JPS60164379A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
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- JPS60164379A JPS60164379A JP1960284A JP1960284A JPS60164379A JP S60164379 A JPS60164379 A JP S60164379A JP 1960284 A JP1960284 A JP 1960284A JP 1960284 A JP1960284 A JP 1960284A JP S60164379 A JPS60164379 A JP S60164379A
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- Japan
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザー特に単−量子井戸構造半導体レ
ーザーの改良に関する０ 従来例として、Ａ ＩＧａ Ａｓ／Ｇａ Ａ ｓ単一量
子井戸構造半導体レーザーの主要部のエネルギーバンド
図を第１図（ａｌに原子配置の模式図を第１図（ｂｌに
示す０図中、ｌはＨ−Ａ Ｉ ＸＩ ｏａｌ−２７’
（Ａ Ｓ （ＸＩ＼０）からなるｎ型キャリア閉じ込め
層、２はＧａ Ａ ｓからなる活性層、３はＰ−ＡＩＸ
、 Ｇａｔ −ｘｉ ！ Ａｓ （ｘｚ 飄０ ） カ
らナルＰ型キャリア閉じ込め層である。第１図（ｂｌに
おいて斜線を施した丸はＡ／原子、斜線のない白丸はＧ
ａＪＪｉ＋子を表わしている。又、Ａｓ Ｊｊ７ｊ子は
紙面に対して垂直方向にずれたところに位置し・ここに
は示していない。図中、ρＡｌｌ Ｇａ Ａ ｓのＡ７
！濃度は約０．３の場合である。こ、の図に示される様
にＡ／原、子はかなりクラスター状にかたまって配置し
ている。このため（ｂ１図中央の活性層２のＧ ａ Ａ
ｓの厚さは本来９原子層であるべきところが、１０原
子層や１１原子層となっている箇所もあることがわかる
。したがってこの様なＡｌとＱａの混晶のキャリア閉じ
込め層を用いて量子井戸構造を形成する場合には量子井
戸層の厚さは必然的に１〜２原子層の厚さの、不均一が
膜面内に存在してしまうことになる。この様な不均一性
は量子化レベルの不均一を伴うため半導体レーザの利得
スペクトルの広がシを引き起こし閾値電流の増大を招い
ていた。
ーザーの改良に関する０ 従来例として、Ａ ＩＧａ Ａｓ／Ｇａ Ａ ｓ単一量
子井戸構造半導体レーザーの主要部のエネルギーバンド
図を第１図（ａｌに原子配置の模式図を第１図（ｂｌに
示す０図中、ｌはＨ−Ａ Ｉ ＸＩ ｏａｌ−２７’
（Ａ Ｓ （ＸＩ＼０）からなるｎ型キャリア閉じ込め
層、２はＧａ Ａ ｓからなる活性層、３はＰ−ＡＩＸ
、 Ｇａｔ −ｘｉ ！ Ａｓ （ｘｚ 飄０ ） カ
らナルＰ型キャリア閉じ込め層である。第１図（ｂｌに
おいて斜線を施した丸はＡ／原子、斜線のない白丸はＧ
ａＪＪｉ＋子を表わしている。又、Ａｓ Ｊｊ７ｊ子は
紙面に対して垂直方向にずれたところに位置し・ここに
は示していない。図中、ρＡｌｌ Ｇａ Ａ ｓのＡ７
！濃度は約０．３の場合である。こ、の図に示される様
にＡ／原、子はかなりクラスター状にかたまって配置し
ている。このため（ｂ１図中央の活性層２のＧ ａ Ａ
ｓの厚さは本来９原子層であるべきところが、１０原
子層や１１原子層となっている箇所もあることがわかる
。したがってこの様なＡｌとＱａの混晶のキャリア閉じ
込め層を用いて量子井戸構造を形成する場合には量子井
戸層の厚さは必然的に１〜２原子層の厚さの、不均一が
膜面内に存在してしまうことになる。この様な不均一性
は量子化レベルの不均一を伴うため半導体レーザの利得
スペクトルの広がシを引き起こし閾値電流の増大を招い
ていた。
本発明の目的は、量子井戸層の膜面内不均−が無くした
がって利得スペクトルが狭く、低閾値の半導体レーザを
