JPH01289257A - 半導体超格子構造 - Google Patents
半導体超格子構造Info
- Publication number
- JPH01289257A JPH01289257A JP63119540A JP11954088A JPH01289257A JP H01289257 A JPH01289257 A JP H01289257A JP 63119540 A JP63119540 A JP 63119540A JP 11954088 A JP11954088 A JP 11954088A JP H01289257 A JPH01289257 A JP H01289257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixed crystal
- layer
- lattice
- zinc
- superlattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DOSMHBDKKKMIEF-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(diethylamino)-6-diethylazaniumylidenexanthen-9-yl]-5-[3-[3-[4-(1-methylindol-3-yl)-2,5-dioxopyrrol-3-yl]indol-1-yl]propylsulfamoyl]benzenesulfonate Chemical compound C1=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC3=CC(N(CC)CC)=CC=C3C(C=3C(=CC(=CC=3)S(=O)(=O)NCCCN3C4=CC=CC=C4C(C=4C(NC(=O)C=4C=4C5=CC=CC=C5N(C)C=4)=O)=C3)S([O-])(=O)=O)=C21 DOSMHBDKKKMIEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発光素子に用いられる半導体超格子の構造に関し、特に
青色発光素子用材料として好適な特性を示す硫化亜鉛と
テルル化亜鉛からなる半導体超格子の構造に関するもの
である。
青色発光素子用材料として好適な特性を示す硫化亜鉛と
テルル化亜鉛からなる半導体超格子の構造に関するもの
である。
従来の技術
従来、硫化亜鉛とテ／Ｉ／／Ｌ／化亜鉛の超格子は、第
２図に示すように、ガリウム砒素単結晶基板１の表面に
直接エピタキシャル成長されていた。これはガリウム砒
素の格子定数が、硫化亜鉛とテルル化亜鉛の格子定数の
ほぼ中間にあるため、超格子層２の面内格子定数が基板
にほぼ一致し、エピタキシャル成長が可能となるためで
ある。
２図に示すように、ガリウム砒素単結晶基板１の表面に
直接エピタキシャル成長されていた。これはガリウム砒
素の格子定数が、硫化亜鉛とテルル化亜鉛の格子定数の
ほぼ中間にあるため、超格子層２の面内格子定数が基板
にほぼ一致し、エピタキシャル成長が可能となるためで
ある。
発明が解決しようとする課題
しかし超格子層の面内格子定数は各層の層厚比によって
変化するため、所望の層厚比に対して必ずしも厳密に基
板との格子整合がとれず、その場合、超格子層内に格子
欠陥が発生して、特性が低下する点が課題であった。
変化するため、所望の層厚比に対して必ずしも厳密に基
板との格子整合がとれず、その場合、超格子層内に格子
欠陥が発生して、特性が低下する点が課題であった。
本発明は格子欠陥のない良好な超格子を得ることを目的
とする。
とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記の課題を解決するため、ガリウム砒素単結
晶基板と超格子層の間に、硫化亜鉛とセレン化亜鉛の混
晶層を介在させるものである。
晶基板と超格子層の間に、硫化亜鉛とセレン化亜鉛の混
晶層を介在させるものである。
作 用
本発明は上記の手段により、超格子層の面内格子定数を
混晶層のそれに一致させ、その結果格子欠陥のない良好
な超、格子が得られるという作用にもとづくものである
。
混晶層のそれに一致させ、その結果格子欠陥のない良好
な超、格子が得られるという作用にもとづくものである
。
実施例
以下、本発明の実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体超格子構造の断
面図である。同図において、１はガリウム砒素単結晶基
板、２は硫化亜鉛層２ａとテ）ｖ）ｖ化亜鉛層２ｂを複
数層積層した超格子層である。
面図である。同図において、１はガリウム砒素単結晶基
板、２は硫化亜鉛層２ａとテ）ｖ）ｖ化亜鉛層２ｂを複
数層積層した超格子層である。
また３は硫化亜鉛とセレン化亜鉛の混晶（Ｚ ｎＳ ｘ
Ｓ ｅ １−８）をエピタキシャル成長させた混晶層で
ある。硫化亜鉛とテ／Ｖル化亜鉛の格子定数は大きく異
るが、超格子を形成した場合、各層の層厚がある程度薄
ければ、硫化亜鉛層の面内に引っ張り応力、テ）Ｖ〜化
亜鉛層の面内に圧縮応力が加わり、超格子層全体が一定
の面内格子定数を持つようになる。これを一般に歪超格
子と呼んでいる。
Ｓ ｅ １−８）をエピタキシャル成長させた混晶層で
ある。硫化亜鉛とテ／Ｖル化亜鉛の格子定数は大きく異
るが、超格子を形成した場合、各層の層厚がある程度薄
ければ、硫化亜鉛層の面内に引っ張り応力、テ）Ｖ〜化
亜鉛層の面内に圧縮応力が加わり、超格子層全体が一定
の面内格子定数を持つようになる。これを一般に歪超格
子と呼んでいる。
この場合、面内格子定数は各層の層厚比によって変化す
る。本実施例では混晶層３の混晶比Ｘを適切に選び、そ
の格子定数が超格子層の面内格子定数に一致するように
する。この場合、混晶層３とガリウム砒素単結晶基板１
の間には格子不整合が存在するが、これによる格子歪は
層厚がある程度以上厚くなれば転位によシ緩和され、超
格子層との界面付近では混晶比で定まる格子定数になる
。
る。本実施例では混晶層３の混晶比Ｘを適切に選び、そ
の格子定数が超格子層の面内格子定数に一致するように
する。この場合、混晶層３とガリウム砒素単結晶基板１
の間には格子不整合が存在するが、これによる格子歪は
層厚がある程度以上厚くなれば転位によシ緩和され、超
格子層との界面付近では混晶比で定まる格子定数になる
。
このように構成された超格子は基板からの歪を受けず、
格子欠陥が発生しないため、電気的、光学的に良好な特
性を示す。
格子欠陥が発生しないため、電気的、光学的に良好な特
性を示す。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、格子欠陥の少
ない良質の硫化亜鉛、テ＃ル化亜鉛半導体超格子構造が
得られる。その結果、高効率の青色発光素子が実現でき
、実用的に極めて有用である。
ない良質の硫化亜鉛、テ＃ル化亜鉛半導体超格子構造が
得られる。その結果、高効率の青色発光素子が実現でき
、実用的に極めて有用である。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体超格子構造の断
面図、第２図は従来の半導体超格子構造の断面図である
。 １・・・・・・ガリウム砒素単結晶基板、２・・・・・
・超格子層、２ａ・・・・・・硫化亜鉛層、２ｂ・・・
・・・テ／Ｌ／／Ｌ／化亜鉛層、３・・・・・・硫化亜
