JPH03161982A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH03161982A JPH03161982A JP1301686A JP30168689A JPH03161982A JP H03161982 A JPH03161982 A JP H03161982A JP 1301686 A JP1301686 A JP 1301686A JP 30168689 A JP30168689 A JP 30168689A JP H03161982 A JPH03161982 A JP H03161982A
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- Japan
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- layer
- type
- znse
- light emitting
- type znse
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ZnSe (セレン化亜鉛)を用いた発光素
子に関する。
子に関する。
一般に、ZnSeは、室温で約2 . 7eVのバンド
ギャップを有することから、青色発光素子材料として注
目されている。
ギャップを有することから、青色発光素子材料として注
目されている。
ZnSeを用いた青色発光素子の作製は、通常GaAs
(ガリウム砒素)単結晶を基板とし、分子線エビタキシ
ー法(MBE法)や有機金属化学気相成長法CMOCV
D法)により行われている。
(ガリウム砒素)単結晶を基板とし、分子線エビタキシ
ー法(MBE法)や有機金属化学気相成長法CMOCV
D法)により行われている。
従来では、例えば特開昭59−16393号公報(HO
IL83/00)lこ示されているように、MBE法{
こまってMIS(金属一絶縁膜一半導体)形の青色発光
素子を作製することが行われている。
IL83/00)lこ示されているように、MBE法{
こまってMIS(金属一絶縁膜一半導体)形の青色発光
素子を作製することが行われている。
しかし、この発光素子は、MIS構造であることから高
効率化を期待することはできない。
効率化を期待することはできない。
ここで、高効率化を図ったZnSe発光素子を得るため
には、p型ZnSeとn型ZnSeとによるp−n接合
を用いた構造をとる必要がある。
には、p型ZnSeとn型ZnSeとによるp−n接合
を用いた構造をとる必要がある。
そして、従来、ZnSe単結晶によるp − n接合を
形成して発光素子を作製する場合、例えば、J. Cr
ystalGrowth 98 (1988 )69
2に見られるよう{こ、n型ZnSeの作製に際してG
a (ガリウム)もしくはCt<塩素)をドナー不純物
として用い、p型ZnS eの作製に際してLi (リ
チウム),N(窒素)もしくはP(リン)をアクセブタ
不純物として用いることが行われている。
形成して発光素子を作製する場合、例えば、J. Cr
ystalGrowth 98 (1988 )69
2に見られるよう{こ、n型ZnSeの作製に際してG
a (ガリウム)もしくはCt<塩素)をドナー不純物
として用い、p型ZnS eの作製に際してLi (リ
チウム),N(窒素)もしくはP(リン)をアクセブタ
不純物として用いることが行われている。
更に、電極に関しては、n型ZnSeのオーミック電極
としてIn (インジウム)を用い、p型Znseのオ
ーミック電極としてAu (金)をベースとした合金を
用いている。
としてIn (インジウム)を用い、p型Znseのオ
ーミック電極としてAu (金)をベースとした合金を
用いている。
しかし、この構造では、p型ZnSeのオーミック電柵
において十分なオーミック特性が得られていない。
において十分なオーミック特性が得られていない。
本発明は、前記した従来欠点に留意してなされたもので
あり、p型ZnSe上にオーミック特性の優れた電極を
有する発光素子を得ることを目的と丁るO 〔課題を解決するための手段〕 前記目的を達成するために、本発明の発光素子において
は、n型半導体基板上にn型ZnSe層とp型ZnSe
層とによるpn接合を形成すると共に、p型ZnSe層
上にp型GaAs層及び金属層を順次積層してオーミッ
クwl極を形成したことを特徴とするものである。
あり、p型ZnSe上にオーミック特性の優れた電極を
有する発光素子を得ることを目的と丁るO 〔課題を解決するための手段〕 前記目的を達成するために、本発明の発光素子において
は、n型半導体基板上にn型ZnSe層とp型ZnSe
層とによるpn接合を形成すると共に、p型ZnSe層
上にp型GaAs層及び金属層を順次積層してオーミッ
クwl極を形成したことを特徴とするものである。
GaAs単結晶に対するオーミック電極としてAuをベ
ースとした合金等の金属層を用いることは一般的に行わ
れており、良好なオーミック特性が得られている。
ースとした合金等の金属層を用いることは一般的に行わ
れており、良好なオーミック特性が得られている。
他方、GaAsは低抵抗であり、ZnSeと格子整合す
る。
る。
従って、p型ZnSe層上にp型GaAs層を積層する
と共に、これに金属層を積層してオーミック電極とする
ことにより、p型ZnSe層上にオーミック特性の優れ
た電極を得ることができる。
と共に、これに金属層を積層してオーミック電極とする
ことにより、p型ZnSe層上にオーミック特性の優れ
た電極を得ることができる。
実施例につき、図面を用いて説明する。
@1図は青色発光素子の断面構造を示し、(1)はn型
znSe基板、(2)はn型ZnSe層、(3)はp型
ZnSe層、(4)はp型GaAs層であり、これら各
層(2)〜(4)はMBE法により結晶成長される。(
5)はAu−Cr(クロム)合金層であり、p型GaA
s WJ (4)と合金層(5)とでp型ZnSe /
F!(3)のオーミック電極(6)が構成されている。
znSe基板、(2)はn型ZnSe層、(3)はp型
ZnSe層、(4)はp型GaAs層であり、これら各
層(2)〜(4)はMBE法により結晶成長される。(
5)はAu−Cr(クロム)合金層であり、p型GaA
s WJ (4)と合金層(5)とでp型ZnSe /
F!(3)のオーミック電極(6)が構成されている。
(7)はn型ZnSe基板(1)のオーミック電極であ
る。
る。
第2図は、前記発光素子の製造プロセスを示したもので
あり、以下発光素子の作製方法を説明する。
あり、以下発光素子の作製方法を説明する。
同図(a)に示すように、予めMBE装置内{こ清浄化
された面方位(100)0)n型ZnSe基板(1)を
挿着し、この基板(1)上にGa kドーパントとして
れ型ZnSe 層(2)を膜厚2〜3μmに成長させる
。
された面方位(100)0)n型ZnSe基板(1)を
挿着し、この基板(1)上にGa kドーパントとして
れ型ZnSe 層(2)を膜厚2〜3μmに成長させる
。
この時の成長条件は、キャリア濃度5X I Q17c
m ’の場合、基板温度300゜C,Znの分子線圧力
txto−torr , Seの分子線圧力4X10
torr , Gaセル温度45σCで、成長速度iμ
m /hである。
m ’の場合、基板温度300゜C,Znの分子線圧力
txto−torr , Seの分子線圧力4X10
torr , Gaセル温度45σCで、成長速度iμ
m /hである。