提供することにある１一本発明の半導体レーザーは、活
性層と、この活性層を上下にはさみ前記活性層に比し大
きな禁制帯幅を有し２つの元素からなる化合物半導体か
らなる第１及び第２半導体層とこの第１及び第２半導体
層と前記活性層からなる３層構造を上下にはさみ前記活
性層に比し大きな禁制帯幅を有し、少なくとも３つ以上
の元素からなる化合物半導体からなる第３及び第４半導
体層とを備える構成となっている。
がって利得スペクトルが狭く、低閾値の半導体レーザを
提供することにある１一本発明の半導体レーザーは、活
性層と、この活性層を上下にはさみ前記活性層に比し大
きな禁制帯幅を有し２つの元素からなる化合物半導体か
らなる第１及び第２半導体層とこの第１及び第２半導体
層と前記活性層からなる３層構造を上下にはさみ前記活
性層に比し大きな禁制帯幅を有し、少なくとも３つ以上
の元素からなる化合物半導体からなる第３及び第４半導
体層とを備える構成となっている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例の断面図を第２図に示す。図中、６は
ｎ−ＧａＡｓ基板、７はバッファ一層（ｎ −Ｇａ Ａ
ｓ ）、８はｎ型クラッド層（ｎ−ＡｉｘｓＧ ａｌ
−！ｐ’４ Ａ ｓ 、 ｏ、 ２≦Ｘｇ≦０．８．厚
さ０．５〜３μｍ）ｌはｎ型キャリア閉じ込め層（ｎ−
ｋｌｘ、 Ｇａ、 −ｘ、 Ａｓ 。
ｎ−ＧａＡｓ基板、７はバッファ一層（ｎ −Ｇａ Ａ
ｓ ）、８はｎ型クラッド層（ｎ−ＡｉｘｓＧ ａｌ
−！ｐ’４ Ａ ｓ 、 ｏ、 ２≦Ｘｇ≦０．８．厚
さ０．５〜３μｍ）ｌはｎ型キャリア閉じ込め層（ｎ−
ｋｌｘ、 Ｇａ、 −ｘ、 Ａｓ 。
０．１≦Ｘ、≦０．４ 、 Ｘ、 ＜ｘ、 、厚さ０．
０５〜０．３μｍ）、４はｎ型Ａ １３Ａ ｓ層（厚さ
≦２０ＯＡ）、２は活性層（ｎｏｎｄｏｐｅ ＧａＡｓ
、厚さ≦２０ＯＡ）、５はＰ型Ａ ６Ａｓ層（厚さ≦
２０．ＯＡ）、３はＰ型キャリア閉じ込め層（Ｐ Ａｌ
ｘ５ Ｇａ＋ ；χ７Ｌ Ａｓ 、（１１≦ｘ３≦０．
４．厚さ０．０５〜０．３μｍ）、９はＰ型クラッド層
（Ｐ−ｋｌｘ９Ｇａ、−ｚｚ、、Ａｓ 、 ＸＯ＞ ｘ
Ｂ 、 ０．２≦Ｘ、≦０４８．厚さ０．５〜３μｍ）
ｌＯはキャップ層（Ｐ” −ＧａＡｓ） 、 １１はＳ
＋ ０２膜、１２はＰ型電極、１３はｎ型電極、１４
は電極窓である。岡、この例ではｎ型キャリア閉じ込め
層ｌが第３半導体層に、ｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４が第１半
導体層に、Ｐ型Ａ ＩＡ ｓ層５が第２半導体層に、Ｐ
型キャリア閉じ込め層３が第４半導体層に相当する。
０５〜０．３μｍ）、４はｎ型Ａ １３Ａ ｓ層（厚さ
≦２０ＯＡ）、２は活性層（ｎｏｎｄｏｐｅ ＧａＡｓ
、厚さ≦２０ＯＡ）、５はＰ型Ａ ６Ａｓ層（厚さ≦
２０．ＯＡ）、３はＰ型キャリア閉じ込め層（Ｐ Ａｌ
ｘ５ Ｇａ＋ ；χ７Ｌ Ａｓ 、（１１≦ｘ３≦０．
４．厚さ０．０５〜０．３μｍ）、９はＰ型クラッド層
（Ｐ−ｋｌｘ９Ｇａ、−ｚｚ、、Ａｓ 、 ＸＯ＞ ｘ
Ｂ 、 ０．２≦Ｘ、≦０４８．厚さ０．５〜３μｍ）
ｌＯはキャップ層（Ｐ” −ＧａＡｓ） 、 １１はＳ
＋ ０２膜、１２はＰ型電極、１３はｎ型電極、１４
は電極窓である。岡、この例ではｎ型キャリア閉じ込め
層ｌが第３半導体層に、ｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４が第１半
導体層に、Ｐ型Ａ ＩＡ ｓ層５が第２半導体層に、Ｐ
型キャリア閉じ込め層３が第４半導体層に相当する。
本実施例では、ｎ型キャリア閉じ込め層ｌ及びＰ型キャ
リア閉じ込め層３は光ガイド層として働くため、光とギ
ヤリアを別々の層で閉じ込めるいわゆる８ＣＨ（５ｅｐ
ａｒａｚｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｖｕｃｔｕｒｃ）構造となっている。本実施例の活性
