JPH04242985A - 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードInfo
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- JPH04242985A JPH04242985A JP2414843A JP41484390A JPH04242985A JP H04242985 A JPH04242985 A JP H04242985A JP 2414843 A JP2414843 A JP 2414843A JP 41484390 A JP41484390 A JP 41484390A JP H04242985 A JPH04242985 A JP H04242985A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視単波長、特に、青
色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光可能な
半導体レーザダイオードに関する。
色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光可能な
半導体レーザダイオードに関する。
【０００２】本発明の半導体レーザダイオードは、本発
明者らにより初めて明らかにされた電子線照射処理によ
る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１
，０≦ｙ≦１）層のｐ型化技術を基盤として、新たに開
発さた技術を加えて、初めて、（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）
ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レー
ザダイオードの製作が可能となったものである。
明者らにより初めて明らかにされた電子線照射処理によ
る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１
，０≦ｙ≦１）層のｐ型化技術を基盤として、新たに開
発さた技術を加えて、初めて、（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）
ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レー
ザダイオードの製作が可能となったものである。
【０００３】
【従来技術】現在、実用化されている最短波長の電流注
入型半導体レーザダイオードは、リン化インジウムガリ
ウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＰ）系結晶により作製
されている。その発振波長は可視長波長領域、即ち、赤
色領域である０．６ 〜０．７ μｍ帯に属する。
入型半導体レーザダイオードは、リン化インジウムガリ
ウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＰ）系結晶により作製
されている。その発振波長は可視長波長領域、即ち、赤
色領域である０．６ 〜０．７ μｍ帯に属する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、更に、
短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域での発光
が可能な半導体レーザを実現するのは、この材料では物
性上困難である。より広い禁制帯幅を持つ半導体材料を
用いる必要がある。（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ はその候補の一つである。
短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域での発光
が可能な半導体レーザを実現するのは、この材料では物
性上困難である。より広い禁制帯幅を持つ半導体材料を
用いる必要がある。（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ はその候補の一つである。
【０００５】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ ）
、特に、ＧａＮ は室温（３００Ｋ）で光励起により誘
導放出することが確認されている（Ｈ． Ａｍａｎｏ
等；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 第２９巻１９９０年 Ｌ
２０５−Ｌ２０６頁）。 このことから、上記半導体
でレーザダイオードが構成できる可能性がある。
、特に、ＧａＮ は室温（３００Ｋ）で光励起により誘
導放出することが確認されている（Ｈ． Ａｍａｎｏ
等；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 第２９巻１９９０年 Ｌ
２０５−Ｌ２０６頁）。 このことから、上記半導体
でレーザダイオードが構成できる可能性がある。
【０００６】しかしながら、上記系統の化合物半導体は
ｐ型単結晶薄膜の作製が困難であるため、現在に到るま
で（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ を用いた電流
注入による半導体レーザダイオードは実現していない。
ｐ型単結晶薄膜の作製が困難であるため、現在に到るま
で（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ を用いた電流
注入による半導体レーザダイオードは実現していない。
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、短波長で
ある青色、紫色領域或いは紫外光領域におけるレーザを
得ることである。
されたものであり、その目的とするところは、短波長で
ある青色、紫色領域或いは紫外光領域におけるレーザを
得ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本第１発明は、ｎ型伝導
性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１
−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から
成るｎ層と、ｐ型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半
導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：
０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）（ｘ＝ｘ’またはｘ≠ｘ
’，ｙ＝ｙ’またはｙ≠ｙ’）から成るｐ層とが接合さ
れた少なくとも１つのｐｎ接合を設けたことを特徴とし
