JPH08222582A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH08222582A JPH08222582A JP4904295A JP4904295A JPH08222582A JP H08222582 A JPH08222582 A JP H08222582A JP 4904295 A JP4904295 A JP 4904295A JP 4904295 A JP4904295 A JP 4904295A JP H08222582 A JPH08222582 A JP H08222582A
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- Japan
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- layer
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- type layer
- electrode layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 II−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶か
らなるｐ型層と電極層間のオーム性接触が容易に得られ
る半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 II−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶か
らなるｐ型層とＡｕ電極層との間に、ｐ型層の成膜に連
続してこれと同じ成膜装置内で成膜したＴｅまたはその
化合物からなる中間層を介在させるものとする。これに
より、ｐ型層と中間層との間に酸化絶縁層が生じること
がなく、更に中間層上に形成される酸化絶縁層をＡｕ電
極層が分解し、かつ中間層内にＡｕが拡散してｐ型層と
直接接触するので、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残
留電位障壁が小さくなる。従って、単純な構造で容易に
ｐ型層とＡｕ電極層との間でオーム性接触が得られる。
らなるｐ型層と電極層間のオーム性接触が容易に得られ
る半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 II−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶か
らなるｐ型層とＡｕ電極層との間に、ｐ型層の成膜に連
続してこれと同じ成膜装置内で成膜したＴｅまたはその
化合物からなる中間層を介在させるものとする。これに
より、ｐ型層と中間層との間に酸化絶縁層が生じること
がなく、更に中間層上に形成される酸化絶縁層をＡｕ電
極層が分解し、かつ中間層内にＡｕが拡散してｐ型層と
直接接触するので、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残
留電位障壁が小さくなる。従って、単純な構造で容易に
ｐ型層とＡｕ電極層との間でオーム性接触が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、II−VI族化合物半導体
エピタキシャル結晶からなるｐ型層を基板上に有する半
導体装置及びその製造方法に関し、特に、このｐ型層と
Ａｕ（金）からなる電極層との接触部分に特徴を有する
半導体装置及びその製造方法に関するものである。
エピタキシャル結晶からなるｐ型層を基板上に有する半
導体装置及びその製造方法に関し、特に、このｐ型層と
Ａｕ（金）からなる電極層との接触部分に特徴を有する
半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体エピタキシャル結晶法とし
ては、従来、主として分子線エピタキシー法（以下、Ｍ
ＢＥ法と略記する）が良く知られている。
ては、従来、主として分子線エピタキシー法（以下、Ｍ
ＢＥ法と略記する）が良く知られている。
【０００３】一方、II−VI族化合物半導体エピタキシャ
ル結晶として、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）基板上にＺｎ
Ｓｅ（セレン化亜鉛）の結晶を成長させ、更にドーパン
トとしてＮ（窒素）を導入して青色レーザを得るための
ｐ型結晶を形成する方法や、このようにして製造された
半導体装置が近年注目されており、特開昭６２−８８３
２９号広報には、その一例が開示されている。また、米
国のＤｅＰｕｙｄｔらにより、ＭＢＥ法にてｒｆプラズ
マ励起セルによって活性窒素ビームを発生させ、１０18
ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現する方法が提案されて
おり（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５７，２１２７
（１９９１）参照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得
られることが示唆されている。
ル結晶として、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）基板上にＺｎ
Ｓｅ（セレン化亜鉛）の結晶を成長させ、更にドーパン
トとしてＮ（窒素）を導入して青色レーザを得るための
ｐ型結晶を形成する方法や、このようにして製造された
半導体装置が近年注目されており、特開昭６２−８８３
２９号広報には、その一例が開示されている。また、米
国のＤｅＰｕｙｄｔらにより、ＭＢＥ法にてｒｆプラズ
