JPS6118184A - 発光素子 - Google Patents
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- JPS6118184A JPS6118184A JP59138570A JP13857084A JPS6118184A JP S6118184 A JPS6118184 A JP S6118184A JP 59138570 A JP59138570 A JP 59138570A JP 13857084 A JP13857084 A JP 13857084A JP S6118184 A JPS6118184 A JP S6118184A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
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- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＱａ
１−ｘ Ｎ ）単結晶膜を使用した青色の発光素子に関
するものである。
１−ｘ Ｎ ）単結晶膜を使用した青色の発光素子に関
するものである。
従来、青色の発光素子の実用化の例は少なく、液相成長
法による炭化硅素（ＳｆＣ）単結晶のｐ−ｎ接合、化学
気相成長法による窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶のＭＩ
Ｓ構造を用いた発光素子の実用化がなされている。この
−例を第１図に示す。この図において、１はサファイア
基板、２はＧａＮの半導体発光層、３は半絶縁層、４は
電極で、例えｔｆインジウム等の材料により作られてい
る。５は前記電極４と接続される電源である。
法による炭化硅素（ＳｆＣ）単結晶のｐ−ｎ接合、化学
気相成長法による窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶のＭＩ
Ｓ構造を用いた発光素子の実用化がなされている。この
−例を第１図に示す。この図において、１はサファイア
基板、２はＧａＮの半導体発光層、３は半絶縁層、４は
電極で、例えｔｆインジウム等の材料により作られてい
る。５は前記電極４と接続される電源である。
ＧａＮ単結晶を用いた発光素子においては、ＧａＮの半
導体発光層２に亜鉛（Ｚｎ）もしくはマグネジ
′ラム（Ｍｇ）をドーピングし青色の発光中心とする
が、半絶縁層３の形成もこれらの不純物を、さらに高濃
度にドーピングすることにより得られて（・る。このた
めドーピングする不純物は、高濃度ドーピングでＧａＮ
が高抵抗化する不純物（ＺｎとＭｇ）に限られており、
発光波長を任意に変えることはできない欠点があった。
導体発光層２に亜鉛（Ｚｎ）もしくはマグネジ
′ラム（Ｍｇ）をドーピングし青色の発光中心とする
が、半絶縁層３の形成もこれらの不純物を、さらに高濃
度にドーピングすることにより得られて（・る。このた
めドーピングする不純物は、高濃度ドーピングでＧａＮ
が高抵抗化する不純物（ＺｎとＭｇ）に限られており、
発光波長を任意に変えることはできない欠点があった。
この発明は、上記の点にかんがみなされたもので、Ｇａ
Ｎの代りＫＡｌ、Ｇａ１−ｘＮ単結晶膜を用〜１、発光
層の禁制帯幅を任意に変えることを可能にするとともに
、絶縁層にも人１ｘＧａ□−ｘＮ単結晶膜を用いるもの
である。以下この発明につ（・て説明する。
Ｎの代りＫＡｌ、Ｇａ１−ｘＮ単結晶膜を用〜１、発光
層の禁制帯幅を任意に変えることを可能にするとともに
、絶縁層にも人１ｘＧａ□−ｘＮ単結晶膜を用いるもの
である。以下この発明につ（・て説明する。
まず、この発明の原理について説明する。
Ａｌｚ ０ａ１−１ Ｎは、本発明者等がこの単結晶膜
を作製し、その性質について詳細に調べた結果、アルミ
ニウム（ＡＩ）およびガリウム（、Ｇａ ）と窒素（Ｎ
）よりなる三元系混晶瞼質で、Ｎの量は一定で、ＡＩと
Ｇａの存在割合（組成Ｘ）に応じて窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ ）の中間的性質を持
ち、Ｘ値が小さい程ＧａＮの性質に近くなり、Ｘ値が大
きくなる程ＡＩＮの性質に近くなる。電気的性質におい
ては、ＧａＮは半導体的性質を示し、ＡＩＮは絶縁性を
示す。従って、ＡＩｚ賃ψ、−、ＮＧ裏１成Ｘが大きく
なるに従い伝導性→半絶縁性→粘縁性を示す。また、光
学的性質においても組成Ｘ・の値に応じて変化し、Ｘ値
が大きくなるに従いｉｔ吸収端がより短波長側ヘシフト
して行く。このようにＡＩＸ ｏａｌ−、Ｎ単結晶膜は
、その組成Ｘを決めて作製することＫより、半導体的性
質から半絶縁性の性質を持つことができ、光学的性質に
おい【もその特性が決まる。（参考文献： Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆＡｐｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ＶＯＩ、
