JPS63288027A - ２−６属化合物半導体薄膜の成長方法 - Google Patents
２−６属化合物半導体薄膜の成長方法Info
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- JPS63288027A JPS63288027A JP62123502A JP12350287A JPS63288027A JP S63288027 A JPS63288027 A JP S63288027A JP 62123502 A JP62123502 A JP 62123502A JP 12350287 A JP12350287 A JP 12350287A JP S63288027 A JPS63288027 A JP S63288027A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、■−■族化合物半導体薄膜の成長方法に関し
、特にｎ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜へのアクセプタ不純
物のドーピング方法に関する。
、特にｎ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜へのアクセプタ不純
物のドーピング方法に関する。
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜は、青色発光ダイオード
用材料あるいは赤外線検知器用材料として有望である。
用材料あるいは赤外線検知器用材料として有望である。
このうち青色発光ダイオード用材料として期待されるＺ
ｎ５ｅ、ＺｎＳおよびこれらの混晶であるＺｎ５ＸＳ＋
３１−ｚ （０＜Ｘ＜１ ）等のＺｎＳＳｅ系薄膜は、
ＧａＡｓ基板あるいはＧａＰ基板上へ、Ｍ ＯＯＶ Ｄ
（Ｍｅｔａｌ −Ｏｒｇａｎｉｃ −Ｏｈｅｍｉｃａ
ｌ −Ｖａｐｏｒ ” Ｄｅｐｏａｉｔｉｏｒ ）法や
Ｍ Ｂ Ｋ （Ｍｏ’１ｅｃｕｌａｒ −Ｂｅａｍ −
１１ｐｉｔａｘｙ ） 法などの気相法によってエピ
タキシャル成長されている。従来、これらの■−■族化
合物半導体＃膜のエピタキシャル成長時のアクセプタ不
純物の気相原料としては、周期律表の１族気相原料（例
えばＬｉ 、 Ｎａ 、 Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の単
体およびこれらの有機化合物等）および■族気相原料（
例えばＮ、Ｐ。
ｎ５ｅ、ＺｎＳおよびこれらの混晶であるＺｎ５ＸＳ＋
３１−ｚ （０＜Ｘ＜１ ）等のＺｎＳＳｅ系薄膜は、
ＧａＡｓ基板あるいはＧａＰ基板上へ、Ｍ ＯＯＶ Ｄ
（Ｍｅｔａｌ −Ｏｒｇａｎｉｃ −Ｏｈｅｍｉｃａ
ｌ −Ｖａｐｏｒ ” Ｄｅｐｏａｉｔｉｏｒ ）法や
Ｍ Ｂ Ｋ （Ｍｏ’１ｅｃｕｌａｒ −Ｂｅａｍ −
１１ｐｉｔａｘｙ ） 法などの気相法によってエピ
タキシャル成長されている。従来、これらの■−■族化
合物半導体＃膜のエピタキシャル成長時のアクセプタ不
純物の気相原料としては、周期律表の１族気相原料（例
えばＬｉ 、 Ｎａ 、 Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の単
体およびこれらの有機化合物等）および■族気相原料（
例えばＮ、Ｐ。
Ａｓ 、Ｓｂ等の単体およびこれらの水素化物あるいは
ハロゲン化物等）を用いていた０文献とじては１９ａ２
年にｋ Ｐ Ｌ （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５３．ｐ、２８４に投稿された５ｔ
ｑｔｉｕｌｉ ＃ Ｗ によるＷＨ，をアクセプタ不
純物を気相原料としたＭＯＣ３ＶＤ−Ｚｎ８ｅに関する
ものを参照されたい〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、アクセプタ不純物の供給源として前述の従来技
