JPH07249837A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH07249837A JPH07249837A JP6997294A JP6997294A JPH07249837A JP H07249837 A JPH07249837 A JP H07249837A JP 6997294 A JP6997294 A JP 6997294A JP 6997294 A JP6997294 A JP 6997294A JP H07249837 A JPH07249837 A JP H07249837A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造欠陥や熱によるダメージをを生じること
なく容易に埋め込みヘテロ構造を有するＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体レーザ装置を製造することが可能な半導体レ
ーザ装置の製造方法を提供する。 【構成】 通常のＭＯＣＶＤ法と同程度の気圧で結晶成
長でき、かつ光による励起を行うことで通常のＭＯＣＶ
Ｄ法よりも結晶成長温度が低い光ＭＯＣＶＤ法にて埋め
込み層を形成することにより、硫黄を含む材料を埋め込
み層に用いても、即ち或る程度硫黄により気圧が高くな
っても充分な成長速度及び制御性を得ることができ、か
つ結晶成長温度が低いことから半導体装置全体への熱に
よる悪影響を回避できる。以上のことから、信頼性の高
い半導体レーザ装置が歩留まり良く製造できる。
なく容易に埋め込みヘテロ構造を有するＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体レーザ装置を製造することが可能な半導体レ
ーザ装置の製造方法を提供する。 【構成】 通常のＭＯＣＶＤ法と同程度の気圧で結晶成
長でき、かつ光による励起を行うことで通常のＭＯＣＶ
Ｄ法よりも結晶成長温度が低い光ＭＯＣＶＤ法にて埋め
込み層を形成することにより、硫黄を含む材料を埋め込
み層に用いても、即ち或る程度硫黄により気圧が高くな
っても充分な成長速度及び制御性を得ることができ、か
つ結晶成長温度が低いことから半導体装置全体への熱に
よる悪影響を回避できる。以上のことから、信頼性の高
い半導体レーザ装置が歩留まり良く製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体からなる半導体レーザ装置の製造方法に関
し、特にレーザ発光領域の周囲に埋め込み層を有する埋
め込みへテロ構造の半導体レーザ装置の製造方法に関す
るものである。
化合物半導体からなる半導体レーザ装置の製造方法に関
し、特にレーザ発光領域の周囲に埋め込み層を有する埋
め込みへテロ構造の半導体レーザ装置の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体のエピタキシャル結晶成長
法としては主として分子線エピタキシー法（以下、本明
細書ではＭＢＥ法と略記する）が良く知られている。
法としては主として分子線エピタキシー法（以下、本明
細書ではＭＢＥ法と略記する）が良く知られている。
【０００３】一方、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のエピタ
キシャル結晶として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上へ
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の結晶を成長させ、更にドー
パントとして窒素（Ｎ）を導入して青色レーザを得るた
めのｐ型結晶を形成する方法や装置が近年注目されてお
り、特開昭６２−８８３２９号公報にはその一例が開示
されている。また、米国のＤｅＰｕｙｄｔらによれば、
ＭＢＥ法にてｒｆプラズマ励起セルにより活性窒素ビー
ムを発生させ、１０18ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現
する方法が提案されており（Appl.Phys.Lett.57,2127(1
991)参照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得られるこ
とが示唆されている。
キシャル結晶として砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上へ
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の結晶を成長させ、更にドー
パントとして窒素（Ｎ）を導入して青色レーザを得るた
めのｐ型結晶を形成する方法や装置が近年注目されてお
り、特開昭６２−８８３２９号公報にはその一例が開示
されている。また、米国のＤｅＰｕｙｄｔらによれば、
ＭＢＥ法にてｒｆプラズマ励起セルにより活性窒素ビー
ムを発生させ、１０18ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現
する方法が提案されており（Appl.Phys.Lett.57,2127(1
991)参照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得られるこ
とが示唆されている。
【０００４】また、半導体レーザの実用的な構造とし
て、レーザ発光領域の周囲に埋め込み層を形成する埋め
込みヘテロ構造がある（例えばT.Tukada,J.Appl.Phys.4
5,4899(1974)参照）。この埋め込み層はレーザ発光領域
以外へ電流及び光が洩れることを防止することを目的と
している。
て、レーザ発光領域の周囲に埋め込み層を形成する埋め
込みヘテロ構造がある（例えばT.Tukada,J.Appl.Phys.4
5,4899(1974)参照）。この埋め込み層はレーザ発光領域
以外へ電流及び光が洩れることを防止することを目的と
