JPH01140663A - 半導体装置の電極 - Google Patents
半導体装置の電極Info
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- JPH01140663A JPH01140663A JP62297359A JP29735987A JPH01140663A JP H01140663 A JPH01140663 A JP H01140663A JP 62297359 A JP62297359 A JP 62297359A JP 29735987 A JP29735987 A JP 29735987A JP H01140663 A JPH01140663 A JP H01140663A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、亜鉛（２０）カルコゲナイドを用いた半導体
装置の電極に関する。
装置の電極に関する。
（従来の技術）
亜鉛カルコゲナイドは、青色又は緑色の発光素子の材料
として有望視され、各所で研究されている。しかしこの
材料では、高濃度のｐ型結晶が得られない、ｐ層の抵抗
率が高いといった問題がある。特にｐ層は仕事関数が大
きいため、 Ａｕを用いる以外良好なオーミック電極は
得られていない。
として有望視され、各所で研究されている。しかしこの
材料では、高濃度のｐ型結晶が得られない、ｐ層の抵抗
率が高いといった問題がある。特にｐ層は仕事関数が大
きいため、 Ａｕを用いる以外良好なオーミック電極は
得られていない。
しかし、Ａｕは■族原素と容易に反応する。半導体中に
拡散して深い準位を形成するといった欠点があった。
拡散して深い準位を形成するといった欠点があった。
また、Ａｕでもｐ型Ｚｎカルコゲナイドに比べて仕事関
数が小さいため、ショトキ−になりやすく、特に低キヤ
リア濃度Ｚｎカルコゲナイドでは良好なオーミック特性
を得ることが非常に困難であるといった欠点がある。
数が小さいため、ショトキ−になりやすく、特に低キヤ
リア濃度Ｚｎカルコゲナイドでは良好なオーミック特性
を得ることが非常に困難であるといった欠点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、従来実用に耐える様なｐ−Ｚｎカルコゲ
ナイドに対するオーミック電極は得られていない。
ナイドに対するオーミック電極は得られていない。
本発明はこの様な問題を解決し、亜鉛カルコゲナイドを
用いた半導体素子に対する良好な電極を提供することを
目的とする。
用いた半導体素子に対する良好な電極を提供することを
目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明はｐ−Ｚｎカルコゲナイド上に仕事関数の大きい
ρ−アモロファスＳｉを被着し、さらにｐ−アモロファ
スＳｉと良好なオーミック接触を得られる金属を被着す
ることによりｐ−Ｚｎカルコゲナイドに対する良好なオ
ーミック電極を形成したことを特徴とする。
ρ−アモロファスＳｉを被着し、さらにｐ−アモロファ
スＳｉと良好なオーミック接触を得られる金属を被着す
ることによりｐ−Ｚｎカルコゲナイドに対する良好なオ
ーミック電極を形成したことを特徴とする。
（作 用）
本発明の構成とすれば、 ｐ−Ｚｎカルコゲナイドとｐ
−アモロファスＳｉは仕事関数が近いため、界面に障壁
ができる可能性は少ない。またＭｏ等の金属を用いると
ｐ−アモロファスＳｉに対しては良好なオーミック接触
が達成できる。
−アモロファスＳｉは仕事関数が近いため、界面に障壁
ができる可能性は少ない。またＭｏ等の金属を用いると
ｐ−アモロファスＳｉに対しては良好なオーミック接触
が達成できる。
また１本発明を用いるとＡｕに比ペアモロファスＳｉは
、Ｚｎカルコゲナイドとの反応が少ないため、界面特性
を劣化させない。
、Ｚｎカルコゲナイドとの反応が少ないため、界面特性
を劣化させない。
本発明ではｐ型層のキャリア濃度を低くできるため高ド
ープにともなう。発光特性の劣化を少なくできる。よっ
て高効率の発光素子を得ることができる。
ープにともなう。発光特性の劣化を少なくできる。よっ
て高効率の発光素子を得ることができる。
また、低ドープ時の電気的性質を調べることができるた
め、結晶成長の特性を調べることが可能となり結晶成長
法の改善にも役く立てることができる。
め、結晶成長の特性を調べることが可能となり結晶成長
法の改善にも役く立てることができる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は一実施例のダイオードの断面図である。