術による１族気相原料あるいは■族気相原料を用いた場
合、ＺｎＳＳｅ系薄膜はほとんどｐ型化せず、ｐ型化さ
れても正孔濃度が低く、ｐ−ｎ接合ダイオードを形成す
るのに充分な正孔濃度のものは得られていない、この原
因として、前述の従来技術によるアクセプタ不純物の気
相原料に！、ＺｎＳ３θ糸薄痕のエピタキシャル成長温
度では熱分解しにくいこと、気相から固相へのとり込み
率が悪いこと、固相中へとり込まれても所定の格子位置
に入りにくいこと、およびアクセプタ不純物のとり込み
によって新たな内因性結晶欠陥が発生し、自己補償効果
によって正孔が発生しにぐいといった事項が考えられる
。いずれの原因にせよ、従来技術のアクセプタ不純物の
気相原料は、ＺｎＳＳｅ系等の■−■族化合物半導体薄
膜をｐ型化するのに不充分であるという問題点があった
。
ハロゲン化物等）を用いていた０文献とじては１９ａ２
年にｋ Ｐ Ｌ （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５３．ｐ、２８４に投稿された５ｔ
ｑｔｉｕｌｉ ＃ Ｗ によるＷＨ，をアクセプタ不
純物を気相原料としたＭＯＣ３ＶＤ−Ｚｎ８ｅに関する
ものを参照されたい〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、アクセプタ不純物の供給源として前述の従来技
術による１族気相原料あるいは■族気相原料を用いた場
合、ＺｎＳＳｅ系薄膜はほとんどｐ型化せず、ｐ型化さ
れても正孔濃度が低く、ｐ−ｎ接合ダイオードを形成す
るのに充分な正孔濃度のものは得られていない、この原
因として、前述の従来技術によるアクセプタ不純物の気
相原料に！、ＺｎＳ３θ糸薄痕のエピタキシャル成長温
度では熱分解しにくいこと、気相から固相へのとり込み
率が悪いこと、固相中へとり込まれても所定の格子位置
に入りにくいこと、およびアクセプタ不純物のとり込み
によって新たな内因性結晶欠陥が発生し、自己補償効果
によって正孔が発生しにぐいといった事項が考えられる
。いずれの原因にせよ、従来技術のアクセプタ不純物の
気相原料は、ＺｎＳＳｅ系等の■−■族化合物半導体薄
膜をｐ型化するのに不充分であるという問題点があった
。
そこで本発明は、前述した従来技術の問題点を克服する
ためのもので、その目的とするところは、高い正孔濃度
を持ち低抵抗のｐ型Ｚｎ５Ｓａ薄膜等を作製できる■−
■族化合物半導体Ｍ膜の成長方法を提供するところにあ
る。
ためのもので、その目的とするところは、高い正孔濃度
を持ち低抵抗のｐ型Ｚｎ５Ｓａ薄膜等を作製できる■−
■族化合物半導体Ｍ膜の成長方法を提供するところにあ
る。
本発明によるｎ−Ｖｌ族化合物半導体薄膜の成長方法は
、ｌ族供給源として■族気相原料を、■族供給源として
■族気相原料を、アクセプタ不純物の供給源としてｉ−
ｖ族化合物気相原料を用い、前記■族気相原料と前記■
族気相原料と前記■−Ｖ族化合物気相原料を同時に半導
体基板上へ供給する工程を含むことを特徴としている。
、ｌ族供給源として■族気相原料を、■族供給源として
■族気相原料を、アクセプタ不純物の供給源としてｉ−
ｖ族化合物気相原料を用い、前記■族気相原料と前記■
族気相原料と前記■−Ｖ族化合物気相原料を同時に半導
体基板上へ供給する工程を含むことを特徴としている。
本発明を実施例に基づき詳細に説明する０本実施例では
、Ｚｎ、Ａｓｌをアクセプタ不純物の気相原料に用い、
Ｚｎ８ｅ＠膜にＡｓアクセプタをドーピングする工程を
含％ Ｚ ｎ ８ ｓ薄膜の成長方法について説明する
。
、Ｚｎ、Ａｓｌをアクセプタ不純物の気相原料に用い、
Ｚｎ８ｅ＠膜にＡｓアクセプタをドーピングする工程を
含％ Ｚ ｎ ８ ｓ薄膜の成長方法について説明する
。
第１因は本実施例に使用するＺｎ８ｅ−ＭＯＯＶＩ）装
置の概略配管図である１石英製反応管１０１の内部に設
置された炭素製サセプタ１０２の上部にＧａＡ１単結晶
基板１０３を置く、炭素製サセプタ１０２は高周波電源