５３／％ １０ （１９８２）６８４４〜６８４８．
Ｓ、 Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｓ、 Ｍｉｓａｗａ ａｎ
ｄ Ｓ、Ｇｏｎｄａ）。
を作製し、その性質について詳細に調べた結果、アルミ
ニウム（ＡＩ）およびガリウム（、Ｇａ ）と窒素（Ｎ
）よりなる三元系混晶瞼質で、Ｎの量は一定で、ＡＩと
Ｇａの存在割合（組成Ｘ）に応じて窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ ）の中間的性質を持
ち、Ｘ値が小さい程ＧａＮの性質に近くなり、Ｘ値が大
きくなる程ＡＩＮの性質に近くなる。電気的性質におい
ては、ＧａＮは半導体的性質を示し、ＡＩＮは絶縁性を
示す。従って、ＡＩｚ賃ψ、−、ＮＧ裏１成Ｘが大きく
なるに従い伝導性→半絶縁性→粘縁性を示す。また、光
学的性質においても組成Ｘ・の値に応じて変化し、Ｘ値
が大きくなるに従いｉｔ吸収端がより短波長側ヘシフト
して行く。このようにＡＩＸ ｏａｌ−、Ｎ単結晶膜は
、その組成Ｘを決めて作製することＫより、半導体的性
質から半絶縁性の性質を持つことができ、光学的性質に
おい【もその特性が決まる。（参考文献： Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆＡｐｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ＶＯＩ、
５３／％ １０ （１９８２）６８４４〜６８４８．
Ｓ、 Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｓ、 Ｍｉｓａｗａ ａｎ
ｄ Ｓ、Ｇｏｎｄａ）。
この発明は、上記の原理に基づいてなされたものであっ
て、その要旨とするところは、紫外域および可視域で透
明な単結晶基板上に、青色の場合組成Ｘが０．１付近以
下のＡｌｘＧａ□−ｘＮ低抵抗単結晶膜を成長させ、こ
の成長層に発光中心不純物をドーピングした後、組成Ｘ
が０．３〜０．４のＡＩＸＧａＰＸＮ高抵抗層を成長さ
せ、金属膜の電極付を行い発光素子を作製するものであ
る。
て、その要旨とするところは、紫外域および可視域で透
明な単結晶基板上に、青色の場合組成Ｘが０．１付近以
下のＡｌｘＧａ□−ｘＮ低抵抗単結晶膜を成長させ、こ
の成長層に発光中心不純物をドーピングした後、組成Ｘ
が０．３〜０．４のＡＩＸＧａＰＸＮ高抵抗層を成長さ
せ、金属膜の電極付を行い発光素子を作製するものであ
る。
この発光素子は、す７アイヤ基板上に組成を制御よ＜
ＡＩＸ Ｇａ、−ｘＮ単結晶膜を成長させる点が重要で
ある。
ＡＩＸ Ｇａ、−ｘＮ単結晶膜を成長させる点が重要で
ある。
紫外および可視領域で透明な単結晶基板上に、任意の組
成Ｘを持つＡ Ｉ Ｘ Ｇａ Ｉ −Ｘ Ｎ単結晶膜を
成長させるのは、アンモニアあるいはヒドラジン雰囲気
中でＡＩとＱａを蒸発させる化成蒸着法、あるいはＡＩ
およびＧａを含むそれぞれの化合物ガスと７ンモニ７ガ
スを反応管に導入する化学気相成長法罠依ってもよく、
Ａ１とＧａの基板への供給割合によって作製した膜の組
成が決まる。
成Ｘを持つＡ Ｉ Ｘ Ｇａ Ｉ −Ｘ Ｎ単結晶膜を
成長させるのは、アンモニアあるいはヒドラジン雰囲気
中でＡＩとＱａを蒸発させる化成蒸着法、あるいはＡＩ
およびＧａを含むそれぞれの化合物ガスと７ンモニ７ガ
スを反応管に導入する化学気相成長法罠依ってもよく、
Ａ１とＧａの基板への供給割合によって作製した膜の組
成が決まる。
以下、図示の実施例により化成蒸着法によるＡｌｘＧａ
１−ｘＮ単結晶膜を用いた青色の発光素子の作製方法に
ついて説明する。紫外および可視領域透明単結晶基板と
しては、す７フイ７基板を用いている。
１−ｘＮ単結晶膜を用いた青色の発光素子の作製方法に
ついて説明する。紫外および可視領域透明単結晶基板と
しては、す７フイ７基板を用いている。
第２図はこの発明の青色の発光素子を製造するための装
置を示す概略構成図で、第３図はこの発明の一実施例を
示す側面図である０ １０−’Ｐａ以下の超高真空に排気された真空槽１１内
には、基板背面あるいは側面に基板加熱ヒータ１２があ
り、その前面をシャッタ１３で遮断されるようにサファ
イア基板２０が配置されている。
置を示す概略構成図で、第３図はこの発明の一実施例を
示す側面図である０ １０−’Ｐａ以下の超高真空に排気された真空槽１１内
には、基板背面あるいは側面に基板加熱ヒータ１２があ
り、その前面をシャッタ１３で遮断されるようにサファ
イア基板２０が配置されている。
サファイア基板２０の前方中央にはアンモニアガスを導
入するパイプ１４が、その開口部１４ａをす７フイ７基
板２０に向けて配置されている。１５は制御弁である。
入するパイプ１４が、その開口部１４ａをす７フイ７基
板２０に向けて配置されている。１５は制御弁である。
そして、パイプ１′４を中心とした周囲にＡＩ蒸発源１
６およびＧａ蒸発源１７と不純物ドーピング元素（例え
ばＺｎ）蒸発源１８が配置される。また、１９は排気口