第２図（ａ）乃至（ｄ）はこの素子の製造工程断面図で
ある。製造工程に従って説明すると先ず３００μｓの厚
さのＧｏＡｓ基板１１にＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ｚｎ５
ｅ層１２を、成長させ、続いてＭＯＣＶＤ法によりｐ型
Ｚｎ５ａ層１３を成長させる（第２図（ａ））。ｎ型層
１２は不純物として塩素を１×１０１７／ｄ含むもので
、成長温度５００℃で５μｓ成長し、ｐ型層１３は不純
物としてＬｉを３ Ｘ １０”／ａｄ含むもので成長温
度５００℃で１μｓ成長する。この後、光ＣＶＤ法によ
り、ｐ型アモロファスＳｉ層１４を成長する。ｐ型アモ
ロファスＳｉ層は不純物濃度Ｉ Ｘ １０” Ｃ１＃の
もので、２００℃で成長させる。さらにｐ−アモロファ
スＳＬ層上にＭｏＪモリブデン） １５及びＡＱ （ア
ルミニウム）１６を被着する（第２図（ｂ） ） 、こ
の後ＧａＡｓ層を研磨し、ＳＯｔｍまで薄くし、さらに
部分的にＧａＡｓ層をエツチングし、ｎ Ｚｎ５ｅ層を
露出させる（第２図（Ｃ））。そしてｎＺｎ５ｅ上にＩ
ｎ−Ｇａ合金１７を蒸着した後、フラッシュアニール法
により、シンターを行う（第２図（ｄ））。
ある。製造工程に従って説明すると先ず３００μｓの厚
さのＧｏＡｓ基板１１にＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ｚｎ５
ｅ層１２を、成長させ、続いてＭＯＣＶＤ法によりｐ型
Ｚｎ５ａ層１３を成長させる（第２図（ａ））。ｎ型層
１２は不純物として塩素を１×１０１７／ｄ含むもので
、成長温度５００℃で５μｓ成長し、ｐ型層１３は不純
物としてＬｉを３ Ｘ １０”／ａｄ含むもので成長温
度５００℃で１μｓ成長する。この後、光ＣＶＤ法によ
り、ｐ型アモロファスＳｉ層１４を成長する。ｐ型アモ
ロファスＳｉ層は不純物濃度Ｉ Ｘ １０” Ｃ１＃の
もので、２００℃で成長させる。さらにｐ−アモロファ
スＳＬ層上にＭｏＪモリブデン） １５及びＡＱ （ア
ルミニウム）１６を被着する（第２図（ｂ） ） 、こ
の後ＧａＡｓ層を研磨し、ＳＯｔｍまで薄くし、さらに
部分的にＧａＡｓ層をエツチングし、ｎ Ｚｎ５ｅ層を
露出させる（第２図（Ｃ））。そしてｎＺｎ５ｅ上にＩ
ｎ−Ｇａ合金１７を蒸着した後、フラッシュアニール法
により、シンターを行う（第２図（ｄ））。
第３図は、この実施例の素子のＩ −Ｖ特性３０を従来
例のＩ−Ｖ特性４０と比較して示す。従来例は、ｐ側電
極としてＡｕを使用したものである。この実施例の素子
では従来例に比べて順方向特性が著しく改善されている
。また本発明を用いることによりＺｎ５ｅのｐ−ｎ接合
を確認することができた。
例のＩ−Ｖ特性４０と比較して示す。従来例は、ｐ側電
極としてＡｕを使用したものである。この実施例の素子
では従来例に比べて順方向特性が著しく改善されている
。また本発明を用いることによりＺｎ５ｅのｐ−ｎ接合
を確認することができた。
本発明は上記実施例に限られるものではない。
特に基板として、ＧａＡｓのかわりに第４図に示す様に
低抵抗Ｚｎ５ｅ結品を用いたものは良好な青色発光素子
を形成できる。
低抵抗Ｚｎ５ｅ結品を用いたものは良好な青色発光素子
を形成できる。
また、実施例ではＺｎ５ａ系結晶を用いたが、本発明は
硫黄を含むＺｎＳＳｅ系結晶を用いた場合にも適用でき
る。不純物としても、ｎ型不純物として、Ｂｒ、Ｉなど
の■族元素又はＡＱ、 Ｇａ等の■族元素を用いること
ができ、ｐ型不純物として、ＮａなどのＩ族元素又はＡ
ｓ、 Ｎ等の■族元素を用いることができる。結晶成長
法としてもＭＯＣＶＤ法の他、ＭＢＥ法等を用いること
ができ、また薄いｐ型層は熱拡散法やイオン注入法を用
いて形成してもよい。
硫黄を含むＺｎＳＳｅ系結晶を用いた場合にも適用でき
る。不純物としても、ｎ型不純物として、Ｂｒ、Ｉなど
の■族元素又はＡＱ、 Ｇａ等の■族元素を用いること
ができ、ｐ型不純物として、ＮａなどのＩ族元素又はＡ
ｓ、 Ｎ等の■族元素を用いることができる。結晶成長
法としてもＭＯＣＶＤ法の他、ＭＢＥ法等を用いること
ができ、また薄いｐ型層は熱拡散法やイオン注入法を用
いて形成してもよい。
またアモロファスＳｉ上に被着する金属はＭＯとＡＱの
２層膜以外にＡｕ等も用いることができる。
２層膜以外にＡｕ等も用いることができる。
その他本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
以上述べたように本発明によれば亜鉛カルコゲナイド結
晶のｐ型層に良好なオーミック接触を形成することがで