ている。
性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１
−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から
成るｎ層と、ｐ型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半
導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：
０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）（ｘ＝ｘ’またはｘ≠ｘ
’，ｙ＝ｙ’またはｙ≠ｙ’）から成るｐ層とが接合さ
れた少なくとも１つのｐｎ接合を設けたことを特徴とし
ている。
【０００９】第２発明は、ｎ層及びｐ層を、禁制帯幅が
同一な窒化ガリウム系化合物半導体で構成したことを特
徴としている。
同一な窒化ガリウム系化合物半導体で構成したことを特
徴としている。
【００１０】第３発明は、ｐｎ接合を、禁制帯幅の比較
的大きい窒化ガリウム系化合物半導体から成る層と、禁
制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体から
成る層との接合により構成したことを特徴としている。
的大きい窒化ガリウム系化合物半導体から成る層と、禁
制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体から
成る層との接合により構成したことを特徴としている。
【００１１】第４発明は、禁制帯幅の比較的小さい層を
、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、その
層に対して禁制帯幅の比較的大きい層で挟んだ構造を有
することを特徴とする。
、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、その
層に対して禁制帯幅の比較的大きい層で挟んだ構造を有
することを特徴とする。
【００１２】第５発明は、禁制帯幅の異なる層を２つ以
上積層した構造であることを特徴とする。
上積層した構造であることを特徴とする。
【００１３】第６発明は、アクセプタ不純物をドープし
た窒化ガリウム系化合物半導体から成る層に電子線を照
射してｐ型化させた層を有することを特徴とする。
た窒化ガリウム系化合物半導体から成る層に電子線を照
射してｐ型化させた層を有することを特徴とする。
【００１４】第７発明は、ｐ型化された窒化ガリウム系
化合物半導体から成る層とその層に対する電極用金属と
の接触部分の形状を短冊状としたことを特徴とする。
化合物半導体から成る層とその層に対する電極用金属と
の接触部分の形状を短冊状としたことを特徴とする。
【００１５】第８発明は、基板に、サファイア、Ｓｉ、
６Ｈ−ＳｉＣ又はＧａＮ を用いることを特徴としてい
る。
６Ｈ−ＳｉＣ又はＧａＮ を用いることを特徴としてい
る。
【００１６】
【作用及び効果】（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体において、本発明
者等により、初めてｐ型電導性を示す層の製作が可能と
なった。これにより、上記の窒化ガリウム系化合物半導
体で構成されたキャリア注入型のレーザダイオードの製
作及びその発振が可能となった。
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体において、本発明
者等により、初めてｐ型電導性を示す層の製作が可能と
なった。これにより、上記の窒化ガリウム系化合物半導
体で構成されたキャリア注入型のレーザダイオードの製
作及びその発振が可能となった。
【００１７】本発明のように電子線照射処理による（Ａ
ｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ のｐ型化効果と、構
造を工夫することにより、青色から紫色及び紫外光領域
の発振波長を持つ半導体レーザダイオードが実現された
。
ｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ のｐ型化効果と、構
造を工夫することにより、青色から紫色及び紫外光領域
の発振波長を持つ半導体レーザダイオードが実現された
。
【００１８】
【発明の概要】上記発明において、窒化アルミニウムガ
リウムインジウム（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ
単結晶作製用基板には、サファイア， 珪素（Ｓｉ）
，６Ｈ 炭化珪素（６Ｈ−ＳｉＣ）ないし窒化ガリウム
（ＧａＮ） を用いることができる。
リウムインジウム（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ
単結晶作製用基板には、サファイア， 珪素（Ｓｉ）
，６Ｈ 炭化珪素（６Ｈ−ＳｉＣ）ないし窒化ガリウム
（ＧａＮ） を用いることができる。
【００１９】サファイアを基板とする場合には少なくと
も低温（例えば約６００ ℃） で堆積したＡｌＮ 薄
膜を含む層を緩衝層とするのが望ましい。
も低温（例えば約６００ ℃） で堆積したＡｌＮ 薄
膜を含む層を緩衝層とするのが望ましい。
【００２０】Ｓｉを基板とする場合には少なくとも３Ｃ
−ＳｉＣ薄膜一層か或いは３Ｃ−ＳｉＣ薄膜及びＡｌＮ
薄膜の二層を含む層を緩衝層とするのが望ましい。
−ＳｉＣ薄膜一層か或いは３Ｃ−ＳｉＣ薄膜及びＡｌＮ
薄膜の二層を含む層を緩衝層とするのが望ましい。
【００２１】６Ｈ−ＳｉＣを基板とする場合には直接な
いしＧａＮ を緩衝層とするのが望ましい。ＧａＮ を
基板とする場合には直接単結晶作製が行なわれる。Ｓｉ
，６Ｈ−ＳｉＣ 及びＧａＮ を基板とする場合にはｎ
型単結晶が用いられる。
いしＧａＮ を緩衝層とするのが望ましい。ＧａＮ を
基板とする場合には直接単結晶作製が行なわれる。Ｓｉ
，６Ｈ−ＳｉＣ 及びＧａＮ を基板とする場合にはｎ
型単結晶が用いられる。
【００２２】まず、同一組成同士の結晶によるｐｎ接合
構造を作製する場合につき述べる。サファイアを基板と
する場合、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ を成
長させる直前に、基板温度を所望の値（例えば ６００
℃）に設定し、成長炉内に少なくともアルミニウム（Ａ
ｌ） を含む化合物及び窒素の水酸化物を導入し、サフ
ァイア基板表面にＡｌＮ 薄膜緩衝層を形成する。
構造を作製する場合につき述べる。サファイアを基板と
する場合、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ を成
長させる直前に、基板温度を所望の値（例えば ６００
℃）に設定し、成長炉内に少なくともアルミニウム（Ａ
ｌ） を含む化合物及び窒素の水酸化物を導入し、サフ
