理されている必要はなく、バルク単結晶から
のウェハー、すなわち、高抵抗性（いわゆる絶縁性〜半
絶縁性：１０’〜１０１５Ω・ｃｍ）のまま使用するこ
とができろ。
この発明においては、上記化合物半導体基板上に、エピ
タキシャル化合物半導体層を順次積層して発光素子層を
形成する。この発光素子層は、通常縦５０〜５００μｍ
１横８０〜８００μｍの大きさで厚さ２〜１５μｍの外
形を有するのが適し、上記基板上に１個でらよいが、島
状に多数配設してモノリシック表示装置又は大面積発光
表示装置を構成することができる。この発光素子層は、
導電層、発光層、高抵抗層を適宜エピタキシャル成長さ
せて積層することかでき、例えばＭＩＳ型発光素子層の
場合には、低抵抗ｎ型（又はｐ型）導電層、低抵抗ｎ型
（又はｐ型）発光層、キャリア注入用高抵抗層をこの順
にエピタキシャル成長させることにより構成できる。ま
た、ｐｎ接合型発光素子の場合には、低抵抗ｐ型（又は
ｎ型）導電層、低抵抗ｐ型（又はｎ型）発光層、低抵抗
ｎ型（又はｐ型）発光層、低抵抗ｎ型（又はｐ型）導電
層をこの順にエピタキシャル成長させろことにより構成
できる。
上記発光素子層がｐｎ接合型発光素子の場合、Ｚｎ５ｅ
　ｐｎ接合型発光素子に限定されるものではなく、例え
ばＺｎＳ　ｐｎ接合、Ｚｎ５ｚＳｅ＋−ｚ　ｐｎ接合、
Ｚｎ５ｙＴｅ＋−ｙ　ｐｎ接合あるいはこれらの材料に
よる異種ｐｎ接合等の各種接合素子を用いることができ
る。
上記発光素子を構成する各層の膜厚及びキャリア濃度は
発光素子の動作電圧及び動作電流に大きく影響するので
通常、導電層は膜厚ｌ〜１０μｍで、キャリア濃度１０
′７〜ｔｏ”ａｍ−’、発光層は膜厚０．５〜５　μｍ
、キャリア濃度１Ｏ１５〜５Ｘ１０Ｉ７ｃｍ″３、高抵
抗層の厚さは２〜５０ｎＩ１１の範囲が適している。導
電層および発光層に対するｎ型不純物としては、■族元
素のアルミニウム（Ａｆ２）、同じく■族元素のインジ
ウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、タリウム（１）ある
いは■族元素の沃素（１）、臭素（Ｓｒ）、塩素（Ｃｉ
２）、弗素（Ｆ）、ＩＶ族元素の硅素（Ｓｉ）、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）等を用い、ｐ型形成用不純物としては、
Ｉ族のリチウム（Ｌ　ｉ　）　、ナトリウム（Ｎａ）、
カリウム（Ｋ）、ルヒジウム（Ｒｂ）、銅（Ｃｕ）、銀
（Ａｇ）、金（、Ａ　ｕ　）、■族元素のタリウム（Ｔ
Ｉ２）、■族元素の硅素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ
）、Ｖ族元素の窒素（Ｎ）、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、
アンチモン（Ｓｂ）より適宜選択して用いてキャリア濃
度を良好に制御することができる。キャリア濃度として
は、１０１？〜ＬＯ”ｃｍ−”の範囲の高い値を得るこ
とができ、これらの不純物は、補償度の小さい高品質の
エピタキシャル膜を得るのに好適である。高抵抗層とし
ては、不純物を添加けずに成長させたＺｎＳ膜、あるい
は欠陥、残留不純物を補償するためにＳｉ、Ｇｅ等ない
し、一般に不純物として用いられる■族あるいは■族の
元素とｌ族あるいは■族の元素とを組み合わせて添加し
たＺｎＳ膜を用いることができる。
上記導電層上のｔｉ形成用のスペースと発光素子層の最
上暦表面に発光素子層への電圧印加用の少なくとも一対
の電極を配設し化合物半導体発光素子が形成される。
上記ｎ型導電層に配設される電極として（ま、例えばＩ
ｎを１０−’Ｔｏｒｒ以下の超高真空中で蒸着すること
により極めて高品質のオーミック電極を得ることができ
、高抵抗層ならびにｎ型導電層に配設される電極として
は同様に金（Ａｕ）を超高真空中で蒸着して形成するこ
とができる。
（ホ）作用 この発明の発光素子においては、化合物半導体基板上に
発光素子層がエピタキシャル成長されているか、基板側
の電極が直接この発光素子層に接続されているため、電
圧か基板を経由仕ず発光素子層に効率良く印加され、基
板による損失が防止され高出力化、高輝度化が可能とな
り、さらに表水素子化した場合の全体の直流抵抗も著し
く低減化されることとなる。しから、発光素子層に接続
される基板側電極は、容易にオーミック接触性が得られ
るので、従来のごとき高温加熱処理をとくに行うことな
く、発光素子を簡便に形成できる。
さらに加え、本発明によれば、化合物半導体基板として
、高抵抗の化合物半導体、ことにバルク単結晶を、その
まま用いろことができろ。従って、複数の発光素子単位
をワンチップ化する際の各素子分離ら簡便化、容易化さ
れろこととなる。
（へ）実施例 以下、この発明を実施例により図を用いて詳細に説明す
る。
実施例１ 第１図において、半絶縁性（高抵抗）ＺｎＳ基板１、低
抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ導電層２、低抵抗ｎ型エ
ピタキシャルＺｎＳ発光層３、正孔注入用のエピタキシ
ャルＺｎＳ高抵抗層４、導電層２に形成されたオーミッ
ク金属電極（Ｉ　ｎ　）、　５、高抵抗層・４上に形成
された金属電極（Ａｕ）６、金属リード線７，８から構
成される発光素子の製造に際し、基板１上に、矩形状孔
を有する金属薄板からなるマスクを設置し、導電層２を
