JPS60143680A - Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド - Google Patents
Ｍｉｓ型発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS60143680A JPS60143680A JP58249520A JP24952083A JPS60143680A JP S60143680 A JPS60143680 A JP S60143680A JP 58249520 A JP58249520 A JP 58249520A JP 24952083 A JP24952083 A JP 24952083A JP S60143680 A JPS60143680 A JP S60143680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- layer
- type
- insulation layer
- zns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0037—Devices characterised by their operation having a MIS barrier layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（イ）産業上の利用分野
本発明はｚｎｓｅ （ジンクセレン）から°なるＭＩｓ
（金属−絶縁物一半導体）型発光ダイオード１：関する
。 １０）従来技術 Ｚｎ３ｅ単結晶は室温で２．７（３Ｖのバンドギャップ
を有するため青色発光材料として有望視されているが、
未だ実用化Ｃ：到っていない。この原因は’＠ １１ｍ
はｚｎＢｅ単結晶が従来法では高品質なものが得られな
かったことＣ：あり、第２１−はＺｎ８ｅ単結晶は自己
補償効果が強（ｎ型伝導しか示さないためｐｎ接合を形
成することができないこと（二ある。 上記第１の問題は従来の液相、気相成長方法等とは全（
異なる熱的非平衡状態からの成長であるＭＢＥ（分子線
エピタキシャル）成長方法を用いることで解決される。 その具体的な成長方法は例えば特願昭５７−１２６４６
５号（：開示されている。 また第２の問題は接合型をＭＩｓ型とすることＣ：より
解決される。 第１図はｚｎＢｅ単結晶からなるＭＩＳ型発光発光ダイ
オード式的（：示し、（１）は例えばｎ型ＧａＡ３単結
晶からなる基板、（２）は該基板上ＣＭＢＢ成長方法（
：より積層されたｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶層。 （３）は該単結晶層上口積重された絶縁（至）、（４）
は該絶縁層上Ｃ二積層された例えばＡＬＴ（金）からな
る金属層である。 従来、上記絶縁＠ １３１は８１０２．８’ＬＳＮ４゜
Ａ１２０Ｂ、ｚｎｏ等の絶縁物で構成されていた。 然るＣ：これらは全て多結晶あるいは非晶質であるため
層形成時にピンホール等が発生し膜質を低下させていた
。また上記絶縁層（３）の実用的層厚は、１００Ａ以下
と極めて薄いため、層厚の制御が極めて困難であ＊７た
め特性のそろったデバイスを再現性良く製造することが
難しかった。更Ｃ二ｚｎｓｅ単結晶は熱的損傷を受け易
く、高温に晒らすと分解し結晶性の劣化を招くため、上
記絶縁＠（３）の形成（：あたっては低温形成可能なス
パッタ法が用いられているが、斯る方法ではＺｎ８ｅ単
結晶層（２）表面！−損傷を与えやすく、絶縁層（３）
とｚｎＢｅ単結晶層（２）との界面Ｃ二深いレベルが生
じるため特性が不安定となｌ）、かつ発光効率が低いと
いう間Ｉがあった。 斯る問題点に鑑みて従来より梯案されているもの（−上
記絶縁層（３）として高抵抗の１型ｚｎＢｅ単結晶を用
いる構成がある。 斯る構成では、絶縁層をｎ型ｚｎＢｅ単結晶層（２）と
連続
（金属−絶縁物一半導体）型発光ダイオード１：関する
。 １０）従来技術 Ｚｎ３ｅ単結晶は室温で２．７（３Ｖのバンドギャップ
を有するため青色発光材料として有望視されているが、
未だ実用化Ｃ：到っていない。この原因は’＠ １１ｍ
はｚｎＢｅ単結晶が従来法では高品質なものが得られな
かったことＣ：あり、第２１−はＺｎ８ｅ単結晶は自己