き、ｐ型層の電気的評価を行うことができる。また、こ
れにより亜鉛カルコゲナイドを用いた素子において用い
るｐ型層のキャリア濃度が従来より低濃度のものを使用
することができ素子設計が楽になる。
晶のｐ型層に良好なオーミック接触を形成することがで
き、ｐ型層の電気的評価を行うことができる。また、こ
れにより亜鉛カルコゲナイドを用いた素子において用い
るｐ型層のキャリア濃度が従来より低濃度のものを使用
することができ素子設計が楽になる。
第１図は本発明の一実施例のダイオード、を示す断面図
、第２図な＃＝＃＃はその製造工程を示す断面図、第３
図はその１ ニー Ｖ特性を従来例と比較して示す特性
図である。 ］１＝−ＧａＡｓ基板 １２−ｎ型Ｚｎ５ｅ結
晶層（ＣＲドープ）１３・・・Ｐ 型Ｚｎ５ｅ結晶Ｍ
１４・・・ｐ型アモロファスＳｉ層ｌ５・・・Ｍｏ
電＠１６・・・ＡＱ薄膵Ｊ７・・・丁ｎＧａ電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第１図 第２図
、第２図な＃＝＃＃はその製造工程を示す断面図、第３
図はその１ ニー Ｖ特性を従来例と比較して示す特性
図である。 ］１＝−ＧａＡｓ基板 １２−ｎ型Ｚｎ５ｅ結
晶層（ＣＲドープ）１３・・・Ｐ 型Ｚｎ５ｅ結晶Ｍ
１４・・・ｐ型アモロファスＳｉ層ｌ５・・・Ｍｏ
電＠１６・・・ＡＱ薄膵Ｊ７・・・丁ｎＧａ電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第１図 第２図
Claims (1)
- ｐ型Ｚｎカルコゲナイドを用いた半導体装置において
、前記ｐ型Ｚｎカルコゲナイドにｐ型アモロファスＳｉ
を被着し、さらに前記ｐ型アモロファスＳｉ上に金属を
被着したことを特徴とする半導体装置の電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297359A JPH01140663A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297359A JPH01140663A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置の電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140663A true JPH01140663A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17845482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297359A Pending JPH01140663A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140663A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
| US5399524A (en) * | 1992-05-05 | 1995-03-21 | Philips Electronics North America Corporation | Method of providing an ohmic type contact on p-type Zn(S)Se |
| CN1321488C (zh) * | 1991-05-15 | 2007-06-13 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 激光二极管 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297359A patent/JPH01140663A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
| CN1321488C (zh) * | 1991-05-15 | 2007-06-13 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 激光二极管 |
| US5399524A (en) * | 1992-05-05 | 1995-03-21 | Philips Electronics North America Corporation | Method of providing an ohmic type contact on p-type Zn(S)Se |
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