分子線エビクキンヤル法（ＭＢＥ法）によって成長さけ
た後、上記マスクの設置位置をずらせた後、ＭＢＥ法に
よって発光層３を導電層２と部分的に重なるように成長
位置をずらして彩成し、さらにこの上に高抵抗層４をＭ
ＢＥ法によって形成しＬｏこのようにして得られた積層
物の大きさは縦１００μｍ、横１５０μｍ、厚さ約８μ
ｍであり、部分的に重なり合う部分を全体の７０％とし
、上記各層を５μｍ以上の位置精度で制御性良く成長さ
せた。ただし、導Ｎ層２は膜厚５μｍで、キャリア濃度
５ｘ　１０”ｃｍ−’発光層３は膜厚２μｍ、キャリア
濃度５×１Ｏ１８〜５×１０１１０ｌ８’、高抵抗層４
の厚さは３５ｎｍとした。導電層２および発光層３に対
するｎ型不純物はアルミニウムを用い高抵抗層４は、不
純物を添加せずに成長させたＺｎＳ膜を用いた。
次に、導電層２の上にＩｎを１０−’Ｔｏｒｒ以下の超
高真空中で蒸着することにより極めて高品質のオーミッ
ク電極、電極５を得た。次に、高抵抗層４の上に同様に
金を超高真空中で蒸着して電極６を形成した。
このようにして得られた発光素子は、電圧値ｌＯＶ、電
流値５０ｍＡ／ｍス２て、発光層３中に添加された不純
物（ＡＱ）が関与した発光中心により４６０ｎｍ附近に
ピークをらつブロードな輝度の高い青色発色が得られ、
抵抗損失の著しく改善された高効率のＭ　Ｉ　Ｓ型Ｚｎ
Ｓ発先素子であつｆこ。しかし上記発光素子の製造プロ
セスは従来よりも著しく簡素化されたものであった。
実施例２ 第２図において、半絶縁性（高抵抗）　Ｚｎ５ｅ基板２
１、低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎ５ｅ導電層２２、低
抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎ５ｅ発光層２３、低抵抗ｐ
型エピタキシャルＺｎ５ｅ発光層２４、低ｔｆｆｉｔｉ
’ｉ、ｐ型Ｚｎ５ｅエピタキシャル導電暦２５、ｎ型Ｚ
ｎ５ｅ導電層２２に形成された金属電極（Ｉｎ）２６、
ｐ型Ｚｎ５ｅ導電層°２５に形成された金属電極（Ａｕ
）２７、金属リード線２８．２９から構成されるＺｎ５
ｅ　ｐｎ接合型発光素子の製造に際し、まず昇華法によ
り成長さけた無色透明のバルク単結晶より作成した半絶
縁性Ｚｎ５ｅ基１１ｉ２１の上に矩形状孔を有する金属
薄板からなるマスクを基板と平行な位置に基板から１０
０μｍ１ｌｌｌｔＬで設置し、基板の法線方向をＭ　Ｂ
　Ｅ法におけろ分子線束の照射方向に対して傾斜させる
ことのできるマニピュレータを用いて、分子線束の照射
方向に対する基板の法線方向の傾斜角１３°として矩形
状のｎ型Ｚｎ５ｅ導電層２２を成長させ、次に基板の傾
斜角を反対方向に［３゛とすることにより成長位置をず
らして部分的に導電層２２に重なり合うようにｎ型発光
層２３を成長さけ、さらにこの上にｎ型発光層２４、導
電層２５を順次ＭＢＥ法によって形成した。
このようにして得られた積層物の大きさは縦１５０μｍ
、横２００μｌであり、部分的に重なり合う部分を導電
層２２の表面全体に対し６７％とした。ただし、ｐ型Ｚ
ｎ５ｅ発光層２４の形成には不純物としてリチウムを用
い、ｐ型Ｚｎ５ｅ導電層２５の膜厚は２μｍ、キャリア
濃度は５Ｘ　１０”ｃｍ−’、ｐ型Ｚｎ５ｅ発光層２４
の膜厚は２μｍ１キヤリア濃度は５ｘ　ｔｏ”ｃｍ−’
とした。金＠Ｎ極２６，２７は実施例Ｉと同様の手法で
形成した。
このＺｎ５ｅ　ｐｎ接合型発光素子は、動作電圧３〜５
Ｖの低い印加電圧で、１〜２００ｍＡの電流が安定に注
入され、４６０ｎｍにピークをらつ単色性の高輝度の青
色発光が得られ、輝度、効率の点て素子特性が著しく改
善された青色発光素子であった。
実施例３ 実施例２において、ｐｎ接合型発光素子のｐ層、ｎ層の
順を逆にし、この他は実施例２と同様にして発光素子を
作製したところ、実施例２とほぼ同様の特性を得ること
が出来たが、青色発光の取り出しは、ｎ型半導体層側か
らの方が効率的であった。
実施例４ 第３図及び第４図において、半＠縁性（高抵抗）ＺｎＳ
基板３１、低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ導電層３２
、低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ発光層３３ａ、３３
ｂ、３３ｃ、正孔注入用のエビタキンヤルＺｎＳ高抵抗
層３４ａ、３４ｂ。
３４ｃ、導電層３２に形成されｆニオ−ミック金属ｉ［
ｉｔＭ（Ｉｎ）３５、高抵抗層３４ａ、３４ｂ。
３４ｃに形成された金属電極（Ａｕ）、３６ａ。
３６ｂ、３６ｃ、金属リード線３７．３８ａ。
３８ｂ、３８ｃから構成されろｘｒ　ｒ　ｓ型ＺｎＳ多
色発光素子の製造に際し、まず、半絶縁性（高抵抗）Ｚ
ｎＳ基板３１の上に、矩形状孔を有する金属薄板からな
るマスクを設置して、導電層３２を＞／ｌ　Ｂ　Ｅ法に
よって成長させた後、上記マスクの位置をずらしてＭＢ
Ｅ法により発光層３３ａ、高抵抗層３４＋Ｌを成長させ
導電層３２と部分的に重なり合うように積層し発光部Ａ
を形成し、さらに上記マスクの位置をずらして同様に発
光部Ｂ、Ｃを順次形成しさらに電極３５．３６ａ、３６
ｂ。
３６ｃを設けて導電層３２を共有した３つの発光部Ａ、
Ｂ、Ｃを持った発光素子としｆこ。ただし各発光部の発
光層３３ａ、３３ｂ、３３ｃは不純物としてへジとＡ＆
の約１０分のＩｎ変のＡｇ１ＡりとＡｌ１の約１０分の
