JPS61291495A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61291495A JPS61291495A JP13487385A JP13487385A JPS61291495A JP S61291495 A JPS61291495 A JP S61291495A JP 13487385 A JP13487385 A JP 13487385A JP 13487385 A JP13487385 A JP 13487385A JP S61291495 A JPS61291495 A JP S61291495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon carbide
- type
- alpha
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はα型炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶基板を製造す
る方法に関するものである。
る方法に関するものである。
〈従来の技術〉
炭化珪素は広い禁制帯幅（２，２〜３．３ｅＶ）を有し
、また熱的、化学的及び機械的に極めて安定な性質を示
す半導体材料であり放射線損傷にも強いという優れた特
徴をもっている。また、広い禁制帯幅をもつ半導体とし
ては珍らしく、β型及びｎ型の両導電型共安定に存在す
る材料である。従って可視光短波長用発光受光素子、高
温動作素子、大電力用素子、高信頼性半導体素子、耐放
射線素子等の半導体材料として有望視されている。また
、従来の半導体材料を用いた素子では困難な環境下でも
使用可能となり、半導体デバイスの応用範囲を著しく拡
大し得る材料である。他の広い禁制帯幅をもつ半導体材
料、例えば■〜■族化合物半導体や１１１〜Ｖ族化合物
半導体が、一般に重金属をその主成分に含有し、このた
めに公害と資源の問題を伴なうものに対して、炭化珪素
はこれらの両問題よシ解放されている点からも電子材料
として有望視されるものである。
、また熱的、化学的及び機械的に極めて安定な性質を示
す半導体材料であり放射線損傷にも強いという優れた特
徴をもっている。また、広い禁制帯幅をもつ半導体とし
ては珍らしく、β型及びｎ型の両導電型共安定に存在す
る材料である。従って可視光短波長用発光受光素子、高
温動作素子、大電力用素子、高信頼性半導体素子、耐放
射線素子等の半導体材料として有望視されている。また
、従来の半導体材料を用いた素子では困難な環境下でも
使用可能となり、半導体デバイスの応用範囲を著しく拡
大し得る材料である。他の広い禁制帯幅をもつ半導体材
料、例えば■〜■族化合物半導体や１１１〜Ｖ族化合物
半導体が、一般に重金属をその主成分に含有し、このた
めに公害と資源の問題を伴なうものに対して、炭化珪素
はこれらの両問題よシ解放されている点からも電子材料
として有望視されるものである。
炭化珪素には多くの結晶構造（ｐｏｌｙｔｙｐｅ。
多形と称される）が存在し、大きくα型の炭化珪素とβ
型の炭化珪素に分けられる。β型の炭化珪素は立方晶系
（Ｃｕｂｉｃ ）に属する結晶構造をもち、炭化珪素の
中で２．２ｅＶと最も禁制帯幅が小さいのに対し、α型
の炭化珪素は六方晶糸（ＨｅｘａｇｏｎａＩ）や菱面体
晶系 （Ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ ）に属する結晶構造をも
ち、２．９〜３．３ｅＶと炭化珪素の中でも大きな禁制
帯幅をもつ。このためα型炭化珪素は、その広い禁制帯
＠金利用して青色をはじめとする短波長可視光及び近紫
外光の発光素子、受光素子等の光電変換素子材料として
非常に有望視されている半導体材料である。青色をはじ
めとする短波長可視光発光素子用の有望な材料として、
他に硫化亜鉛（ＺｎＳ ）、セレン化亜鉛（Ｚｎ５ｅ
）、ｇ化ガリ・ラム（ＧａＮ）等があるが、いずれも通
常はｐ型、ｎ型の一方の導電型の結晶しか得られず、両
方の導電型の結晶を得るには多くの困難がともなう。
型の炭化珪素に分けられる。β型の炭化珪素は立方晶系
（Ｃｕｂｉｃ ）に属する結晶構造をもち、炭化珪素の
中で２．２ｅＶと最も禁制帯幅が小さいのに対し、α型
の炭化珪素は六方晶糸（ＨｅｘａｇｏｎａＩ）や菱面体
晶系 （Ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ ）に属する結晶構造をも
ち、２．９〜３．３ｅＶと炭化珪素の中でも大きな禁制
帯幅をもつ。このためα型炭化珪素は、その広い禁制帯
＠金利用して青色をはじめとする短波長可視光及び近紫