ァイア基板表面にＡｌＮ 薄膜緩衝層を形成する。
【００２３】その後、Ａｌを含む化合物の導入を止め、
基板温度の再設定を行う。そして、所望の混晶組成とな
るようにＡｌを含む化合物、ガリウム（Ｇａ）を含む化
合物及びインジウム（Ｉｎ）を含む化合物を導入してｎ
型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 単結晶の成長
を行う。
基板温度の再設定を行う。そして、所望の混晶組成とな
るようにＡｌを含む化合物、ガリウム（Ｇａ）を含む化
合物及びインジウム（Ｉｎ）を含む化合物を導入してｎ
型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 単結晶の成長
を行う。
【００２４】なお、この場合ｎ型単結晶の抵抗率を下げ
るためにＳｉ， 酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）， テルル（Ｔｅ）などドナー不純物となる元素を
含む化合物を同時に導入しても良い。
るためにＳｉ， 酸素（Ｏ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）， テルル（Ｔｅ）などドナー不純物となる元素を
含む化合物を同時に導入しても良い。
【００２５】ドナー不純物をドーピングする場合、その
濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。 又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成
長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドー
ピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。
濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。 又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成
長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドー
ピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。
【００２６】次に、一度、ウエハを成長炉から取り出し
、試料表面の一部を選択成長用マスクとなる物質、例え
ば酸化珪素（ＳｉＯ２ ） により覆い、再びウエハを
成長炉に戻す。又は、ウエハを取り出さずそのまま成長
を続ける。
、試料表面の一部を選択成長用マスクとなる物質、例え
ば酸化珪素（ＳｉＯ２ ） により覆い、再びウエハを
成長炉に戻す。又は、ウエハを取り出さずそのまま成長
を続ける。
【００２７】少なくとも所望の混晶組成となるようなＡ
ｌを含む化合物、Ｇａを含む化合物、Ｉｎを含む化合物
及び窒素の水素化物及びアクセプタ不純物となる元素、
例えばベリリウム（Ｂｅ）， マグネシウム（Ｍｇ），
亜鉛（Ｚｎ）， カドミウム（ｃｄ）， 炭素（Ｃ）
を含む化合物を成長炉に導入してアクセプタ不純物を
ドープした（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 単結
晶（ｐ層） の成長を行う。
ｌを含む化合物、Ｇａを含む化合物、Ｉｎを含む化合物
及び窒素の水素化物及びアクセプタ不純物となる元素、
例えばベリリウム（Ｂｅ）， マグネシウム（Ｍｇ），
亜鉛（Ｚｎ）， カドミウム（ｃｄ）， 炭素（Ｃ）
を含む化合物を成長炉に導入してアクセプタ不純物を
ドープした（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 単結
晶（ｐ層） の成長を行う。
【００２８】アクセプタドープ層の成長膜厚は電子線照
射処理する場合の電子線侵入長を考慮して決定する。
次にウェハを成長炉から取り出し、アクセプタドープ
（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 層の電子線照射
処理を行う。
射処理する場合の電子線侵入長を考慮して決定する。
次にウェハを成長炉から取り出し、アクセプタドープ
（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 層の電子線照射
処理を行う。
【００２９】電子線照射処理する領域は試料表面全体或
いは一部、例えば短冊状とする。試料表面全体に電子線
を照射する場合には、更に、アクセプタドープ層（ｐ層
）の上に絶縁層を堆積し、その絶縁層の一部に短冊状の
窓を開け、その窓の上に金属を接触させ、ｐ層に対する
オーム性電極を形成する。 短冊状に電子線照射処理
する場合には、電子線の照射された領域の一部或いは全
部を覆うように金属を接触させ、ｐ層に対するオーム性
電極を形成する。
いは一部、例えば短冊状とする。試料表面全体に電子線
を照射する場合には、更に、アクセプタドープ層（ｐ層
）の上に絶縁層を堆積し、その絶縁層の一部に短冊状の
窓を開け、その窓の上に金属を接触させ、ｐ層に対する
オーム性電極を形成する。 短冊状に電子線照射処理
する場合には、電子線の照射された領域の一部或いは全
部を覆うように金属を接触させ、ｐ層に対するオーム性
電極を形成する。
【００３０】最終的に、ｐ層と金属の接触する部分の形
状は短冊である。ｎ層の電極は選択成長用マスクを取り
外して、その後に形成するか、或いはアクセプタドープ
層（ｐ層）の一部を表面側からエッチングして下層のｎ
層に対して窓を開け、金属を接触させオーム性電極を形
成する。
状は短冊である。ｎ層の電極は選択成長用マスクを取り
外して、その後に形成するか、或いはアクセプタドープ
層（ｐ層）の一部を表面側からエッチングして下層のｎ
層に対して窓を開け、金属を接触させオーム性電極を形
成する。
【００３１】ｎ型のＳｉ、６Ｈ−ＳｉＣ或いはＧａＮ
を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作
製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層
に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ
層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を
形成する。
を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作
製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層
に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ
層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を
