JPS59117180A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS59117180A JPS59117180A JP57232522A JP23252282A JPS59117180A JP S59117180 A JPS59117180 A JP S59117180A JP 57232522 A JP57232522 A JP 57232522A JP 23252282 A JP23252282 A JP 23252282A JP S59117180 A JPS59117180 A JP S59117180A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体発光素子に係り、特にＺｎ５（硫化亜
鉛）、Ｚｎ５ｅ（セレン化亜鉛）ないしその混晶である
Ｚｎ５ｘＳｅ １−ｘを用いた青色発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ ）に関する。
鉛）、Ｚｎ５ｅ（セレン化亜鉛）ないしその混晶である
Ｚｎ５ｘＳｅ １−ｘを用いた青色発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ ）に関する。
ＬＥＡＤは、現在多くの表示装置に広く用いられている
が、その妃光色は赤色から緑色１でであり、青色、紫色
等の短波長ＬＥＤ ｐ−１、あ１り実用には供せられで
いない。これｄ゛、青色、紫色等のヅｉ）光色を得るに
ｄ：、少くとも２．５ｅＶ程度以上の禁制帯軸、を廟す
る利、ＩＳトが必−ソＪ′であるが、このような広い禁
制帯幅を有する拐料にはそねそれ素子化に際し、て多く
の困難な問題があり、有１産が困難でめる／ζめである
。
が、その妃光色は赤色から緑色１でであり、青色、紫色
等の短波長ＬＥＤ ｐ−１、あ１り実用には供せられで
いない。これｄ゛、青色、紫色等のヅｉ）光色を得るに
ｄ：、少くとも２．５ｅＶ程度以上の禁制帯軸、を廟す
る利、ＩＳトが必−ソＪ′であるが、このような広い禁
制帯幅を有する拐料にはそねそれ素子化に際し、て多く
の困難な問題があり、有１産が困難でめる／ζめである
。
現在斗で発表されている青色ＬＥＤの拐料としては、Ｇ
ａＮ （窒化ガリウム）、５ＩＣ（炭化ケイ２（Ｚ）、
Ｚｎ５（％ｆ化亜鉛）、Ｚｎ５ｅ（セレン化亜鉛）があ
る。
ａＮ （窒化ガリウム）、５ＩＣ（炭化ケイ２（Ｚ）、
Ｚｎ５（％ｆ化亜鉛）、Ｚｎ５ｅ（セレン化亜鉛）があ
る。
しかしながら、これらの材料はいずれも多くの製造上の
問題を含有している。ＧａＮはｎ型の勇ｔｅｌ型のみし
、か得られず、まだエピタキシャル成長により簿刀ソを
得ることはできるが、エピタキシャル成長を行う基板と
なるべき単結晶は得られていない。このため、サファイ
ア等の絶縁性基板上に、ｎ′ｍＧａＮ層を形成し、妊ら
にこの上に絶縁性薄膜、電極膜を順次形成シフ、ＭＩＳ
（Ｍｅｔａｌユｎ５ｕｌａｔｏｒ旦ｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ） 構造のＬＥＤとしている。しかし、このＬ
ＥＤの発光強度は後述のＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅと比較し
て弱い。
問題を含有している。ＧａＮはｎ型の勇ｔｅｌ型のみし
、か得られず、まだエピタキシャル成長により簿刀ソを
得ることはできるが、エピタキシャル成長を行う基板と
なるべき単結晶は得られていない。このため、サファイ
ア等の絶縁性基板上に、ｎ′ｍＧａＮ層を形成し、妊ら
にこの上に絶縁性薄膜、電極膜を順次形成シフ、ＭＩＳ
（Ｍｅｔａｌユｎ５ｕｌａｔｏｒ旦ｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ） 構造のＬＥＤとしている。しかし、このＬ
ＥＤの発光強度は後述のＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅと比較し
て弱い。
ＳｉＣはｐ型及びｎ型の両温電性の形成が可能であり、
才だ、エピタキシャル成長の基板として使用し得る程度
の単結晶は製造することができる。しかし、ＳｉＣは間
接遷移であり、余り高い発光強度は期待できない。
才だ、エピタキシャル成長の基板として使用し得る程度
の単結晶は製造することができる。しかし、ＳｉＣは間
接遷移であり、余り高い発光強度は期待できない。
ＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅはＧａＮと同様にｎ型の罎電型の
みしか得らオ］ていないが、基板として使用し得る程度
の単結晶は得られている。世し、基板として使用し、得
る大きさは高々１０ ｒｔｒｍ Ｘ １０ ｍｍ程度で
ある。また、ＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅの場合、高温下で製
造した単結晶ｄ２、一般にＺｎ空孔が多年に存在し、こ
れが開力する深い不純物準位によって長波長の光を発す
ることが多い。これを避けるため、通常は単結晶を溶融
Ｚｎで処理し、その後にＭＩＳ構造としている。このよ
うに、ＺｎＳ 。
みしか得らオ］ていないが、基板として使用し得る程度
の単結晶は得られている。世し、基板として使用し、得
る大きさは高々１０ ｒｔｒｍ Ｘ １０ ｍｍ程度で
ある。また、ＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅの場合、高温下で製
造した単結晶ｄ２、一般にＺｎ空孔が多年に存在し、こ
れが開力する深い不純物準位によって長波長の光を発す
ることが多い。これを避けるため、通常は単結晶を溶融
Ｚｎで処理し、その後にＭＩＳ構造としている。このよ
うに、ＺｎＳ 。
Ｚｎ５ｅを用いだＬＪＪＤは発光強度は高いが、工程ｄ
繁何（であり、早産化が困難である。
繁何（であり、早産化が困難である。
第１図ケｊ、従来の青色ＬＥＤの構造を示すもので、１
はΔｔ（アルミニウム）が添加されたｎ型Ｚｎ５ｅ層、
２ ＩＪ Ｎ （９素）が添加された１型Ｚｎ５ｅ層、
３はＡｕ Ｔ（ｒ、極、４はＩｎ −Ｇａ電極を示して
いる。
はΔｔ（アルミニウム）が添加されたｎ型Ｚｎ５ｅ層、
２ ＩＪ Ｎ （９素）が添加された１型Ｚｎ５ｅ層、
３はＡｕ Ｔ（ｒ、極、４はＩｎ −Ｇａ電極を示して
いる。
このような構造においては、発光は主にｎ型Ｚｎ５ｅ層
１とＩ型Ｚｎ５ｅ層２との間で起こると考えらねるか、
多くはｎ型Ｚｎ５ｅ層１を透過中に吸収され、素子外部
への発光は僅かなものとなり、取り出し効率が悪くなる
。
１とＩ型Ｚｎ５ｅ層２との間で起こると考えらねるか、
多くはｎ型Ｚｎ５ｅ層１を透過中に吸収され、素子外部
への発光は僅かなものとなり、取り出し効率が悪くなる
。
〔介１明の目的〕
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
Ｖ１、ＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅ ｆ用いて、５：Ｊｑｉ化
がｉｊ、１能でかつ発光を効率よく取り出すことのでき
る半導体発光」［子を提供することにある。
Ｖ１、ＺｎＳ 、 Ｚｎ５ｅ ｆ用いて、５：Ｊｑｉ化
がｉｊ、１能でかつ発光を効率よく取り出すことのでき
る半導体発光」［子を提供することにある。
この雪〕明け、前述のＺｎＳ又はＺｎ５ｅを用いだＭＩ
Ｓ Ｆｉｒ＞造のＬＥＤの欠点、すなわち単結晶が小さ
く ｊｉｉｒ！ｆできないこと、ｚｎ’ｕ孔による不純
物準位が多いことを改善するために、既に大きな結晶基
板が得られている■−■族半導体基板、例えばＧａＡｓ
基板を用いて、エピタキシャル成長゛により尚該ＧａＡ
ｓ基板にほぼ格子整合したｎ型及びｎ型のＩＩ−Ｖ１７
＆半導体層、例えは’、’ Ｚｎ５ｘＳｅ １ 。
Ｓ Ｆｉｒ＞造のＬＥＤの欠点、すなわち単結晶が小さ
く ｊｉｉｒ！ｆできないこと、ｚｎ’ｕ孔による不純
物準位が多いことを改善するために、既に大きな結晶基
板が得られている■−■族半導体基板、例えばＧａＡｓ
基板を用いて、エピタキシャル成長゛により尚該ＧａＡ
ｓ基板にほぼ格子整合したｎ型及びｎ型のＩＩ−Ｖ１７
＆半導体層、例えは’、’ Ｚｎ５ｘＳｅ １ 。
（０≦ｘ＜０．２）を形成する。寸だ、このＩＩ −■
族半導体層を形成するに際し、その中にＺｎ空孔が発生
しないように低温で工２タキシャル成長可能な有機金属
熱分解気相成長（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
を用いるものである。
族半導体層を形成するに際し、その中にＺｎ空孔が発生
しないように低温で工２タキシャル成長可能な有機金属
熱分解気相成長（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