外光の発光素子、受光素子等の光電変換素子材料として
非常に有望視されている半導体材料である。青色をはじ
めとする短波長可視光発光素子用の有望な材料として、
他に硫化亜鉛（ＺｎＳ ）、セレン化亜鉛（Ｚｎ５ｅ
）、ｇ化ガリ・ラム（ＧａＮ）等があるが、いずれも通
常はｐ型、ｎ型の一方の導電型の結晶しか得られず、両
方の導電型の結晶を得るには多くの困難がともなう。
これに対してα型炭化珪素はｐ型、ｎ型側導電型の結晶
を製作するのが容易でｐ −ｎ接合構造を形成できるた
め、発光特性や電気的特性に優れた発光素子、受光素子
の実現が期待できる。また熱的、化学的、機械的に極め
て安定な性質をもっているため、他の半導体材料に比し
て広範な応用領域を開拓することができる。
を製作するのが容易でｐ −ｎ接合構造を形成できるた
め、発光特性や電気的特性に優れた発光素子、受光素子
の実現が期待できる。また熱的、化学的、機械的に極め
て安定な性質をもっているため、他の半導体材料に比し
て広範な応用領域を開拓することができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
このように、α型炭化珪素は多くの利点や可能性を有す
る材料であるにもかかわらず実用化が阻まれているのは
、生産性を考慮した工業的規模での量産に必要となる高
品質の大面積炭化珪素基板を得る上で、寸法、形状、品
質を再現性良く制御できる結晶成長技術が確立されてい
ないところにその原因がある。
る材料であるにもかかわらず実用化が阻まれているのは
、生産性を考慮した工業的規模での量産に必要となる高
品質の大面積炭化珪素基板を得る上で、寸法、形状、品
質を再現性良く制御できる結晶成長技術が確立されてい
ないところにその原因がある。
従来、研究室規模でα型炭化珪素単結晶基板を得る方法
としては、黒鉛坩堝中で炭化珪素粉末を２．２００〜２
，６００℃で昇華させ、さらに再結晶させて炭化珪素基
板を得るいわゆる昇華再結晶法（レーリー法と称される
）、珪素又は珪素に鉄、コバルト、白金等の不純物を混
入した混合物を黒鉛坩堝で溶融して炭化珪素基板を得る
いわゆる溶液法のほか、研摩材料を工業的に得るために
一般に用いられているアチェソン法によ）偶発的に得ら
れる炭化珪素基板を用いる方法等がある。これらの結晶
成長法で得られたα型炭化珪素を基板として、その上に
液相エピタキシャル成長法ＣＬＰＥ法）や気相成長法（
ＣＶＤ法）でα刑法化珪素単結晶層をエピタキシャル成
長させてｐ−ｎ接合を形成し、青色発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）が製作されている。
としては、黒鉛坩堝中で炭化珪素粉末を２．２００〜２
，６００℃で昇華させ、さらに再結晶させて炭化珪素基
板を得るいわゆる昇華再結晶法（レーリー法と称される
）、珪素又は珪素に鉄、コバルト、白金等の不純物を混
入した混合物を黒鉛坩堝で溶融して炭化珪素基板を得る
いわゆる溶液法のほか、研摩材料を工業的に得るために
一般に用いられているアチェソン法によ）偶発的に得ら
れる炭化珪素基板を用いる方法等がある。これらの結晶
成長法で得られたα型炭化珪素を基板として、その上に
液相エピタキシャル成長法ＣＬＰＥ法）や気相成長法（
ＣＶＤ法）でα刑法化珪素単結晶層をエピタキシャル成
長させてｐ−ｎ接合を形成し、青色発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）が製作されている。
しかしながら、上記昇華再結晶法、溶液法では多数の小
形の単結晶を得ることはできるが、多くの結晶核が結晶
成長初期に発生する為に大型で良質の単結晶基板を得る
ことが困難である。又、アチェソン法によシ偶発的に得
られる炭化珪素基板は半導体材料として使用するには純
度及び結晶性の点で問題があり、又、比較的大型のもの
が得られても偶発的に得られるものである。このように
α型炭化珪素基板を製作するための従来の結晶成長法は
寸法、形状、品質、不純物等の制御が困難であり、量産
性を考慮した工業的規模で炭化珪素単結晶基板を得る方
法としては適当でない。上述したように、これらの方法
で得たび型炭化珪素基板上に液相エピタキシャル法や気
相成長法で発光ダイオードが製作されているが、大面積
で高品質のα型単結晶基板を工業的に得る方法が無いた
め、量産実用化に即した技術の開発は進展していない。
形の単結晶を得ることはできるが、多くの結晶核が結晶
成長初期に発生する為に大型で良質の単結晶基板を得る
ことが困難である。又、アチェソン法によシ偶発的に得
られる炭化珪素基板は半導体材料として使用するには純