に接続されたワークフィル１０４によってＲ１誘導加熱
されるが、このときＧａＡｓ単結晶基板１０３も同時に
加熱されろ０反応管１０１内部には、ｚｎ８ｅＭ＃の成
長に必要な気相原料が配管１０５を通して導入される。
置の概略配管図である１石英製反応管１０１の内部に設
置された炭素製サセプタ１０２の上部にＧａＡ１単結晶
基板１０３を置く、炭素製サセプタ１０２は高周波電源
に接続されたワークフィル１０４によってＲ１誘導加熱
されるが、このときＧａＡｓ単結晶基板１０３も同時に
加熱されろ０反応管１０１内部には、ｚｎ８ｅＭ＃の成
長に必要な気相原料が配管１０５を通して導入される。
ｔず気相原料の輸送に用いる水素ガスは水素ボンベ１０
６より水素精製器１０７を通過して高純度に精製された
のち、流量調節器（ＭＩＦＣと記す）に入れられる。キ
ャリアガスとしての水素ガスはＭｈｏ １０８で２．８
８ＬＭに制御され反応管１０１に流れ込む、Ｉ族供給源
には（ＣＨ，）、Ｚｎ・（ＯＪ）１８ａ（ＤＭＺｎ−Ｄ
ＭＳｅと記す）付加体を用いる。ＤＭｚｎ−ＤＭＳｅ付
加俸１０９をステンレス製バプラ１１０に封入し、その
バック１１０は恒１Ｉ４１１１によって一１４℃に一定
に保温されている。ＭＦＯＩ １２を通過した１Ｑａｃ
ｏｍの水素ガスはバプラ１１０に導入され、ＤＭＺｎ・
ＤＭＳθ付加体をバブリングすることで、１．２ Ｘ
１０−＠ｍｏｔ／ｖｍ の流量のＤＭｚｎ−ＤＭＳｅ付
加体を伴なってキャリアガスに合流する。■族供給源に
は水素ガスによって１０％に希釈されたＨｏ５ｅガスを
用いる。Ｈ１１３ｅボンベ１１３中のＨ，ＳｅガスはＭ
７Ｃ！１１４を通過して５ Ｑ ５ｃａｎの流量でキャ
リアガスに合流する。アクセプタ不純物の供給供線であ
るＺｎ１Ａａｌ粉体１１５は石英製バプラ１１６に封入
されており、そのバプラ１１６は恒ｉ［１１７によって
６５℃に保温されている。
６より水素精製器１０７を通過して高純度に精製された
のち、流量調節器（ＭＩＦＣと記す）に入れられる。キ
ャリアガスとしての水素ガスはＭｈｏ １０８で２．８
８ＬＭに制御され反応管１０１に流れ込む、Ｉ族供給源
には（ＣＨ，）、Ｚｎ・（ＯＪ）１８ａ（ＤＭＺｎ−Ｄ
ＭＳｅと記す）付加体を用いる。ＤＭｚｎ−ＤＭＳｅ付
加俸１０９をステンレス製バプラ１１０に封入し、その
バック１１０は恒１Ｉ４１１１によって一１４℃に一定
に保温されている。ＭＦＯＩ １２を通過した１Ｑａｃ
ｏｍの水素ガスはバプラ１１０に導入され、ＤＭＺｎ・
ＤＭＳθ付加体をバブリングすることで、１．２ Ｘ
１０−＠ｍｏｔ／ｖｍ の流量のＤＭｚｎ−ＤＭＳｅ付
加体を伴なってキャリアガスに合流する。■族供給源に
は水素ガスによって１０％に希釈されたＨｏ５ｅガスを
用いる。Ｈ１１３ｅボンベ１１３中のＨ，ＳｅガスはＭ
７Ｃ！１１４を通過して５ Ｑ ５ｃａｎの流量でキャ
リアガスに合流する。アクセプタ不純物の供給供線であ
るＺｎ１Ａａｌ粉体１１５は石英製バプラ１１６に封入
されており、そのバプラ１１６は恒ｉ［１１７によって
６５℃に保温されている。
ＭＩＦ０１１８を通過した１ ４０５ｃａｎの水素ガス
はバプラ１１６に導入され、ＺＪＡＪ 粉体を昇示して
８ Ｘ １０＝’ ｍｏｔ／ｍの流量のＺｎ＠ Ａｓｈ
を気化してキャリアガスに合流する１反応管１０１を通
過した気相原料を含むキャリアガスはニードルバルブ１
１９を通してロータリーポンプを含む真空排気系に流れ
る。ニードルバルブ１１９を調節して反応管内の圧力を
７０ Ｔｏｒｒに保っている第２図（α）〜（Ｃ）はＡ
日アクセプタ不純物のドーピングを伴うＺｎ５ｅｉ９［
ｇの成長工程を示した断面概略図である。第２図（α）
は成長前の熱エツチング工程を示す断面概略図である。
はバプラ１１６に導入され、ＺＪＡＪ 粉体を昇示して
８ Ｘ １０＝’ ｍｏｔ／ｍの流量のＺｎ＠ Ａｓｈ
を気化してキャリアガスに合流する１反応管１０１を通
過した気相原料を含むキャリアガスはニードルバルブ１
１９を通してロータリーポンプを含む真空排気系に流れ