１の濃度のＣｕ、Ａ（！とＡｌ１の２分のｌのＩｆのカ
ドミウム（Ｃｄ）をそれぞれ添カロしｆ二。
次に得られｆ二発光素子の各発光部に電圧を印加したと
ころそれぞれ青色、緑色、赤色の発光が輝変高く観察さ
れ、これら３つの発光部に印加する電圧を調節すること
により、多色の発光か得みれた。
実施例５ 第５図において、絶縁性Ｚｎ５ｅ基板４１、単位発光素
子・１２、低抵抗ｐ型エピタキシャルＺｎ５ｅ導電層４
３、低抵抗ｐ型エピタキシャルＺｎ５ｅ発光層４４、低
抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎ５ｅ発光層４５、低抵抗ｎ
型エピタキシャルＺｎ５ｅ導７４ｆｆ１４６、金属電極
（Ａｕ）４７、金属環［１（Ｉｎ）４８、金属リード線
４９．５０から構成される２４Ｘ２４１１ｕの発光素子
からなる発光装置の製造に際し、まず基板４１の上に、
マトリックス状に縦４５０μｍ、　［６００μｍの矩形
孔が２４ｘ２４＠形成されたマスクを設置し、ＭＢＥ法
によって２４ｘ２４ｆｔＭの導電層４３を成長させた後
、Ｍ　Ｂ　Ｅ法によってｐ撃発光層４４を導電層４３と
６分的に重なるように成長位置をずらして成長ざ亡、こ
の上にｎ型発光層４５、さらに導電層４６を二〜ＩＢＥ
法によって成長させ、絶縁性基板４１上に縦４５ｈｍ、
溝７５０μｍの寸法を有する単位発光素子４２が互いに
分離して２４ｘ２４１１１マトリツクス状に形成ざイー
几発光表示装置を得几。この発光表示装置を複数配置す
ることにより大面積の発光表示装置ｆ−構成することか
できた。
この実施例において示した発光素子のマトリックス配ク
リによる複数化は、この発明の素子構造と素子形成法に
よって最も容易に成し得るらのであり、既に示した実施
例１〜４におけろ素子の表示装置化：よ、二の実施例と
同様にして行うことができろ。
この発光表示装置において各々の単位発光素子４２は第
２９実施例で示した様に良好な発光特性を示し、発光素
子間の絶縁性らよく極めて鮮明な画像表示を実行できた
。
（ト）発明７〕効果 この発明によれば、 （１）発光素子チップの抵抗を下げて、損失を防止した
輝度の高い化合物半導体発光素子を提供することができ
、 （２）同一基板上に微小な発光素子チップを多数、チッ
プ間絶縁性が良好でかつ直列抵抗を低く、配設した青色
発光を含む多色発光のモノリンツク表示装置及び大面積
発光表示装置を提供することかできる。
また、上記発光素子及び発光表示装置は簡匣に製造する
ことができろ。
【図面の簡単な説明】
第１図から第５図は、この発明の実施例において製造し
た発光素子の構造を示す説明図、第６図は、従来の発光
素子の構造を示す構成説明図である。 １・・・・・・半絶縁性（高抵抗）ＺｎＳ基板、２・・
・・・低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ導電層、３・・
・・・低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ発光層、４・・
・・・・エピタキシャルＺｎＳ高抵抗層、５・・・・・
金属電極（ｉｎ）、 ６・・・・・・金属電極（Ａｕ）、 ７．８・・・・・・金属リード線、 ２１・・・・・・半絶縁性（高抵抗）　２ｎＳｅ基板、
２２・・・・・・低抵抗ｎ型エビタキンヤルＺ　ｎＳｅ
導電層、２３・・・・・・低抵抗ｎ型エビタキャヤルＺ
ｎ５ｅ発光層、２４・・・・・低抵抗ｐ型エピタキシャ
ルＺｎ５ｅ発光層、２５・・・・・低抵抗ｐ型エピタキ
シャル２ｎＳｅ導電層、２６・・・・・・金属電極（Ｉ
ｎ）、 ２７　・・・金属電極（Ａｕ）、 ２８．２９・・・・・・金属リート線、３１・・・・・
・半絶縁性（高抵抗）ＺｎＳ基板、３２・・・・・・低
抵抗ｎ型エビタキノヤルＺｎＳ導電層、３３ａ　　３３
ｂ　　３３ｃ ・・・・・低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎＳ発光屡、３
４ａ、３４ｂ　　３４ｃ ・・・・・エピタキシャルＺｎＳ高抵抗層、３５・・・
金属電極（Ｉｎ）、 ３６　ａ、　　３６　ｂ、　３６　ｃ−金属電極（Ａｕ
）、３７．３８ａ、３８ｂ、３８ｃ ・・金属リード線、 ｌ・・・・・絶縁性Ｚｎ５ｅ基板、 ２・・・・・単位発光素子、 ３・・・・・・低抵抗ｐ型エピタキシャルＺｎ５ｅ導電
層、４・・・・・・低抵抗ｐ型エピタキシャルＺｎ５ｅ
発光層、５・・・・・低抵抗ｎ型エピタキシャル２ｎＳ
ｅ発光層、６・・・・低抵抗ｎ型エピタキシャルＺｎ５
ｅ導電層、７・・・・・・金属電極（Ａｕ）、 ８・・・・・金属電照（Ｉｎ）、 ９．５０・・・・・・金属リード線、 ｌ、５８・・・・・・金属リード線、 ２・・・・・・オーミック電極（Ｉｎ）、３・・・・・
・低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板、４・・・・・・低抵抗ｎ型Ｚ
ｎＳ導電層、５・・・・エビタキソヤル成長低抵抗ｎ型
発光層、６・・・・・・高抵抗ＺｎＳ層、 ７・・・・・・電極（Ａｕ）。 筒　１　図 笥　２１！Ｆ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、化合物半導体基板上にエピタキシャル化合物半導体
    層を順次積層して発光素子層を形成すると共に、これら
    発光素子層に外部から電圧を印加できる少なくとも一対