している。
【０００５】まず、レーザ発光領域以外へ電流が洩れる
ことを防止するためにはレーザ発光領域との間でｐｎ接
合するような半導体構造を埋め込み層に形成し、逆バイ
アスをかけたり、高抵抗材で埋め込み層を形成する必要
がある。また、レーザ発光領域以外へ光が洩れることを
防止するためにはレーザ発光領域の材料よりも屈折率の
低い材料により埋め込み層を形成する必要がある。
ことを防止するためにはレーザ発光領域との間でｐｎ接
合するような半導体構造を埋め込み層に形成し、逆バイ
アスをかけたり、高抵抗材で埋め込み層を形成する必要
がある。また、レーザ発光領域以外へ光が洩れることを
防止するためにはレーザ発光領域の材料よりも屈折率の
低い材料により埋め込み層を形成する必要がある。
【０００６】更に、レーザ発光領域と埋め込み層とに格
子定数が異なる材料を用いると、格子不整合が生じて両
者間に応力による歪みが生じ、結晶欠陥発生の原因とな
ることから、埋め込み層はレーザ発光領域と同様な材料
で形成することが望ましい。
子定数が異なる材料を用いると、格子不整合が生じて両
者間に応力による歪みが生じ、結晶欠陥発生の原因とな
ることから、埋め込み層はレーザ発光領域と同様な材料
で形成することが望ましい。
【０００７】このような埋め込みヘテロ構造を上記した
ようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体半導体レーザに適用す
る場合（例えばＺｎＳｅ）、特に硫黄（Ｓ）を含む材料
（ＺｎＳまたはＺｎＳＳｅ等）により埋め込み層を形成
すると良いが、例えばＭＢＥ法によりＺｎＳまたはＺｎ
ＳＳｅを成膜させる場合、硫黄の蒸気圧が高く、充分な
成長速度及び制御性を得ることが困難であった。これは
ＭＢＥ法に限らず、ＭＯＭＢＥ法やＣＢＥ法により成膜
させる場合も同様である。
ようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体半導体レーザに適用す
る場合（例えばＺｎＳｅ）、特に硫黄（Ｓ）を含む材料
（ＺｎＳまたはＺｎＳＳｅ等）により埋め込み層を形成
すると良いが、例えばＭＢＥ法によりＺｎＳまたはＺｎ
ＳＳｅを成膜させる場合、硫黄の蒸気圧が高く、充分な
成長速度及び制御性を得ることが困難であった。これは
ＭＢＥ法に限らず、ＭＯＭＢＥ法やＣＢＥ法により成膜
させる場合も同様である。
【０００８】そこで、レーザ発振構造の結晶成長をＭＢ
Ｅ法、ＭＯＭＢＥ法またはＣＢＥ法などにより行い、比
較的高い気圧でも充分な成長速度及び制御性が得られる
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気層成長）法により埋め込み
層を形成することが考えられるが、通常のＭＯＣＶＤ法
による結晶成長温度は上記ＭＢＥ法などよりも高く、厚
い埋め込み層を形成するべく長時間の結晶成長を行う
と、先に形成したレーザ発振構造の半導体装置全体に熱
によるダメージを与える心配がある。
Ｅ法、ＭＯＭＢＥ法またはＣＢＥ法などにより行い、比
較的高い気圧でも充分な成長速度及び制御性が得られる
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気層成長）法により埋め込み
層を形成することが考えられるが、通常のＭＯＣＶＤ法
による結晶成長温度は上記ＭＢＥ法などよりも高く、厚
い埋め込み層を形成するべく長時間の結晶成長を行う
と、先に形成したレーザ発振構造の半導体装置全体に熱
によるダメージを与える心配がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、構造欠陥や熱によるダメージをを生じること
なく容易に埋め込みヘテロ構造を有するＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体レーザ装置を製造することが可能な半導体レ
ーザ装置の方法を提供することにある。
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、構造欠陥や熱によるダメージをを生じること
なく容易に埋め込みヘテロ構造を有するＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体レーザ装置を製造することが可能な半導体レ
ーザ装置の方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、基板上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなるレ
ーザ発光領域の周囲に埋め込み層を有する埋め込みヘテ
ロ構造の半導体レーザ装置の製造方法であって、基板上
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によるレーザ発振構造を形
成する過程と、前記レーザ発光領域の周囲をエッチング
する過程と、光有機金属化学気層成長（光ＭＯＣＶＤ）
法により、前記レーザ発光領域の周囲に埋め込み層を形
成する過程とをこの順番に有することを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法を提供することにより達成され
る。
よれば、基板上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなるレ
ーザ発光領域の周囲に埋め込み層を有する埋め込みヘテ
ロ構造の半導体レーザ装置の製造方法であって、基板上
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によるレーザ発振構造を形
成する過程と、前記レーザ発光領域の周囲をエッチング
する過程と、光有機金属化学気層成長（光ＭＯＣＶＤ）
法により、前記レーザ発光領域の周囲に埋め込み層を形
成する過程とをこの順番に有することを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法を提供することにより達成され