る。ニードルバルブ１１９を調節して反応管内の圧力を
７０ Ｔｏｒｒに保っている第２図（α）〜（Ｃ）はＡ
日アクセプタ不純物のドーピングを伴うＺｎ５ｅｉ９［
ｇの成長工程を示した断面概略図である。第２図（α）
は成長前の熱エツチング工程を示す断面概略図である。
５５０℃に加熱されたＧａ人θ単結晶基板２０１０表面
に水素ガス２０２を五〇 ＳＬＭ流し、ＧａＡθ単結晶
基板２０１表面を活性化し汚染物等を除去しクリーニン
グする工程の直後に行なわれるＺｎ５ｅ＃膜のエビタキ
シャル工程を示す断面概略図である。３２５℃に加熱さ
れたＧａ人Ｂ単結晶基板２０１０表面に、前述した如（
ＤＭＺｎ・ＤＭＳｅ付加体がｔ ２ Ｘ １０−ｍｏｔ
／ ｗｉｇ 、 １０％Ｈ，Ｓｅが５０ ｓｃｃｍ 、
Ｚｎ３ Ａｓが８ ｘ １０−” ｍｏｌ／ｉの流量
でキャリア水素ガスに混合された全流証が！ＬＯ３ＬＭ
の気相原料２０５を導入し、ｋｅドープＺ ｎ Ｓ
ｅｆ４ｇｆ１２０４をエピタキシャル成長する工程であ
る。この工程において、Ｄ Ｍ Ｚｎ・ＤＭＳｅ付加体
、ＨｌｓｓおよびＺｎ、Ａｓ、は同時に流し始め、同時
に流し終わる。ＺｎＳ３薄膜の成長速度は９０ Ｘ ／
ｍである。成長時間は１２０−である、第２図（Ｃ）
は前記のエビタキシャル工程が終了し温度を室温まで下
げたときの成長終了工程を示す断面概略図である。Ｇａ
Ａｓ単結晶基板２０１の表面に厚さ約１．１μｍのＺｎ
５ｅ薄膜２０５がエピタキシャル成長している。このＺ
ｎ５ｅＮ膜２０５は表面モフォロジーは若干荒れている
ものの、Ｘ線回折およびＲＨＦ！ＥＤ分析によれば単結
晶でありエピタキシャル成長になっている。４．２にの
フォトルミネッセンススペクトルは、アクセプタに関与
した発光ビークが強く現われた。工ｎ −Ａ ｕ合金に
よるオーミックコンタクトをとり、Ｈａｔ１Ｍ足したと
ころ、室温において伝導型はＰ型であり正孔濃度は１．
２Ｘ１０”ｃｆ”であった。
に水素ガス２０２を五〇 ＳＬＭ流し、ＧａＡθ単結晶
基板２０１表面を活性化し汚染物等を除去しクリーニン
グする工程の直後に行なわれるＺｎ５ｅ＃膜のエビタキ
シャル工程を示す断面概略図である。３２５℃に加熱さ
れたＧａ人Ｂ単結晶基板２０１０表面に、前述した如（
ＤＭＺｎ・ＤＭＳｅ付加体がｔ ２ Ｘ １０−ｍｏｔ
／ ｗｉｇ 、 １０％Ｈ，Ｓｅが５０ ｓｃｃｍ 、
Ｚｎ３ Ａｓが８ ｘ １０−” ｍｏｌ／ｉの流量
でキャリア水素ガスに混合された全流証が！ＬＯ３ＬＭ
の気相原料２０５を導入し、ｋｅドープＺ ｎ Ｓ
ｅｆ４ｇｆ１２０４をエピタキシャル成長する工程であ
る。この工程において、Ｄ Ｍ Ｚｎ・ＤＭＳｅ付加体
、ＨｌｓｓおよびＺｎ、Ａｓ、は同時に流し始め、同時
に流し終わる。ＺｎＳ３薄膜の成長速度は９０ Ｘ ／
ｍである。成長時間は１２０−である、第２図（Ｃ）
は前記のエビタキシャル工程が終了し温度を室温まで下
げたときの成長終了工程を示す断面概略図である。Ｇａ
Ａｓ単結晶基板２０１の表面に厚さ約１．１μｍのＺｎ
５ｅ薄膜２０５がエピタキシャル成長している。このＺ
ｎ５ｅＮ膜２０５は表面モフォロジーは若干荒れている
ものの、Ｘ線回折およびＲＨＦ！ＥＤ分析によれば単結
晶でありエピタキシャル成長になっている。４．２にの
フォトルミネッセンススペクトルは、アクセプタに関与
した発光ビークが強く現われた。工ｎ −Ａ ｕ合金に
よるオーミックコンタクトをとり、Ｈａｔ１Ｍ足したと
ころ、室温において伝導型はＰ型であり正孔濃度は１．
２Ｘ１０”ｃｆ”であった。
以上の結果より、アクセプタ不純物の気相原料としてＺ
ｎ、Ａｓ２を用いることにより、Ｚｎ８８薄膜へのアク
セプタ不純物であるλＢのドーピングが可能になり、正
孔濃度が大きく低抵抗のＰ型ｚｎｓｃｚ！＃ＩＪのエピ
タキシャル成長が可能となった。
ｎ、Ａｓ２を用いることにより、Ｚｎ８８薄膜へのアク
セプタ不純物であるλＢのドーピングが可能になり、正
孔濃度が大きく低抵抗のＰ型ｚｎｓｃｚ！＃ＩＪのエピ