形成する。
【００３２】以上が同一組成の結晶によるｐｎ接合構造
の半導体レーザダイオードを作製する場合の基本的方法
である。異種混晶組成の結晶の接合、いわゆるヘテロ接
合を利用した素子を作製する場合にも、ｐｎ接合を形成
するという点では上記同一混晶組成の結晶の接合を利用
する場合と同様である。
の半導体レーザダイオードを作製する場合の基本的方法
である。異種混晶組成の結晶の接合、いわゆるヘテロ接
合を利用した素子を作製する場合にも、ｐｎ接合を形成
するという点では上記同一混晶組成の結晶の接合を利用
する場合と同様である。
【００３３】単一のヘテロ接合を形成する場合、同一混
晶組成の結晶によるｐｎ接合に加え、更にｎ層側に禁制
帯幅が大きいｎ型の結晶を接合して少数キャリアである
正孔の拡散阻止層とする。
晶組成の結晶によるｐｎ接合に加え、更にｎ層側に禁制
帯幅が大きいｎ型の結晶を接合して少数キャリアである
正孔の拡散阻止層とする。
【００３４】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 系
単結晶の禁制帯幅付近の発光はｎ層で特に強いため、活
性層はｎ型結晶を用いる必要がある。（ＡｌｘＧａ１−
ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 系単結晶のバンド構造は（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓ系単結晶や（ＡｌｘＧａ
１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ 系単結晶と似ており、バンド
不連続の割合は価電子帯よりも伝導帯の方が大きいと考
えられる。しかし、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ 系単結晶では正孔の有効質量が比較的大きいためｎ
型同士のヘテロ接合は正孔拡散阻止として有効に作用す
る。
単結晶の禁制帯幅付近の発光はｎ層で特に強いため、活
性層はｎ型結晶を用いる必要がある。（ＡｌｘＧａ１−
ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 系単結晶のバンド構造は（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓ系単結晶や（ＡｌｘＧａ
１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ 系単結晶と似ており、バンド
不連続の割合は価電子帯よりも伝導帯の方が大きいと考
えられる。しかし、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ 系単結晶では正孔の有効質量が比較的大きいためｎ
型同士のヘテロ接合は正孔拡散阻止として有効に作用す
る。
【００３５】二つのヘテロ接合を形成する場合、禁制帯
幅の比較的小さいｎ型の結晶の両側に各々禁制帯幅の大
きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し禁制帯幅の小さいｎ型
の結晶を挟む構造とする。
幅の比較的小さいｎ型の結晶の両側に各々禁制帯幅の大
きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し禁制帯幅の小さいｎ型
の結晶を挟む構造とする。
【００３６】多数のヘテロ接合を形成する場合、ｎ型の
比較的禁制帯幅の大きい薄膜結晶と比較的禁制帯幅の小
さい薄膜結晶を複数接合し、その両側にそれぞれ更に禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し、多数のヘ
テロ接合を挟む。
比較的禁制帯幅の大きい薄膜結晶と比較的禁制帯幅の小
さい薄膜結晶を複数接合し、その両側にそれぞれ更に禁
制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し、多数のヘ
テロ接合を挟む。
【００３７】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ 系
単結晶の禁制帯幅付近での光の屈折率は禁制帯幅が小さ
い程大きいため、他の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−
ｙＡｓ系単結晶や（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ
系単結晶による半導体レーザダイオードと同様、禁制
帯幅の大きい結晶で挟むヘテロ構造は光の閉じ込めにも
効果がある。
単結晶の禁制帯幅付近での光の屈折率は禁制帯幅が小さ
い程大きいため、他の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−
ｙＡｓ系単結晶や（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ
系単結晶による半導体レーザダイオードと同様、禁制
帯幅の大きい結晶で挟むヘテロ構造は光の閉じ込めにも
効果がある。
【００３８】ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成の
結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成
を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃
度は高濃度にしても良い。
結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成
を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃
度は高濃度にしても良い。
【００３９】ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物の
ドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度は
アクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理
条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易
にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との
接触用に更に接合してもよい。
ドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度は
アクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理
条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易
にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との
接触用に更に接合してもよい。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レーザダイオード用単結晶
の作製には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。 以下基板としてサファイア，Ｓｉ，６Ｈ−ＳｉＣ及びＧ
ａＮ を用いた場合各々について成長手順を示す。
明する。（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レーザダイオード用単結晶
の作製には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。 以下基板としてサファイア，Ｓｉ，６Ｈ−ＳｉＣ及びＧ
ａＮ を用いた場合各々について成長手順を示す。
【００４１】（１） サファイア基板の場合図１は、サ
ファイア基板を用いた半導体レーザダイオードの構造を
示した断面図である。図１において、（０００１）面を
結晶成長面とするサファイア基板１を有機洗浄の後、結
晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気
の後、水素を供給し１２００℃程度まで昇温する。これ
によりサファイア基板１の表面に付着していた炭化水素
系ガスがある程度取り除かれる。
ファイア基板を用いた半導体レーザダイオードの構造を
示した断面図である。図１において、（０００１）面を
結晶成長面とするサファイア基板１を有機洗浄の後、結
晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気
の後、水素を供給し１２００℃程度まで昇温する。これ
によりサファイア基板１の表面に付着していた炭化水素
系ガスがある程度取り除かれる。
【００４２】次に、サファイア基板１の温度を ６００
℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
及びアンモニア（ＮＨ３） を供給して、サファイア
基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ 層２を形
成する。 次に、ＴＭＡ の供給のみを止め、基板温
度を１０４０℃まで上げ、ＴＭＡ，トリメチルガリウム
（ＴＭＧ） 及びシラン（ＳｉＨ４ ） を供給しＳｉ
ドープｎ型ＧａＡｌＮ 層３（ｎ層）を成長する。
℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
及びアンモニア（ＮＨ３） を供給して、サファイア
基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ 層２を形
成する。 次に、ＴＭＡ の供給のみを止め、基板温
度を１０４０℃まで上げ、ＴＭＡ，トリメチルガリウム
（ＴＭＧ） 及びシラン（ＳｉＨ４ ） を供給しＳｉ
ドープｎ型ＧａＡｌＮ 層３（ｎ層）を成長する。
【００４３】一旦、ウェハを成長炉から取り出し、Ｇａ
ＡｌＮ 層３の表面の一部をＳｉＯ２ でマスクした後
、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びＮＨ３ を
供給し１０４０℃まで昇温する。次に、ＴＭＧ を供給
して、ＳｉＯ２ でマスクされていない部分に厚さ ０
．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ 及
びビスシクロペンタディエニルマクネシウム（Ｃｐ２Ｍ
ｇ） を更に供給してドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）
を ０．５μｍ成長する。
ＡｌＮ 層３の表面の一部をＳｉＯ２ でマスクした後
、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びＮＨ３ を
供給し１０４０℃まで昇温する。次に、ＴＭＧ を供給
して、ＳｉＯ２ でマスクされていない部分に厚さ ０
．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ 及
びビスシクロペンタディエニルマクネシウム（Ｃｐ２Ｍ
ｇ） を更に供給してドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）
を ０．５μｍ成長する。
【００４４】次に、マスクとして使用したＳｉＯ２ を
弗酸系エッチャントにより除去する。次に、ドープＧａ
ＡｌＮ 層５（ｐ層）上にＳｉＯ２層７を堆積した後、
縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チ
ャンバに移して、ドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）に電
子線照射処理を行う。典型的な電子線照射処理条件を表
に示す。
弗酸系エッチャントにより除去する。次に、ドープＧａ
ＡｌＮ 層５（ｐ層）上にＳｉＯ２層７を堆積した後、
縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チ
ャンバに移して、ドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）に電
子線照射処理を行う。典型的な電子線照射処理条件を表
に示す。
【表１】
【００４５】次に、ドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）の
窓８の部分と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ 層３（ｎ層
）に、それぞれ、金属電極を形成する。結晶成長は以上
である。上記の構造は、特許請求の範囲請求項４に記載
の発明に対応する。
窓８の部分と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ 層３（ｎ層
）に、それぞれ、金属電極を形成する。結晶成長は以上
である。上記の構造は、特許請求の範囲請求項４に記載
の発明に対応する。
【００４６】（２）Ｓｉ 基板の場合
Ｓｉ基板上に作成したレーザダイオードの構造を図２に
示す。低抵抗ｎ型Ｓｉの（１１１） 面基板８を有機洗
浄の後、弗酸系エッチャントにより表面の酸化物を取り
除き結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後水素
を導入し基板を１０００℃まで昇温して、基板８の表面
を洗浄化し、更に、プロパン（Ｃ３Ｈ８ ） いはアセ
チレン（Ｃ２Ｈ２ ） を供給する。これにより表面に
３Ｃ−ＳｉＣ薄膜９が形成される。
示す。低抵抗ｎ型Ｓｉの（１１１） 面基板８を有機洗
浄の後、弗酸系エッチャントにより表面の酸化物を取り