    の電極を設けてなり、上記化合物半導体基板が高抵抗性
    半導体であり、かつ上記発光素子層を構成する半導体層
    のうち最下層の一層に対し電極形成用のスペースを残し
    てこの上に半導体層を積層し、この最下層の上記スペー
    ス及び最上層に電極を配設してなる化合物半導体発光素
    子。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684730A1 (en) 1994-05-27 1995-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Imaging apparatus having a signal processing circuit and a solid-state imaging device and method for driving the same
JPH10275935A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2002185044A (ja) * 2001-11-27 2002-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体多色発光素子
WO2007091500A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8084782B2 (en) 2007-08-10 2011-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting film, light-emitting device and production method thereof

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0268968A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Sharp Corp 化合物半導体発光素子
DE68928245T2 (de) * 1988-12-27 1997-12-11 Canon Kk Durch elektrisches Feld lichtemittierende Vorrichtung
JP2588280B2 (ja) * 1989-07-10 1997-03-05 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
US5198690A (en) * 1990-11-26 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device of II-IV compound semiconductor
US5252895A (en) * 1991-05-09 1993-10-12 Westinghouse Electric Corp. TFEL edge emitter structure with light emitting face at angle greater than ninety degrees to substrate street
US5274269A (en) * 1991-05-15 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ohmic contact for p-type group II-IV compound semiconductors
US5404027A (en) * 1991-05-15 1995-04-04 Minnesota Mining & Manufacturing Compay Buried ridge II-VI laser diode
US5291507A (en) * 1991-05-15 1994-03-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Blue-green laser diode
CN1119358A (zh) * 1991-05-15 1996-03-27 明尼苏达州采矿制造公司 蓝-绿激光二极管
US5183689A (en) * 1991-07-15 1993-02-02 Cvd, Inc. Process for an improved laminated of znse and zns
JP2837004B2 (ja) * 1991-09-30 1998-12-14 株式会社デンソー Ｅｌディスプレイ素子
JPH05182766A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 薄膜ｅｌ素子
US5536584A (en) * 1992-01-31 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide
WO1993023882A1 (en) * 1992-05-19 1993-11-25 California Institute Of Technology Wide band-gap semiconductor light emitters