タキシャル成長が可能となった。
本実施例においては、Ｚｎ、Ａｓ、のＺｎ５ｅｆ４膜へ
の導入について述べたが、本発明はこの範囲にとどまら
ない、すなわち、アクセプタ不純物の供給源としてＺｎ
３ 人θ、のみならず、Ｚｎ１Ｐ２、 Ｚｎ３Ｓｂ、
、Ｈｇ３ Ｓｂ２ およびこれらの化合物に類似の全
てｍ−ｖ族化合物を用いることができる。また、ＩＩ−
Ｖｌ族化合物半導体Ａ［とじてＺｎ５ａ薄膜のみならず
、ＺｎＢｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｃａ５ｅ、ＣｄＳ、Ｃ
ｄＴｅ、Ｈｇ５ａ、ＨｇＳ、ＨｇＴＱ およびこれら
の混晶（Ｚｎ３Ｓｅ等）より成る薄膜に全て適用できる
。
の導入について述べたが、本発明はこの範囲にとどまら
ない、すなわち、アクセプタ不純物の供給源としてＺｎ
３ 人θ、のみならず、Ｚｎ１Ｐ２、 Ｚｎ３Ｓｂ、
、Ｈｇ３ Ｓｂ２ およびこれらの化合物に類似の全
てｍ−ｖ族化合物を用いることができる。また、ＩＩ−
Ｖｌ族化合物半導体Ａ［とじてＺｎ５ａ薄膜のみならず
、ＺｎＢｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｃａ５ｅ、ＣｄＳ、Ｃ
ｄＴｅ、Ｈｇ５ａ、ＨｇＳ、ＨｇＴＱ およびこれら
の混晶（Ｚｎ３Ｓｅ等）より成る薄膜に全て適用できる
。
実施例ではＭＯＣＶＤ法によるＺｎＳθ薄膜の成長方法
について述べた。この中でＺｎｌ Ａｓ、粉体はバブラ
内に封入され水素ガスにて輸送されるが、本発明におい
ては、この不純物を気相で導入できればいかなる輸送手
段でも良い、すなわち、例えば不純物供給源を反応管内
に設置してキャリアガスで昇華により輸送する等である
。また本発明はＭＢＫ法、ＭＯＭＢＫ法などの気相によ
り原料の輸送を行なう全ての気相法に適用できる９ＭＢ
Ｅ法の場合、不純物供給源をセルに入れ１０００℃程度
に加熱して分子ビームとして成長表面に輸送すれば良い
。
について述べた。この中でＺｎｌ Ａｓ、粉体はバブラ
内に封入され水素ガスにて輸送されるが、本発明におい
ては、この不純物を気相で導入できればいかなる輸送手
段でも良い、すなわち、例えば不純物供給源を反応管内
に設置してキャリアガスで昇華により輸送する等である
。また本発明はＭＢＫ法、ＭＯＭＢＫ法などの気相によ
り原料の輸送を行なう全ての気相法に適用できる９ＭＢ
Ｅ法の場合、不純物供給源をセルに入れ１０００℃程度
に加熱して分子ビームとして成長表面に輸送すれば良い
。
本発明は、次に述べるような優れた発明の効果を有する
。すなわち、 （１） 従来技術では不可能に近かったＺｎ５ｅ。
。すなわち、 （１） 従来技術では不可能に近かったＺｎ５ｅ。
、Ｚ ｎ ３７Ｍ膜等のＰ型化を実現でき、しかも高い
正孔濃度と低抵抗のＰ型エピタキシャル層が得られる。
正孔濃度と低抵抗のＰ型エピタキシャル層が得られる。
（２） 従来技術では、自己補償効果により内部に欠
陥が発生して、アクセプタの導入譬を増やすと膜質が低
下したが、本発明では、ｇ質を低下する度合を低くでき
る。
陥が発生して、アクセプタの導入譬を増やすと膜質が低
下したが、本発明では、ｇ質を低下する度合を低くでき
る。
（３） 従来よりある気相装置をそのまま使用して実
現できる成長方法である。
現できる成長方法である。
第１図は本発明の詳細な説明するためのＺｎＢ ｅ −
Ｍ ＯＣＶ １）装置の概略配管図である。 第２図（α）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明するための
もので、Ｚｎ５ｓ薄膜の成長工程を示した断１１ｉＴ概
略図である。 １０３・・・・・・ＧａＡｓ単結晶基板１０９−−−−
−−ＤＭＺｎ−ＤＭ３ｅ付加体１１５・・・・・・Ｈ，
Ｓｓボンベ １１５ ＝−ｚｎ３Ａｓ！粉体 ２０１・・・・・・Ｇａｘａ＄結晶基板２０５・・・・
・・ｔＡ相原料 ２０５・・・・・・ｚｎｓａ博膜 羊１ 区