層近傍のエネルギーバンド図を第一３図（ａｌに、原子
配置の模式図を第３図（ｂｌに示す。従来例と異なる点
は、ｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４及びＰ型ＡＩＡ ａ層５を備
えている点である。１第３図（ｂｌでは第１１１（ｂｌ
と同様に斜線丸がＡＩ原子、白丸がＧａ原子を示してい
る。第３図（ｂｌで示される様に、ｎ型ＡＩＡ ｓ層４
及びＰ型ＡｌＡｓ層５が活性層２を上下にはさんでいる
ため活性層２の厚さは膜面内均−に９原子層となってい
ることがわかる。したがって、活性Ｎ２の厚みが均一な
ため量子化レベルが膜面内で均一となシ利得スペクトル
が狭く、低閾値電流発振が可能となる。又ｎ型ＡＩＡ
ｓ層４及びＰＷＡＩＡｓ層５の厚さが第３図ｆｂｌでは
２原子層と薄いため、これらの層をトンネルによって電
子及び正孔が通過し、活性層２に有効に注入出来る。又
、このｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４及びＰ型Ａ １１Ａ ｓ層
５の厚みが２ＯＡ以上の比較的厚い場合には、活性層２
からのキャリア漏れを防ぐことが出来るため閾値の温度
特性が改善される。
リア閉じ込め層３は光ガイド層として働くため、光とギ
ヤリアを別々の層で閉じ込めるいわゆる８ＣＨ（５ｅｐ
ａｒａｚｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｖｕｃｔｕｒｃ）構造となっている。本実施例の活性
層近傍のエネルギーバンド図を第一３図（ａｌに、原子
配置の模式図を第３図（ｂｌに示す。従来例と異なる点
は、ｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４及びＰ型ＡＩＡ ａ層５を備
えている点である。１第３図（ｂｌでは第１１１（ｂｌ
と同様に斜線丸がＡＩ原子、白丸がＧａ原子を示してい
る。第３図（ｂｌで示される様に、ｎ型ＡＩＡ ｓ層４
及びＰ型ＡｌＡｓ層５が活性層２を上下にはさんでいる
ため活性層２の厚さは膜面内均−に９原子層となってい
ることがわかる。したがって、活性Ｎ２の厚みが均一な
ため量子化レベルが膜面内で均一となシ利得スペクトル
が狭く、低閾値電流発振が可能となる。又ｎ型ＡＩＡ
ｓ層４及びＰＷＡＩＡｓ層５の厚さが第３図ｆｂｌでは
２原子層と薄いため、これらの層をトンネルによって電
子及び正孔が通過し、活性層２に有効に注入出来る。又
、このｎ型Ａ ＩＡ ｓ層４及びＰ型Ａ １１Ａ ｓ層
５の厚みが２ＯＡ以上の比較的厚い場合には、活性層２
からのキャリア漏れを防ぐことが出来るため閾値の温度
特性が改善される。
次に本実施例の製造方法について説明する０まず最初に
ｎ−ＧａＡｓ基板６上にバッファ一層７ 、ｎ型クラッ
ド層８、ｎ型キャリア閉じ込め層１ｓｎＷ Ａ７？Ａｓ
１４４ 、活性層２、Ｐ ｍ ｉＡｓ Ｎ ５、ＰＷ
ギセＩＩＴ閂ド４人め隔３、Ｐ刑りラット１ｑ、キャッ
プ層１０を順次結晶成長する。結晶成長方法は■〜ｉＢ
Ｅ法、ＭＯ−ＣＶＤ法ＶＰＥ法等々のいずれの方法を用
いても良い。次にＳ ｉ Ｏ，膜１１を形成し、フォト
エツチング法によシミ極意１４を形成する。次にＰ型電
極１２及び、 ｌ−電極１３を形成しオーミックコンタ
クトをとる。最後にウェハーから襞間等を用いてベレッ
トに切出した後ステ八等に融着し電極ワイヤを取付けて
完成する。
ｎ−ＧａＡｓ基板６上にバッファ一層７ 、ｎ型クラッ
ド層８、ｎ型キャリア閉じ込め層１ｓｎＷ Ａ７？Ａｓ
１４４ 、活性層２、Ｐ ｍ ｉＡｓ Ｎ ５、ＰＷ
ギセＩＩＴ閂ド４人め隔３、Ｐ刑りラット１ｑ、キャッ
プ層１０を順次結晶成長する。結晶成長方法は■〜ｉＢ
Ｅ法、ＭＯ−ＣＶＤ法ＶＰＥ法等々のいずれの方法を用
いても良い。次にＳ ｉ Ｏ，膜１１を形成し、フォト
エツチング法によシミ極意１４を形成する。次にＰ型電
極１２及び、 ｌ−電極１３を形成しオーミックコンタ