マ励起セルによって活性窒素ビームを発生させ、１０18
ｃｍ-3台の窒素ドーピングを実現する方法が提案されて
おり（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５７，２１２７
（１９９１）参照）、これにより低抵抗のｐ型結晶が得
られることが示唆されている。
【０００４】しかるに、例えばＭＢＥ法でＺｎＳｅ等の
II−VI族エピタキシャル結晶からなるｐ型層を形成し、
このｐ型層上にＡｕ電極層を形成する場合、このｐ型層
を形成した基板を容器外に出し、別の容器に移し換えて
電極層を形成するという過程を経るため、II−VI族エピ
タキシャル結晶からなるｐ型層が外気に接触し、ｐ型層
の表面に酸化絶縁層が形成されることがある。この酸化
絶縁層は、Ａｕ電極層を形成した後も残り、Ａｕ電極層
とｐ型層との間に介在することとなるため、特に酸化絶
縁層とＡｕ電極層との界面の電位障壁が大きく（２〜１
０Ｖ程度）なり、オーム性接触が得られず、その電気的
特性を低下させる因となっている。この問題は、ＭＯＭ
ＢＥ法、ＣＢＥ法を用いた場合にも同様に生じる。
II−VI族エピタキシャル結晶からなるｐ型層を形成し、
このｐ型層上にＡｕ電極層を形成する場合、このｐ型層
を形成した基板を容器外に出し、別の容器に移し換えて
電極層を形成するという過程を経るため、II−VI族エピ
タキシャル結晶からなるｐ型層が外気に接触し、ｐ型層
の表面に酸化絶縁層が形成されることがある。この酸化
絶縁層は、Ａｕ電極層を形成した後も残り、Ａｕ電極層
とｐ型層との間に介在することとなるため、特に酸化絶
縁層とＡｕ電極層との界面の電位障壁が大きく（２〜１
０Ｖ程度）なり、オーム性接触が得られず、その電気的
特性を低下させる因となっている。この問題は、ＭＯＭ
ＢＥ法、ＣＢＥ法を用いた場合にも同様に生じる。
【０００５】そこで、II−VI族エピタキシャル結晶から
なるｐ型層上にＡｕ電極層を形成する場合、ｐ型層が形
成された基板を、Ａｕ電極層を形成する直前に、飽和ブ
ロム水系エッチャント（飽和ブロム水と臭化ブロムと水
の混合液）で化学処理することによってｐ型層上の酸化
絶縁層を取り除き、その後直ちに電極蒸着室に基板を入
れてＡｕ電極層を形成する方法が提案されている（第５
４回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Ｐ２５７ ２
９ｐ−ＺＬ−１７（１９９３）参照）。
なるｐ型層上にＡｕ電極層を形成する場合、ｐ型層が形
成された基板を、Ａｕ電極層を形成する直前に、飽和ブ
ロム水系エッチャント（飽和ブロム水と臭化ブロムと水
の混合液）で化学処理することによってｐ型層上の酸化
絶縁層を取り除き、その後直ちに電極蒸着室に基板を入
れてＡｕ電極層を形成する方法が提案されている（第５
４回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Ｐ２５７ ２
９ｐ−ＺＬ−１７（１９９３）参照）。
【０００６】しかしながらこの方法では、飽和ブロム水
系エッチャントで化学処理をするために操作が繁雑であ
るばかりでなく、ｐ型層上の酸化絶縁層を完全に取り除
くことができないために界面残留電位障壁（０．８〜
１．５Ｖ程度）が残り、完全なオーム性接触が得られな
いという問題があった（第５５回応用物理学会学術講演
会講演予稿集 Ｐ２６３ ２１ａ−ＭＢ−３（１９９
４）参照）。
系エッチャントで化学処理をするために操作が繁雑であ
るばかりでなく、ｐ型層上の酸化絶縁層を完全に取り除
くことができないために界面残留電位障壁（０．８〜
１．５Ｖ程度）が残り、完全なオーム性接触が得られな
いという問題があった（第５５回応用物理学会学術講演
会講演予稿集 Ｐ２６３ ２１ａ−ＭＢ−３（１９９
４）参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点を解消するべく案出されたものであ
り、その主な目的は、II−VI族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶からなるｐ型層と電極層間のオーム性接触が容
易に得られる半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とにある。
従来技術の問題点を解消するべく案出されたものであ
り、その主な目的は、II−VI族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶からなるｐ型層と電極層間のオーム性接触が容
易に得られる半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、II−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶
からなるｐ型層と、該ｐ型層と同じ成膜方法によるＴｅ
またはその化合物からなる中間層と、Ａｕからなる電極
層とを、基板上にこの順に積層してなることを特徴とす
る半導体装置、並びに、エピタキシャル結晶成長法によ
りII−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ
型層を基板上に形成する過程と、ｐ型層の成膜過程に続
けてこれと同じ装置にてＴｅまたはその化合物からなる
中間層を該ｐ型層上に形成する過程と、Ａｕからなる電
極層を中間層上に形成する過程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法を提供することにより達成さ
れる。
明によれば、II−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶
からなるｐ型層と、該ｐ型層と同じ成膜方法によるＴｅ
