JPS6199392A - Mis型発光ダイオ−ド - Google Patents
Mis型発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6199392A JPS6199392A JP59220806A JP22080684A JPS6199392A JP S6199392 A JPS6199392 A JP S6199392A JP 59220806 A JP59220806 A JP 59220806A JP 22080684 A JP22080684 A JP 22080684A JP S6199392 A JPS6199392 A JP S6199392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- upper electrode
- emitting diode
- znse layer
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
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- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0037—Devices characterised by their operation having a MIS barrier layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
何) 産業上の利用分野
本発明はMIS型発光発光ダイオードする。
(ロ)従来の技術
半導体結晶の表面層;絶縁膜を介して一方の電極を設け
た。特C;青色発光を行なうMIS型発光発光ダイオー
ドに知られている(例えば、研究実用化報告第27巻第
3号(1978)第537頁〜第548頁)。
た。特C;青色発光を行なうMIS型発光発光ダイオー
ドに知られている(例えば、研究実用化報告第27巻第
3号(1978)第537頁〜第548頁)。
第3図は、従来のこの種発光ダイオードを示し、(1)
はG&Al基板、(2)は該基板上に結晶成長されたn
型Zn5e層、(3)は絶縁1!、/(4)は上部電極
。
はG&Al基板、(2)は該基板上に結晶成長されたn
型Zn5e層、(3)は絶縁1!、/(4)は上部電極
。
(5)はznse層(2)の側面に設けられたオーミッ
ク性の側部電極である。
ク性の側部電極である。
斯る従来のMIS構造:ユおいて、上部電極(4)C;
対するもう一方の側部を枠(5)は1本来は()!LA
li対してそれを妨げるとと(、GaAB基板(1)と
。
対するもう一方の側部を枠(5)は1本来は()!LA
li対してそれを妨げるとと(、GaAB基板(1)と
。
Z n 86Im(2)との界面に電気的障壁が形成さ
れる。
れる。
このため上記電極(5)は、znse側面より取出して
いる。このような構造においては、上部電極(4)の周
辺に電界が集中し1発光むらが生じるという欠点があっ
た。
いる。このような構造においては、上部電極(4)の周
辺に電界が集中し1発光むらが生じるという欠点があっ
た。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
本発明は、上記上部電極周辺での電界集中を緩和させ、
発光状態の改善を図るものである。
発光状態の改善を図るものである。
に)問題点を解決するだめの手段
本発明は、半導体結晶の表面に絶縁膜を介して上部電極
を設けると共に、上記半導体結晶の側面(=側部電極を
設けたMIIE型発光ダイオードにおいて、上記半導体
結晶表面の外周部分を高抵抗:;なしたことを特徴とす
る。
を設けると共に、上記半導体結晶の側面(=側部電極を
設けたMIIE型発光ダイオードにおいて、上記半導体
結晶表面の外周部分を高抵抗:;なしたことを特徴とす
る。
(ホ)作 用
本発明によれば、半導体結晶の外周部分が高抵抗である
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなる。
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなる。
(へ)実施例
本発明実施例の発光ダイオードを、説明の都合上、その
製造工程Ill l二説明する。
製造工程Ill l二説明する。
第1図Aに示す第1工程において、GILAII基板(
101上へz n 8 e *(111上m晶成長f
ル(:l−[シ、 82図に示す如く、成長表面(:な
るに従い、キャリア濃度を除々に減少させる。すなわち
n型ドーパント例えばGa1llを除々C二減少させ本
来の発光領域でのキャリア濃度5X 1Q ”(clm
”)から表面C:おいてはlX1Q (clL )
程度マチ、約2μmにわたり、除々にキャリア濃度を減
少させ高抵抗領域(ila)を得る。
101上へz n 8 e *(111上m晶成長f
ル(:l−[シ、 82図に示す如く、成長表面(:な
るに従い、キャリア濃度を除々に減少させる。すなわち
n型ドーパント例えばGa1llを除々C二減少させ本
来の発光領域でのキャリア濃度5X 1Q ”(clm
”)から表面C:おいてはlX1Q (clL )
程度マチ、約2μmにわたり、除々にキャリア濃度を減
少させ高抵抗領域(ila)を得る。
第1図Bに示す第2工程において、将来上部電極の直下
(:位置するznSe層(111の表面を約2μm深さ
までエツチングして、上記の如く、キャリア濃度を変化
させた部分を除去し、凹所σ2を形成する。
(:位置するznSe層(111の表面を約2μm深さ
までエツチングして、上記の如く、キャリア濃度を変化
させた部分を除去し、凹所σ2を形成する。
@2図01−示す最終工程において、ZnS@IIaυ
上に絶縁膜a3を形成し1次いで、凹所直上(−1部電
極α4を設け、最後にznse層aυの側面に側部電極
(Isを形成してMXB型発光発光ダイオード成される
。絶縁膜α3としては1例えば70A厚さの8102膜
が、父上部電極■としては例えば150大厚さのAll
膜が、更(こ側部電極(151としては例えばInが夫
々適当である。
上に絶縁膜a3を形成し1次いで、凹所直上(−1部電
極α4を設け、最後にznse層aυの側面に側部電極
(Isを形成してMXB型発光発光ダイオード成される
。絶縁膜α3としては1例えば70A厚さの8102膜
が、父上部電極■としては例えば150大厚さのAll
膜が、更(こ側部電極(151としては例えばInが夫
々適当である。
上記実施例で1Ml8構造を構成する半導体結晶層とし
てzn8eが用いられたが、他の半導体材料も使用でき
る。
てzn8eが用いられたが、他の半導体材料も使用でき
る。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、半導体結晶の外周部分が高抵抗である
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなり、発光分
布がより均一なものとなる。
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなり、発光分
布がより均一なものとなる。
尚、上記高抵抗領域として、実施例の如く、キャリア濃
度を結晶表面I:向けて除々に小さくすることにより、
電界集中の緩和をより効果的になすことができる。
度を結晶表面I:向けて除々に小さくすることにより、
電界集中の緩和をより効果的になすことができる。
@1重入力至Cは本発明を説明するだめの製造工程別[
’r面図、第2図は濃度分布曲線図、@3図は従来例を
示す断面図である。 (11)−znsel!lI、 (11& )・・・高
抵抗領域、 (13・・・絶縁膜、(141・・・上部
電極、(Lり・・・側部電極。
’r面図、第2図は濃度分布曲線図、@3図は従来例を
示す断面図である。 (11)−znsel!lI、 (11& )・・・高
抵抗領域、 (13・・・絶縁膜、(141・・・上部
電極、(Lり・・・側部電極。
Claims (1)
- (1)半導体結晶の表面に絶縁膜を介して上部電極を設
けると共に、上記半導体結晶の側面に側部電極を設けた
MIS型発光ダイオードにおいて、上記半導体結晶表面
の外周部分を高抵抗になしたことを特徴とするMIS型
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59220806A JPS6199392A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | Mis型発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59220806A JPS6199392A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | Mis型発光ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6199392A true JPS6199392A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16756854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59220806A Pending JPS6199392A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | Mis型発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6199392A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232570A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59220806A patent/JPS6199392A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232570A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
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