WO1994015369A1 (en) * 1992-12-22 1994-07-07 Research Corporation Technologies, Inc. Group ii-vi compound semiconductor light emitting devices and an ohmic contact therefor
JPH06196261A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Hitachi Maxell Ltd 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子
US5459337A (en) * 1993-02-19 1995-10-17 Sony Corporation Semiconductor display device with red, green and blue emission
US5422902A (en) * 1993-07-02 1995-06-06 Philips Electronics North America Corporation BeTe-ZnSe graded band gap ohmic contact to p-type ZnSe semiconductors
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
KR100268567B1 (ko) * 1994-10-11 2000-10-16 포만 제프리 엘 다중 파장으로 광을 발생시키기 위한 발광 다이오드의 모놀리식 어레이 및 이를 사용한 멀티 컬러 디스플레이
US5796120A (en) * 1995-12-28 1998-08-18 Georgia Tech Research Corporation Tunnel thin film electroluminescent device
JP2839027B2 (ja) * 1997-01-23 1998-12-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の熱処理方法
US5889364A (en) * 1997-08-22 1999-03-30 Durel Corporation Electrical, solderless snap connector for EL lamp
JP2001267085A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光装置およびその製造方法
US7053419B1 (en) * 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
DE10120703A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7151338B2 (en) * 2003-10-02 2006-12-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inorganic electroluminescent device with controlled hole and electron injection
JP2005123526A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US9337407B2 (en) * 2009-03-31 2016-05-10 Epistar Corporation Photoelectronic element and the manufacturing method thereof
KR100986440B1 (ko) * 2009-04-28 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US20120097918A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implanted current confinement structure to improve current spreading
WO2015097595A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN109346497A (zh) * 2018-09-26 2019-02-15 北京蜃景光电科技有限公司 微显示器件及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3919589A (en) * 1973-04-06 1975-11-11 Rca Corp Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity
JPS5437800B2 (ja) * 1973-06-19 1979-11-16
JPS5444547Y2 (ja) * 1975-02-27 1979-12-21
US3991339A (en) * 1975-05-27 1976-11-09 Rca Corporation Light emitting diode with reflector
US4025157A (en) * 1975-06-26 1977-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Gradient index miniature coupling lens
