JPH01187885A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH01187885A JPH01187885A JP63010826A JP1082688A JPH01187885A JP H01187885 A JPH01187885 A JP H01187885A JP 63010826 A JP63010826 A JP 63010826A JP 1082688 A JP1082688 A JP 1082688A JP H01187885 A JPH01187885 A JP H01187885A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
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- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 4
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、セレン化硫化亜鉛を用いた半導体発光素子に
関する。
関する。
（従来の技術）
セレン化硫化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）は肯色発光素子として
有望視され、近年、温度差法液相成長法によるＺｎ５ｅ
のｐｎ接合発光素子（Ｊ、Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ：５７．
２２１０ ．８５ ）の報告や本発明者による特願昭６
２−１６５２９６号で示された方法によりｐｎ接合青色
ＬＥＤの作製が可能となってきている。しかしながら、
まだいくつかの問題点を抱えている。その中でも、ｐ型
ＺｎＳＳｅに対するオーム性電極は、大きな改善の余地
を残している。
有望視され、近年、温度差法液相成長法によるＺｎ５ｅ
のｐｎ接合発光素子（Ｊ、Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ：５７．
２２１０ ．８５ ）の報告や本発明者による特願昭６
２−１６５２９６号で示された方法によりｐｎ接合青色
ＬＥＤの作製が可能となってきている。しかしながら、
まだいくつかの問題点を抱えている。その中でも、ｐ型
ＺｎＳＳｅに対するオーム性電極は、大きな改善の余地
を残している。
従来、ｐ型電極としてはＡｕが広く用いられている。特
願昭６２−１６５２９６号１こよれば、ｐ型Ｚｎ５ｅｅ
表面ｌこＡｕを蒸着等ｌこより被着させる事によりオー
ム性電極を形成している。しかし、この方法ではオーム
性接触の得られる確率が低く、得られた場合でも接触抵
抗が大きいといった不都合な点が見られる。また、Ａ
ｕを被着させた後に熱処理を行なう方法もしばしば試み
られているが、この方法ではＡｕとＺｎが相互拡散し表
面ｌこＡｕｌこよる深いアクセプター準位を形成し高抵
抗化してしまうといった新たな問題をも生じてしまう。
願昭６２−１６５２９６号１こよれば、ｐ型Ｚｎ５ｅｅ
表面ｌこＡｕを蒸着等ｌこより被着させる事によりオー
ム性電極を形成している。しかし、この方法ではオーム
性接触の得られる確率が低く、得られた場合でも接触抵
抗が大きいといった不都合な点が見られる。また、Ａ
ｕを被着させた後に熱処理を行なう方法もしばしば試み
られているが、この方法ではＡｕとＺｎが相互拡散し表
面ｌこＡｕｌこよる深いアクセプター準位を形成し高抵
抗化してしまうといった新たな問題をも生じてしまう。
（発明が解決しようとする課題）
以上のようｌこ、既ｌこＺｎＳＳｅを用いたｐｎ接合青
色発光素子を炸裂する事は可能になっているが、再現性
良く、良好なｐ型ＺｎＳ８ｅ側へのオーム性１ｔ＠を形
成することは困難であった。
色発光素子を炸裂する事は可能になっているが、再現性
良く、良好なｐ型ＺｎＳ８ｅ側へのオーム性１ｔ＠を形
成することは困難であった。
本発明は、上記した問題を解決してｐ型７．ｎ８８ｅ側
への良好なオーム性電極を再現性良く形成可能とした半
導体発光素子を提供することを目的とする。
への良好なオーム性電極を再現性良く形成可能とした半
導体発光素子を提供することを目的とする。
（課題を解決する為の手段）
本発明ｌこかかる半導体発光素子は、ｎ型Ｚｎ５ｘＳｅ
（１−ｙ：）結晶層（０≦Ｘ≦１）上に形成されたｐ型
Ｚｎ５ｙＳｅ（ｘ−ｙ）結晶層（０≦ｙ≦１）の上にｐ
型ｍ−Ｖ族生導体結晶層を積層し、この上に金属電極を
被着させた構造を有する事を特徴とする。
（１−ｙ：）結晶層（０≦Ｘ≦１）上に形成されたｐ型
Ｚｎ５ｙＳｅ（ｘ−ｙ）結晶層（０≦ｙ≦１）の上にｐ
型ｍ−Ｖ族生導体結晶層を積層し、この上に金属電極を
被着させた構造を有する事を特徴とする。
（作用）
前述したようＩこ、ＺｎＳ８ｅを用いたｐｎｍ合青色発
光素子をｎ型半導体基板結晶上Ｉこ形成する場合ｔこ、
再現性良く良好なｐ型成長層側の電極を形成する墨が必
要である。本発明ｌこよれば、これが可能になる。
光素子をｎ型半導体基板結晶上Ｉこ形成する場合ｔこ、
再現性良く良好なｐ型成長層側の電極を形成する墨が必
要である。本発明ｌこよれば、これが可能になる。
即ち、ｐ型成長層側の電極形成に際し、ｐ型Ｚｎ８Ｓｅ
層上ｌこｐ型１■−Ｖ族化合物結晶層を形成する事によ
り１ｌｌ−Ｖ族結晶ｌこ適した′ｌｔ極材料をｐ型層側
の電極として使える。それｔこより安定してｐ型層側の
オーム性電極の形成が可能になる。
層上ｌこｐ型１■−Ｖ族化合物結晶層を形成する事によ
り１ｌｌ−Ｖ族結晶ｌこ適した′ｌｔ極材料をｐ型層側