を用いるものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この実施例においては、ＧａＡｓ単結晶基板上に有機金
属熱分解気相成長法によりＺｎ５ｅ単結晶を成長させて
得だ才子について詳細に説明する。すなわち、基板とし
てｎ型（１００，）ＧａＡｓ 基板（ＳＳ添加、ＮＩ）
中５Ｘ１０ ）を用い、片面にオーミック電極としてＡ
ｕＧｅ合金属を形成した後、他面に有機金属熱分解気相
成長法によりｎ ４％！ｌＺｎ５ｅ単結晶膜及びｌ ’
ｌ、Ｆ、ＩＪ Ｚｎ５ｅ単結晶肪−を形成した。結晶成
長は、反応系を約０、１． ’１．”ｏｒｒの圧力に保
ちながら、Ｈ２中に１０係のＳｅＨ２（セレン化水素）
を３ Ｑ ｃｃ／ｍｉｎ流し、０℃に保持したＤＭＺ
（Ｄｉ Ｍｅｔｉｌ Ｚｉｎｃ ）にバブルさせること
により飽オＩＩ 、＃：気圧（１２３ｍＨｇ ）のＩ）
ＭＺを含むＨ２カスｆ ３ ｃｃ／ｍｉｎ 、 ＧａＡ
ｓ基板の１１、上より流すことにより行った。ＧａＡｓ
基板のＴｉＭ’を度ＩＪ１３４０℃とし、ｎ ｍ、 Ｚ
ｎ５ｅ単結晶膜は２Φ 肋間の成長より８μ” Ｎ Ｉ ２４！！、 Ｚｎ５
ｅ単結晶膜は３分間の成長により２０００人の膜厚を得
た。捷／こ・ ｎハ’ＪＺｎ Ｓ ｅ中結晶膜の成長時
には、ＤＩＶＩＺと分７１っせてドナーとしでＡｔを添
加するためＴｈ２Ａｔ（’ｒｒｉ Ｅｔｈｙｌ Ａｌｍ
ｉｎｉｕｍ ）を０℃にイ呆持し、Ｈ２をバブルさせて
２ Ｑ ｃｃ／ｍｉｎ流し７、寸たｌＭＺ ｎ ａ ｅ
単結晶般の成長時にはアクセプタとしてＮ（！−ｔ、＜
゛１加するだめ、Ｓ ｅ Ｈ７と合わぜて１（２中に１
０係のＮｆ（６を添加したガスを２０ ｃｃ／ｍｉｎ
（Ａｔ、 した。このようにして形成したエビクキシャ
ルウエ・・の成長面（Ｌｌｊｉに脱厚約５μｍのＡｕ薄
膜を形成した。
属熱分解気相成長法によりＺｎ５ｅ単結晶を成長させて
得だ才子について詳細に説明する。すなわち、基板とし
てｎ型（１００，）ＧａＡｓ 基板（ＳＳ添加、ＮＩ）
中５Ｘ１０ ）を用い、片面にオーミック電極としてＡ
ｕＧｅ合金属を形成した後、他面に有機金属熱分解気相
成長法によりｎ ４％！ｌＺｎ５ｅ単結晶膜及びｌ ’
ｌ、Ｆ、ＩＪ Ｚｎ５ｅ単結晶肪−を形成した。結晶成
長は、反応系を約０、１． ’１．”ｏｒｒの圧力に保
ちながら、Ｈ２中に１０係のＳｅＨ２（セレン化水素）
を３ Ｑ ｃｃ／ｍｉｎ流し、０℃に保持したＤＭＺ
（Ｄｉ Ｍｅｔｉｌ Ｚｉｎｃ ）にバブルさせること
により飽オＩＩ 、＃：気圧（１２３ｍＨｇ ）のＩ）
ＭＺを含むＨ２カスｆ ３ ｃｃ／ｍｉｎ 、 ＧａＡ
ｓ基板の１１、上より流すことにより行った。ＧａＡｓ
基板のＴｉＭ’を度ＩＪ１３４０℃とし、ｎ ｍ、 Ｚ
ｎ５ｅ単結晶膜は２Φ 肋間の成長より８μ” Ｎ Ｉ ２４！！、 Ｚｎ５
ｅ単結晶膜は３分間の成長により２０００人の膜厚を得
た。捷／こ・ ｎハ’ＪＺｎ Ｓ ｅ中結晶膜の成長時
には、ＤＩＶＩＺと分７１っせてドナーとしでＡｔを添
加するためＴｈ２Ａｔ（’ｒｒｉ Ｅｔｈｙｌ Ａｌｍ
ｉｎｉｕｍ ）を０℃にイ呆持し、Ｈ２をバブルさせて
２ Ｑ ｃｃ／ｍｉｎ流し７、寸たｌＭＺ ｎ ａ ｅ
単結晶般の成長時にはアクセプタとしてＮ（！−ｔ、＜
゛１加するだめ、Ｓ ｅ Ｈ７と合わぜて１（２中に１
０係のＮｆ（６を添加したガスを２０ ｃｃ／ｍｉｎ
（Ａｔ、 した。このようにして形成したエビクキシャ
ルウエ・・の成長面（Ｌｌｊｉに脱厚約５μｍのＡｕ薄
膜を形成した。
さらに、」二記エピタキシャルウェハのＧａＡｓ基板側
のＡｕＧｅ合金属の一部をフォト・エッヂンング除去し
て開口部を形成した。し力・る後、エピタキシャルウェ
ハ（Ｌ−適当な形状に切断して、第２図に示すよりな素
子を作成した。同図において、１１はｎ型（１００）Ｇ
ａＡｓ８−板、７’ ２ Ｎ、ΔｕＧｅ Ｍ （オーミ
ック￥８．称）、１３はＡｔを冷加し、たｎ型Ｚｎ５ｅ
単結晶膜、１４はＮを添加したＩ型Ｚｎ５ｅ単結晶ｊｌ
ｌ；１−１１５はＡｕ薄１１％＞、１６は（’； ａ
Ａ ｓ基板ＩＩにおける開口部をそ１１それ示している
。
のＡｕＧｅ合金属の一部をフォト・エッヂンング除去し
て開口部を形成した。し力・る後、エピタキシャルウェ
ハ（Ｌ−適当な形状に切断して、第２図に示すよりな素
子を作成した。同図において、１１はｎ型（１００）Ｇ
ａＡｓ８−板、７’ ２ Ｎ、ΔｕＧｅ Ｍ （オーミ
ック￥８．称）、１３はＡｔを冷加し、たｎ型Ｚｎ５ｅ
単結晶膜、１４はＮを添加したＩ型Ｚｎ５ｅ単結晶ｊｌ
ｌ；１−１１５はＡｕ薄１１％＞、１６は（’； ａ