またはその化合物からなる中間層と、Ａｕからなる電極
層とを、基板上にこの順に積層してなることを特徴とす
る半導体装置、並びに、エピタキシャル結晶成長法によ
りII−VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ
型層を基板上に形成する過程と、ｐ型層の成膜過程に続
けてこれと同じ装置にてＴｅまたはその化合物からなる
中間層を該ｐ型層上に形成する過程と、Ａｕからなる電
極層を中間層上に形成する過程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法を提供することにより達成さ
れる。
【０００９】
【作用】このように、II−VI族化合物半導体エピタキシ
ャル結晶からなるｐ型層とＡｕ電極層との間に、ｐ型層
の成膜に連続して同じ装置内で形成したＴｅまたはその
化合物からなる中間層を介在させるものとすれば、ｐ型
層の上層に酸化絶縁層が形成されることがなくなる。ま
た、中間層の上層にＡｕ電極層を形成する直前には、II
−VI族エピタキシャル結晶を一旦容器外に出し、別の電
極蒸着室に入れて電極層を形成するという過程があるた
め、中間層上にはＴｅの酸化絶縁層が形成されるが、こ
の酸化絶縁層は、Ａｕ電極層によって常温で分解され、
更に電極を構成するＡｕは、Ｔｅまたはその化合物から
なる中間層内に拡散する。これらの現象は、本発明者ら
により明らかにされている（表面化学 第８巻 第６号
（１９８７）Ｐ４９８参照）。
ャル結晶からなるｐ型層とＡｕ電極層との間に、ｐ型層
の成膜に連続して同じ装置内で形成したＴｅまたはその
化合物からなる中間層を介在させるものとすれば、ｐ型
層の上層に酸化絶縁層が形成されることがなくなる。ま
た、中間層の上層にＡｕ電極層を形成する直前には、II
−VI族エピタキシャル結晶を一旦容器外に出し、別の電
極蒸着室に入れて電極層を形成するという過程があるた
め、中間層上にはＴｅの酸化絶縁層が形成されるが、こ
の酸化絶縁層は、Ａｕ電極層によって常温で分解され、
更に電極を構成するＡｕは、Ｔｅまたはその化合物から
なる中間層内に拡散する。これらの現象は、本発明者ら
により明らかにされている（表面化学 第８巻 第６号
（１９８７）Ｐ４９８参照）。
【００１０】このようにして、中間層上に酸化絶縁層が
生じても、その上に形成されるＡｕ電極層により分解さ
れ、更にＡｕが中間層内に拡散してｐ型層と直接接触す
ることから、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残留電位
障壁が小さくなり、両者間にオーム性接触が得られるこ
ととなる。
生じても、その上に形成されるＡｕ電極層により分解さ
れ、更にＡｕが中間層内に拡散してｐ型層と直接接触す
ることから、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残留電位
障壁が小さくなり、両者間にオーム性接触が得られるこ
ととなる。
【００１１】
【実施例】以下、添付の図面を参照して本発明の好適実
施例について詳細に説明する。
施例について詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明に基づく方法により製造さ
れた半導体レーザ装置の要部断面図である。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上には、ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ型
ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅの活性層４
と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、ｐ型ＺｎＳｅの
高濃度ドープ層６とが、この順にＭＢＥ法により形成さ
れ、積層されている。また、ｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドー
プ層６の上層には、同じくＴｅからなる中間層７がＭＢ
Ｅ法により積層され、更にその上層には、Ａｕ電極層８
が蒸着により形成されている。尚、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面には、Ａｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形
成されている。
れた半導体レーザ装置の要部断面図である。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上には、ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ型
ＺｎＳＳｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅの活性層４
と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、ｐ型ＺｎＳｅの
高濃度ドープ層６とが、この順にＭＢＥ法により形成さ
れ、積層されている。また、ｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドー
プ層６の上層には、同じくＴｅからなる中間層７がＭＢ
Ｅ法により積層され、更にその上層には、Ａｕ電極層８
が蒸着により形成されている。尚、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面には、Ａｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）電極層９が形
成されている。