除き結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後水素
を導入し基板を１０００℃まで昇温して、基板８の表面
を洗浄化し、更に、プロパン（Ｃ３Ｈ８ ） いはアセ
チレン（Ｃ２Ｈ２ ） を供給する。これにより表面に
３Ｃ−ＳｉＣ薄膜９が形成される。
【００４７】この後、成長炉内を一旦真空排気して余分
なガスを取り除く。次に成長炉に水素を供給し基板温度
を ６００℃にし、ＴＭＡ 及びＮＨ３ を供給してＡ
ｌＮ 薄膜１０を３Ｃ−ＳｉＣ薄膜９上に形成する。次
に、ＴＭＡ の供給のみを止め基板温度を１０４０℃に
して、ＴＭＧ，ＴＭＡ 及びＳｉＨ４ を供給してｎ型
ＧａＡｌＮ 層１１（ｎ層）を成長する。
なガスを取り除く。次に成長炉に水素を供給し基板温度
を ６００℃にし、ＴＭＡ 及びＮＨ３ を供給してＡ
ｌＮ 薄膜１０を３Ｃ−ＳｉＣ薄膜９上に形成する。次
に、ＴＭＡ の供給のみを止め基板温度を１０４０℃に
して、ＴＭＧ，ＴＭＡ 及びＳｉＨ４ を供給してｎ型
ＧａＡｌＮ 層１１（ｎ層）を成長する。
【００４８】次に、ＴＭＡ 及びＳｉＨ４ のみの供給
を止めＧａＮ 層１２を ０．５μｍ成長し、再びＴＭ
Ａ及びＣＰ２Ｍｇを加えＭｇドープＧａＡｌＮ 層１３
（ｐ層）を ０．５μｍ成長する。次に、ＭｇドープＧ
ａＡｌＮ 層１３（ｐ層）上にＳｉＯ２層１５を堆積し
た後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓１５Ａを開け
、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層１
３（ｐ層）に電子線を照射する。電子線の照射条件は前
実施例と同様である。その後、ＳｉＯ２層１５側からＭ
ｇドープＧａＡｌＮ 層１３（ｐ層）に対する電極１４
Ａを形成し、他方、基板８の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層
１１（ｎ層）に対する電極１４Ｂを形成した。
を止めＧａＮ 層１２を ０．５μｍ成長し、再びＴＭ
Ａ及びＣＰ２Ｍｇを加えＭｇドープＧａＡｌＮ 層１３
（ｐ層）を ０．５μｍ成長する。次に、ＭｇドープＧ
ａＡｌＮ 層１３（ｐ層）上にＳｉＯ２層１５を堆積し
た後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓１５Ａを開け
、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層１
３（ｐ層）に電子線を照射する。電子線の照射条件は前
実施例と同様である。その後、ＳｉＯ２層１５側からＭ
ｇドープＧａＡｌＮ 層１３（ｐ層）に対する電極１４
Ａを形成し、他方、基板８の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層
１１（ｎ層）に対する電極１４Ｂを形成した。
【００４９】（３）６Ｈ−ＳｉＣ 基板の場合６Ｈ−Ｓ
ｉＣ基板上に作成したレーザダイオードを図３に示す。 低抵抗ｎ型６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面基板１６を有
機洗浄の後、王水系エッチャントによりエッチングの後
、結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素
を供給し、１２００℃まで昇温する。次に、成長炉に水
素を供給し基板温度を１０４０℃にして、ＴＭＧ，Ｓｉ
Ｈ４ 及びＮＨ３ を供給してｎ型ＧａＮ 緩衝層１７
を ０．５〜 １μｍ程度成長する。次に、ＴＭＡ を
加え、ｎ型ＧａＮ 緩衝層１７の上にｎ型ＧａＡＮ層１
８（ｎ層）を成長する。
ｉＣ基板上に作成したレーザダイオードを図３に示す。 低抵抗ｎ型６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面基板１６を有
機洗浄の後、王水系エッチャントによりエッチングの後
、結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素
を供給し、１２００℃まで昇温する。次に、成長炉に水
素を供給し基板温度を１０４０℃にして、ＴＭＧ，Ｓｉ
Ｈ４ 及びＮＨ３ を供給してｎ型ＧａＮ 緩衝層１７
を ０．５〜 １μｍ程度成長する。次に、ＴＭＡ を
加え、ｎ型ＧａＮ 緩衝層１７の上にｎ型ＧａＡＮ層１
８（ｎ層）を成長する。
【００５０】次に、ｎ型ＧａＡＮ層１８の上に、前記の
Ｓｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一
ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、ＧａＮ 層
１９を ０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２０（
ｐ層）を ０．５μｍの厚さに形成した。次に、Ｍｇド
ープＧａＡｌＮ 層２０上にＳｉＯ２層２２を堆積した
後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２２Ａを開け、
真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２０
（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射条件は前実
施例と同様である。
Ｓｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一
ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、ＧａＮ 層
１９を ０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２０（
ｐ層）を ０．５μｍの厚さに形成した。次に、Ｍｇド
ープＧａＡｌＮ 層２０上にＳｉＯ２層２２を堆積した
後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２２Ａを開け、
真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２０
（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射条件は前実
施例と同様である。
【００５１】その後、ＳｉＯ２層２２側からＭｇドープ
ＧａＡｌＮ 層２０（ｐ層）に対する電極２１Ａを形成
し、他方、基板１６の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層１８（
ｎ層）に対する電極２１Ｂを形成した。
ＧａＡｌＮ 層２０（ｐ層）に対する電極２１Ａを形成
し、他方、基板１６の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層１８（
