JPS63245929A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS63245929A JPS63245929A JP62080618A JP8061887A JPS63245929A JP S63245929 A JPS63245929 A JP S63245929A JP 62080618 A JP62080618 A JP 62080618A JP 8061887 A JP8061887 A JP 8061887A JP S63245929 A JPS63245929 A JP S63245929A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、短波長発光素子等に使われるＺｎカルコゲナ
イドのエピタキシャル薄膜の製造方法に関する。
イドのエピタキシャル薄膜の製造方法に関する。
（従来の技術〕
現在、半導体発光素子等の材料としてはＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐに代表されるｍ−ｖｉ化合物及びそれらの混晶が主に
用いられてい□る。それを材料に用いた発光素子は、発
光ダイオードは赤外域より純緑色まで（波長１．５５μ
ｍ〜５５５ｎｍ）％半導体レーザは赤外域より赤色付近
まで（波長１゜５５μｍ〜７８０ｎｍ）のものが実用化
されている。これらのデバイスは、ディスプレイ用、通
信用、光ディスクの光源等様々な分野に応用されている
。しかし、発光ダイオードの場合５５５０ｍ１半４体レ
ーザの場合７８０ｎｍより短波長の発光素子は、現在ま
だ実用化されていない。それは材［１からの制約による
もので、ａｔ−Ｖ族化合物を用いる以上、短波長化には
限界がある。例えば、間接遷移型のＧａＰでも、エネル
ギーギャップ（Ｅｇ）は２．２５ｅＶで、５５１ｎｍの
発光波長しか得られない。
Ｐに代表されるｍ−ｖｉ化合物及びそれらの混晶が主に
用いられてい□る。それを材料に用いた発光素子は、発
光ダイオードは赤外域より純緑色まで（波長１．５５μ
ｍ〜５５５ｎｍ）％半導体レーザは赤外域より赤色付近
まで（波長１゜５５μｍ〜７８０ｎｍ）のものが実用化
されている。これらのデバイスは、ディスプレイ用、通
信用、光ディスクの光源等様々な分野に応用されている
。しかし、発光ダイオードの場合５５５０ｍ１半４体レ
ーザの場合７８０ｎｍより短波長の発光素子は、現在ま
だ実用化されていない。それは材［１からの制約による
もので、ａｔ−Ｖ族化合物を用いる以上、短波長化には
限界がある。例えば、間接遷移型のＧａＰでも、エネル
ギーギャップ（Ｅｇ）は２．２５ｅＶで、５５１ｎｍの
発光波長しか得られない。
１１− Ｖｌ族化合物はバンドギャップの広い、直接遷
移型の物質であり、それを用いることにより短波長の発
光素子の実現が期待できる。しかし、ＩＩ−■族化合物
はｍ−Ｖ族化合物に比ベイオン性が強い為に自己補償効
果が顕著であり、通常１つの伝！ｇ型しか得られない０
例えば、Ｚ ｎ Ｓ１Ｚ ｎ Ｓ。ではｎ型が、ＺｎＴ
ｃではｐ型の伝導型しか得られていない、物質によって
どちらの伝導型が得られるかは、その構成元素の蒸気圧
によって決まる。従って、■−■族化合物の両伝ｃ！Ｊ
ｉの実現の為には、成長温度を低（して構成元素の蒸発
を押さえる必要がある。
移型の物質であり、それを用いることにより短波長の発
光素子の実現が期待できる。しかし、ＩＩ−■族化合物
はｍ−Ｖ族化合物に比ベイオン性が強い為に自己補償効
果が顕著であり、通常１つの伝！ｇ型しか得られない０
例えば、Ｚ ｎ Ｓ１Ｚ ｎ Ｓ。ではｎ型が、ＺｎＴ
ｃではｐ型の伝導型しか得られていない、物質によって
どちらの伝導型が得られるかは、その構成元素の蒸気圧
によって決まる。従って、■−■族化合物の両伝ｃ！Ｊ
ｉの実現の為には、成長温度を低（して構成元素の蒸発
を押さえる必要がある。
従来、例えばＥｘｔｅｎｃｌｃｄ Ａｂｓｔｒａｃ
ｔ ｓ ｏ ｒ ｔ ｈ ｅ １７ ｔ ｈ
Ｃｏ ｎ ｆ ｅ ｒｅｎｃｃ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、１９８５．ＰＰ２
３３−２３６の様に、原料に（Ｃ１，）、Ｚｎと（ＣＩ
Ｉｎ）−３ｅを用いる場合、成長温度としては５００°
Ｃ程度の温度が必要であった。原料に（ＣＨｓ）＊Ｚｎ
とＩＩ＊Ｓｅを用いる場合には３００＠Ｃ前後の成長温
度でＺｎ５ｅのエピタキシャル成長が可能である。しか
し、表面モフォロジーの観点から、デバイス化には難が
ある。
ｔ ｓ ｏ ｒ ｔ ｈ ｅ １７ ｔ ｈ
Ｃｏ ｎ ｆ ｅ ｒｅｎｃｃ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、１９８５．ＰＰ２
３３−２３６の様に、原料に（Ｃ１，）、Ｚｎと（ＣＩ
Ｉｎ）−３ｅを用いる場合、成長温度としては５００°
Ｃ程度の温度が必要であった。原料に（ＣＨｓ）＊Ｚｎ
とＩＩ＊Ｓｅを用いる場合には３００＠Ｃ前後の成長温
度でＺｎ５ｅのエピタキシャル成長が可能である。しか
し、表面モフォロジーの観点から、デバイス化には難が
ある。
前述の従来技術の項で述べた。 （Ｃ１ｌｌ ’）
ｌ Ｚｎと（Ｃ１ｌｓ ） ＊ Ｓｅを原料に用いる場
合、 （Ｃ１１ｓ）＊Ｓｅの熱分解特性の観点から、
成長温度を５００°Ｃより下げることは著しく困難であ
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもので
、その目的とするところは、比較的低温で熱分解を起こ
し、かつ形成されるＺｎカルコゲナイド薄膜の表面モフ
ォロジーの良好な■族原料を提供するところにある。
ｌ Ｚｎと（Ｃ１ｌｓ ） ＊ Ｓｅを原料に用いる場
合、 （Ｃ１１ｓ）＊Ｓｅの熱分解特性の観点から、
成長温度を５００°Ｃより下げることは著しく困難であ
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもので
、その目的とするところは、比較的低温で熱分解を起こ
し、かつ形成されるＺｎカルコゲナイド薄膜の表面モフ
ォロジーの良好な■族原料を提供するところにある。
本発明の製造方法は、ＭＯＶＰＥ法を用いて■−■族化
合物半導体ＦＪｌ膜をエピタキシャル成長させる際、■
族元素の原料にジインプロピル化合物を用いる事を特徴
とする。
合物半導体ＦＪｌ膜をエピタキシャル成長させる際、■
族元素の原料にジインプロピル化合物を用いる事を特徴
とする。
ｍ１図は、本発明で用いるＭＯＶｒ’ＥＨｆｆの構成概
略図を示す。
略図を示す。
透明石英ガラス製のｔｉ型反応管ｌの内部にグラフ１イ
ト製ザセプタ−２がセットされ、基板３が置かれている
。グラファイト製サセプター２及び基板３は高周波誘導
加熱コイル４によって加熱される。基板温度は先端をサ
セプター内部に埋め込んだ熱電対５によってモニターさ
れる０反応炉ｌはバルブ６を介して高真空排気系７に接
続されている。また反応ガスはバルブ８を介してロータ
リーポンプθに接続されており、廃ガス処理装置１０に
至る。バルブ８は反応炉１の内部圧力を一定に保つ機能
を「する。
ト製ザセプタ−２がセットされ、基板３が置かれている
。グラファイト製サセプター２及び基板３は高周波誘導
加熱コイル４によって加熱される。基板温度は先端をサ
セプター内部に埋め込んだ熱電対５によってモニターさ
れる０反応炉ｌはバルブ６を介して高真空排気系７に接
続されている。また反応ガスはバルブ８を介してロータ
リーポンプθに接続されており、廃ガス処理装置１０に
至る。バルブ８は反応炉１の内部圧力を一定に保つ機能
を「する。
バルブ１１〜１８は三方バルブで、４人されて来たガス
をメインライン１９．２０又は廃棄ライン２１．２２の
いずれか一方へ供給する。メインライン１°９．２０は
合流後、反応炉１へ４人される。廃棄ライン２１．２２
はそれでれバルブ２３．２４を介してロータリーポンプ
２５に至り、廃ガス処理装置１０へ導入される。バルブ
２３．２４はそれぞれ廃棄ライン２１，２２の内部圧力
を調節する機能を任し、廃棄ライン２１及び２２の内部
圧力がそれぞれメインライン１９及び２０と等しくなる
様調整する。２Ｇはマスフローコントローラーで、ガス
流量を精密に制御する。ボンベ２７にはキャリアガスで
ある水素が充填されており、精製器２８により高純度化
された後、供給すｈ ル＊ ハフ７−２０．３０ ニは
（Ｃ１，）＊Ｚｎ１（Ｃ１ｌｓ ＣＨＣＩＩｍ ） ＊
Ｓ ｅが充填されており、恒温槽３１．３２により所
定の温度に保たれている。（Ｃ１，）、Ｚｎ、（Ｃ１１
，ＣＩＣＩＩｍ）＊Ｓｅは一２０ｓＣ付近から室温付近
における温度帯域では液体である為、キャリアガスのバ
ブリングにより蒸気として供給できる。供給量はバブリ
ングガスの流量とバブラーの温度により制御できる。バ
ルブ３３．３４は圧力調整機能をイｒし、バブラー内部
の（ＣＨ＊ ） −Ｚ ｎ 、（ＣＨ５ＣＨＣＩＩ−）
＊ Ｓ ｃの液面を含むバルブ３３．３４より上流側を
大気圧に保持する。ボンベ３５．３６にはそれぞれ、ア
クセプタ川のドーパントとして水素ガスで希釈されたア
ンモニアガス、ドナー川のドーパントとして水素ガスで
希釈された塩素ガスが充填されており、供給量はマスフ
ローコントローラー２６により制御される。
をメインライン１９．２０又は廃棄ライン２１．２２の
いずれか一方へ供給する。メインライン１°９．２０は
合流後、反応炉１へ４人される。廃棄ライン２１．２２
はそれでれバルブ２３．２４を介してロータリーポンプ
２５に至り、廃ガス処理装置１０へ導入される。バルブ
２３．２４はそれぞれ廃棄ライン２１，２２の内部圧力
を調節する機能を任し、廃棄ライン２１及び２２の内部
圧力がそれぞれメインライン１９及び２０と等しくなる
様調整する。２Ｇはマスフローコントローラーで、ガス
流量を精密に制御する。ボンベ２７にはキャリアガスで
ある水素が充填されており、精製器２８により高純度化
された後、供給すｈ ル＊ ハフ７−２０．３０ ニは
（Ｃ１，）＊Ｚｎ１（Ｃ１ｌｓ ＣＨＣＩＩｍ ） ＊
Ｓ ｅが充填されており、恒温槽３１．３２により所
定の温度に保たれている。（Ｃ１，）、Ｚｎ、（Ｃ１１
，ＣＩＣＩＩｍ）＊Ｓｅは一２０ｓＣ付近から室温付近
における温度帯域では液体である為、キャリアガスのバ
ブリングにより蒸気として供給できる。供給量はバブリ
ングガスの流量とバブラーの温度により制御できる。バ
ルブ３３．３４は圧力調整機能をイｒし、バブラー内部
の（ＣＨ＊ ） −Ｚ ｎ 、（ＣＨ５ＣＨＣＩＩ−）
＊ Ｓ ｃの液面を含むバルブ３３．３４より上流側を
大気圧に保持する。ボンベ３５．３６にはそれぞれ、ア
クセプタ川のドーパントとして水素ガスで希釈されたア
ンモニアガス、ドナー川のドーパントとして水素ガスで
希釈された塩素ガスが充填されており、供給量はマスフ
ローコントローラー２６により制御される。
以下にＺｎ５ｅ：ＣｌＦ３膜の製造手順を述べる。
ｎ型ＧａＡｓ基板をエツチング後反応管ｌ内にセットし
、反応管内部を高真空に排気後、キャリアガスである水
素ガスを充満させる。キャリアガスである水素を導入し
、バルブ８を調節し、反応管内の圧力を一定にする。切
換バルブ１１〜１８は、１１，１３．１０．１８をメイ
ンラインに、Ｉ２．１４．１５．１７をＰＭ交シライン
接続し、反応炉内には水素ガスのみが供給されている。
、反応管内部を高真空に排気後、キャリアガスである水
素ガスを充満させる。キャリアガスである水素を導入し
、バルブ８を調節し、反応管内の圧力を一定にする。切
換バルブ１１〜１８は、１１，１３．１０．１８をメイ
ンラインに、Ｉ２．１４．１５．１７をＰＭ交シライン
接続し、反応炉内には水素ガスのみが供給されている。
基板を反応温度まで上昇させ、安定したところでバルブ
１１と１２．１３と１４．１７と１８を切り換え、涼°
料ガスを反応管内に導入する。一定時間反応させた後、
再びバルブ１１と１２．１３と１４．１７と１８を切り
換え、温度を下げて反応を終了する。
１１と１２．１３と１４．１７と１８を切り換え、涼°
料ガスを反応管内に導入する。一定時間反応させた後、
再びバルブ１１と１２．１３と１４．１７と１８を切り
換え、温度を下げて反応を終了する。
具体的な成長条件は以下の通りである。
成長温度：４５０°Ｃ
反応炉内圧カニ７０Ｔｏｒｒ
（Ｃ１１ｍ ） −Ｚｎ供給ｆｆｌ：２．０ＸＩＯ−’
ｍｏ１／ｗｉｎ （Ｃ１１，ＣＩＩＣＩＩｇ ） ＊ Ｓ ｅの供給ｎ：
４．０ＸＩＯ−’ ｍｏｌ／ｗｉｎ Ｃ１ｘの供給量：２．０ＸＩＯ−’ ｍｏ １／ｗｎ １９．２０．２１．２２に流れる水素流量：各ライン当
たり２．５１／ｍｉｎ 以上の条件の時、Ｚｎ５ｅ：Ｃ１の成長速度は約１．５
μｍ ／ １１ ｒであった。
ｍｏ１／ｗｉｎ （Ｃ１１，ＣＩＩＣＩＩｇ ） ＊ Ｓ ｅの供給ｎ：
４．０ＸＩＯ−’ ｍｏｌ／ｗｉｎ Ｃ１ｘの供給量：２．０ＸＩＯ−’ ｍｏ １／ｗｎ １９．２０．２１．２２に流れる水素流量：各ライン当
たり２．５１／ｍｉｎ 以上の条件の時、Ｚｎ５ｅ：Ｃ１の成長速度は約１．５
μｍ ／ １１ ｒであった。
本発明に係るＺｎ５ｘＳｅｙＴｅｔ−Ｘ−Ｙ薄膜の製造
法に於いては、上述の（Ｃ１ｌｓ）＊Ｚｎ１ （Ｃ１１
，ＣＩＩＣＩＬ ）、Ｓｅのみならず、表１に示す化合
物を原料に用いても同様にしてＺｎＳ Ｘ Ｓ ｅ ’
ｌ Ｔ ｅ ＋ −Ｘ −１薄膜の製造が可能であり、
原料の蒸気圧七バブリング流量によって決まる供給量が
同じ時には、上記実施例と同様の成長速度が得られる。
法に於いては、上述の（Ｃ１ｌｓ）＊Ｚｎ１ （Ｃ１１
，ＣＩＩＣＩＬ ）、Ｓｅのみならず、表１に示す化合
物を原料に用いても同様にしてＺｎＳ Ｘ Ｓ ｅ ’
ｌ Ｔ ｅ ＋ −Ｘ −１薄膜の製造が可能であり、
原料の蒸気圧七バブリング流量によって決まる供給量が
同じ時には、上記実施例と同様の成長速度が得られる。
〈表１〉
同様に、ＣＩのドーパントとしても、ＣＩ、以外に表２
に示す原料等の使用が可能である。他のドーパントにつ
いても同様である。
に示す原料等の使用が可能である。他のドーパントにつ
いても同様である。
く表２〉
この他、第１図に示したＭＯＶＩ’Ｅ装はの概略図に於
いて、同様の措成で、三方バルブの数とガスラインの数
を増やすことにより、他の混晶の作製も可１１ヒである
。
いて、同様の措成で、三方バルブの数とガスラインの数
を増やすことにより、他の混晶の作製も可１１ヒである
。
また、成長温度についても、３５０″″Ｃ〜４５０°Ｃ
の範囲に設定可能である。
の範囲に設定可能である。
第２図は、本発明による製造方法により作製されたＺｎ
５ｅ薄膜を用いた青色発光素子の概略構造図である。
５ｅ薄膜を用いた青色発光素子の概略構造図である。
ｎ ｍ Ｇ ａ Ａ ｓ基板３７の（１００）面上にｎ
ｆｆ１ＺｎＳｅ ： Ｃ１層３８、ｐＷＺｎｓｅ：Ｎ層
３０、ｐ型オーム性電極４０が、ｎ型ＧａＡｓ基板３７
の裏（ｉｌＩｌにｎ型オーム性電極４１が取り付けられ
た構造になっている。ｐ型オーム性電極４０にプラスの
、ｎｍオーム性電極４１にマイナスの電圧を印加するこ
とにより、この素子は明瞭な青色発光を呈°した。
ｆｆ１ＺｎＳｅ ： Ｃ１層３８、ｐＷＺｎｓｅ：Ｎ層
３０、ｐ型オーム性電極４０が、ｎ型ＧａＡｓ基板３７
の裏（ｉｌＩｌにｎ型オーム性電極４１が取り付けられ
た構造になっている。ｐ型オーム性電極４０にプラスの
、ｎｍオーム性電極４１にマイナスの電圧を印加するこ
とにより、この素子は明瞭な青色発光を呈°した。
以上述べた様に本発明によれば、ｚｎカルコゲナイドの
エピタキシャル薄膜をＭＯＶｒ’Ｅ法で製造するのに際
し、■族元素の原料にジインプロピル化合物を用いるこ
とにより、従来の■族元素の原料にアルキル化合物を用
いるより低温での結晶成長が可能になるという効果を有
する。その為伝導型の制御が可能になり、従来得ること
ができなかった、Ｐｎ接合を有する、高発光効率、高ｔ
ｉＩ度の青色発光素子の形成が可能になった。本発明が
化合物半導体結晶の高品質化、短波長発光素子の高性能
化に寄与するところ大であると確信する。
エピタキシャル薄膜をＭＯＶｒ’Ｅ法で製造するのに際
し、■族元素の原料にジインプロピル化合物を用いるこ
とにより、従来の■族元素の原料にアルキル化合物を用
いるより低温での結晶成長が可能になるという効果を有
する。その為伝導型の制御が可能になり、従来得ること
ができなかった、Ｐｎ接合を有する、高発光効率、高ｔ
ｉＩ度の青色発光素子の形成が可能になった。本発明が
化合物半導体結晶の高品質化、短波長発光素子の高性能
化に寄与するところ大であると確信する。
第１図は本発明で用いるＭＯＶＰＥ装置の構成概略図。
１・・・・・・透明石英ガラス製の横型反応管２・・・
・・・グラフ１イＦ製サセプター３・・・・・・基板
４・・・・・・高周波誘導加熱コイル５・・パ・・・
熱電対 ・ ６・・・・・・バルブ７・・・・・・高
真空排気系 ８・・・・・・バルブ９・・・・・・ロ
ータリーポンプ １０・・・・・・廃ガス処理装置 １１〜１８・・・・・・三方バルブ １９．２０・・・・・・メインライン ２１．２２・・・・・・Ｗ１棄ライン ２３．２４・・・・・・バルブ ２５・・・・・・ロータリーポンプ ２６・・・・・・マスフローコントローラー２７・・・
・・・水素ボンベ ２８・・・・・・水素精製器 ２９・・・・・・（Ｃ１ｌｓ ） ｓ Ｚｎの入ったバ
ブラー３０・・・・・・（Ｃ１ｌｓ ＣＩＩＣＩＩｓ
） ＊ Ｓ ｃの入ったバブラー ３１．３２・・・・・・恒温槽 ３３．３４・・・・・・圧力ｒＡ整機能を有するバルブ
３５・・・・・・水素ガスで希釈されたアンモニアガス
の入っているボンベ ３Ｇ・・・・・・水素ガスで希釈された塩素ガスの入っ
ているボンベ 第２図は本発明による製造法により作製されたＺｎ５ｃ
薄校を用いた青色発光素子の概略構造図。 ３７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ３８−−・・−ｎ ＩＪＩ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ： Ｃ１
層３９・・・・・・ｐ型Ｚｎ５ｅ：ＮＦＩ４０・・・・
・・ｐ型オーム性電極 ４１・・・・・・ｎ！！オーム性電極 以 上
・・・グラフ１イＦ製サセプター３・・・・・・基板
４・・・・・・高周波誘導加熱コイル５・・パ・・・
熱電対 ・ ６・・・・・・バルブ７・・・・・・高
真空排気系 ８・・・・・・バルブ９・・・・・・ロ
ータリーポンプ １０・・・・・・廃ガス処理装置 １１〜１８・・・・・・三方バルブ １９．２０・・・・・・メインライン ２１．２２・・・・・・Ｗ１棄ライン ２３．２４・・・・・・バルブ ２５・・・・・・ロータリーポンプ ２６・・・・・・マスフローコントローラー２７・・・
・・・水素ボンベ ２８・・・・・・水素精製器 ２９・・・・・・（Ｃ１ｌｓ ） ｓ Ｚｎの入ったバ
ブラー３０・・・・・・（Ｃ１ｌｓ ＣＩＩＣＩＩｓ
） ＊ Ｓ ｃの入ったバブラー ３１．３２・・・・・・恒温槽 ３３．３４・・・・・・圧力ｒＡ整機能を有するバルブ
３５・・・・・・水素ガスで希釈されたアンモニアガス
の入っているボンベ ３Ｇ・・・・・・水素ガスで希釈された塩素ガスの入っ
ているボンベ 第２図は本発明による製造法により作製されたＺｎ５ｃ
薄校を用いた青色発光素子の概略構造図。 ３７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ３８−−・・−ｎ ＩＪＩ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ： Ｃ１
層３９・・・・・・ｐ型Ｚｎ５ｅ：ＮＦＩ４０・・・・
・・ｐ型オーム性電極 ４１・・・・・・ｎ！！オーム性電極 以 上
Claims (1)
- Ｚｎカルコゲナイドのエピタキシャル薄膜を有機金属気
相分解法（ＭＯＶＰＥ法）で製造するのに際し、VI族元
素の原料にジイソプロピル化合物を用いる事を特徴とす
る化合物半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080618A JPS63245929A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080618A JPS63245929A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245929A true JPS63245929A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13723331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080618A Pending JPS63245929A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288235A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Nec Corp | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の気相成長方法 |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62080618A patent/JPS63245929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288235A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Nec Corp | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の気相成長方法 |
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