度及び結晶性の点で問題があり、又、比較的大型のもの
が得られても偶発的に得られるものである。このように
α型炭化珪素基板を製作するための従来の結晶成長法は
寸法、形状、品質、不純物等の制御が困難であり、量産
性を考慮した工業的規模で炭化珪素単結晶基板を得る方
法としては適当でない。上述したように、これらの方法
で得たび型炭化珪素基板上に液相エピタキシャル法や気
相成長法で発光ダイオードが製作されているが、大面積
で高品質のα型単結晶基板を工業的に得る方法が無いた
め、量産実用化に即した技術の開発は進展していない。
一方、構成元素や結晶構造がα型炭化珪素とは異なる珪
素（Ｓｉ）、サファイア（ＡｌｚＯ３）、β型炭化珪素
（β−５ｉＣ）等の異種単結晶基板上にＣＶＤ法、ＬＰ
Ｅ法、ＭＢＥ （分子線エピタキシャル成長）法等でエ
ピタキシャル成長して炭化珪素の単結晶膜が得られてい
るが、β型の炭化珪素膜しか得られていない。
素（Ｓｉ）、サファイア（ＡｌｚＯ３）、β型炭化珪素
（β−５ｉＣ）等の異種単結晶基板上にＣＶＤ法、ＬＰ
Ｅ法、ＭＢＥ （分子線エピタキシャル成長）法等でエ
ピタキシャル成長して炭化珪素の単結晶膜が得られてい
るが、β型の炭化珪素膜しか得られていない。
〈発明の概要〉
本発明は上述の問題点に鑑み、これらの異種単結晶基板
上に炭化珪素を単結晶成長させる場合に、アルミニウム
ＣＡｌ）と窒素（Ｎ ）、：／ｆ＋）ｔム（Ｇａ ）と
窒素（Ｎ）またはアルミニウムとガリウムと窒素を成長
層に添加することによυα型の炭化珪素単結晶を成長さ
せるものである。α−５ｉＣは少しずつ結晶構造の異な
る種類に分けられ、２Ｈ形、４Ｈ形、６Ｈ形がその代表
的なものである。アルミニウムと窒素からなる窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）の単結晶及びガリウムと窒素からな
る蟹化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶は２Ｈ形のα−５ｉ
Ｃと全く同じ結晶構造をもつ。また、格子定数及び熱膨
張係数はα−５ｉＣが３．０８ Ａ。
上に炭化珪素を単結晶成長させる場合に、アルミニウム
ＣＡｌ）と窒素（Ｎ ）、：／ｆ＋）ｔム（Ｇａ ）と
窒素（Ｎ）またはアルミニウムとガリウムと窒素を成長
層に添加することによυα型の炭化珪素単結晶を成長さ
せるものである。α−５ｉＣは少しずつ結晶構造の異な
る種類に分けられ、２Ｈ形、４Ｈ形、６Ｈ形がその代表
的なものである。アルミニウムと窒素からなる窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）の単結晶及びガリウムと窒素からな
る蟹化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶は２Ｈ形のα−５ｉ
Ｃと全く同じ結晶構造をもつ。また、格子定数及び熱膨
張係数はα−５ｉＣが３．０８ Ａ。
４．２Ｘ１０Ｋ に対して、ＡｌＪＮ及びＧａＮがツ
レツレ３．１０ＯＡ、４．１５×ＩＣ６に″及ヒ３．１
９ｃＡ。
レツレ３．１０ＯＡ、４．１５×ＩＣ６に″及ヒ３．１
９ｃＡ。
５．５９Ｘ１０Ｋ とび−３ｉＣに近い値を示す。
更に、ＡｌＮとＧａＮＬｖｉＭ晶単結晶Ａ １１ ＸＧ
ａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）も同じ結晶構造をもち、格子
定数及び熱膨張係数は混晶化Ｘに応じてＡ６ＮとＧａＮ
の中間の値を示す。このため、ＳｉＣ単結晶成長時にＡ
ｌとＮ、ＧａとＮまたばＡｌＪとＧａとＮを添加するこ
とによシ、ＳｉＣ成長層はＡＪＮ。
ａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）も同じ結晶構造をもち、格子
定数及び熱膨張係数は混晶化Ｘに応じてＡ６ＮとＧａＮ
の中間の値を示す。このため、ＳｉＣ単結晶成長時にＡ
ｌとＮ、ＧａとＮまたばＡｌＪとＧａとＮを添加するこ
とによシ、ＳｉＣ成長層はＡＪＮ。
ＧａＮまたはＡ６ｘＧａ、−ＸＮのもつ２Ｈ形の結晶構
造に誘起されて２Ｈ形のび一５ｉＣあるいは２Ｈ形に近
い４Ｈ形や６Ｈ形のび一８ｉＣとなる。
造に誘起されて２Ｈ形のび一５ｉＣあるいは２Ｈ形に近
い４Ｈ形や６Ｈ形のび一８ｉＣとなる。
Ａｊ？Ｎ、ＧａＮ及びＡｅｘＧａｌ−ｘＮの格子定数や
熱膨張係数がＳｉＣに近い値であることから、これらの
元素を添加しても結晶性の良いα−５ｉＣを得ることが
できる。特にＡｌとＮを用いる場合は、ＡｌＮの格子定
数と熱膨張係数がα−５ｉＣのそれらと非常に近いため
きわめて有利である。
熱膨張係数がＳｉＣに近い値であることから、これらの