続いて、同図(b)に示すように、n型ZnSe I鋼
(2)上にL+をドーパントとしてp型Zn Se層(
3)を膜厚2〜3μmに成長させる。
(2)上にL+をドーパントとしてp型Zn Se層(
3)を膜厚2〜3μmに成長させる。
この時の成長条件は、キャリア濃度IXIO cmの場
合、Liセル温度260℃で、他の条件はn型ZnSe
層(2)或長の場合と同様である。
合、Liセル温度260℃で、他の条件はn型ZnSe
層(2)或長の場合と同様である。
ドーパントとしてIOOOA以下の膜厚に成長させる。
この時の威長条件は、キャリア濃度l017〜ld8c
m”の場合、Gaの分子線圧力5XlO ’torr
* Asの分子線圧力5X10−’torr , Be
セル温度820゜Cで成長温度700’C.eJ長速度
1μm/hである。
m”の場合、Gaの分子線圧力5XlO ’torr
* Asの分子線圧力5X10−’torr , Be
セル温度820゜Cで成長温度700’C.eJ長速度
1μm/hである。
その後、同図(d)に示すように、p型GaAs層(4
)上にこのオーミック電極となるAu−Cr合金層(5
)を真空蒸着法によって蒸着する。
)上にこのオーミック電極となるAu−Cr合金層(5
)を真空蒸着法によって蒸着する。
そして、このAu−Cr合金層(5)上にレジストを添
付し、同図(e)に示すように、エッチングによって電
極となる部分を残して他の部分を除去し、p型ZnSe
層(3)のオーミック電極(6)を形成する。
付し、同図(e)に示すように、エッチングによって電
極となる部分を残して他の部分を除去し、p型ZnSe
層(3)のオーミック電極(6)を形成する。
更に同図(f3に示すように、n型ZnSe基板(1)
の裏面にInを真空蒸着してオーミック電極(7)を形
威する。
の裏面にInを真空蒸着してオーミック電極(7)を形
威する。
尚、前記実施例では、n型半導体基板としてn型ZnS
e基板(1)を用いた場合を示したが、znSeと格子
整合する単結晶であればこれに限定するものではなく、
例えばGaAsのような単結晶を用いてもよい。
e基板(1)を用いた場合を示したが、znSeと格子
整合する単結晶であればこれに限定するものではなく、
例えばGaAsのような単結晶を用いてもよい。
以上説明したように、本発明の発光素子によれば、p型
ZnSe層上にp型GaAs層及び金属層を積層してオ
ーミック電極を形成するようにしたので、4 オーミック特性の優れた電極を得ることができる。
ZnSe層上にp型GaAs層及び金属層を積層してオ
ーミック電極を形成するようにしたので、4 オーミック特性の優れた電極を得ることができる。
図面は本発明による発光素子のl実施例を示し、第1図
は断面図、第2図G)〜(f)はそれぞれ製造過程を示
す異なる状態fこおける断面図である。 (1)− n型ZnSe基板、(2)−n型Z nse
層、(3)− p型ZnSe層、(4)・= p型Ga
As層、(5)− Au−Cr合金層、(6)・・・オ
ーミック電極。
は断面図、第2図G)〜(f)はそれぞれ製造過程を示
す異なる状態fこおける断面図である。 (1)− n型ZnSe基板、(2)−n型Z nse
層、(3)− p型ZnSe層、(4)・= p型Ga
As層、(5)− Au−Cr合金層、(6)・・・オ
ーミック電極。
Claims (1)
- (1)ZnSe化合物半導体を用いた発光素子において
、n型半導体基板上にn型ZnSe層とp型ZnSe層
とによるp−n接合を形成すると共に、前記p型ZnS
e層上にp型GaAs層及び金属層を順次積層してオー
ミック電極を形成したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1301686A JPH03161982A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1301686A JPH03161982A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03161982A true JPH03161982A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17899921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1301686A Pending JPH03161982A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03161982A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5324963A (en) * | 1992-04-13 | 1994-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electroluminescent semiconductor device having chalcogenide layer and mixed crystal layer |
EP0608868A1 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Nec Corporation | Semiconductor blue-green laser diodes |
EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01187885A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1301686A patent/JPH03161982A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01187885A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5324963A (en) * | 1992-04-13 | 1994-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electroluminescent semiconductor device having chalcogenide layer and mixed crystal layer |
EP0608868A1 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Nec Corporation | Semiconductor blue-green laser diodes |
EP0632510A2 (en) * | 1993-06-08 | 1995-01-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
EP0632510A3 (en) * | 1993-06-08 | 1995-04-12 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method. |
US5548127A (en) * | 1993-06-08 | 1996-08-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
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