の電極として使える。それｔこより安定してｐ型層側の
オーム性電極の形成が可能になる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。基板として８ｉをドー
プしたｎ型ＧａＡｓ基板を用い、この上ｌこＭＯＣＶＤ
法１ｃよりｎ型Ｚｎ５ｘＳｅ（ｘ−ｘ）結晶層（ｘ＝０
．０９）を成長させ、続いてＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｚ
ｎ５ｙＳｅ （ｌ−ｙ ）結晶＃（ｙ＝０．０９ ）を
成長させる。
プしたｎ型ＧａＡｓ基板を用い、この上ｌこＭＯＣＶＤ
法１ｃよりｎ型Ｚｎ５ｘＳｅ（ｘ−ｘ）結晶層（ｘ＝０
．０９）を成長させ、続いてＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｚ
ｎ５ｙＳｅ （ｌ−ｙ ）結晶＃（ｙ＝０．０９ ）を
成長させる。
次に引き続き、ｐ型ＧａＡｓを成長させる。こうして、
成長させた成長結晶のｎ型側、及びｎ型側１こ各々Ａ
ｕ −Ｇ ｅとＡｕ−Ｚｎを被着させたところ良好なｐ
ｎ接合青色発光素子が得られた。第１図には、本実施例
ｔこよる素子の断面模式図を示しである。
成長させた成長結晶のｎ型側、及びｎ型側１こ各々Ａ
ｕ −Ｇ ｅとＡｕ−Ｚｎを被着させたところ良好なｐ
ｎ接合青色発光素子が得られた。第１図には、本実施例
ｔこよる素子の断面模式図を示しである。
１がｎ型ＧａＡｓ基板であり、この上ｔｃ ｎ型ＺｎＳ
Ｓｅ層２、ｐ型ＺｎＳＳｅ層３、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層
４が積層形成されている。ｎ側１ｆ！、極５は、Ａｕ−
Ｇｅ膜！こより形成され、ｐ側電極６はＡｕ−Ｚｎ１に
より形成された。
Ｓｅ層２、ｐ型ＺｎＳＳｅ層３、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層
４が積層形成されている。ｎ側１ｆ！、極５は、Ａｕ−
Ｇｅ膜！こより形成され、ｐ側電極６はＡｕ−Ｚｎ１に
より形成された。
第２図は得られた発光素子の電圧−電流特性である。比
較例として、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層を形成せず、ｐ型Ｚ
ｎ８Ｓｅ Ｎ４に直接ｐ型！極としてＡｕ膜を形成した
素子の場合の特性を破線で示す。この実施例の発光素子
は比較例に比べて直列抵抗が小さく、［ｆｉｆ形成時の
歩留りも格段に向上した。また、第３図Ｅこ示したよう
ｌこ本実施例の場合−こは流れる電流に比例して光出力
は増大していくが比較例の場合には、相対的Ｉこ低い電
流レベルで光出力に飽和熾向が見られるようになる。こ
れは直列抵抗が高い＄による発熱量の増大によるものと
考えられる。
較例として、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層を形成せず、ｐ型Ｚ
ｎ８Ｓｅ Ｎ４に直接ｐ型！極としてＡｕ膜を形成した
素子の場合の特性を破線で示す。この実施例の発光素子
は比較例に比べて直列抵抗が小さく、［ｆｉｆ形成時の
歩留りも格段に向上した。また、第３図Ｅこ示したよう
ｌこ本実施例の場合−こは流れる電流に比例して光出力
は増大していくが比較例の場合には、相対的Ｉこ低い電
流レベルで光出力に飽和熾向が見られるようになる。こ
れは直列抵抗が高い＄による発熱量の増大によるものと
考えられる。
本発明は上記実施例に限られるものではない。例えばＺ
ｎ８ｘＳｅ（Ｉ−Ｘ）（７）組成ｓｃ応じて、ＧａＰ、
ＩｎＰ等＋１ｔ−Ｖ族単結晶及び混晶をｐ型ＺｎＳ８ｅ
上Ｆこ形成する事ができる。また、成長方法としてもＭ
ＯＣＶＤ法だけでな（ＭＢＢ法等他の成長嶌法ｌこよっ
ても形成可能である。内でも本実施例に示したＭＯＣＶ
Ｄ法やＭＢＢ法では成長温度を低くする事ができる上ｌ
こ、ＺｎＳＳｅからＩＩＩ−Ｖ族化合物まで連続的ｔこ
成長可能であるので、他の成長方法に比べ大きな利点を
有している。
ｎ８ｘＳｅ（Ｉ−Ｘ）（７）組成ｓｃ応じて、ＧａＰ、
ＩｎＰ等＋１ｔ−Ｖ族単結晶及び混晶をｐ型ＺｎＳ８ｅ
上Ｆこ形成する事ができる。また、成長方法としてもＭ
ＯＣＶＤ法だけでな（ＭＢＢ法等他の成長嶌法ｌこよっ
ても形成可能である。内でも本実施例に示したＭＯＣＶ
Ｄ法やＭＢＢ法では成長温度を低くする事ができる上ｌ
こ、ＺｎＳＳｅからＩＩＩ−Ｖ族化合物まで連続的ｔこ
成長可能であるので、他の成長方法に比べ大きな利点を
有している。
基板として、他の１ｌｌ−Ｖ族化合物半導体結晶を用い
る事も可能であるし、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳさらｔこＺｎＳ
Ｓｅを基板として用いる事もできる。また、素子の構造
にしても表面を覆うｐ型１１１−Ｖ族結晶層のｔ極板外
の部分をエツチング除去した第４図のような構造にする
事−こより、光取り出し効率を大巾ｌこ増大できる為高
輝度青色発光素子を得る事ができる。
る事も可能であるし、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳさらｔこＺｎＳ
Ｓｅを基板として用いる事もできる。また、素子の構造
にしても表面を覆うｐ型１１１−Ｖ族結晶層のｔ極板外
の部分をエツチング除去した第４図のような構造にする
事−こより、光取り出し効率を大巾ｌこ増大できる為高
輝度青色発光素子を得る事ができる。