元素を添加しても結晶性の良いα−５ｉＣを得ることが
できる。特にＡｌとＮを用いる場合は、ＡｌＮの格子定
数と熱膨張係数がα−５ｉＣのそれらと非常に近いため
きわめて有利である。
また、異種単結晶基板としては、β−５ｉＣ’ｉ用いる
と、構成元素が同じであシ、′格子定数と熱膨張係数も
α−５ｉＣとほぼ同じであるため、良質の単結晶を得る
ことができる。
と、構成元素が同じであシ、′格子定数と熱膨張係数も
α−５ｉＣとほぼ同じであるため、良質の単結晶を得る
ことができる。
〈実施例〉
以下、β−３ｉＣ単結晶を基板としてＣＶＤ法によりＳ
ｉＣをエピタキシャル成長させる場合に、アルミニウ
ムと窒素を添加することによりα−５ｉＣを作製する実
施例にもとすいて本発明の詳細な説明する。基板として
用いたβ−３ｉＣ単結晶は本実施例では本発明者がβ−
５ｉＣ単結晶を成長させる方法（特開昭５９−２０３７
９９号）としてすでに提唱した二温連続ＣＶＤ法で成長
させたものを用いた。
ｉＣをエピタキシャル成長させる場合に、アルミニウ
ムと窒素を添加することによりα−５ｉＣを作製する実
施例にもとすいて本発明の詳細な説明する。基板として
用いたβ−３ｉＣ単結晶は本実施例では本発明者がβ−
５ｉＣ単結晶を成長させる方法（特開昭５９−２０３７
９９号）としてすでに提唱した二温連続ＣＶＤ法で成長
させたものを用いた。
添付図面は本実施例に用いられるＣＶＤ成長装置の構成
図である。水冷式横型二重石英反応管１内に、黒鉛製試
料台２が黒鉛製支持棒３によシ設置されている。反応管
１の外胴部に巻回されたワークコイ／Ｌ／４に高周波電
流を流してこの試料台２を誘導加熱する。別の黒鉛製試
料台１７が石英製支持台１６上に設置され、ワークコイ
ル１９に高周波電流を流すことによシ誘導加熱される。
図である。水冷式横型二重石英反応管１内に、黒鉛製試
料台２が黒鉛製支持棒３によシ設置されている。反応管
１の外胴部に巻回されたワークコイ／Ｌ／４に高周波電
流を流してこの試料台２を誘導加熱する。別の黒鉛製試
料台１７が石英製支持台１６上に設置され、ワークコイ
ル１９に高周波電流を流すことによシ誘導加熱される。
反応管１の片側にはガス流入口となる枝管５が設けられ
、二重石英反応管１の外側の石英管内には枝管６．７を
介して冷却水が供給される。反応管１の他端はステンレ
ス鋼製のフランジ８、止め板９、ボルト１０．ナツト１
１．０−リング１２にてシー／しされている。フランジ
８にはガスの出口となる枝管１３が設けられ、支持台１
４に黒鉛棒３が固定される。試料台２の上にβ−５ｉＣ
単結晶基板１５が載置され、試料台１７の上にアルミニ
ウム金属１８が載置される。この装置を用いてα−°Ｓ
ｉＣ単結晶を以下の様に成長させる。
、二重石英反応管１の外側の石英管内には枝管６．７を
介して冷却水が供給される。反応管１の他端はステンレ
ス鋼製のフランジ８、止め板９、ボルト１０．ナツト１
１．０−リング１２にてシー／しされている。フランジ
８にはガスの出口となる枝管１３が設けられ、支持台１
４に黒鉛棒３が固定される。試料台２の上にβ−５ｉＣ
単結晶基板１５が載置され、試料台１７の上にアルミニ
ウム金属１８が載置される。この装置を用いてα−°Ｓ
ｉＣ単結晶を以下の様に成長させる。
まず、反応管１内を排気し水素ガスで置換した後、ワー
クコイル４に高周波電流を流して黒鉛製試料台２を加熱
し、β−３ｉＣ基板１５の温度を約１７００℃とする。
クコイル４に高周波電流を流して黒鉛製試料台２を加熱
し、β−３ｉＣ基板１５の温度を約１７００℃とする。
次にワークコイル１９に高周波電流を流して黒鉛製試料
台１７を加熱し、その温度を約８００℃としてアルミニ
ウム１８を溶融する。毎分３１の流量の水素キャリアガ
ス中に、原料ガスとしてプロパン（Ｃ３°Ｈｓ）を毎分
０．１〜Ｑ、 ４ ｃｃ ｓモノシラン（ＳｉＨ４）ｅ
毎分０．１〜Ｑ、 ４ ｃｃ 、窒素（Ｎ２）を毎分１
０〜４０ＣＣ１溶融アルミニウムのエツチングガスとし
て塩化水素（ＨＣｊ？ ）を毎分１〜５ ｃｃの流量で
混合し、枝管５より反応管１内へ供給して成長を行なっ
た。
台１７を加熱し、その温度を約８００℃としてアルミニ
ウム１８を溶融する。毎分３１の流量の水素キャリアガ
ス中に、原料ガスとしてプロパン（Ｃ３°Ｈｓ）を毎分
０．１〜Ｑ、 ４ ｃｃ ｓモノシラン（ＳｉＨ４）ｅ
毎分０．１〜Ｑ、 ４ ｃｃ 、窒素（Ｎ２）を毎分１
０〜４０ＣＣ１溶融アルミニウムのエツチングガスとし
て塩化水素（ＨＣｊ？ ）を毎分１〜５ ｃｃの流量で
混合し、枝管５より反応管１内へ供給して成長を行なっ
た。
溶融アルミニウムは塩化水素ガスでエツチングされてキ