Ｍ ＯＣＶ １）装置の概略配管図である。 第２図（α）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明するための
もので、Ｚｎ５ｓ薄膜の成長工程を示した断１１ｉＴ概
略図である。 １０３・・・・・・ＧａＡｓ単結晶基板１０９−−−−
−−ＤＭＺｎ−ＤＭ３ｅ付加体１１５・・・・・・Ｈ，
Ｓｓボンベ １１５ ＝−ｚｎ３Ａｓ！粉体 ２０１・・・・・・Ｇａｘａ＄結晶基板２０５・・・・
・・ｔＡ相原料 ２０５・・・・・・ｚｎｓａ博膜 羊１ 区
Claims (1)
- 気相法により半導体基板上へII−VI族化合物半導体薄膜
をエピタキシャル成長するに際し、II族供給源としてI
I族気相原料を、VI族供給源としてVI族気相原料を、ア
クセプタ不純物の供給源としてII−Ｖ族化合物気相原料
を用い、前記II族気相原料と前記VI族気相原料と前記I
I−Ｖ族化合物気相原料を同時に半導体基板上へ供給す
る工程を含むことを特徴とするII−VI族化合物半導体薄
膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123502A JPS63288027A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | ２−６属化合物半導体薄膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123502A JPS63288027A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | ２−６属化合物半導体薄膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288027A true JPS63288027A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14862205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123502A Pending JPS63288027A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | ２−６属化合物半導体薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100488830B1 (ko) * | 1997-01-23 | 2005-09-12 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Ii-vi족화합물반도체의열처리방법 |
| CN106299060A (zh) * | 2015-05-28 | 2017-01-04 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62123502A patent/JPS63288027A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100488830B1 (ko) * | 1997-01-23 | 2005-09-12 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Ii-vi족화합물반도체의열처리방법 |
| CN106299060A (zh) * | 2015-05-28 | 2017-01-04 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法 |
| CN106299060B (zh) * | 2015-05-28 | 2018-05-01 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法 |
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