る。
【００１１】
【作用】光ＭＯＣＶＤ法は、光による励起を行うＭＯＣ
ＶＤ法であるため、通常のＭＯＣＶＤ法と同程度の気圧
で結晶成長でき、かつ通常のＭＯＣＶＤ法よりも結晶成
長温度が低い。従って、光ＭＯＣＶＤ法により埋め込み
層を形成することにより、硫黄を含む材料を埋め込み層
に用いても充分な成長速度及び制御性を得ることがで
き、かつ結晶成長温度が低いことから半導体装置全体へ
の熱による悪影響を回避できる。
ＶＤ法であるため、通常のＭＯＣＶＤ法と同程度の気圧
で結晶成長でき、かつ通常のＭＯＣＶＤ法よりも結晶成
長温度が低い。従って、光ＭＯＣＶＤ法により埋め込み
層を形成することにより、硫黄を含む材料を埋め込み層
に用いても充分な成長速度及び制御性を得ることがで
き、かつ結晶成長温度が低いことから半導体装置全体へ
の熱による悪影響を回避できる。
【００１２】
【実施例】以下、添付の図面に従って本発明の好適実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１３】図１は本発明に基づく第１の実施例を示し
ており、本発明方法により製造された半導体レーザ装置
の要部断面図である。砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１
上には、ｎ型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳ
ｅ／ＺｎＳｅからなる活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層５と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とがこの
順番に積層されて、レーザ発光領域２をなしている。ま
た、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６の上層にはＡｕ電極
層８が形成されている。尚、ＧａＡｓ基板１の裏面側に
はＡｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形成されてい
る。
ており、本発明方法により製造された半導体レーザ装置
の要部断面図である。砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１
上には、ｎ型ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳ
ｅ／ＺｎＳｅからなる活性層４と、ｐ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層５と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６とがこの
順番に積層されて、レーザ発光領域２をなしている。ま
た、高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層６の上層にはＡｕ電極
層８が形成されている。尚、ＧａＡｓ基板１の裏面側に
はＡｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形成されてい
る。
【００１４】一方、レーザ発光領域２の周囲、即ち図に
於ける左右両側には高抵抗ＺｎＳからなる埋め込み層１
０が形成されている。
於ける左右両側には高抵抗ＺｎＳからなる埋め込み層１
０が形成されている。
【００１５】以下に、上記半導体レーザ装置の製造手順
について図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して説明する。
まず、結晶成長温度３００℃、成長圧力１×１０-6Torr
程度でＭＢＥ法により、基板１上にｎ型クラッド層３、
活性層４、ｐ型クラッド層５及び高濃度ドープｐ型Ｚｎ
Ｓｅ層６をこの順番に形成する（図２（ａ））。次に、
レーザ発光領域となるべき領域上にＳｉＯ2膜１２を形
成し、これをマスクとしてレーザ発光領域２以外の領域
の各層を除去する（図２（ｂ））。そして、基板全面に
光ＭＯＣＶＤ法によりＺｎＳ膜１３を形成し（図２
（ｃ））、レーザ発光領域２上のＺｎＳ膜１３及びＳｉ
Ｏ2膜１２を除去してＺｎＳ膜１３を埋め込み層１０と
した後、電極層８を蒸着により形成する。このとき、マ
スク上のＺｎＳ膜１３は結晶性が悪いことから他の領域
のＺｎＳ膜に比較して容易に選択エッチングにより除去
できる。
について図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して説明する。
まず、結晶成長温度３００℃、成長圧力１×１０-6Torr
程度でＭＢＥ法により、基板１上にｎ型クラッド層３、
活性層４、ｐ型クラッド層５及び高濃度ドープｐ型Ｚｎ
Ｓｅ層６をこの順番に形成する（図２（ａ））。次に、
レーザ発光領域となるべき領域上にＳｉＯ2膜１２を形
成し、これをマスクとしてレーザ発光領域２以外の領域
の各層を除去する（図２（ｂ））。そして、基板全面に
光ＭＯＣＶＤ法によりＺｎＳ膜１３を形成し（図２
（ｃ））、レーザ発光領域２上のＺｎＳ膜１３及びＳｉ
Ｏ2膜１２を除去してＺｎＳ膜１３を埋め込み層１０と
した後、電極層８を蒸着により形成する。このとき、マ
スク上のＺｎＳ膜１３は結晶性が悪いことから他の領域
のＺｎＳ膜に比較して容易に選択エッチングにより除去
できる。
【００１６】ここで、光ＭＯＣＶＤ法によるＺｎＳ膜１
３を形成する際に、結晶成長温度を１５℃〜４００℃、
成長圧力を１〜７６０Ｔｏｒｒとし、ＡｒＦエキシマレ
ーザを原料ガスに照射し、かつバンドギャップ以上のエ
ネルギーの光を基板１に照射する。
３を形成する際に、結晶成長温度を１５℃〜４００℃、
成長圧力を１〜７６０Ｔｏｒｒとし、ＡｒＦエキシマレ
ーザを原料ガスに照射し、かつバンドギャップ以上のエ
ネルギーの光を基板１に照射する。
【００１７】図３は、本発明に基づく第２の実施例を示