ャリアガス中に含まれβ−５ｉＣ基板上に輸送される。
ャリアガス中に含まれβ−５ｉＣ基板上に輸送される。
その結果、１時間の成長で約３μｍの厚さのＣＶＤ成長
膜が基板上の全面に得られた。
膜が基板上の全面に得られた。
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ ）による成長膜の結晶構
造の解析の結果、２Ｈ形のα−５ｉＣの単結晶膜である
ことが判明した。また、成長膜のオージェ電子分光分析
の結果、成長膜中にアルミニウム窒素が不純物として含
まれていた。
造の解析の結果、２Ｈ形のα−５ｉＣの単結晶膜である
ことが判明した。また、成長膜のオージェ電子分光分析
の結果、成長膜中にアルミニウム窒素が不純物として含
まれていた。
以上の実施例におけるＣＶＤ法においては、原料ガスと
してプロパン及びモノ７ランを用い、アルミニウム供給
源として金属アルミニウムと塩化水素ガス、窒素供給源
として窒素ガスを用いたが、原料ガスとして他の原料を
用いてもよい。またアルミニウム供給源として有機金属
アルミニウムガス等を用いてもよく、窒素供給源として
もアンモニア（Ｎ Ｈ３）ガス等を用いることができる
。また、本実施例のＳｉＣ成長法としてＣＶＤ法を用い
たが、液相成長法昇華再結晶法、蒸着法、ＭＢＥ法、ス
パッタ法、あるいは他の手法を使用したＣＶＤ法など種
々の成長方法を利用してもよい。
してプロパン及びモノ７ランを用い、アルミニウム供給
源として金属アルミニウムと塩化水素ガス、窒素供給源
として窒素ガスを用いたが、原料ガスとして他の原料を
用いてもよい。またアルミニウム供給源として有機金属
アルミニウムガス等を用いてもよく、窒素供給源として
もアンモニア（Ｎ Ｈ３）ガス等を用いることができる
。また、本実施例のＳｉＣ成長法としてＣＶＤ法を用い
たが、液相成長法昇華再結晶法、蒸着法、ＭＢＥ法、ス
パッタ法、あるいは他の手法を使用したＣＶＤ法など種
々の成長方法を利用してもよい。
尚、上記実施例によシ得られるα−５ｉＣ単結晶は、不
純物としてアｌレミニウム、ガリウムあるいは窒素等を
含有することになるがよシ高純度のび一３ｉＣ単結晶を
得るには得られたα−５ｉＣ単結晶上に重畳してＣＶＤ
法等の結晶成長に関する既知の各種手法によって不純物
を含まない高純度のα−３ｉＣをエピタキシャル成長す
ればよい。
純物としてアｌレミニウム、ガリウムあるいは窒素等を
含有することになるがよシ高純度のび一３ｉＣ単結晶を
得るには得られたα−５ｉＣ単結晶上に重畳してＣＶＤ
法等の結晶成長に関する既知の各種手法によって不純物
を含まない高純度のα−３ｉＣをエピタキシャル成長す
ればよい。
〈発明の効果〉
本発明を用いれば、工業的規模での量産性に優れた大面
積、高品質のα型炭化珪素単結晶の製造が可能となシ、
青色を初めとする短波長可視光及び近紫外光の発光素子
、受光素子等の光電変換材料として安定した実用化の道
が開ける。また、熱的、化学的、機械的に極めて安定な
性質を生かして、広範な分野での炭化珪素単結晶の応用
が期待添付図面は本発明の１実施例の説明に供する成長
装置の断面図である。
積、高品質のα型炭化珪素単結晶の製造が可能となシ、
青色を初めとする短波長可視光及び近紫外光の発光素子
、受光素子等の光電変換材料として安定した実用化の道
が開ける。また、熱的、化学的、機械的に極めて安定な
性質を生かして、広範な分野での炭化珪素単結晶の応用
が期待添付図面は本発明の１実施例の説明に供する成長
装置の断面図である。
１・・・反応管、 ２，１７・・試料台、 ３・・・支
持棒、 ４，１９・・・ワークコイル、 ５，６．７゜
１３・・・枝管、 ８・・・フランジ、 ９・・・止め
板、１０・・・ボルト、 １１・・・ナツト、 １
２・・・Ｏ−リング、 １４・・・支持台、 １５・
・・β型炭化珪素単結晶基板、 １６・・・支持台、
１８・・・アルミニウム金属。
持棒、 ４，１９・・・ワークコイル、 ５，６．７゜
１３・・・枝管、 ８・・・フランジ、 ９・・・止め
板、１０・・・ボルト、 １１・・・ナツト、 １
２・・・Ｏ−リング、 １４・・・支持台、 １５・
・・β型炭化珪素単結晶基板、 １６・・・支持台、
１８・・・アルミニウム金属。
Claims (1)
- １、基板上にＡｌとＮ、ＧａとＮまたはＡｌとＧａとＮ
が添加されたα型ＳｉＣを成長させることを特徴とする