Ａ ｓ基板ＩＩにおける開口部をそ１１それ示している
。
このような構造の素子においては、発光はｎ型Ｚｎ５Ｃ
単結晶膜１３とｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１４との間で起る
と考えられるが、ｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１３の〃さが第
１図のｎ型Ｚｎ５ｅ層Ｉと比べると非常に薄いため、外
部への発光が増加し、開口部１６から効果的に取９出す
ことができる。
単結晶膜１３とｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１４との間で起る
と考えられるが、ｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１３の〃さが第
１図のｎ型Ｚｎ５ｅ層Ｉと比べると非常に薄いため、外
部への発光が増加し、開口部１６から効果的に取９出す
ことができる。
悸た、この構造を用いた龜）合には、基板にＧａＡｓを
用いているため、■ｎ型オーミック電極（ＡｕＧｅ層１
２）が形成し易い、■大面積のエピタキシャルウェハが
得られるなどの利点が有り、量産化に適している。
用いているため、■ｎ型オーミック電極（ＡｕＧｅ層１
２）が形成し易い、■大面積のエピタキシャルウェハが
得られるなどの利点が有り、量産化に適している。
第３し；１はこの発明の他の実施例を示すものである。
この￥雄側においては、第２図と同様な工程で、エビタ
キンヤル層を形成した後、ＩＭＺ ｎ Ｓ ｅ単結晶＋
１ｕ １４上に５ｉ０２膜１７を形成し、この５ｉ０２
膜１７の上記ＧａＡｓ基板１１の開Ｌノ部１６に対向す
る部分のみを除去して開［１部１８を設け、しかる後Ａ
ｕ９ｉ膜Ｉ９を形成する。
キンヤル層を形成した後、ＩＭＺ ｎ Ｓ ｅ単結晶＋
１ｕ １４上に５ｉ０２膜１７を形成し、この５ｉ０２
膜１７の上記ＧａＡｓ基板１１の開Ｌノ部１６に対向す
る部分のみを除去して開［１部１８を設け、しかる後Ａ
ｕ９ｉ膜Ｉ９を形成する。
第２図の実施例においては、ｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１３
とｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１４との界面全面にわたって発
光すると考えられるが、この発光を開口部１６のみから
しが取シ出せない。これに対し、第３図の実施例におい
ては、宙、Ｍ「は開口部１６及び開口部１８の近傍のみ
に流れるため、この部分のみ発光し、この発光全部をｌ
ａ’ １０部）８がら１１ノリ出すことができる。
とｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１４との界面全面にわたって発
光すると考えられるが、この発光を開口部１６のみから
しが取シ出せない。これに対し、第３図の実施例におい
ては、宙、Ｍ「は開口部１６及び開口部１８の近傍のみ
に流れるため、この部分のみ発光し、この発光全部をｌ
ａ’ １０部）８がら１１ノリ出すことができる。
従って、第２図の実施例より発光の取り出し効率が増大
する。
する。
尚、上記実施例においては、ｎ型及び１型“Ｈ−Ｖｌ族
半導体層として、それぞれＺｎ５ｅ ４１結晶膜１３．
１４を用いて説明しだが、これに限定するものではなく
、一般にＺｎ５ｘＳｅ １ 、 （Ｑ≦ｘ＜０．２）
としてもよい。まだ、基板としてＧａＰを用い、ｎ型及
びＩ型１１−■族半導体層としてＺｎ５ｙＳｅ １−ｙ
（０＜ ＶＳ２）を用いてもよい。
半導体層として、それぞれＺｎ５ｅ ４１結晶膜１３．
１４を用いて説明しだが、これに限定するものではなく
、一般にＺｎ５ｘＳｅ １ 、 （Ｑ≦ｘ＜０．２）
としてもよい。まだ、基板としてＧａＰを用い、ｎ型及
びＩ型１１−■族半導体層としてＺｎ５ｙＳｅ １−ｙ
（０＜ ＶＳ２）を用いてもよい。
さらに、ｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１３への添加不純物をＡ
ｔとしたが、その他Ｇａ （ガリウム）、Ｉｎ （イン
ジウム）等としてもよく、まだｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１
４への添加不純物もＮの他にＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）