ｎ層）に対する電極２１Ｂを形成した。
【００５２】（４）ＧａＮ基板の場合
ＧａＮ 基板上に作成したレーザダイオードを図４に示
す。 低抵抗ｎ型ＧａＮ の（０００１）面基板２３を有機洗
浄の後、リン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチング
の後、この基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成
長炉を真空排気の後、水素及びＮＨ３ を供給し、基板
温度を１０４０℃にして、５分間放置する。次に、ＴＭ
Ｇ 及びＳｉＨ４ を更に加えてｎ型ＧａＮ 緩衝層２
４を０．５ 〜１ μｍの厚さに形成した。
す。 低抵抗ｎ型ＧａＮ の（０００１）面基板２３を有機洗
浄の後、リン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチング
の後、この基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成
長炉を真空排気の後、水素及びＮＨ３ を供給し、基板
温度を１０４０℃にして、５分間放置する。次に、ＴＭ
Ｇ 及びＳｉＨ４ を更に加えてｎ型ＧａＮ 緩衝層２
４を０．５ 〜１ μｍの厚さに形成した。
【００５３】次に、ＴＭＡ を加え、ｎ 型ＧａＡｌＮ
層２５を成長させた。次に、ｎ型ＧａＡＮ層２５の上
に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構
造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、
ＧａＮ 層２６を ０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ
層２７（ｐ層）を ０．５μｍの厚さに形成した。次
に、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２７上にＳｉＯ２層２９
を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２９
Ａを開け、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌ
Ｎ 層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射
条件は前実施例と同様である。
層２５を成長させた。次に、ｎ型ＧａＡＮ層２５の上
に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構
造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、
ＧａＮ 層２６を ０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ
層２７（ｐ層）を ０．５μｍの厚さに形成した。次
に、ＭｇドープＧａＡｌＮ 層２７上にＳｉＯ２層２９
を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２９
Ａを開け、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌ
Ｎ 層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射
条件は前実施例と同様である。
【００５４】その後、ＳｉＯ２層２９側からＭｇドープ
ＧａＡｌＮ 層２７（ｐ層）に対する電極２８Ａを形成
し、他方、基板２３の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層２５（
ｎ層）に対する電極２８Ｂを形成した。
ＧａＡｌＮ 層２７（ｐ層）に対する電極２８Ａを形成
し、他方、基板２３の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ 層２５（
ｎ層）に対する電極２８Ｂを形成した。
【００５６】上記のいづれの構造のレーザダイオードも
、室温においてレーザ発振した。
、室温においてレーザ発振した。
【図１】サファイア基板上に作製した本発明の具体的な
一実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ
：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオード
の構成を示した断面図。
一実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ
：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオード
の構成を示した断面図。
【図２】Ｓｉ基板上に作製した本発明の具体的な一実施
例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオードの構成
を示した断面図。
例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオードの構成
を示した断面図。
【図３】６Ｈ−ＳｉＣ基板上に作製した本発明の具体的
な一実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオー
ドの構成を示した断面図。
な一実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオー
ドの構成を示した断面図。
【図４】ＧａＮ 基板上に作製した本発明の具体的な一
実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオードの
構成を示した断面図。
実施例に係る（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）系半導体レーザダイオードの
構成を示した断面図。
１−サファイアの（０００１）面基板
２，９，１７−ＡｌＮ 緩衝層
３，１１，１８，２５−ｎ型ＡｌＧａＮ 層（ｎ層）４
，１２，１９，２６−ＧａＮ 層 ５，１３，２０，２７−ＭｇドープＡｌＧａＮ 層（ｐ
層）７，１５，２２，２９─ＳｉＯ２ 層 ６Ａ，１４Ａ，２１Ａ，２８Ａ─電極（ＭｇドープＡｌ
ＧａＮ 層（ｐ層）に対する） ６Ｂ，１４Ｂ，２１Ｂ，２８Ｂ─電極（ｎ型ＡｌＧａＮ
層（ｎ層）に対する）
，１２，１９，２６−ＧａＮ 層 ５，１３，２０，２７−ＭｇドープＡｌＧａＮ 層（ｐ
層）７，１５，２２，２９─ＳｉＯ２ 層 ６Ａ，１４Ａ，２１Ａ，２８Ａ─電極（ＭｇドープＡｌ
ＧａＮ 層（ｐ層）に対する） ６Ｂ，１４Ｂ，２１Ｂ，２８Ｂ─電極（ｎ型ＡｌＧａＮ
層（ｎ層）に対する）
Claims (8)
- 【請求項１】 ｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合
物半導体（（ＡｌｘＧａ １−ｘ）ｙＩｎ １−ｙＮ：