炭化珪素単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487385A JPS61291495A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487385A JPS61291495A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291495A true JPS61291495A (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=15138473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13487385A Pending JPS61291495A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291495A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007320790A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
| JP2008100890A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| WO2009131064A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | 住友電気工業株式会社 | Ｓｉ(1-v-w-x)ＣwＡｌxＮv基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ(1-v-w-x)ＣwＡｌxＮv基材およびエピタキシャルウエハ |
| US8324631B2 (en) | 2006-10-03 | 2012-12-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8540817B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-09-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, method of manufacturing an epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and epitaxial wafer |
| US8715414B2 (en) | 2008-04-24 | 2014-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, process for producing epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, and epitaxial wafer |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP13487385A patent/JPS61291495A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007320790A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
| US8324631B2 (en) | 2006-10-03 | 2012-12-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| DE102007047231B4 (de) * | 2006-10-03 | 2017-08-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2008100890A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| WO2009131064A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | 住友電気工業株式会社 | Ｓｉ(1-v-w-x)ＣwＡｌxＮv基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ(1-v-w-x)ＣwＡｌxＮv基材およびエピタキシャルウエハ |
| JP2009280903A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ |
| US8357597B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-01-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, process for producing epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, and epitaxial wafer |
| US8540817B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-09-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, method of manufacturing an epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and epitaxial wafer |
| US8715414B2 (en) | 2008-04-24 | 2014-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, process for producing epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, and epitaxial wafer |
| US8937339B2 (en) | 2008-04-24 | 2015-01-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Si(1-V-W-X)CWAlXNV substrate, and epitaxial wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0321519B2 (ja) | ||
| JPS60145992A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| Powell et al. | SiC materials-progress, status, and potential roadblocks | |
| US3956032A (en) | Process for fabricating SiC semiconductor devices | |
| JPS6346039B2 (ja) | ||
| US4865659A (en) | Heteroepitaxial growth of SiC on Si | |
| JPS5838399B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPH04193799A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS61243000A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS61291495A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS6120514B2 (ja) | ||
| JPS63283014A (ja) | 炭化珪素半導体素子 | |
| v Münch | Silicon carbide technology for blue-emitting diodes | |
| JPS61222992A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS6115150B2 (ja) | ||
| JPS5838400B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPS6230699A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPH0364480B2 (ja) | ||
| JPS63139096A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH0425184A (ja) | 炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードの製造方法 | |
| JPS5830280B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPS60264399A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS6152119B2 (ja) | ||
| JPH0380197A (ja) | 半導体ＳｉＣ単結晶の製造法 | |
| JPS63303897A (ja) | α型炭化珪素単結晶の製造方法 |