JP2006313890A - 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MOCVDにより窒素よも水素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜を成長し、その後3族原料ガスの供給を一旦停止し、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体を成長することにより、前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第1の領域が設けられ、前記第1の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高い構造とする。
【選択図】図1
Description
H.Amano, et al.Jpn.J.Phys.28(1989)L2112 S.Nakamura, et al.Jpn.J.Appl.Phys.31(1992)1258
図1は、本発明の第一の実施の形態にかかる窒化ガリウム系半導体素子におけるマグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布を模式的に表すグラフ図である。
また、図2は、第一の実施の形態にかかる窒化ガリウム系半導体素子の要部を表す模式断面図である。
なお、本願明細書において、「窒化ガリウム系半導体」とは、InxGayAl1−x−yN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)なる化学式において組成比x及びyをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N(窒素)以外のV族元素もさらに含むものや、導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化ガリウム系半導体」に含まれるものとする。
まず、GaN基板10の表面を有機溶剤などによりクリーニングした後、MOCVD装置の反応室に、ロードロック機構を介して導入する。そして、このGaN基板10を、キャリアガス及びアンモニアを供給した雰囲気中で、例えば、1100℃に加熱する。基板温度が1100℃に到達した後、成長原料であるTMG及び不純物原料であるCp2Mgを供給して、成長を開始する(ステップS102)。本実施の形態においては、第一窒化ガリウム系半導体膜12を厚みT2まで成長させた後、III族原料であるTMGの供給を一旦停止する(ステップS104)。
また、第二窒化ガリウム系半導体膜14の成長におけるガス流量条件の一例を示す。全流量45slmのうちに、アンモニア4slm、キャリアガスとして、水素0.3slm/窒素40.7slmとすることができる。このキャリアガスは、窒素流量が水素流量より多いので、「窒素リッチガス」と称する。
図5は、比較例におけるマグネシウム濃度分布(実線で示す)及び水素原子(H)濃度分布(一点鎖線で示す)を表わすグラフ図である。ここで、T1=100nm、T2=2.1μmである。
図6〜図8は、MOCVD装置内反応室の反応炉壁におけるCp2Mg及びその分解生成物の吸着、脱離を表す模式図である。図6における石英管20の左側から、キャリアガス、III族原料ガス、不純物原料ガスが導入される。GaN基板10は、加熱されたサセプタ26上に配置されている。
このようにして、図1に表した領域B(Q≦x≦T1)におけるマグネシウム濃度と水素原子濃度の過渡的な変化が生ずると考えられる。
また、C−V法による実効アクセプタ濃度の測定を行ったところ、領域Cにおいて、3×1018cm−3、領域Aとの界面に近い領域Bにおいて、1×1019cm−3であった。これら抵抗率および実効アクセプタ濃度の測定値は、水素(H)の取り込まれる量を制御し、マグネシウムの活性化率を改善できていることを実証している。
また、図10は、本変型例の窒化ガリウム系半導体素子の要部断面を表す模式図である。
これは例えば、図1乃至図8に関して前述した方法により窒化ガリウム系半導体素子を形成した後に、第二窒化ガリウム系半導体膜14をエッチングして、領域Cを取り除くことにより形成できる。このようにして、アクセプタ濃度が高い領域Bの上にp側電極16を形成すると、接触抵抗を確実に下げることができる。また、本変型例において、領域Bの一部をさらにエッチングし、マグネシウム濃度がさらに高い領域を表面に露出させてもよい。このようにすれば、p側電極16との接触抵抗をさらに効果的に下げることができる。
図11は、本発明の第二の実施の形態にかかる窒化ガリウム系半導体発光素子の模式断面図である。
n−GaN基板10の上に、n−GaN下地層32(膜厚約2マイクロメータ)、InGaN系MQW(Multiple Quantum Well)活性層30(膜厚約0.045マイクロメータ)、p−AlGaNクラッド層となる第一窒化ガリウム系半導体膜12(膜厚0.5マイクロメータ)、p−GaNコンタクト層となる第二窒化ガリウム系半導体膜14(膜厚0.03マイクロメータ)が、この順序に積層されている。p側電極16は、活性層30からの光が透過可能な薄膜金属(導電性光透過金属)であることが好ましい。n側電極34は、n−GaN基板10の裏面に形成されている。活性層としては、InGaN井戸層(3nm)の5層と、InGaN障壁層(5nm)の6層と、を交互に積層したMQW構造とすることができる。InGaN系MQW活性層30に注入された電流により、破線で示される発光領域33において、発光波長380〜540nmの放射光が得られる(放射光V)。
図12は、本発明の第三の実施の形態にかかる窒化ガリウム系半導体レーザ素子の模式断面図である。
n−GaN基板10の上に、n−GaN下地層50(膜厚2.0マイクロメータ)、n−AlGaNクラッド層49(膜厚0.5マイクロメータ)、GaNガイド層48(膜厚0.1マイクロメータ)、InGaN系MQW活性層46(膜厚0.049マイクロメータ)、GaNガイド層44(膜厚0.1マイクロメータ)、p−AlGaNオーバーフロー防止層42(膜厚0.01マイクロメータ)、p−GaN/AlGaN超格子クラッド層となる第一窒化ガリウム系半導体膜12(膜厚0.5マイクロメータ)、p−GaNコンタクト層となる第二室化ガリウム系半導体膜14(膜厚0.03マイクロメータ)が、この順序で積層されている。p側電極16は、p−GaNコンタクト層と接続されており、n側電極34はn−GaN基板10の裏面と接続されている。活性層46は、InGaN井戸層(3nm)の3層と、InGaN障壁層(10nm)の4層と、を交互に積層したMQW構造により構成される。
図13〜図17は、このヘテロバイポーラトランジスタの工程断面図である。
まず、図13に例示したように、n−GaN基板10の上に、n−−GaNコレクタ層70(ドナー濃度約5×1016cm−3、厚み約0.7マイクロメータ)、p−GaNベース層72(ホール濃度約5×1017cm−3、厚み0.15マイクロメータ)、n+−Al0.1Ga0.9Nエミッタ層74(ドナー濃度5×1018cm−3、厚み約0.5マイクロメータ)がこの順序で、例えばMOCVD法により成長される。この場合、キャリアガスは水素リッチとし、ドナーはシリコン、アクセプタはマグネシウムとすることができる。
その後、エミッタ電極84及びベース電極82を形成するため、絶縁膜80は、ベース層12の上部において、エッチング除去される。
図17は、エミッタ電極84、ベース電極82、コレクタ電極(下面)86を形成後の断面を表す模式図である。
これら電極は、リフトオフ工程などにより形成することができる。この場合、第二窒化ガリウム系半導体膜14を薄く形成するか、図9及び図10に関して前述したように膜成長後表面を少しエッチングすることにより、高濃度の領域Bとベース電極82とを接触させて抵抗を低減することが好ましい。
エミッタ電極84は、長さLのエミッタを覆うフィンガー部92とボンディングパッド部90とで構成される。ボンディングパッド部90の直下には、絶縁膜80が設けられている。また、ベース電極82は、フィンガー部94とボンディングパッド部96とで構成される。この場合も、ボンディングパッド部96の直下には絶縁膜80が設けられている。なお、フィンガー部とボンディングパッド部が「段切れ」を起こさないように、絶縁膜80の厚さ及び電極厚みを適正に選ぶことが可能である。エミッタ電極84及びコレクタ電極86としては、例えば、Ti/Al/Pt/Aiを用いることができる。また、ベース電極82としては、例えばNi/Auを用いることができる。
電流増幅率(β=IC/IB)は、コレクタ−エミッタ間電圧VCEが15Vのとき、約4.8であった。バイポーラトランジスタのコモンエミッタ電力利得Gは、G=fT/(8πf2rBCC)である。ただし、fTはトランジション周波数、fは動作周波数、rBはベース抵抗、CCはコレクタ容量である。ベース抵抗rBが小さいほど利得Gは高くできる。従って、ベースコンタクト抵抗は可能な限り低減することが好ましい。従来は、マグネシウム濃度及び活性化率が低く、ベース抵抗rBの低減には限界があった。本具体例においては、窒素リッチキャリア雰囲気において、第二窒化ガリウム系半導体膜14の結晶成長を行うことにより、ベースコンタクト抵抗の低減を可能とする実効アクセプタ濃度が得られた。
Claims (6)
- マグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜と、
前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に設けられ、マグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体と、
を備え、
前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、
前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第1の領域が設けられ、前記第1の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高いことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。 - 前記第二窒化ガリウム系半導体膜において、表面に向かってマグネシウム濃度が減少し水素原子濃度が増大する第2の領域がさらに設けられ、前記第2の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高いことを特徴とする請求項1記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- マグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜と、
前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に設けられ、マグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体膜と、
を備え、
前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、
前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度が減少し水素原子濃度が増大する領域が設けられ、前記領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高いことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。 - 前記第一窒化ガリウム系半導体膜の下に設けられた発光層と、
前記第二窒化ガリウム系半導体膜上に設けられたp側電極と、
をさらに備え、
前記p側電極を介して前記発光層に電流を流すことにより発光が生ずることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化ガリウム系半導体素子。 - 基板上に設けられたn型の第三窒化ガリウム系半導体膜からなるコレクタ層と、
前記コレクタ層上の一部であって前記第一窒化ガリウム系半導体膜の下に設けられたp型の第四窒化ガリウム系半導体膜からなるベース層と、
前記ベース層上の一部に設けられたn型の第五窒化ガリウム系半導体膜からなるエミッタ層と、
前記第二窒化ガリウム系半導体膜の上に設けられたベース電極と、
をさらに備え、
前記コレクタ層、前記ベース層、及び前記エミッタ層は、ヘテロバイポーラトランジスタを構成していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化ガリウム系半導体素子。 - 有機金属気相成長法を用い、窒素よりも水素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第一窒化ガリウム系半導体膜を成長する工程と、
前記第一窒化ガリウム系半導体膜の成長後に、III族原料ガスの供給を一旦中断する工程と、
有機金属気相成長法を用いて、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第二窒化ガリウム系半導体膜を前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に成長する工程と、
を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
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Cited By (8)
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---|---|---|---|---|
JP2009527898A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 半極性(Al、In、Ga、B)Nの光電子素子の成長方法 |
JP2010251612A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法、発光装置、窒化物半導体発光層および窒化物半導体発光素子 |
JP2011109136A (ja) * | 2011-02-22 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、およびエピタキシャルウエハを作製する方法 |
JP2013048266A (ja) * | 2012-10-11 | 2013-03-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
WO2013171975A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | サンケン電気株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
US8956890B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
WO2016092804A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 |
CN116454184A (zh) * | 2023-06-16 | 2023-07-18 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种高光效led外延片及其制备方法、led |
-
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527898A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 半極性(Al、In、Ga、B)Nの光電子素子の成長方法 |
JP2010251612A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法、発光装置、窒化物半導体発光層および窒化物半導体発光素子 |
JP2011109136A (ja) * | 2011-02-22 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、およびエピタキシャルウエハを作製する方法 |
US9281187B2 (en) | 2012-05-16 | 2016-03-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor device |
WO2013171975A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | サンケン電気株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2013239608A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置の製造方法 |
US8956890B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
JP2013048266A (ja) * | 2012-10-11 | 2013-03-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
WO2016092804A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 |
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