である。
６およびＧａ蒸発源１７と不純物ドーピング元素（例え
ばＺｎ）蒸発源１８が配置される。また、１９は排気口
である。
ＡＩ蒸発源１６よりＡ１分子線、Ｇａ蒸発源１７よりＧ
ａ分子線を、また、サファイア基板２０の方向を向いた
ガス導入パイプ１４より１０−”Ｐａのアンモニアおよ
び不純物ドーピング元素蒸発源１８より極く微量のＺｎ
分子線を、７００℃に加熱されたす７フイ７基板２０に
同時に入射させ、Ａ１．Ｇａ□−ｘＮ単結晶膜を成長さ
せる。八１の分子線強度とＧａの分子線強度を制御し、
その分子線強度の割合により組成ｘ ＝ ０〜１．０未
満まで得られるので、その組成になるように選んで第３
図の目的の発光波長の半導体発光層２１の膜を組成の制
御を行い作製する。なお、２４．２５は電極（例えばＩ
ｎ ）と電源である。
ａ分子線を、また、サファイア基板２０の方向を向いた
ガス導入パイプ１４より１０−”Ｐａのアンモニアおよ
び不純物ドーピング元素蒸発源１８より極く微量のＺｎ
分子線を、７００℃に加熱されたす７フイ７基板２０に
同時に入射させ、Ａ１．Ｇａ□−ｘＮ単結晶膜を成長さ
せる。八１の分子線強度とＧａの分子線強度を制御し、
その分子線強度の割合により組成ｘ ＝ ０〜１．０未
満まで得られるので、その組成になるように選んで第３
図の目的の発光波長の半導体発光層２１の膜を組成の制
御を行い作製する。なお、２４．２５は電極（例えばＩ
ｎ ）と電源である。
半導体発光層２１の膜の成長速度は約２ Ａ／’ ８６
Ｃである。数μｍの膜厚に半導体発光層２１を成長させ
た後、Ｚｎの分子線の入射を止め、Ａ１分子線とＧａ分
子線の強度比を調整し、組成Ｘが０．４付近の半絶縁層
２２のＡｌＸＧａ、−ＩＮ単結晶膜を作製するＯ しかる後、電極２４を構成し発光素子を作製する。
Ｃである。数μｍの膜厚に半導体発光層２１を成長させ
た後、Ｚｎの分子線の入射を止め、Ａ１分子線とＧａ分
子線の強度比を調整し、組成Ｘが０．４付近の半絶縁層
２２のＡｌＸＧａ、−ＩＮ単結晶膜を作製するＯ しかる後、電極２４を構成し発光素子を作製する。
また、第４図に示すのはこの発明の他の実施例で、サフ
ァイア基板２０上にＡＩＮ単結晶膜２３を作製し、その
上にＺｎをドープした半導体発光層２１．半絶縁層２２
を作製した実施例で、このようにすることにより、発光
素子の発光効率をより高くすることができる。（参考文
献： ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
Ｖｏｗ、 ４２’４５ （１９８３） ４２７〜４２
９ Ｓ、 Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｓ、 Ｍｊｓａｗａ＋
ａｎｄ Ｓ、 Ｇｏｎｄａ ）第５図はＡ Ｉ Ｋ （
）ａ Ｉ −１Ｎ単結晶膜の組成Ｘと電気光特性（カソ
ードルミネッセンス強度）が変化する状態を陰極線発光
により調べた特性図で、組成Ｘの増加にしたがって発光
特性が短波長域へ移行することを示す・ 菖７図は、第３図の構成で作製した発光素子の電流■−
電電圧時特性、Ｍ、ＩＳ構造による優れたダイオード特
性を示している。
ァイア基板２０上にＡＩＮ単結晶膜２３を作製し、その
上にＺｎをドープした半導体発光層２１．半絶縁層２２
を作製した実施例で、このようにすることにより、発光
素子の発光効率をより高くすることができる。（参考文
献： ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
Ｖｏｗ、 ４２’４５ （１９８３） ４２７〜４２
９ Ｓ、 Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｓ、 Ｍｊｓａｗａ＋
ａｎｄ Ｓ、 Ｇｏｎｄａ ）第５図はＡ Ｉ Ｋ （
）ａ Ｉ −１Ｎ単結晶膜の組成Ｘと電気光特性（カソ
ードルミネッセンス強度）が変化する状態を陰極線発光
により調べた特性図で、組成Ｘの増加にしたがって発光
特性が短波長域へ移行することを示す・ 菖７図は、第３図の構成で作製した発光素子の電流■−
電電圧時特性、Ｍ、ＩＳ構造による優れたダイオード特
性を示している。
以上説明したようにこの発明は、紫外域および可視域で
透明な単結晶基板上に任意の組成を有する低抵抗の窒化
アルミニウムガリウム単結晶または窒化ガリウム単結晶
の半導体発光層を形成し、この半導体発光層の上に任意
の組成を有する高低ある値より大きな値に選べば、不純
物をドーピングしなくても高抵抗となるためドーピング
が不要であり、これＫより発光層のドーピング不純物の
制限をなくすことができるという利点が得られる。
透明な単結晶基板上に任意の組成を有する低抵抗の窒化
アルミニウムガリウム単結晶または窒化ガリウム単結晶
の半導体発光層を形成し、この半導体発光層の上に任意
の組成を有する高低ある値より大きな値に選べば、不純
物をドーピングしなくても高抵抗となるためドーピング
が不要であり、これＫより発光層のドーピング不純物の
制限をなくすことができるという利点が得られる。
