JPS6251282A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
- Publication number
- JPS6251282A JPS6251282A JP19171885A JP19171885A JPS6251282A JP S6251282 A JPS6251282 A JP S6251282A JP 19171885 A JP19171885 A JP 19171885A JP 19171885 A JP19171885 A JP 19171885A JP S6251282 A JPS6251282 A JP S6251282A
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- JP
- Japan
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- layer
- active layer
- composition
- super
- lattice structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザー特に化合物半導体レーザーに
係わる。
係わる。
本発明は、活性層に隣接して設けられるクラッド層の少
なくとも一方を超格子構造として熱放散を良好にする。
なくとも一方を超格子構造として熱放散を良好にする。
（従来の技術〕
化合物半導体レーザーにおいては、その発光部、すなわ
ち活性！で発生する熱を、いかに効率良く外部に放散さ
せるかによってレーザー特性や、寿命に大きな影響を与
える。
ち活性！で発生する熱を、いかに効率良く外部に放散さ
せるかによってレーザー特性や、寿命に大きな影響を与
える。
化合物半導体レーザーとしては、種々の構造のものが提
案されているが、基本的には活性層に隣接してこの活性
層に対してキャリアと光の閉じ込め牽行なうクラッド層
が設けられた構造とされる。
案されているが、基本的には活性層に隣接してこの活性
層に対してキャリアと光の閉じ込め牽行なうクラッド層
が設けられた構造とされる。
このクラッド層は、活性層に比してエネルギーバンドギ
ャップが大で屈折率が小さく、しかも格子整合のとれた
３元もしくは４元混晶の化合物半導体層によって構成さ
れる。例えば＾ｌＧａＡｓの３元系の半導体レーザーの
場合、第３図に示すように、ＧすＳ基板（１）の１Φ手
面に、ＡｌＧａＡｓ層より成る第１のクラッド層（２）
と、ＧａＡｓ層より成る活性層（３）と、例えば６第１
のクラッド層（２）と同一組成の半導体層より成る第２
のクラッド層（４）と、更にこれの上に例えばＧａＡｓ
より成るキャップ層（５）とが順次ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇｎｉｃ ＣｈｅｌＩｌｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）或いはＭＢｔｌ （
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ、 Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）
法等によってエピタキシャル成長されて成る。（６）及
び（７）は、ＧａＡｓ基板（１）の他の主面とキャップ
層（５）とに夫々オーミックに被着された電極を示す。
ャップが大で屈折率が小さく、しかも格子整合のとれた
３元もしくは４元混晶の化合物半導体層によって構成さ
れる。例えば＾ｌＧａＡｓの３元系の半導体レーザーの
場合、第３図に示すように、ＧすＳ基板（１）の１Φ手
面に、ＡｌＧａＡｓ層より成る第１のクラッド層（２）
と、ＧａＡｓ層より成る活性層（３）と、例えば６第１
のクラッド層（２）と同一組成の半導体層より成る第２
のクラッド層（４）と、更にこれの上に例えばＧａＡｓ
より成るキャップ層（５）とが順次ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇｎｉｃ ＣｈｅｌＩｌｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）或いはＭＢｔｌ （
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ、 Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）
法等によってエピタキシャル成長されて成る。（６）及
び（７）は、ＧａＡｓ基板（１）の他の主面とキャップ
層（５）とに夫々オーミックに被着された電極を示す。
電極（７）は、これ自体がピー１〜シンクとしての機能
を有するようになされるとか、これとは別に設けられた
ヒートシンク（９）すなわち放熱体に、半田層（８）に
よって半田付けされる。
を有するようになされるとか、これとは別に設けられた
ヒートシンク（９）すなわち放熱体に、半田層（８）に
よって半田付けされる。
このようにクラッド層（２）及び（４）は、１列えば／
ｌＧａＡｓの３元混晶によって構成されてＧａＡｓの活