等としてもよいっ〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、量産化が可能で、かつ
発光を効率よく取り出すことのできる半導体発光素子を
提供できる。
ｔとしたが、その他Ｇａ （ガリウム）、Ｉｎ （イン
ジウム）等としてもよく、まだｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶膜１
４への添加不純物もＮの他にＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）
等としてもよいっ〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、量産化が可能で、かつ
発光を効率よく取り出すことのできる半導体発光素子を
提供できる。
第１図は従来の半導体発光素子の桿）造を示すμすｆ間
図、絹２図はこの究明の一実施例に・係る半２．′λ体
イむ光素子の構造を示す断面図、第３図はこのチ（′；
明の１．ｐの太加ｊ例姓−イ系る断面図である。 ） １ − ｎ 、Ｑ ＧａＡｓ 基 板
、 １ ２ ・・・ ＡｕＧｅ ノＦｉｓ１３
−ｎノ’１．’！ Ｚ １１ Ｓ ｅ単結晶膜、ノ４・
・・Ｉ ｉＪ’ｊ Ｚｎ５ｅ ｊ￥′Ｌ結晶１１・・１
．１，５・ Ａｕ薄月免、１６・・・開口部。 出顧人代理人 弁１．Ｉｉｊ士 鈴 江 武 彦第１
０
図、絹２図はこの究明の一実施例に・係る半２．′λ体
イむ光素子の構造を示す断面図、第３図はこのチ（′；
明の１．ｐの太加ｊ例姓−イ系る断面図である。 ） １ − ｎ 、Ｑ ＧａＡｓ 基 板
、 １ ２ ・・・ ＡｕＧｅ ノＦｉｓ１３
−ｎノ’１．’！ Ｚ １１ Ｓ ｅ単結晶膜、ノ４・
・・Ｉ ｉＪ’ｊ Ｚｎ５ｅ ｊ￥′Ｌ結晶１１・・１
．１，５・ Ａｕ薄月免、１６・・・開口部。 出顧人代理人 弁１．Ｉｉｊ士 鈴 江 武 彦第１
０
Claims (6)
- （１）ｎ型ＩＩＩ −Ｖ族半導体基板と、このｎ型■−
Ｖ族半導体基板上に形成されたｎ型１ｌ−Ｖｌ族半導体
層と、このｎ型ＩＩ −Ｖｌ族半導体層上に形成された
半絶糾−性ｌ型１ｌ−Ｖｌ族半２ｒ１２体層と、この半
絶縁性Ｉ型ＩＩ −Ｖｌ族半導体層」二に形成され７′
ζ金（”４薄１１シとを具備し、前記ｎ型Ｉｌｌ −Ｖ
族半導体基板の一部か、ｆＭＪ記ｎ型ＩＩ −Ｖｌ族牛
４ネ体層との界面１で除去されていることを特徴とする
半々ｊ、体発光素子。 - （２） 前記ｎ ｉ（Ｈ’川用１− Ｖ族半導体基板
はＧａＡＳ。 前配置、！ｌｌ′ｌ及びｎ型１ｌ−Ｖｌ族半導体層はＺ
ｎ５ｘＳｅ１−Ｘ （０≦ｘ＜０．２）である特許請求
の範囲第１項記載の半導体発光素子。 - （３） 前記ｎ型ｌｉｔ −Ｖ族半導体基板はＧａＰ
、ｉｆＪ記ｎ型及び１型１１−■族半導体層はＺｎ５
ｙＳｅ１−ｙ（０，８＜ｙ≦１）であス１１−：杵請求
の範囲第１項記載の半導体発光素子。 - （４） 前記ｎ型１ｌ−Ｖｌ族半導体層にアルミニウ
ラ、ガリウム若しくはインジウムのうち少ぐとも一種の
不純物が添加されている特許請求の範囲第２項又は第３
項記載の半導体発光素子。 - （５） 前記Ｉ型１１．−Ｖｌ族半導体層に、窒素、
リン若しくはヒ素のうち少くとも一種の不純物が添加さ
れている特許請求の範囲第２項又は第３項記載の半導体
発光素子。 - （６）前記ｎ型及びＩ型［１−Ｖｌ族半導体層は有機金
属熱分解気相成長法により形成されている特許請求の範
囲第１項乃至第５項いずれか記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232522A JPS59117180A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232522A JPS59117180A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117180A true JPS59117180A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16940644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232522A Pending JPS59117180A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117180A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185077A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 青色発光ダイオ−ド |