第１図は従来の青色の発光素子を示す側面図、第２図は
この発明の青色の発光素子を製造するための装置を示す
概略構成図、第３図はこの発明の一実施例を示す側面図
、第４図はこの発明の他の実施例を示す側面図、ｍ５図
はＡＩ、 Ｇａ、−、Ｎ単結晶膜の組成Ｘと電気抵抗率
との関係を示す特性図、第６図はＡＩＸ Ｇａｔ−ｘ
Ｎ単結晶膜の組成Ｘに対する発光特性を示す図、第７図
は青色の発光素子の電流と電圧の特性を示す図である。 図中、１１は真空槽、１２は基板加熱ヒータ、１３はシ
ャッタ、１４はパイプ、１４ａは開口部、１５は制御弁
、１６はＡＩ蒸発源、１１はＧａ蒸発源、１８は不純物
ドーピング元素蒸発源、１９は排気口、２０はサファイ
ア基板、２１は半導体発光層、２２は半絶縁層、２３は
ＡＩＮ単結晶膜である。 第１１５１ 第２図 第３図 ＡｌＸＧａ１−ＸＮ単結晶ｌ！ＸｗＬｘ第６図 一波長（ｎｍ）
この発明の青色の発光素子を製造するための装置を示す
概略構成図、第３図はこの発明の一実施例を示す側面図
、第４図はこの発明の他の実施例を示す側面図、ｍ５図
はＡＩ、 Ｇａ、−、Ｎ単結晶膜の組成Ｘと電気抵抗率
との関係を示す特性図、第６図はＡＩＸ Ｇａｔ−ｘ
Ｎ単結晶膜の組成Ｘに対する発光特性を示す図、第７図
は青色の発光素子の電流と電圧の特性を示す図である。 図中、１１は真空槽、１２は基板加熱ヒータ、１３はシ
ャッタ、１４はパイプ、１４ａは開口部、１５は制御弁
、１６はＡＩ蒸発源、１１はＧａ蒸発源、１８は不純物
ドーピング元素蒸発源、１９は排気口、２０はサファイ
ア基板、２１は半導体発光層、２２は半絶縁層、２３は
ＡＩＮ単結晶膜である。 第１１５１ 第２図 第３図 ＡｌＸＧａ１−ＸＮ単結晶ｌ！ＸｗＬｘ第６図 一波長（ｎｍ）
Claims (1)
- 紫外域および可視域で透明な単結晶基板上に低抵抗の窒
化アルミニウムガリウム単結晶または窒化ガリウム単結
晶の半導体発光層を形成し、この半導体発光層の上に高
抵抗の窒化アルミニウムガリウム単結晶の半絶縁層を形
成したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138570A JPS6118184A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138570A JPS6118184A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118184A true JPS6118184A (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=15225219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138570A Pending JPS6118184A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118184A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239989A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光素子の作製方法 |
| US5006908A (en) * | 1989-02-13 | 1991-04-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device |
| US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59138570A patent/JPS6118184A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| THE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1982US * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239989A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光素子の作製方法 |
| US5006908A (en) * | 1989-02-13 | 1991-04-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device |
| US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
| US5296395A (en) * | 1991-05-17 | 1994-03-22 | Apa Optics, Inc. | Method of making a high electron mobility transistor |
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