性層に対して光及びキャリアの閉じ込めをなすものであ
るが、熱伝導等の観点からは、混晶の構成元素数が増加
するほど熱抵抗が増大するので、３元混晶のＡｌＧａＡ
ｓより成るクラッド層は、熱伝導が低い。そして、この
傾向は、Ｇａ１ｎＡｓＰ系或いはＡｌＧａ１ｎＰ系の４
元素半導体レーザーのようにその混晶の構成元素数が増
加するにつれ、より顕著となる。
ｌＧａＡｓの３元混晶によって構成されてＧａＡｓの活
性層に対して光及びキャリアの閉じ込めをなすものであ
るが、熱伝導等の観点からは、混晶の構成元素数が増加
するほど熱抵抗が増大するので、３元混晶のＡｌＧａＡ
ｓより成るクラッド層は、熱伝導が低い。そして、この
傾向は、Ｇａ１ｎＡｓＰ系或いはＡｌＧａ１ｎＰ系の４
元素半導体レーザーのようにその混晶の構成元素数が増
加するにつれ、より顕著となる。
そして、このように活性層に隣接するクラッド層の熱伝
導が低い場合、動作時における活性層から発生する熱が
効果的に完敗されないことによって、活性層の温度上昇
が大となり、発振が害われたり、活性層及びその付近の
結晶に転位の発生や、結晶成長による変成が生じ、レー
ザー特性の安定性や、寿命の低下を来す。
導が低い場合、動作時における活性層から発生する熱が
効果的に完敗されないことによって、活性層の温度上昇
が大となり、発振が害われたり、活性層及びその付近の
結晶に転位の発生や、結晶成長による変成が生じ、レー
ザー特性の安定性や、寿命の低下を来す。
化合物半導体において、２元化合物に更に構成元素を加
えて３元混晶にした場合に、熱伝導率が減少すること、
すなわち熱抵抗が増大することは、例えばビー・ディー
・メイコック：ソリッドースティト エレクトロニソク
ス、 ６７１０１６１−１６８（Ｐ、Ｄ、 Ｍａｙｃｏ
ｃｋＨ５ｏｌｉｄ−３ｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ 。
えて３元混晶にした場合に、熱伝導率が減少すること、
すなわち熱抵抗が増大することは、例えばビー・ディー
・メイコック：ソリッドースティト エレクトロニソク
ス、 ６７１０１６１−１６８（Ｐ、Ｄ、 Ｍａｙｃｏ
ｃｋＨ５ｏｌｉｄ−３ｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ 。
Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ ）でその報告がなさ
れている通りであり、構成元素によっては１桁以上も、
その熱伝導率が低下する系がある。
れている通りであり、構成元素によっては１桁以上も、
その熱伝導率が低下する系がある。
また、化合物半導体中での熱は、主としてフォノンによ
って伝搬されることが知られているが、このフォノンが
種々の原因で散乱されていることが熱伝導率を減少させ
る要因となる。このフォノンの散乱の１つの原因として
は、例えばＩＴＩ−Ｖ族化合物半導体についていえば、
その■族すイトを２種の元素がランダムに占有している
２いわヰるディスオーダーリングによる効果がある。
って伝搬されることが知られているが、このフォノンが
種々の原因で散乱されていることが熱伝導率を減少させ
る要因となる。このフォノンの散乱の１つの原因として
は、例えばＩＴＩ−Ｖ族化合物半導体についていえば、
その■族すイトを２種の元素がランダムに占有している
２いわヰるディスオーダーリングによる効果がある。
そして、フォノンの中でも熱の伝導に関わるのは、主に
群速度が大で、長い平均自由行程を有するＬＡフォノン
である。
群速度が大で、長い平均自由行程を有するＬＡフォノン
である。
本発明は、上述した半導体レーザーにおけるクラッド層
におけるＬＡフ；ノンの散乱を減少させ、熱伝導率の向
上をはかって、レーザー特性、寿命の改善をはかるもの
であ為。
におけるＬＡフ；ノンの散乱を減少させ、熱伝導率の向
上をはかって、レーザー特性、寿命の改善をはかるもの
であ為。
〔問題点を解決するための手段〕 ゛本発明
は、例えは第１図に示すように、例えしｋＧａＡｓより
成る基板（１１）上＆Ｅ Ｊ図示しないが必要に応じて
同様にＧａＡｓのバッファ層を介して順次第１のクラッ
ド層（１２）、活性層（１３）、第２のクラッド層（１
４） 、キャップ層（１５）をＭＯＣＶＤ法、ＭＢ［！
法等によって連続エピタキシーする□。（１６）及び（
１７）′は基板（１１）の他の主面とキ゛ヤップ層（１
５）とに夫々オーミックに゛被着された電極を゛示す。
は、例えは第１図に示すように、例えしｋＧａＡｓより
成る基板（１１）上＆Ｅ Ｊ図示しないが必要に応じて
同様にＧａＡｓのバッファ層を介して順次第１のクラッ
ド層（１２）、活性層（１３）、第２のクラッド層（１
４） 、キャップ層（１５）をＭＯＣＶＤ法、ＭＢ［！
法等によって連続エピタキシーする□。（１６）及び（
１７）′は基板（１１）の他の主面とキ゛ヤップ層（１
５）とに夫々オーミックに゛被着された電極を゛示す。
電極（１７）はこれ自体がヒートシンクとしての機能を
有するか、或いは歯示のように、他のヒートシンク（１
９）に半田層（１８）によって半田付けされる。
有するか、或いは歯示のように、他のヒートシンク（１