補償効果が強（ｎ型伝導しか示さないためｐｎ接合を形
成することができないこと（二ある。 上記第１の問題は従来の液相、気相成長方法等とは全（
異なる熱的非平衡状態からの成長であるＭＢＥ（分子線
エピタキシャル）成長方法を用いることで解決される。 その具体的な成長方法は例えば特願昭５７−１２６４６
５号（：開示されている。 また第２の問題は接合型をＭＩｓ型とすることＣ：より
解決される。 第１図はｚｎＢｅ単結晶からなるＭＩＳ型発光発光ダイ
オード式的（：示し、（１）は例えばｎ型ＧａＡ３単結
晶からなる基板、（２）は該基板上ＣＭＢＢ成長方法（
：より積層されたｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶層。 （３）は該単結晶層上口積重された絶縁（至）、（４）
は該絶縁層上Ｃ二積層された例えばＡＬＴ（金）からな
る金属層である。 従来、上記絶縁＠ １３１は８１０２．８’ＬＳＮ４゜
Ａ１２０Ｂ、ｚｎｏ等の絶縁物で構成されていた。 然るＣ：これらは全て多結晶あるいは非晶質であるため
層形成時にピンホール等が発生し膜質を低下させていた
。また上記絶縁層（３）の実用的層厚は、１００Ａ以下
と極めて薄いため、層厚の制御が極めて困難であ＊７た
め特性のそろったデバイスを再現性良く製造することが
難しかった。更Ｃ二ｚｎｓｅ単結晶は熱的損傷を受け易
く、高温に晒らすと分解し結晶性の劣化を招くため、上
記絶縁＠（３）の形成（：あたっては低温形成可能なス
パッタ法が用いられているが、斯る方法ではＺｎ８ｅ単
結晶層（２）表面！−損傷を与えやすく、絶縁層（３）
とｚｎＢｅ単結晶層（２）との界面Ｃ二深いレベルが生
じるため特性が不安定となｌ）、かつ発光効率が低いと
いう間Ｉがあった。 斯る問題点に鑑みて従来より梯案されているもの（−上
記絶縁層（３）として高抵抗の１型ｚｎＢｅ単結晶を用
いる構成がある。 斯る構成では、絶縁層をｎ型ｚｎＢｅ単結晶層（２）と
連続
【７てＭＢＦｉ成長方法により形成できるため、そ
の膜質も良好となり、かつその−厚を１０ＯＡ以下とす
ることも簡単となる。更ｉｎｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶層（２
１と絶縁層（３）との界面（二は深いレベルが生じるこ
とがなく、従って特性が不安定となることもない。 然る（−１絶縁層（３１として１やｚｎ８θ車結晶を用
いるとｎ型ｚｎＢｅ単結晶層（２）と絶縁層（３）との
バンドギャップが同一となるため正孔の注入効率が低下
し高効率発光を望むことができないことが判明した。 （ハ）発明の目的 本発明は斯る点Ｃｍみてなされたもので、絶縁層の膜質
が良好でかつ再現性良（形成できると共に、ｎ型ＺｎＳ
θ単結晶層と絶縁層との界面に深いレベルを有すること
はなく、更（−ｎ型ｚｎＢｅ単結晶層への正孔の注入効
率が良好となるＭＩＳ型発光発光ダイオード供せんとす
るものである。 （−１発明の構成 本発明の構成的特徴はｚｎｓｅｎｔ結晶上に絶縁層及び
金属を順次積肋してなるλ（Ｉｓ型型光光ダイオード１
ユいて、上記絶縁層を高抵抗ＺｎＳ結晶で構成したこと
１−ある。 鯵１実施例 第２図は本発明の実施例を示し、（Ｉｌｌはｎ型Ｇｅ１
ＡＢ単結晶力・らなる基板、０２１は該基板の一王面に
積層されたｎ型Ｚｎ８θ単結晶層であＩ）、該単結晶層
はＧａ （ガリウム）を導電型決定不純物として含有し
、そのキャリア濃度は約１０７ｊである。＋１３１は上
記単結晶層０２！上【＝種部さ幻たＺｎＳ高抵抗申結晶
からなる絶縁層、Ｏ４１は該絶縁層上Ｃ：積層されたＡ
Ｕからなる蕾贋〜、ａ町ま上記単結晶層１ｌＦ２１の露
出表面（：形成されたオーミック電極である。 上記単結晶ｅｏ２１及び絶縁ｆｆ！（１３１はＭＢＥ成
長方法（二より形成する。以下（−その具体的な製造方
法を説明する。 第３図はＭＢＥ装置を原理的に示したものであ下に排気
された貫穿容器内において、加熱用ヒータを備えた基板
ホルダー１２１）上Ｃ二Ｉｎ（インジウム）メタル１２
２１１：て−主面が（１００）面であるｎ型Ｇａｘｓ
（ガリウム砒素）基板（Ｉｌｌが固着されている°。基
板０１）と対向する位置Ｃ：は第１〜第４セル（２３１
〜（イ）が配され、これらの間には主シヤツタ０７）と
個別シャッタ（２８ａ）〜（２８（１）が介在されてい