す図１と同様な半導体レーザ装置の要部断面図であり、
第１の実施例と同様な部分には同一の符号を付し、その
詳細な説明を省略する。
す図１と同様な半導体レーザ装置の要部断面図であり、
第１の実施例と同様な部分には同一の符号を付し、その
詳細な説明を省略する。
【００１８】本実施例では、埋め込み層２０が、レーザ
発光領域２のｎ型層に対応するｐ型ＺｎＳＳｅ埋め込み
層２０ａと、ｐ型層に対応するｎ型ＺｎＳＳｅ埋め込み
層２０ｂとから構成されている。また、その形成手順は
第１の実施例に於けるＺｎＳ膜の形成手順と同様であ
り、これに不純物を導入する工程が付加されている。
発光領域２のｎ型層に対応するｐ型ＺｎＳＳｅ埋め込み
層２０ａと、ｐ型層に対応するｎ型ＺｎＳＳｅ埋め込み
層２０ｂとから構成されている。また、その形成手順は
第１の実施例に於けるＺｎＳ膜の形成手順と同様であ
り、これに不純物を導入する工程が付加されている。
【００１９】また、完成したｐ型ＺｎＳＳｅ埋め込み層
２０ａ及びｎ型ＺｎＳＳｅ埋め込み層２０ｂにはレーザ
発光領域２の各層との間が逆バイアスとなるような電圧
が印加されることとなる。それ以外は第１の実施例と同
様である。
２０ａ及びｎ型ＺｎＳＳｅ埋め込み層２０ｂにはレーザ
発光領域２の各層との間が逆バイアスとなるような電圧
が印加されることとなる。それ以外は第１の実施例と同
様である。
【００２０】尚、上記各実施例ではｎ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる活性層４と、ｐ型
ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳ
ｅ層６とをＭＢＥ法により形成したが、ＭＯＭＢＥ法や
ＣＢＥ法を用いても同様であることは云うまでもない。
また、各層のＩＩ族元素としてＺｎを用い、ＶＩ族元素
としてＳ及びＳｅを用いたが、一般に知られているＩＩ
−ＩＩ族化合物半導体の材料、即ちＩＩ族元素としてカ
ドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、マンガン（Ｍｎ）のいずれか、ＶＩ族元素として
硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）の中から
所望に応じて選択した原料を用いて形成しても同様な結
果が得られる。但し、結晶の歪みの問題からレーザ発振
構造と埋め込み層とは格子定数の近い材料を用いること
が望ましい。加えて、上記各実施例では結晶成長基板と
して砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板を用いたが、ＺｎＳ
ｅやＧａＰ或いは砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に適
宜な薄膜結晶（例えばエピタキシャル結晶成長させた砒
化ガリウム膜など）を形成させたものであっても良く、
電極はＡｕ以外に白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いて
も良い。
ラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる活性層４と、ｐ型
ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、高濃度ドープｐ型ＺｎＳ
ｅ層６とをＭＢＥ法により形成したが、ＭＯＭＢＥ法や
ＣＢＥ法を用いても同様であることは云うまでもない。
また、各層のＩＩ族元素としてＺｎを用い、ＶＩ族元素
としてＳ及びＳｅを用いたが、一般に知られているＩＩ
−ＩＩ族化合物半導体の材料、即ちＩＩ族元素としてカ
ドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、マンガン（Ｍｎ）のいずれか、ＶＩ族元素として
硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）の中から
所望に応じて選択した原料を用いて形成しても同様な結
果が得られる。但し、結晶の歪みの問題からレーザ発振
構造と埋め込み層とは格子定数の近い材料を用いること
が望ましい。加えて、上記各実施例では結晶成長基板と
して砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板を用いたが、ＺｎＳ
ｅやＧａＰ或いは砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に適
宜な薄膜結晶（例えばエピタキシャル結晶成長させた砒
化ガリウム膜など）を形成させたものであっても良く、
電極はＡｕ以外に白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いて
も良い。
【００２１】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明に基づく半導体装置の製造方法によれば、通常のＭ
ＯＣＶＤ法と同程度の気圧で結晶成長でき、かつ光によ
る励起を行うことで通常のＭＯＣＶＤ法よりも結晶成長
温度が低い光ＭＯＣＶＤ法にて埋め込み層を形成するこ
とにより、硫黄を含む材料を埋め込み層に用いても、充
分な成長速度及び制御性を得ることができ、かつ結晶成
長温度が低いことから半導体装置全体への熱による悪影
響を回避できる。以上のことから、信頼性の高い半導体
レーザ装置が歩留まり良く製造できる。
発明に基づく半導体装置の製造方法によれば、通常のＭ
ＯＣＶＤ法と同程度の気圧で結晶成長でき、かつ光によ
る励起を行うことで通常のＭＯＣＶＤ法よりも結晶成長
温度が低い光ＭＯＣＶＤ法にて埋め込み層を形成するこ
とにより、硫黄を含む材料を埋め込み層に用いても、充
分な成長速度及び制御性を得ることができ、かつ結晶成
長温度が低いことから半導体装置全体への熱による悪影
響を回避できる。以上のことから、信頼性の高い半導体