９）に半田層（１８）によって半田付けされる。
本発明においては、第１及び第２のクラッド層（１２）
及び（τ４）、或いはヒートシンク側の第１のクラッド
層（１２）を、低次元の混晶、例えば２元ないしは３元
の混晶の薄膜半導体層の繰返し周期的積層構造による超
格子構造の半導体層とする。
及び（τ４）、或いはヒートシンク側の第１のクラッド
層（１２）を、低次元の混晶、例えば２元ないしは３元
の混晶の薄膜半導体層の繰返し周期的積層構造による超
格子構造の半導体層とする。
例えばＡＩＧａＡｓ（７） ３元系半導体レーザーにお
いては、これより低いＡｌＡｓおよびＧａＡｓの各２元
のｎ及びｍ原子層による薄膜半導体の周期的重ね合せに
よる（ ＡＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）ｙｌの超格子構造
とする。そして、この超格子構造のクラッド層の組成は
、その全体の平均的組成が、その本来の混晶、例えばＡ
ｌＧａＡｓにおいて、活性層（１３）に対して、キャリ
アと光の閉じ込め効果を奏するに必要なだけの活性層（
１３）に対し所要の屈折率差とエネルギーバンドギャッ
プ差、すなわち活性層（３）に比し、小なる屈折率を有
し、大なるエネルギーバンドギャップを有する組成とほ
ぼ同程度の組成となるように選定する。
いては、これより低いＡｌＡｓおよびＧａＡｓの各２元
のｎ及びｍ原子層による薄膜半導体の周期的重ね合せに
よる（ ＡＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）ｙｌの超格子構造
とする。そして、この超格子構造のクラッド層の組成は
、その全体の平均的組成が、その本来の混晶、例えばＡ
ｌＧａＡｓにおいて、活性層（１３）に対して、キャリ
アと光の閉じ込め効果を奏するに必要なだけの活性層（
１３）に対し所要の屈折率差とエネルギーバンドギャッ
プ差、すなわち活性層（３）に比し、小なる屈折率を有
し、大なるエネルギーバンドギャップを有する組成とほ
ぼ同程度の組成となるように選定する。
上述した本発明によれば、クラッド層（１２）及び（１
４）の双方または一方のクラッド層（１２）を超格子構
造として、混晶の次元を低めたので前述した混晶中のデ
ィスオーダリングによる散乱が減少し、これによってこ
こにおける熱伝導率が高められる。
４）の双方または一方のクラッド層（１２）を超格子構
造として、混晶の次元を低めたので前述した混晶中のデ
ィスオーダリングによる散乱が減少し、これによってこ
こにおける熱伝導率が高められる。
しかしながら、異種の半導体の境界面であるヘテロ接合
部において、一方の結晶中を伝搬してきたＬ Ａフォノ
ンが、他方の結晶中へ伝搬する際、２種の結晶のＬ Ａ
フォノンの分散関係に重なりを持たなければ、ＬＡフォ
ノンは散乱され、伝搬することができない。なぜなら運
動量とエネルギーの保存が成り立たないからである。し
たがって、異種の薄い結晶の周期的に重り合っている超
格子においてはへテロ接合が数多く存在するので、ＬＡ
フォノンの伝搬についての考察がなされなければないな
いが、例えば上述したＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層との周期
的重ね合せによる超格子（＾ＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）
ｒａ系では両半導体層ＡｌＡｓと、ＧａＡｓとにおける
ＬＡフ上述したこれに関するＬＡフォノンの散乱につい
ては特に問題は生じない。そして、他の系についてみて
も、超格子構造を構成する異種の半導体層において夫々
ＬＡフォノンの分散曲線が例えば第２図中曲線（２１）
及び（２２）に示すように異なっていても、超格子構造
における特長のいわゆるゾーン・フォルディング（ｚｏ
ｎｅ ｆｏｌｄｉｎｇ ）により、各分散曲線が１／
（ｎ＋ｍ）にたたまれており、同図中左端に夫々分散曲
線（２１）及び（２２）のゾーン・フォルディング後の
状態を鎖線及び破線で模式的に示したように、重なりを
持つことになるので、ＬＡフォノンは散乱されずに伝搬
できることになる。したがって本発明構成による半導体
レーザーでは活性１’１ｉ（１３）に隣接するクラッド
層において熱伝導度が高められ例えばヒートシンク（９
）に向って効率良い熱の伝達による放熱がなされる。
部において、一方の結晶中を伝搬してきたＬ Ａフォノ
ンが、他方の結晶中へ伝搬する際、２種の結晶のＬ Ａ
フォノンの分散関係に重なりを持たなければ、ＬＡフォ
ノンは散乱され、伝搬することができない。なぜなら運
動量とエネルギーの保存が成り立たないからである。し
たがって、異種の薄い結晶の周期的に重り合っている超
格子においてはへテロ接合が数多く存在するので、ＬＡ
フォノンの伝搬についての考察がなされなければないな
いが、例えば上述したＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層との周期
的重ね合せによる超格子（＾ＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）
ｒａ系では両半導体層ＡｌＡｓと、ＧａＡｓとにおける