る。また上記各セル＋２３１〜（ト）（；は加熱用ヒー
タ翰及び温度検出用熱電対（７）が夫々装着されている
。 更（；上記各セル＋２４１〜ｍ （”−は夫ｚＺｎ （
亜鉛）、Ｓｅ（セレン）、不純物としてのＧａ及びＺｎ
Ｓ （ジンクサルファ）が収納されている。面上記名セ
）ＶＩ−格納されたＺｎ、Ｂｅ、Ｇａの純度は６Ｎ以上
であり、Ｚｎ８は！１Ｎ程度である。 斯る装置を用いてｎ型ｚｎＢｅ単結晶層０を形成するに
は、まず基板（Ｉｌｌを３００℃〜５６０℃Ｉ：保持す
ると共１：第１〜第３セル１２３１〜□□□を夫々３０
０℃、２００℃、４２０τ〕（−保持し、主シャッタｃ
ｌｎ及ヒ個別ｖヤｙｙ （２ｓ ａ） 〜（２ｓ ｃ）
ヲ開となす。これによりキャリア濃度が約ｌＸ１０１
７／−で４６０ｎｍ付近（二強いピークを示すＰＬ特性
を有したｎ型ｚｎｓθ単結晶層０が基板ａ１Ｊの一王面
（−成長する。尚、斯る単結晶６１１３の層厚は約１０
μｍとする。 次いで上記基板０１）の温度を２４０℃〜２８０℃Ｃ；
保持するととも（：第４セル弼を９５０℃程度（：保持
し王シャッタ（２゛０及び個別シャッタ（２Ｂ（１）の
みを開となすことＣ二より比抵抗が１０５Ω−１程度の
高抵抗ｚｎｓ単結晶からなる絶縁層０３１が上記単結晶
層（＋２１上Ｃ：成長する。面、斯る絶縁層（１３＋の
層厚は約１００Ａとする。また上記絶縁＠（１３形成Ｃ
二あたってそのソース材料ＺｎＳの純度を３Ｎとしたが
、これは純度が６Ｎと高いと成長したＺｎ単結晶の比抵
抗が２５０Ω−儂と低くなり絶縁層（１３１として作用
しなくなるためである。 このよう（二本実施例におけるｎ型ｚｎｓθ単結晶胸０
４及び絶縁１１（１３１はＭＢＥ成長方法Ｃよ１）連続
的Ｉ：影形成きるものであり、従ってその膜質も良好と
なると共にその層厚制御も簡単（−行なえ、またその界
面Ｃ二不所望な発光を生じる深いレベルが発生すること
はない。更ＨＺ ｎ ８単結晶はＺｎ５ｅ単結晶（：比
してバンドギャップが大であるためｎ型ｚｎｓθ単結晶
ＩＩ（１３１への正孔の注入効率も高く、従って発光効
率も高まる。 （へ）発明の効果 本発明では絶縁層としてＭＢＥ成長方法より作成された
高抵抗ＺｎＳ単結晶を用いているため、絶縁ｊ＠の膜質
が良好となＩ】、電気的特性が安定する。また動作特性
を決定する絶縁層の層厚もＭＢＥ成長を用いているため
再現性よく形成できる。 更（＝ｎ型ｚｎｓθ単結晶とＺｎ８単結晶とはＭＢＥ成
長方法（二より連続的に形成できるため、その界面１：
深いレベルが生じることはなく、不所望な発光センター
が生じない。
の膜質も良好となり、かつその−厚を１０ＯＡ以下とす
ることも簡単となる。更ｉｎｎ型Ｚｎ５ｅ単結晶層（２
１と絶縁層（３）との界面（二は深いレベルが生じるこ
とがなく、従って特性が不安定となることもない。 然る（−１絶縁層（３１として１やｚｎ８θ車結晶を用
いるとｎ型ｚｎＢｅ単結晶層（２）と絶縁層（３）との
バンドギャップが同一となるため正孔の注入効率が低下
し高効率発光を望むことができないことが判明した。 （ハ）発明の目的 本発明は斯る点Ｃｍみてなされたもので、絶縁層の膜質
が良好でかつ再現性良（形成できると共に、ｎ型ＺｎＳ
θ単結晶層と絶縁層との界面に深いレベルを有すること
はなく、更（−ｎ型ｚｎＢｅ単結晶層への正孔の注入効
率が良好となるＭＩＳ型発光発光ダイオード供せんとす
るものである。 （−１発明の構成 本発明の構成的特徴はｚｎｓｅｎｔ結晶上に絶縁層及び
金属を順次積肋してなるλ（Ｉｓ型型光光ダイオード１
ユいて、上記絶縁層を高抵抗ＺｎＳ結晶で構成したこと
１−ある。 鯵１実施例 第２図は本発明の実施例を示し、（Ｉｌｌはｎ型Ｇｅ１
ＡＢ単結晶力・らなる基板、０２１は該基板の一王面に
積層されたｎ型Ｚｎ８θ単結晶層であＩ）、該単結晶層
はＧａ （ガリウム）を導電型決定不純物として含有し
、そのキャリア濃度は約１０７ｊである。＋１３１は上
記単結晶層０２！上【＝種部さ幻たＺｎＳ高抵抗申結晶
からなる絶縁層、Ｏ４１は該絶縁層上Ｃ：積層されたＡ
Ｕからなる蕾贋〜、ａ町ま上記単結晶層１ｌＦ２１の露
出表面（：形成されたオーミック電極である。 上記単結晶ｅｏ２１及び絶縁ｆｆ！（１３１はＭＢＥ成
長方法（二より形成する。以下（−その具体的な製造方
法を説明する。 第３図はＭＢＥ装置を原理的に示したものであ下に排気