その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で移々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
以上述べたように本発明によれば、’ｌ、ｎ８ｓｅｐ型
層側の電極を形成する場合に、ｐ型１７−Ｖ族化合物半
導体を積層して電極を形成する事により、再現性に優れ
かつ接触抵抗の低い良好な発光素子を得る事ができる。
層側の電極を形成する場合に、ｐ型１７−Ｖ族化合物半
導体を積層して電極を形成する事により、再現性に優れ
かつ接触抵抗の低い良好な発光素子を得る事ができる。
第１図は本発明の一実施例１こよる発光素子の構造を示
す図、第２図はその電気的特性を示す図、第３図は発光
特性を示す図、第４図は他の実施例Ｅこよる発光素子の
構造を示す図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＺｎＳＳｅ
結晶層、３ ・・Ｐ型ＺｎＳＳｅ結晶層、４−１）型Ｇ
ａＡｓ結晶層、５−・−ｎ側電極、６−ｐ （ｎｕｔ極
、ｌ ｌ −・−ｎ 型ＧａＡｓ基板、２ ・＝ ｎ型
ＺｎＳＳｅ結晶層、３−１）型ＺｎＳＳｅ結晶層、１４
・・・ｐ型ＧａＡｓ結晶層、１５・・・０側電極、１６
・・・ｐ側電極。
す図、第２図はその電気的特性を示す図、第３図は発光
特性を示す図、第４図は他の実施例Ｅこよる発光素子の
構造を示す図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＺｎＳＳｅ
結晶層、３ ・・Ｐ型ＺｎＳＳｅ結晶層、４−１）型Ｇ
ａＡｓ結晶層、５−・−ｎ側電極、６−ｐ （ｎｕｔ極
、ｌ ｌ −・−ｎ 型ＧａＡｓ基板、２ ・＝ ｎ型
ＺｎＳＳｅ結晶層、３−１）型ＺｎＳＳｅ結晶層、１４
・・・ｐ型ＧａＡｓ結晶層、１５・・・０側電極、１６
・・・ｐ側電極。
Claims (2)
- （１）セレン化硫化亜鉛を材料とした半導体発光素子に
おいて、少なくとも一層のｎ型セレン化硫化亜鉛（Ｚｎ
ＳｘＳｅ（１−ｘ）：０≦ｘ≦１）結晶上に積層された
少なくとも一層のｐ型セレン化硫化亜鉛（ＺｎＳｙＳｅ
（１−ｙ）：０≦Ｙ≦１）結晶上にｐ型III−Ｖ族半導
体結晶層を順次積層した構造を含むことを特徴とする半
導体発光素子。 - （２）III−Ｖ族化合物半導体基板上に形成された事を
特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082688A JP2656276B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082688A JP2656276B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187885A true JPH01187885A (ja) | 1989-07-27 |
| JP2656276B2 JP2656276B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=11761166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082688A Expired - Lifetime JP2656276B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656276B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03161982A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| US5371756A (en) * | 1993-01-29 | 1994-12-06 | Nec Corporation | Semiconductor blue-green laser diodes |
| EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172766A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1082688A patent/JP2656276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172766A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03161982A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| US5371756A (en) * | 1993-01-29 | 1994-12-06 | Nec Corporation | Semiconductor blue-green laser diodes |
| EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| EP0632510A3 (en) * | 1993-06-08 | 1995-04-12 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method. |
| US5548127A (en) * | 1993-06-08 | 1996-08-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2656276B2 (ja) | 1997-09-24 |
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