レーザ装置が歩留まり良く製造できる。
【図１】本発明に基づく第１の実施例に於ける本発明方
法により製造された半導体レーザ装置の要部断面図であ
る。
法により製造された半導体レーザ装置の要部断面図であ
る。
【図２】（ａ）部〜（ｃ）部は、図１の半導体レーザ装
置の製造手順を示す断面図である。
置の製造手順を示す断面図である。
【図３】本発明に基づく第２の実施例に於ける本発明方
法により製造された半導体レーザ装置の要部断面図であ
る。
法により製造された半導体レーザ装置の要部断面図であ
る。
１ ＧａＡｓ基板 ２ レーザ発光領域 ３ ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ４ ＣｄＺｎＳｅ活性層 ５ ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ６ 高濃度ドープｐ型ＺｎＳｅ層 ８ Ａｕ電極層 ９ Ａｕ／Ｇｅ電極層 １０ 埋め込み層 １２ ＳｉＯ2膜 １３ ＺｎＳ膜 ２０ 埋め込み層 ２０ａ ｐ型ＺｎＳＳｅ埋め込み層 ２０ｂ ｎ型ＺｎＳＳｅ埋め込み層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲哉 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体か
らなるレーザ発光領域の周囲に埋め込み層を有する埋め
込みヘテロ構造の半導体レーザ装置の製造方法であっ
て、 基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によるレーザ発振構
造を形成する過程と、 前記レーザ発光領域の周囲をエッチングする過程と、 光有機金属化学気層成長（光ＭＯＣＶＤ）法により、前
記レーザ発光領域の周囲に埋め込み層を形成する過程と
をこの順番に有することを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による
レーザ発振構造をＭＢＥ法、ＭＯＭＢＥ法及びＣＢＥ法
のうちのいずれかの方法により形成することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記埋め込み層を、逆バイアスを印加
して前記レーザ発振構造との間で電流が生じないように
するべく、前記レーザ発振構造をなすＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体と格子整合すると共に該レーザ発振構造との間
でｐｎ接合するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成す
ることを特徴とする請求項１若しくは請求項２に記載の
半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記埋め込み層を、前記レーザ発振構
造をなすＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりも屈折率の低い
材料により形成することを特徴とする請求項１乃至請求
項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記レーザ発振構造をなすＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体のＩＩ族元素に、カドミウム（Ｃｄ）、
亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍ
ｎ）の中から選択される１つ若しくは２つ以上の元素を
用い、かつＶＩ族元素に、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓ
ｅ）、テルル（Ｔｅ）の中から選択される１つ若しくは
２つ以上の元素を用いることを特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6997294A JPH07249837A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6997294A JPH07249837A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249837A true JPH07249837A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13418089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6997294A Withdrawn JPH07249837A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083927A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for manufacturing compound semiconductor and compound insulator using chemical reaction and diffusion by heating, compound semiconductor and compound insulator manufactured using the method, and photocell, electronic circuit, transistor, and memory using the same |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6997294A patent/JPH07249837A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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