【００１３】ここで、ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２は、
厚みが１０００オングストローム、ｎ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層３は、厚みが２．０μｍ（組成；１Ｚｎ、０．
０７Ｓ、０．９３Ｓｅ）、ＣｄＺｎＳｅの活性層４は、
厚みが１００オングストローム（組成；０．１Ｃｄ、
０．９Ｚｎ、１Ｓｅ）、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５
は、厚みが１．５μｍ（組成；１Ｚｎ、０．０７Ｓ、
０．９３Ｓｅ）、ｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドープ層６は、
厚みが１０００オングストローム、キャリア濃度１０18
ｃｍ-3となるように、ＭＢＥ法により、基板温度を３０
０℃として順に結晶成長させた。また、中間層７は、Ｍ
ＢＥ法によりｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドープ層６を形成し
た後、基板温度を１００℃に下げ、即ちＴｅが付着容易
な温度に下げて同じＭＢＥ法にてＴｅを成膜させること
によって形成した。尚、上記した各ｎ型層のドーパント
にはＣｌ（塩素）を用い、各ｐ型層のドーパントにはＮ
（窒素）を用いた。また、Ａｕ電極層８は、中間層７の
表面に上記したように蒸着により成膜させた。
厚みが１０００オングストローム、ｎ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層３は、厚みが２．０μｍ（組成；１Ｚｎ、０．
０７Ｓ、０．９３Ｓｅ）、ＣｄＺｎＳｅの活性層４は、
厚みが１００オングストローム（組成；０．１Ｃｄ、
０．９Ｚｎ、１Ｓｅ）、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５
は、厚みが１．５μｍ（組成；１Ｚｎ、０．０７Ｓ、
０．９３Ｓｅ）、ｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドープ層６は、
厚みが１０００オングストローム、キャリア濃度１０18
ｃｍ-3となるように、ＭＢＥ法により、基板温度を３０
０℃として順に結晶成長させた。また、中間層７は、Ｍ
ＢＥ法によりｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドープ層６を形成し
た後、基板温度を１００℃に下げ、即ちＴｅが付着容易
な温度に下げて同じＭＢＥ法にてＴｅを成膜させること
によって形成した。尚、上記した各ｎ型層のドーパント
にはＣｌ（塩素）を用い、各ｐ型層のドーパントにはＮ
（窒素）を用いた。また、Ａｕ電極層８は、中間層７の
表面に上記したように蒸着により成膜させた。
【００１４】このようにして製造された半導体装置によ
れば、特に、界面電位障壁が従来大きかったｐ型ＺｎＳ
Ｓｅのクラッド層３とＡｕ電極層８との間に中間層７が
介在して両層間の界面電位障壁が小さくなり、オーム性
接触が可能となった。
れば、特に、界面電位障壁が従来大きかったｐ型ＺｎＳ
Ｓｅのクラッド層３とＡｕ電極層８との間に中間層７が
介在して両層間の界面電位障壁が小さくなり、オーム性
接触が可能となった。
【００１５】尚、本実施例では、ｐ型ＺｎＳｅの高濃度
ドープ層６上にＴｅの中間層７をＭＢＥ法にて形成した
が、中間層７を構成する材料として、Ｔｅ化合物である
ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＺｎＴｅ（テルル化
亜鉛）、ＨｇＴｅ（テルル化水銀）を用いても同様の結
果が得られる。但し、電極であるＡｕが、Ｔｅまたはそ
の化合物からなる中間層内を確実に拡散するためには、
中間層７の厚さを１０００オングストローム以下に抑え
ることが望ましい。
ドープ層６上にＴｅの中間層７をＭＢＥ法にて形成した
が、中間層７を構成する材料として、Ｔｅ化合物である
ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＺｎＴｅ（テルル化
亜鉛）、ＨｇＴｅ（テルル化水銀）を用いても同様の結
果が得られる。但し、電極であるＡｕが、Ｔｅまたはそ
の化合物からなる中間層内を確実に拡散するためには、
中間層７の厚さを１０００オングストローム以下に抑え
ることが望ましい。
【００１６】また、本実施例では、ｐ型ＺｎＳＳｅのク
ラッド層５と中間層７との間にｐ型ＺｎＳｅの高濃度ド
ープ層６を介在させたが、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層
５の上層に直接中間層７を形成しても良い。更に、本実
施例では、ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ型ＺｎＳ
Ｓｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる活性層４
と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、ｐ型ＺｎＳｅの
高濃度ドープ層６とをＭＢＥ法により形成したが、ＭＯ
ＭＢＥ法やＣＢＥ法を用いても同様であることは言うま
でもない。加えて、本実施例では、結晶成長基板として
ＧａＡｓ基板を用いたが、ＺｎＳｅやＧａＰ、或いはＧ
ａＡｓ基板上に適宜な薄膜結晶（例えばエピタキシャル
結晶成長させたＧａＡｓ膜など）を形成したものであっ
ても良い。
ラッド層５と中間層７との間にｐ型ＺｎＳｅの高濃度ド
ープ層６を介在させたが、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層