鉛・セレン化亜鉛混晶層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
力゛リフム１比素車濠宮遇ｉ１才足第１図 第２図
面図、第２図は従来の半導体超格子構造の断面図である
。 １・・・・・・ガリウム砒素単結晶基板、２・・・・・
・超格子層、２ａ・・・・・・硫化亜鉛層、２ｂ・・・
・・・テ／Ｌ／／Ｌ／化亜鉛層、３・・・・・・硫化亜
鉛・セレン化亜鉛混晶層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
力゛リフム１比素車濠宮遇ｉ１才足第１図 第２図
Claims (2)
- （１）ガリウム砒素単結晶基板上に硫化亜鉛とセレン化
亜鉛の混晶層をエピタキシャル成長させ、前記混晶層上
に硫化亜鉛の薄層とテルル化亜鉛の薄層を交互に複数層
積層した超格子層をエピタキシャル成長させ、前記混晶
層の混晶比を前記格子層と前記混晶層の面内格子定数が
一致するように選んだことを特徴とする半導体超格子構
造。 - （２）混晶層の厚さを混晶層と基板の格子不整合による
格子歪が緩和する厚さ以上としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体超格子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119540A JPH01289257A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体超格子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119540A JPH01289257A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体超格子構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289257A true JPH01289257A (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14763818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119540A Pending JPH01289257A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 半導体超格子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01289257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247681A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276384A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子 |
| JPS62254438A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Seiko Epson Corp | 半導体超格子の製造法 |
| JPS6395692A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63119540A patent/JPH01289257A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276384A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子 |
| JPS62254438A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Seiko Epson Corp | 半導体超格子の製造法 |
| JPS6395692A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247681A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9691712B2 (en) | Method of controlling stress in group-III nitride films deposited on substrates | |
| KR100503693B1 (ko) | 갈륨질화물성장방법 | |
| Mahajan | Defects in semiconductors and their effects on devices | |
| EP1595280B1 (en) | Buffer structure for heteroepitaxy on a silicon substrate | |
| US20040206978A1 (en) | Strain compensated semiconductor structures | |
| KR20080055624A (ko) | 반도체 헤테로구조 | |
| JPH03236218A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000114599A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH01289257A (ja) | 半導体超格子構造 | |
| JP2000150388A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびその製造方法 | |
| JPS57128092A (en) | Imbedded type semiconductor laser device | |
| JPH02100381A (ja) | 超格子構造半導体装置 | |
| JPH0296384A (ja) | 超格子構造半導体装置 | |
| JPH1135397A (ja) | ＧａＮ系結晶基板の製造方法 | |
| JPH0263115A (ja) | 薄膜の選択成長方法 | |
| JPH0461286A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63177487A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH01120011A (ja) | ＩｎＰ半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2876145B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0296325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0320096A (ja) | 超格子構造半導体装置 | |
| JPH02263427A (ja) | 化合物半導体基板およびその製造方法 | |
| JPH0469921A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0496320A (ja) | 薄膜半導体結晶成長法 | |
| JPS63182812A (ja) | 化合物半導体基板およびその製造方法 |