ＬＡフ上述したこれに関するＬＡフォノンの散乱につい
ては特に問題は生じない。そして、他の系についてみて
も、超格子構造を構成する異種の半導体層において夫々
ＬＡフォノンの分散曲線が例えば第２図中曲線（２１）
及び（２２）に示すように異なっていても、超格子構造
における特長のいわゆるゾーン・フォルディング（ｚｏ
ｎｅ ｆｏｌｄｉｎｇ ）により、各分散曲線が１／
（ｎ＋ｍ）にたたまれており、同図中左端に夫々分散曲
線（２１）及び（２２）のゾーン・フォルディング後の
状態を鎖線及び破線で模式的に示したように、重なりを
持つことになるので、ＬＡフォノンは散乱されずに伝搬
できることになる。したがって本発明構成による半導体
レーザーでは活性１’１ｉ（１３）に隣接するクラッド
層において熱伝導度が高められ例えばヒートシンク（９
）に向って効率良い熱の伝達による放熱がなされる。
第１図を参照して本発明の一例を詳説に説明する。
基板（１１）は１の導電型の例えばＮ型のＧａＡｓ基板
より構成する。
より構成する。
第１のクラッド層（１２）は、基板（１１）と同導電型
を有し、ＡｌＡｓのｎ原子層の薄膜半導体層とＧａＡｓ
のｍ原子層の薄膜半導体層との繰返えし積層による周期
的重ね合せによる（ＡＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）Ｂの超
格子構造とする。
を有し、ＡｌＡｓのｎ原子層の薄膜半導体層とＧａＡｓ
のｍ原子層の薄膜半導体層との繰返えし積層による周期
的重ね合せによる（ＡＩＡｓ）ｎ （ＧａＡｓ）Ｂの超
格子構造とする。
活性層（１３）は、ＧａＡｓ層によって構成する。
第２のクラッド層（１４）は、第１のクラッド層（１２
）と同様の組成及び構造の超格子とするも第１のクラッ
ド層（１２）とは異る導電型の例えばＰ型とする。
）と同様の組成及び構造の超格子とするも第１のクラッ
ド層（１２）とは異る導電型の例えばＰ型とする。
キャップ層（１５）は、第１のクラッド層（１４）と同
導電型のＰ型のＧａＡｓ１ｉによって構成する。
導電型のＰ型のＧａＡｓ１ｉによって構成する。
そして、破線図示のように、キャップ層（１５）側から
中央部をストライプ状に残し、その左右に選択的に第２
のクラッド層（１４）に至る深さに亘ってプロトン等の
イオン注入を行って例えば高化抵抗の電流狭窄領域（２
０）を形成し、その後電極（１６）及び（１７）を被着
し、電極（１７）側をヒートシンク（１９）に半田層（
１８）によって半田付けする。
中央部をストライプ状に残し、その左右に選択的に第２
のクラッド層（１４）に至る深さに亘ってプロトン等の
イオン注入を行って例えば高化抵抗の電流狭窄領域（２
０）を形成し、その後電極（１６）及び（１７）を被着
し、電極（１７）側をヒートシンク（１９）に半田層（
１８）によって半田付けする。
尚、上述した例では、ＡｌＧａＡｓの３元系半導体レー
ザーに本発明を適用した場合であるが、４元系の例えば
Ｇａ１ｎＡｓＰ系の半導体レーザーに適用することもで
き、この場合においては （ＧａＡｓ）ｎ （ＩｎＰ ）ｎ＋ （ＧａＰ Ｍ （
ＩｎＡｓＭ （順不同）の超格子構造によってクラッド
層を構成する。またＡｌＧａ１ｎＰ系の半導体レーザー
に適用する場合においては（＾ＩＰ ）Ｊｌ （ＧａＰ
）ｒａ （ＩｎＰ ）ｎ若しくは（ＡＩＩｎＰ ）ｎ
（ＧａｌｎＰ ）ｒｅ超格子構造等の２元化合物ない
しは３元混晶の超格子構造となし得る。
ザーに本発明を適用した場合であるが、４元系の例えば
Ｇａ１ｎＡｓＰ系の半導体レーザーに適用することもで
き、この場合においては （ＧａＡｓ）ｎ （ＩｎＰ ）ｎ＋ （ＧａＰ Ｍ （
ＩｎＡｓＭ （順不同）の超格子構造によってクラッド
層を構成する。またＡｌＧａ１ｎＰ系の半導体レーザー
に適用する場合においては（＾ＩＰ ）Ｊｌ （ＧａＰ
）ｒａ （ＩｎＰ ）ｎ若しくは（ＡＩＩｎＰ ）ｎ
（ＧａｌｎＰ ）ｒｅ超格子構造等の２元化合物ない
しは３元混晶の超格子構造となし得る。
上述したように本発明によれば、活性層に隣接するクラ
ッド層の少くとも一方を超格子構造としてその熱伝導率
を高めるようにしたので、活性層（１３）とその近傍部
の温度上昇を効果的に回避でき、これによって、レーザ
ーの特性、安定性、寿命の改善がはかられ、更に例えば
ＡＩＧａＩｎＰ系の短波長領域の室温での連続発振が可
能な半導体レーザーの構成を可能にする。
ッド層の少くとも一方を超格子構造としてその熱伝導率
を高めるようにしたので、活性層（１３）とその近傍部
の温度上昇を効果的に回避でき、これによって、レーザ
ーの特性、安定性、寿命の改善がはかられ、更に例えば
ＡＩＧａＩｎＰ系の短波長領域の室温での連続発振が可
能な半導体レーザーの構成を可能にする。
第１図は本発明による半導体レーザーの一例の路線的拡
大断面図、第２図は本発明の説明に供するＬ Ａフォノ
ンの分散曲線図、第３図は従来の半導体レーザーの路線
的拡大断面図である。 （１１）は基板、（１２）及び（１４）は第１及び第２
のクラッド層、（■３）は活性層、（１５）はキャップ
層、（１６）及び（１７）は電極、（２０）は電流狭窄