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成るｎ層と、ｐ型導電性
を示す窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１
−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’
≦１）（ｘ＝ｘ’またはｘ≠ｘ’，ｙ＝ｙ’ または
ｙ≠ｙ’）から成るｐ層とが接合された少なくとも１つ
のｐｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
ダイオード。 - 【請求項２】 前記ｎ層及び前記ｐ層は、禁制帯幅が
同一な窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−
ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）及び窒
化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）
ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）（
ｘ＝ｘ’ または ｘ≠ｘ’，ｙ＝ｙ’ または ｙ≠
ｙ’）で構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
ダイオード。 - 【請求項３】 前記ｐｎ接合は、禁制帯幅の比較的大
きい窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ
）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成る
層と、禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半
導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：
０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１ は
含まない。 ｘ≠ｘ’及び／又は ｙ≠ｙ’）から成る
層との接合により構成されたことを特徴とする特許請求
の範囲請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レ
ーザダイオード。 - 【請求項４】 禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム
系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１
−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ
’＝１ は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及
び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅
の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１
，ｘ≠ｘ’及び／又は ｙ≠ｙ’）から成るｐ型導電性
を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側か
ら挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導
体レーザダイオード。 - 【請求項５】 相互に禁制帯幅の異なる、窒化ガリウ
ム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙ
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成る層と窒化ガリウ
ム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ
１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１， ｘ≠ｘ’
及び／ 又は ｙ≠ｙ’から成る層） から成る層とを
２つ以上積層した窒化ガリウム系化合物半導体レーザダ
イオード。 - 【請求項６】 アクセプタ不純物をドープした窒化ガ
リウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１
−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成る層に電子線
を照射してｐ型化した層を有する窒化ガリウム系化合物
半導体レーザダイオード。 - 【請求項７】 前記ｐ型化された窒化ガリウム系化合
物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成る層と電極用金属との接触
部分の形状は短冊状であることを特徴とする特許請求の
範囲請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レー
ザダイオード。 - 【請求項８】 サファイア、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ又は
ＧａＮ から成る基板を有することを特徴とする特許請
求の範囲請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体
レーザダイオード。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41484390A JP3160914B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
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| JP11136251A Division JPH11346035A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
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| JP2000389393A Division JP2001177189A (ja) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
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| JP2000389510A Division JP2001177190A (ja) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
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