された貫穿容器内において、加熱用ヒータを備えた基板
ホルダー１２１）上Ｃ二Ｉｎ（インジウム）メタル１２
２１１：て−主面が（１００）面であるｎ型Ｇａｘｓ
（ガリウム砒素）基板（Ｉｌｌが固着されている°。基
板０１）と対向する位置Ｃ：は第１〜第４セル（２３１
〜（イ）が配され、これらの間には主シヤツタ０７）と
個別シャッタ（２８ａ）〜（２８（１）が介在されてい
る。また上記各セル＋２３１〜（ト）（；は加熱用ヒー
タ翰及び温度検出用熱電対（７）が夫々装着されている
。 更（；上記各セル＋２４１〜ｍ （”−は夫ｚＺｎ （
亜鉛）、Ｓｅ（セレン）、不純物としてのＧａ及びＺｎ
Ｓ （ジンクサルファ）が収納されている。面上記名セ
）ＶＩ−格納されたＺｎ、Ｂｅ、Ｇａの純度は６Ｎ以上
であり、Ｚｎ８は！１Ｎ程度である。 斯る装置を用いてｎ型ｚｎＢｅ単結晶層０を形成するに
は、まず基板（Ｉｌｌを３００℃〜５６０℃Ｉ：保持す
ると共１：第１〜第３セル１２３１〜□□□を夫々３０
０℃、２００℃、４２０τ〕（−保持し、主シャッタｃ
ｌｎ及ヒ個別ｖヤｙｙ （２ｓ ａ） 〜（２ｓ ｃ）
ヲ開となす。これによりキャリア濃度が約ｌＸ１０１
７／−で４６０ｎｍ付近（二強いピークを示すＰＬ特性
を有したｎ型ｚｎｓθ単結晶層０が基板ａ１Ｊの一王面
（−成長する。尚、斯る単結晶６１１３の層厚は約１０
μｍとする。 次いで上記基板０１）の温度を２４０℃〜２８０℃Ｃ；
保持するととも（：第４セル弼を９５０℃程度（：保持
し王シャッタ（２゛０及び個別シャッタ（２Ｂ（１）の
みを開となすことＣ二より比抵抗が１０５Ω−１程度の
高抵抗ｚｎｓ単結晶からなる絶縁層０３１が上記単結晶
層（＋２１上Ｃ：成長する。面、斯る絶縁層（１３＋の
層厚は約１００Ａとする。また上記絶縁＠（１３形成Ｃ
二あたってそのソース材料ＺｎＳの純度を３Ｎとしたが
、これは純度が６Ｎと高いと成長したＺｎ単結晶の比抵
抗が２５０Ω−儂と低くなり絶縁層（１３１として作用
しなくなるためである。 このよう（二本実施例におけるｎ型ｚｎｓθ単結晶胸０
４及び絶縁１１（１３１はＭＢＥ成長方法Ｃよ１）連続
的Ｉ：影形成きるものであり、従ってその膜質も良好と
なると共にその層厚制御も簡単（−行なえ、またその界
面Ｃ二不所望な発光を生じる深いレベルが発生すること
はない。更ＨＺ ｎ ８単結晶はＺｎ５ｅ単結晶（：比
してバンドギャップが大であるためｎ型ｚｎｓθ単結晶
ＩＩ（１３１への正孔の注入効率も高く、従って発光効
率も高まる。 （へ）発明の効果 本発明では絶縁層としてＭＢＥ成長方法より作成された
高抵抗ＺｎＳ単結晶を用いているため、絶縁ｊ＠の膜質
が良好となＩ】、電気的特性が安定する。また動作特性
を決定する絶縁層の層厚もＭＢＥ成長を用いているため
再現性よく形成できる。 更（＝ｎ型ｚｎｓθ単結晶とＺｎ８単結晶とはＭＢＥ成
長方法（二より連続的に形成できるため、その界面１：
深いレベルが生じることはなく、不所望な発光センター
が生じない。
第１図はｚｎｓθ発党ダイズード牟９構造を示す断面図
、第２図は本発明の実施例を示す断面図。 第３図はＭＢＥ成長装置を原理的に示す模式図である。 ａｚ・・・ｎ型ｚｎ３ｅ車結晶層、０・・・絶縁層、■
・・・金属層。
、第２図は本発明の実施例を示す断面図。 第３図はＭＢＥ成長装置を原理的に示す模式図である。 ａｚ・・・ｎ型ｚｎ３ｅ車結晶層、０・・・絶縁層、■
・・・金属層。
Claims (1)
- （１）Ｚｎ８ａ単結晶上に絶縁層及び金属を順次積層し
てなるＭＩＳ型発光ダイオードＣ：おいて、上記絶縁層
を高抵抗Ｚｎ８単結晶で構成したことを特徴とするＭＩ
Ｓ型発光発光ダイオー
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249520A JPS60143680A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249520A JPS60143680A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143680A true JPS60143680A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=17194194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249520A Pending JPS60143680A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232665A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718889A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Pipe joint |