領域である。 木全日月１；よ３半導イ木レープ−の断テ目］第１図 ＃：未−芋祷不トレーｒ−の断面図 第３図
大断面図、第２図は本発明の説明に供するＬ Ａフォノ
ンの分散曲線図、第３図は従来の半導体レーザーの路線
的拡大断面図である。 （１１）は基板、（１２）及び（１４）は第１及び第２
のクラッド層、（■３）は活性層、（１５）はキャップ
層、（１６）及び（１７）は電極、（２０）は電流狭窄
領域である。 木全日月１；よ３半導イ木レープ−の断テ目］第１図 ＃：未−芋祷不トレーｒ−の断面図 第３図
Claims (1)
- 活性層に隣接して超格子構造によるクラッド層が設けら
れ、該クラッド層はその平均組成が上記活性層に対し所
要のバンドギャップ差と屈折率差とを有し上記活性層に
キャリアと光の閉じ込め効果を奏し得る混晶の組成と同
程度の組成に選定されて成ることを特徴とする半導体レ
ーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191718A JP2508625B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191718A JP2508625B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体レ−ザ− |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6297918A Division JP2653986B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251282A true JPS6251282A (ja) | 1987-03-05 |
| JP2508625B2 JP2508625B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=16279323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191718A Expired - Lifetime JP2508625B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508625B2 (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63245984A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH07170017A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Sony Corp | 半導体レーザー |
| US5577061A (en) * | 1994-12-16 | 1996-11-19 | Hughes Aircraft Company | Superlattice cladding layers for mid-infrared lasers |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS57152178A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device with super lattice structure |
| JPS60130878A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Nec Corp | 超格子半導体レ−ザ |
| JPS6123A (ja) * | 1984-04-09 | 1986-01-06 | セントラ−ル デイエルゲネ−スクンデイツグ インスチツ−ト | ウイルス調製物 |
| JPS61131414A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPS61244086A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191718A patent/JP2508625B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63245984A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH07170017A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Sony Corp | 半導体レーザー |
| US5577061A (en) * | 1994-12-16 | 1996-11-19 | Hughes Aircraft Company | Superlattice cladding layers for mid-infrared lasers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508625B2 (ja) | 1996-06-19 |
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