５の上層に直接中間層７を形成しても良い。更に、本実
施例では、ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層２と、ｎ型ＺｎＳ
Ｓｅのクラッド層３と、ＣｄＺｎＳｅからなる活性層４
と、ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層５と、ｐ型ＺｎＳｅの
高濃度ドープ層６とをＭＢＥ法により形成したが、ＭＯ
ＭＢＥ法やＣＢＥ法を用いても同様であることは言うま
でもない。加えて、本実施例では、結晶成長基板として
ＧａＡｓ基板を用いたが、ＺｎＳｅやＧａＰ、或いはＧ
ａＡｓ基板上に適宜な薄膜結晶（例えばエピタキシャル
結晶成長させたＧａＡｓ膜など）を形成したものであっ
ても良い。
【００１７】
【発明の効果】上記の説明により明らかなように、本発
明に基づく半導体装置及びその製造方法によれば、II−
VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層
と、Ａｕ電極層との間に、ｐ型層の成膜に連続してこれ
と同じ成膜装置内で成膜してなるＴｅまたはその化合物
からなる中間層を介在させることにより、ｐ型層と中間
層との間に酸化絶縁層が生じることはなく、更に、中間
層上に形成される酸化絶縁層をＡｕ電極層が分解し、か
つＡｕが中間層内に拡散してｐ型層と直接接触すること
から、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残留電位障壁が
小さくなる。従って、単純な構造で容易にｐ型層とＡｕ
電極層との間でオーム性接触が得られる。以上のことか
ら、電気的特性が良く信頼性の高い半導体装置が歩留り
良く製造できる。
明に基づく半導体装置及びその製造方法によれば、II−
VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層
と、Ａｕ電極層との間に、ｐ型層の成膜に連続してこれ
と同じ成膜装置内で成膜してなるＴｅまたはその化合物
からなる中間層を介在させることにより、ｐ型層と中間
層との間に酸化絶縁層が生じることはなく、更に、中間
層上に形成される酸化絶縁層をＡｕ電極層が分解し、か
つＡｕが中間層内に拡散してｐ型層と直接接触すること
から、ｐ型層とＡｕ電極層との間の界面残留電位障壁が
小さくなる。従って、単純な構造で容易にｐ型層とＡｕ
電極層との間でオーム性接触が得られる。以上のことか
ら、電気的特性が良く信頼性の高い半導体装置が歩留り
良く製造できる。
【図１】本発明が適用された半導体装置としての半導体
レーザの要部断面図。
レーザの要部断面図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＺｎＳｅのバッファ層 ３ ｎ型ＺｎＳＳｅのクラッド層 ４ ＣｄＺｎＳｅ活性層 ５ ｐ型ＺｎＳＳｅのクラッド層 ６ ｐ型ＺｎＳｅの高濃度ドープ層 ７ 中間層 ８ Ａｕ電極層 ９ Ａｕ／Ｇｅ電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｄ Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｈ０１Ｓ 3/18 (72)発明者 藤井 智 東京都千代田区大手町２−６−３ 新日本 製鐵株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 II−VI族化合物半導体エピタキシャル結
晶からなるｐ型層と、該ｐ型層と同じ成膜方法によるＴ
ｅ（テルル）またはその化合物からなる中間層と、Ａｕ
（金）からなる電極層とを、基板上にこの順序で積層し
てなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 エピタキシャル結晶成長法によりII−VI
族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるｐ型層を基
板上に形成する過程と、 前記ｐ型層の成膜過程に続けてこれと同じ装置にてＴｅ
（テルル）またはその化合物からなる中間層を該ｐ型層
上に形成する過程と、 Ａｕ（金）からなる電極層を前記中間層上に形成する過
程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記エピタキシャル結晶成長法が、ＭＢ
Ｅ法、ＭＯＭＢＥ法、或いはＣＢＥ法のうちいずれかの
方法によることを特徴とする請求項２に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4904295A JPH08222582A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4904295A JPH08222582A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222582A true JPH08222582A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12820035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4904295A Withdrawn JPH08222582A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222582A (ja) |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP4904295A patent/JPH08222582A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |