JPS61243000A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61243000A JPS61243000A JP60084237A JP8423785A JPS61243000A JP S61243000 A JPS61243000 A JP S61243000A JP 60084237 A JP60084237 A JP 60084237A JP 8423785 A JP8423785 A JP 8423785A JP S61243000 A JPS61243000 A JP S61243000A
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- JP
- Japan
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- silicon carbide
- single crystal
- type silicon
- substrate
- carbide single
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はα型炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶基板を製造す
る方法に関するものである。
る方法に関するものである。
〈従来技術〉
炭化珪素は広い禁制帯幅をもち（２，２〜３．３ｅＶ）
。
。
また熱的、化学的及び機械的に極めて安定な性質を示す
半導体材料であシ放射線損傷にも強いという優れた特徴
をもっている。また、広い禁制帯幅をもつ半導体として
は珍らしく、ｐ型及びｎ型の両導電型共安定に存在する
材料である。従って可視光短波長用発光受光素子、高温
動作素子、大電力用素子、高信頼性半導体素子、耐放射
線素子等の半導体材料として有望視されている。又従来
の半導体材料を用いた素子では困難な環境下でも使用可
能となり、半導体デバイスの応用範囲を著しく拡大し得
る材料である。他の広い禁制帯幅をもつ半導体材料例え
ば■−■族化合物半導体やｍ−Ｖ族化合物半導体等が一
般に重金属をその主成分に含有し、このために公害と資
源の問題を伴なうのに対して、炭化珪素はこれらの両問
題よシ解放されている点からも電子材料として有望視さ
れるものである。
半導体材料であシ放射線損傷にも強いという優れた特徴
をもっている。また、広い禁制帯幅をもつ半導体として
は珍らしく、ｐ型及びｎ型の両導電型共安定に存在する
材料である。従って可視光短波長用発光受光素子、高温
動作素子、大電力用素子、高信頼性半導体素子、耐放射
線素子等の半導体材料として有望視されている。又従来
の半導体材料を用いた素子では困難な環境下でも使用可
能となり、半導体デバイスの応用範囲を著しく拡大し得
る材料である。他の広い禁制帯幅をもつ半導体材料例え
ば■−■族化合物半導体やｍ−Ｖ族化合物半導体等が一
般に重金属をその主成分に含有し、このために公害と資
源の問題を伴なうのに対して、炭化珪素はこれらの両問
題よシ解放されている点からも電子材料として有望視さ
れるものである。
炭化珪素には多くの結晶構造（ｐｏｌｙｔｙｐｅ。
多形と称される〕が存在し、大きくα型の炭化珪素とβ
型の炭化珪素に分けられる。β型の炭化珪素は立方晶系
（Ｃｕｂｉｃ）に属する結晶構造をもち、炭化珪素の中
で２．２゛ｅＶと最も禁制帯＠が小さいのに対し、α型
の炭化珪素は六方晶系（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ ）や菱面
体晶系（Ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ ）に属する結晶構
造をもち、２．９〜３．３ｅＶと炭化珪素の中でも大き
な禁制帯幅をもつ。このためα型炭化珪素は、その広い
禁制帯幅を利用して青色をはじめとする短波長可視光及
び近紫外光の発光素子、受光素子等の光電変換素子材料
として非常に有望視されている半導体材料である０青色
をはじめとする短波長可視光発光素子用の有望な材料と
して、他に硫化亜鉛（ＺｎＳ ）、セレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等があるが、いずれも
通常はｐ型、ｎ型の一方の導電型の結晶しか得られず、
両方の導電型の結晶を得るには多くの困難がともなう。
型の炭化珪素に分けられる。β型の炭化珪素は立方晶系
（Ｃｕｂｉｃ）に属する結晶構造をもち、炭化珪素の中
で２．２゛ｅＶと最も禁制帯＠が小さいのに対し、α型
の炭化珪素は六方晶系（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ ）や菱面
体晶系（Ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ ）に属する結晶構
造をもち、２．９〜３．３ｅＶと炭化珪素の中でも大き
な禁制帯幅をもつ。このためα型炭化珪素は、その広い
禁制帯幅を利用して青色をはじめとする短波長可視光及
び近紫外光の発光素子、受光素子等の光電変換素子材料
として非常に有望視されている半導体材料である０青色
をはじめとする短波長可視光発光素子用の有望な材料と
して、他に硫化亜鉛（ＺｎＳ ）、セレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等があるが、いずれも
通常はｐ型、ｎ型の一方の導電型の結晶しか得られず、
両方の導電型の結晶を得るには多くの困難がともなう。
これに対してα型炭化珪素はｐ型、ｎ型側導電型の結晶
を製作するのが容易でｐ −ｎ接合構造を形成できるた
め、発光特性や電気的特性に優れた発光素子、受光素子
の実現が期待できる。また熱的、化学的９機械的に極め
て安定な性質をもっていることよシ、他の半導体材料に
比して広範な応用領域を開拓することができる。
を製作するのが容易でｐ −ｎ接合構造を形成できるた
め、発光特性や電気的特性に優れた発光素子、受光素子
の実現が期待できる。また熱的、化学的９機械的に極め
て安定な性質をもっていることよシ、他の半導体材料に
比して広範な応用領域を開拓することができる。
このように、炭化珪素はα型、β型を含めて多くの利点
や可能性を有する材料であるにもかかわらず実用化が阻
まれているのは、生産性を考慮した工業的規模での量産
に必要となる高品質の大面積炭化珪素基板を得る上で、
寸法、形状２品質を再現性良く制御できる結晶成長技術
が確立されていないところにその原因がある。
や可能性を有する材料であるにもかかわらず実用化が阻
まれているのは、生産性を考慮した工業的規模での量産
に必要となる高品質の大面積炭化珪素基板を得る上で、
寸法、形状２品質を再現性良く制御できる結晶成長技術
が確立されていないところにその原因がある。
従来、研究室規模で炭化珪素単結晶基板を得る方法とし
ては、黒鉛坩堝中で炭化珪素粉末を２．２００−２，６
００℃で昇華させ、さらに再結晶させて炭化珪素基板を
得るいわゆる昇華再結晶法（レーリー法と称される）、
珪素又は珪素に鉄。
ては、黒鉛坩堝中で炭化珪素粉末を２．２００−２，６
００℃で昇華させ、さらに再結晶させて炭化珪素基板を
得るいわゆる昇華再結晶法（レーリー法と称される）、
珪素又は珪素に鉄。
コバルト、白金等の不純物を混入した混合物を黒鉛坩堝
で溶融して炭化珪素基板を得るいわゆる溶液法のほか、
研摩材料を工業的に得るために一般に用いられているア
チェンン法によシ偶発的に得られる炭化珪素基板を用い
る方法等がある。これらの結晶成長法で得られたα型炭
化珪素を基板として、その上に液相エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ法）や気相成長法（ＣＶＤ法）でα型炭化珪
素単結晶層をエピタキシャル成長させてｐ−ｎ接合を形
成することにより青色発光ダイオード（ＬＥＤ）が製作
されている。
で溶融して炭化珪素基板を得るいわゆる溶液法のほか、
研摩材料を工業的に得るために一般に用いられているア
チェンン法によシ偶発的に得られる炭化珪素基板を用い
る方法等がある。これらの結晶成長法で得られたα型炭
化珪素を基板として、その上に液相エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ法）や気相成長法（ＣＶＤ法）でα型炭化珪
素単結晶層をエピタキシャル成長させてｐ−ｎ接合を形
成することにより青色発光ダイオード（ＬＥＤ）が製作
されている。
しかしながら、上記昇華再結晶法、溶液法では多数の小
形の単結晶を得ることはできるが、多くの結晶核が結晶
成長初期に発生する為に大型の単結晶基板を得ることが
困難である。又、アチェソン法により偶発的に得られる
炭化珪素基板は半導体材料として使用するには純度及び
結晶性の点で問題があシ、又、比較的大型のものが得ら
れても偶発的に得られるものである。このように、炭化
珪素基板を製作するための従来の結晶成長法は寸法、形
状９品質、不純物等の制御が困難で、炭化珪素単結晶基
板を、量産性を考慮した工業的規模で得る方法としては
適当でない。上述したように、これらの方法で得たα型
炭化珪素基板上に液相エピタキシャル法や気相成長法で
発光ダイオードが製作されているが、大面積で高品質の
α型単結晶基板を工業的に得る方法が無いため、量産実
用化にはほど遠い。
形の単結晶を得ることはできるが、多くの結晶核が結晶
成長初期に発生する為に大型の単結晶基板を得ることが
困難である。又、アチェソン法により偶発的に得られる
炭化珪素基板は半導体材料として使用するには純度及び
結晶性の点で問題があシ、又、比較的大型のものが得ら
れても偶発的に得られるものである。このように、炭化
珪素基板を製作するための従来の結晶成長法は寸法、形
状９品質、不純物等の制御が困難で、炭化珪素単結晶基
板を、量産性を考慮した工業的規模で得る方法としては
適当でない。上述したように、これらの方法で得たα型
炭化珪素基板上に液相エピタキシャル法や気相成長法で
発光ダイオードが製作されているが、大面積で高品質の
α型単結晶基板を工業的に得る方法が無いため、量産実
用化にはほど遠い。
一方、最近、本発明者らは、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上
に気相成長法（Ｃ’ＶＤ法）で良質な大面積炭化珪素単
結晶を成長させる方法を完成し、特願昭５８−７６８４
２号にて出願している。この方法は珪素基板上に低温Ｃ
ＶＤ法で炭化珪素薄膜を形成した後昇温してＣＶＤ法で
この上に炭化珪素単結晶膜を成長させる技術であシ、安
価で入手の容易な珪素単結晶基板上に結晶多形、不純物
濃度。
に気相成長法（Ｃ’ＶＤ法）で良質な大面積炭化珪素単
結晶を成長させる方法を完成し、特願昭５８−７６８４
２号にて出願している。この方法は珪素基板上に低温Ｃ
ＶＤ法で炭化珪素薄膜を形成した後昇温してＣＶＤ法で
この上に炭化珪素単結晶膜を成長させる技術であシ、安
価で入手の容易な珪素単結晶基板上に結晶多形、不純物
濃度。
電気伝導度９寸法、形状等を制御して大面積で高品質の
β型の炭化珪素単結晶基板を製作することができる。本
発明者はα型炭化珪素単結晶を得る方法として、このβ
型炭化珪素単結晶を基板結晶に利用した方法を特願昭５
８−２４６５１２号としてすでに出願している。α型炭
化珪素とβ型炭化珪素は、結晶格子の大きさを反映する
各原子間の結合距離は同じであシ、構造的にある特定の
結晶面例えばβ型炭化珪素では（１１１）面、α型炭化
珪素では（０００１）面（０面とも称す）上への原子層
の積み重なり方が異なりているのみである。このため、
α型炭化珪素の成長用基板としてβ型炭化珪素単結晶の
（１１１）面を基板面として用い、α型炭化珪素の結晶
成長条件で成長を行なえば、容易にα型炭化珪素単結晶
が成長することになると期待される。
β型の炭化珪素単結晶基板を製作することができる。本
発明者はα型炭化珪素単結晶を得る方法として、このβ
型炭化珪素単結晶を基板結晶に利用した方法を特願昭５
８−２４６５１２号としてすでに出願している。α型炭
化珪素とβ型炭化珪素は、結晶格子の大きさを反映する
各原子間の結合距離は同じであシ、構造的にある特定の
結晶面例えばβ型炭化珪素では（１１１）面、α型炭化
珪素では（０００１）面（０面とも称す）上への原子層
の積み重なり方が異なりているのみである。このため、
α型炭化珪素の成長用基板としてβ型炭化珪素単結晶の
（１１１）面を基板面として用い、α型炭化珪素の結晶
成長条件で成長を行なえば、容易にα型炭化珪素単結晶
が成長することになると期待される。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、β型炭化珪素単結晶を成
長用基板面とし、この基板上にα型炭化珪素を成長する
場合にβ型炭化珪素単結晶の（１１１）面を成長用基板
面方位として用いることによシ工業的規模での量産性に
優れた大面積、高品質のα型炭化珪素単結晶基板を得る
ことのできる炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。
長用基板面とし、この基板上にα型炭化珪素を成長する
場合にβ型炭化珪素単結晶の（１１１）面を成長用基板
面方位として用いることによシ工業的規模での量産性に
優れた大面積、高品質のα型炭化珪素単結晶基板を得る
ことのできる炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。
〈実施例の説明〉
添付図面は本発明の１実施例に用いられる気相成長装置
の構成図である。水冷式横型二重石英反応管ｌ内に、黒
鉛製試料台２が黒鉛製支持棒３によシ設置されている。
の構成図である。水冷式横型二重石英反応管ｌ内に、黒
鉛製試料台２が黒鉛製支持棒３によシ設置されている。
反応管ｌの外胴部に巻回されたワークコイル４に高周波
電流を流してこの試料台２を誘導加熱する。反応管ｌの
片側には、ガ体流入口となる枝管５が設けられ、二重石
英反応管１の外側の石英管内には枝管６，７を介して冷
却水が供給される。反応管１の他端はステンレス鋼製の
７ランジ８．止め板９．ボルト１０．ナツト１１．０−
リング１２にてシールされている。
電流を流してこの試料台２を誘導加熱する。反応管ｌの
片側には、ガ体流入口となる枝管５が設けられ、二重石
英反応管１の外側の石英管内には枝管６，７を介して冷
却水が供給される。反応管１の他端はステンレス鋼製の
７ランジ８．止め板９．ボルト１０．ナツト１１．０−
リング１２にてシールされている。
フランジ８にはガスの出口となる枝管１３が設けられ、
支持台１４に黒鉛体３が固定される。試料台２上に面方
位（１１１）を基板面とするβ型炭化珪搭単結晶基板１
５が載置される。この成長装置を用いた気相成長法ＣＣ
ＶＤ法〕でα型炭化珪素の結晶成長を行なう。基板とし
て用いたβ型炭化珪素は、前述した特願昭５８−７６８
４２号の製造方法即ち珪素基板上に二段階温度制御した
ＣＶＤ法によシ形成した面方位（１１１）のβ型炭化珪
素膜で厚さ約３０μｍ大きさ１αＸ１ｃｒｎの単結晶で
あシ、酸によシ予しめ珪素を溶解除去しである。
支持台１４に黒鉛体３が固定される。試料台２上に面方
位（１１１）を基板面とするβ型炭化珪搭単結晶基板１
５が載置される。この成長装置を用いた気相成長法ＣＣ
ＶＤ法〕でα型炭化珪素の結晶成長を行なう。基板とし
て用いたβ型炭化珪素は、前述した特願昭５８−７６８
４２号の製造方法即ち珪素基板上に二段階温度制御した
ＣＶＤ法によシ形成した面方位（１１１）のβ型炭化珪
素膜で厚さ約３０μｍ大きさ１αＸ１ｃｒｎの単結晶で
あシ、酸によシ予しめ珪素を溶解除去しである。
この成長装置を用いて以下の様に結晶成長を行なう。即
ち、反応管ｌ内を排気して水素ガスで置換し、ワークコ
イル４に高周波電流を流して黒鉛製試料台２を加熱し、
β型炭化珪素基板１５の温度を１５００〜１６００℃に
昇温する。原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）
を毎分０．１〜０．４ ｃｒＩＫ。
ち、反応管ｌ内を排気して水素ガスで置換し、ワークコ
イル４に高周波電流を流して黒鉛製試料台２を加熱し、
β型炭化珪素基板１５の温度を１５００〜１６００℃に
昇温する。原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）
を毎分０．１〜０．４ ｃｒＩＫ。
プロパンＣＣ５Ｈｓ）を毎分０．１〜０５４ｍ、キャリ
アガスとして水素を毎分１〜Ｓｔ、枝管５よシ反応管ｌ
内へ供給して成長を行なった。その結果１時間の成長で
約２μｍの膜厚のα型炭化珪素単結晶膜が基板上全面に
得られた。α型炭化珪素単結晶膜の成長基板であるβ型
炭化珪素単結晶は必要に応じてエツチング等によシ除去
し、α型炭化珪素単結晶単体を半導体材料として取シ出
す。
アガスとして水素を毎分１〜Ｓｔ、枝管５よシ反応管ｌ
内へ供給して成長を行なった。その結果１時間の成長で
約２μｍの膜厚のα型炭化珪素単結晶膜が基板上全面に
得られた。α型炭化珪素単結晶膜の成長基板であるβ型
炭化珪素単結晶は必要に応じてエツチング等によシ除去
し、α型炭化珪素単結晶単体を半導体材料として取シ出
す。
β型炭化珪素単結晶の成長層は、シリコン等の成長用基
板上に低温ＣＶＤ法で薄いβ−８ｉＣを形成した後、昇
温して通常の温度下のＣＶＤ法で気相成長を続ける二段
階ＣＶＤ法を用いることにょシ容易に形成される。
板上に低温ＣＶＤ法で薄いβ−８ｉＣを形成した後、昇
温して通常の温度下のＣＶＤ法で気相成長を続ける二段
階ＣＶＤ法を用いることにょシ容易に形成される。
以上の実施例においては、面方位（１１１）のβ型炭化
珪素単結晶基板の裏作方法としてＣＶＤ法を用いたが、
液相成長法昇華再結晶法、蒸着法。
珪素単結晶基板の裏作方法としてＣＶＤ法を用いたが、
液相成長法昇華再結晶法、蒸着法。
ＭＢＥ法、スパッタ法、あるいは他の手法を使用したＣ
ＶＤ法など種々の成長方法釦よってもよい。
ＶＤ法など種々の成長方法釦よってもよい。
また、面方位（エエ１）のβ型炭化珪素基板上へのα型
炭化珪素の成長においても上記実施例ではＣＶＤ法を用
いたが、上述した他の各種方法を使用して行なってもよ
い。
炭化珪素の成長においても上記実施例ではＣＶＤ法を用
いたが、上述した他の各種方法を使用して行なってもよ
い。
〈発明の効果〉
本発明を用いれば、工業的規模での量産性に優れた大面
積、高品質のα型炭化珪素単結晶の製造が可能となシ、
青色を初めとする短波長可視光及び近紫外光の発光素子
、受光素子等の光電変換材料として安定した実用化の道
が開ける。また、熱的、化学的、機械的に極めて安定な
性質を生かして、広範な分野での応用が期待される。
積、高品質のα型炭化珪素単結晶の製造が可能となシ、
青色を初めとする短波長可視光及び近紫外光の発光素子
、受光素子等の光電変換材料として安定した実用化の道
が開ける。また、熱的、化学的、機械的に極めて安定な
性質を生かして、広範な分野での応用が期待される。
添付図面は本発明の１実施例の説明に供する成長装置の
断面図である。 工・・・反応管、２・・・試料台、３・・・支持棒、４
・・・ワークコイル、５．６．７．１３・・・枝管、８
・・・７ランジ、９・・・止め板、１０・・・ボルト、
１工・・・ナツト。 １２・・・０−リング、１４・・・支持台、１５・・・
β型炭化珪素単結晶基板。
断面図である。 工・・・反応管、２・・・試料台、３・・・支持棒、４
・・・ワークコイル、５．６．７．１３・・・枝管、８
・・・７ランジ、９・・・止め板、１０・・・ボルト、
１工・・・ナツト。 １２・・・０−リング、１４・・・支持台、１５・・・
β型炭化珪素単結晶基板。
Claims (1)
- １、β型炭化珪素単結晶膜を成長用基板面とし、該成長
用基板面上にα型炭化珪素単結晶層を成長させる炭化珪
素単結晶基板の製造方法において、前記β型炭化珪素単
結晶膜の（１１１）面を成長用基板面方位とすることを
特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084237A JPS61243000A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
| DE19863613012 DE3613012A1 (de) | 1985-04-18 | 1986-04-17 | Verfahren zur herstellung eines sic-einkristall-substrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084237A JPS61243000A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243000A true JPS61243000A (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13824861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084237A Pending JPS61243000A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243000A (ja) |
| DE (1) | DE3613012A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110279A (en) * | 1996-03-29 | 2000-08-29 | Denso Corporation | Method of producing single-crystal silicon carbide |
| CN103628140A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-03-12 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3915053C2 (de) * | 1989-05-08 | 1995-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Siliziumkarbid SiC |
| US5093576A (en) * | 1991-03-15 | 1992-03-03 | Cree Research | High sensitivity ultraviolet radiation detector |
| DE4109005C1 (ja) * | 1991-03-19 | 1992-09-10 | Cs Halbleiter- Und Solartechnologie Gmbh, 8000 Muenchen, De | |
| DE4121798A1 (de) * | 1991-07-02 | 1993-01-14 | Daimler Benz Ag | Mehrschichtige, monokristallines siliziumkarbid enthaltene zusammensetzung |
| DE4234508C2 (de) * | 1992-10-13 | 1994-12-22 | Cs Halbleiter Solartech | Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht |
| US5492752A (en) * | 1992-12-07 | 1996-02-20 | Oregon Graduate Institute Of Science And Technology | Substrates for the growth of 3C-silicon carbide |
| JP6488607B2 (ja) * | 2014-09-22 | 2019-03-27 | 株式会社Sumco | 単結晶ＳｉＣウェーハの製造方法 |
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Family Cites Families (3)
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1985
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Also Published As
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|---|---|
| DE3613012C2 (ja) | 1991-01-10 |
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