| US5287334A (en) * | 1989-07-29 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Magneto-optical pickup apparatus and magneto-optical recording/reproducing apparatus |
| US5889641A (en) * | 1997-05-05 | 1999-03-30 | Seagate Technology, Inc. | Magneto-resistive magneto-optical head |
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| US6044056A (en) * | 1996-07-30 | 2000-03-28 | Seagate Technology, Inc. | Flying optical head with dynamic mirror |
| US6046966A (en) * | 1998-06-10 | 2000-04-04 | Seagate Technology, Inc. | Magneto-optical data storage system |
| US6058094A (en) * | 1996-07-30 | 2000-05-02 | Seagate Technology Inc. | Flying magneto-optical head with a steerable mirror |
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| US6178150B1 (en) | 1996-07-30 | 2001-01-23 | Seagate Technology Inc. | Offset optics for use with optical heads |
| US6200882B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-03-13 | Seagate Technology, Inc. | Method for processing a plurality of micro-machined mirror assemblies |
| US6226233B1 (en) | 1996-07-30 | 2001-05-01 | Seagate Technology, Inc. | Magneto-optical system utilizing MSR media |
| US6252747B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-06-26 | Teac Corporation | Disk apparatus having an improved head carriage structure |
| US6574015B1 (en) | 1998-05-19 | 2003-06-03 | Seagate Technology Llc | Optical depolarizer |
| US6798729B1 (en) | 1996-07-30 | 2004-09-28 | Seagate Technology Llc | Optical head using micro-machined elements |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57232522A patent/JPS59117180A/ja active Pending
Cited By (20)
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| US6414911B1 (en) | 1996-07-30 | 2002-07-02 | Seagate Technology Llc | Flying optical head with dynamic mirror |
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