JPS5643783A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Toshiba Corp Light emitting diode for optical communication
JPS58128784A (ja) * 1982-01-27 1983-08-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光装置
JPS58137271A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 Toshiba Corp 光半導体素子用レンズ、光半導体素子用レンズの製造方法、及び光半導体素子
WO1983004123A1 (en) * 1982-05-19 1983-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent display unit
JPS58218180A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US4706254A (en) * 1983-05-12 1987-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and its fabrication
JPS6085585A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 埋め込み型半導体レ−ザ
JPS59188182A (ja) * 1984-03-23 1984-10-25 Hitachi Ltd 発光半導体装置
JPS617050U (ja) * 1984-06-18 1986-01-16 三洋電機株式会社 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド
DE3581333D1 (de) * 1984-07-24 1991-02-21 Nec Corp Lichtemittierende halbleitervorrichtung.
JPS6199392A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド
JPH0750795B2 (ja) * 1985-03-28 1995-05-31 キヤノン株式会社 発光素子
JPH06101590B2 (ja) * 1985-05-01 1994-12-12 セイコーエプソン株式会社 青色発光素子及びその製造法
JPS61258483A (ja) * 1985-05-11 1986-11-15 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体面発光素子
JPH0697704B2 (ja) * 1986-01-27 1994-11-30 シャープ株式会社 ＭＩＳ型ＺｎＳ青色発光素子
JPS639165A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオ−ド
JP2723227B2 (ja) * 1986-09-26 1998-03-09 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2521675B2 (ja) * 1986-10-03 1996-08-07 株式会社小松製作所 レ−ザ装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0684730A1 (en) 1994-05-27 1995-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Imaging apparatus having a signal processing circuit and a solid-state imaging device and method for driving the same
JPH10275935A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2002185044A (ja) * 2001-11-27 2002-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体多色発光素子
WO2007091500A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8084782B2 (en) 2007-08-10 2011-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting film, light-emitting device and production method thereof
US8574955B2 (en) 2007-08-10 2013-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing light-emitting film and light-emitting device

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