クトをとる。最後にウェハーから襞間等を用いてベレッ
トに切出した後ステ八等に融着し電極ワイヤを取付けて
完成する。
本実施例においては、８ＣＨ構造を用いたが、これに限
らず、例えばＧＲＩＮ−８ＣＨ（（）ｒａｄｅｄ −Ｉ
ｎｄｅｘＷａｖｅｇｕｉｄｅ ８ｅｐａｒａｔｅ −Ｃ
ｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ −Ｈｅｔｅｖｏｓｔ’ｕｃｉｕ
ｒｅ ）構造等を用いても本発明が適だが、これに限ら
ずプレーナストライプ構造、υ本発明が適用出来る０又
本実施例では、活性層にＧａＡｓを用いたが、 Ａ＃Ｇ
ａＡｓを用いても効果が期待される。又、本実施例では
ｎ−ＧａＡｓ基板を用いたがこれに限らすＰ−ＧａＡｓ
基板を用いて、本実施例の導電型をすべて反対にしても
良いことは明らかである。又、本実施例ではｎ側ではｎ
型Ａ ／Ａ ｓ層をＰ側ではＰ型Ａ ＩＡ ｓ層を備え
ていたがこれに限らず、 ＡｌＡｓはノンドープあるい
は反対導電型であっても本発明の効果が期待出来る。又
、本実施例ではＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系を材料に用い
ていたがこれに限らずＡ／（ＧａＳｂ／Ｇａｒｂ系等他
の材料を用いても本発明を適用出来ることは明らかであ
る。
らず、例えばＧＲＩＮ−８ＣＨ（（）ｒａｄｅｄ −Ｉ
ｎｄｅｘＷａｖｅｇｕｉｄｅ ８ｅｐａｒａｔｅ −Ｃ
ｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ −Ｈｅｔｅｖｏｓｔ’ｕｃｉｕ
ｒｅ ）構造等を用いても本発明が適だが、これに限ら
ずプレーナストライプ構造、υ本発明が適用出来る０又
本実施例では、活性層にＧａＡｓを用いたが、 Ａ＃Ｇ
ａＡｓを用いても効果が期待される。又、本実施例では
ｎ−ＧａＡｓ基板を用いたがこれに限らすＰ−ＧａＡｓ
基板を用いて、本実施例の導電型をすべて反対にしても
良いことは明らかである。又、本実施例ではｎ側ではｎ
型Ａ ／Ａ ｓ層をＰ側ではＰ型Ａ ＩＡ ｓ層を備え
ていたがこれに限らず、 ＡｌＡｓはノンドープあるい
は反対導電型であっても本発明の効果が期待出来る。又
、本実施例ではＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系を材料に用い
ていたがこれに限らずＡ／（ＧａＳｂ／Ｇａｒｂ系等他
の材料を用いても本発明を適用出来ることは明らかであ
る。
第１図ｆａｌは従来例のＡ Ｉ Ｇａ Ａ ｓ／Ｇ ａ
Ａ ｓ単一量子井戸構造半導体レーザーの主要部のエ
ネルギーバンド図、第１図（ｂｌはその原子配置の模式
図である。 第２図は本発明の一実施例の断面図である０第３図（ａ
ｌは本発明の一実施例の活性層近傍のエネルギーバンド
図、第３図（ｂｌはその原子配置の模式図である。 図中、ｌはｎ型キャリア閉じ込め層、２は活性層、３は
Ｐ型キャリア閉じ込め層、４はｎ型ＡＩＡ ｓ層、５は
Ｐ型ＡｌＡｓ層、６はｎ −Ｇ ａＡｓ基板、７はバッ
ファ一層、８はｎ型クラッド層、９はＰ型クラッド層、
１０はキャップ層、１１は５１０２膜、１２はＰ型電極
、１３はｎ型電極、ｘｌｔ’に極意である。 第１図 第 ２ 図 ４
Ａ ｓ単一量子井戸構造半導体レーザーの主要部のエ
ネルギーバンド図、第１図（ｂｌはその原子配置の模式
図である。 第２図は本発明の一実施例の断面図である０第３図（ａ
ｌは本発明の一実施例の活性層近傍のエネルギーバンド
図、第３図（ｂｌはその原子配置の模式図である。 図中、ｌはｎ型キャリア閉じ込め層、２は活性層、３は
Ｐ型キャリア閉じ込め層、４はｎ型ＡＩＡ ｓ層、５は
Ｐ型ＡｌＡｓ層、６はｎ −Ｇ ａＡｓ基板、７はバッ
ファ一層、８はｎ型クラッド層、９はＰ型クラッド層、
１０はキャップ層、１１は５１０２膜、１２はＰ型電極
、１３はｎ型電極、ｘｌｔ’に極意である。 第１図 第 ２ 図 ４
Claims (1)
- 活性層と、この活性層を上下にはさみ前記活性層に比し