| JPS5821818A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58249520A patent/JPS60143680A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718889A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Pipe joint |
| JPS5821818A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232665A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2588280B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JPH0232570A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JP3492551B2 (ja) | ｐ型ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0268968A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JPH0152910B2 (ja) | ||
| US5097298A (en) | Blue light emitting display element | |
| JP2908815B2 (ja) | 少なくとも１．４電子ボルトの禁止帯幅を有する広禁止帯幅半導体の結晶のドーピング方法 | |
| JPS62173775A (ja) | ＭＩＳ型ＺｎＳ青色発光素子 | |
| JPS60143680A (ja) | Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド | |
| JPH03268360A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3181074B2 (ja) | Ｃｕ系カルコパイライト膜の製造方法 | |
| JP2537296B2 (ja) | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族間化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS63213378A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH01187885A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2585252B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2545212B2 (ja) | 青色発光素子 | |
| JPS6328511B2 (ja) | ||
| JPS62101089A (ja) | 青色発光素子 | |
| JP2629236B2 (ja) | 半導体基板の熱処理方法 | |
| JPS6229400B2 (ja) | ||
| JPS6351553B2 (ja) | ||
| JPH03161982A (ja) | 発光素子 | |
| JPS6219080B2 (ja) | ||
| JPS5821383A (ja) | 青色発光素子 | |
| JPH04261075A (ja) | ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体 |