、９大きな禁制帯幅を有し２つの元素からなる化合物半
導体からなる第１及び第２半導体層と、この第１及び第
２半導体層と前記活性層からなる量子井戸型３層構造を
上下にはさみ前記活性層に比し大きな禁制帯幅を有し、
少なくとも３つ以上の元素からなる化合物半導体からな
る第３及び第４半導体層とを備えることを特徴とする半
導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1960284A JPS60164379A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1960284A JPS60164379A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60164379A true JPS60164379A (ja) | 1985-08-27 |
| JPH0576794B2 JPH0576794B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=12003754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1960284A Granted JPS60164379A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60164379A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467364A (en) * | 1992-02-05 | 1995-11-14 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
| US5764668A (en) * | 1993-12-24 | 1998-06-09 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser device |
| USRE36431E (en) * | 1992-02-05 | 1999-12-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596695A (en) * | 1979-01-15 | 1980-07-23 | Xerox Corp | Injection type semiconductor laser |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP1960284A patent/JPS60164379A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596695A (en) * | 1979-01-15 | 1980-07-23 | Xerox Corp | Injection type semiconductor laser |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467364A (en) * | 1992-02-05 | 1995-11-14 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
| USRE36431E (en) * | 1992-02-05 | 1999-12-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
| US5764668A (en) * | 1993-12-24 | 1998-06-09 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576794B2 (ja) | 1993-10-25 |
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