JP4211897B2 - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、 III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法に係わり、特に不純物としてTeを添加するのに好適な液相エピタキシャル成長方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
III−V族化合物半導体においては、n型薄膜を形成するためのドナー不純物として一般にS,Se,Te等のVI族元素が用いられる。特に発光ダイオード用途のエピタキシャル薄膜のように良質な結晶が必要とされる場合には、結晶欠陥を発生させることの少ないTeが用いられることが多い。
【0003】
従来の III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法においては、Teを添加する場合、Te源としてTeの単体元素を用いるのが一般的であった。
これに対して、Te源として、Teを微量添加した III−V族化合物結晶を用いる方法(特開昭60−161397)や、TeをGa等に500分の1ないし100分の1程度固溶させた、いわゆる母合金を用いる方法(特開昭59−163821)も報告されている。これらふたつの方法はいずれも、Teの秤量精度を上げることにより、微量なTeを添加した際のエピタキシャル薄膜中のTe不純物の濃度を精度良く制御することを目的としたものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
III−V族化合物半導体薄膜を作製する場合、薄膜の不純物濃度を制御することは、所望のデバイス特性を得る上で極めて重要である。特に発光ダイオード用途の III−V族化合物半導体薄膜においては、不純物濃度は結晶欠陥やpn接合における電流の注入効率などを決定する大きな要因であるため、不純物濃度を厳密に制御する必要がある。
【0005】
しかし、 III−V族化合物半導体薄膜の液相エピタキシャル成長の際に、Teを添加するための原料としてTeの単体元素を用いる場合には、Te単体の蒸気圧が高いため、溶媒として用いるGa中にTeが溶解する前にその一部が蒸発してしまい、成長したエピタキシャル薄膜におけるTe不純物の濃度の再現性が悪いという問題があった。
【0006】
すなわち、一般に III−V族化合物半導体薄膜の液相エピタキシャル成長方法においては、使用する原料をエピタキシャル成長を開始する温度よりも若干高い温度でGa溶媒中に均一に溶解し、その状態から溶液全体の温度を成長開始の温度まで下げ、その後基板と溶液を接触させて、更に温度を下げることで基板上にエピタキシャル薄膜の成長を進行させる方法(いわゆる徐冷法)が用いられる。
【0007】
発光ダイオード用途のGa1-X AlX As(0<x<1)薄膜の液相エピタキシャル成長方法を例に取れば、一般に原料であるGaAs多結晶やAlあるいは添加不純物であるTe等を均一にGa溶媒中に溶解するためには、エピタキシャル成長の開始前に原料等及びGaを900℃程度の温度で一定時間保持しなければならない。
GaAlAsのエピタキシャル成長においては、Teの液相−固相間の偏析係数はエピタキシャル成長を行う800〜850℃程度の温度では1〜2程度であるため、Teの添加量は通常Ga100gに対して1mg程度と微量である。このように添加する量が小さいと、Te単体はその比表面積が大きくなる。さらにTeの蒸気圧は900℃において1.9×102 mmHgと、Gaや他の原料のGaAs多結晶やAl等に比べると極めて高い。そのため、エピタキシャル成長の開始の前に900℃程度の温度で一定時間保持している間に、単体のTeはその一部が容易に蒸発していた。
さらに、微小な単体元素のTeの粒がGaの表面張力の影響で液表面に浮遊してしまう場合や、或いは、Ga溶媒の表面に酸化膜が存在したり、Teの形状によって単体元素のTeとGaとの接触面積が小さかったりする場合には、より容易にTeがGaに溶解するより前に蒸発してしまうことがあった。
【0008】
これらの理由により、不純物としてTeを添加するためにTe単体元素を用いた場合には、成長開始前のGa溶液中のTeの量が当初予定した添加量よりも減少してしまい、結晶成長により得られる結晶中の不純物密度が所望の値よりも低く、またばらつくことになっていた。
【0009】
また、Te源にTeを微量添加した III−V族化合物結晶やTeとGaの母合金を使用する場合には、次のような問題があった。すなわち、Teを微量添加した III−V族化合物結晶やTeとGaの母合金は、その作製の過程において、Te単体の蒸気圧が高いためにTeの蒸発が起こってしまうため、それらTe源の組成が所望の値に制御できない、或いは、Teの偏析が発生するために、それらTe源では組成の均一なものが得られないといった問題がある。そのためにTeを微量添加した III−V族化合物結晶やTeとGaの母合金をTe源として用いて液相エピタキシャル成長を行った場合には、秤量を正しく行っても添加されるTeの量が不正確になるため、成長したエピタキシャル薄膜中の不純物濃度のバラツキが大きくなり、不純物濃度の再現性の良好なエピタキシャル薄膜を得ることは困難であった。
【0010】
本発明の目的は、エピタキシャル薄膜中のTe不純物の濃度の再現性が良好な液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、 III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法においてエピタキシャル薄膜中のTe不純物の濃度を再現性よく制御する方法として、Te源にGaとTeの化合物を用いれば良いことを見いだした。
【0012】
GaとTeの化合物としてはGaTeが室温で安定に存在することが報告されている。図1にGa−Te系状態図を示す(「THE PHASE DIAGRAM OF THE GALLIUM−TELLURIUM SYSTEM」、P.C.NEWMAN et al.、Philips Res.Repts.、16、41−50、(1961))。図1によれば、GaTeの融点は835℃であり、融点での蒸気圧は6.0×10-2mmHgである。従って、GaTeはTe単体のこの温度での蒸気圧に比べて約1700分の1と低いため、高温でも容易に蒸発しない。また、GaTeは室温で安定に存在することが出来る金属間化合物であり、作製は容易で組成は均一であるため、液相エピタキシャル成長の際に添加するTeの量を正確に制御できる。従って、不純物としてTeを添加した薄膜を積層する III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法において、GaTeをTe源として用いることにより、再現性よくエピタキシャル薄膜中にTeを添加することができる。
【0013】
また、同様にGaとTeの化合物であるGa2 Te3 も、室温で安定な化合物であり蒸気圧も792℃で2mmHgとTe単体より低いため、 III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法においてTe源として用いることにより、Te単体元素をTe源として用いる場合と比較して、不純物濃度の再現性の良好なエピタキシャル薄膜を得ることが出来る。
【0014】
このように本発明の主旨によれば、 III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法において、Te源にGaとTeの化合物を用いることにより不純物濃度の再現性の良好なエピタキシャル薄膜を得ることが出来る。
ここでTe源としては上記のGaTeやGa2 Te3 以外のGaとTeの化合物であっても良い。用いるGaとTeの化合物は、室温で安定であり、蒸気圧が700℃〜900℃程度の温度でおよそ20mmHg以下のTe単体より低い蒸気圧を有する化合物であることが好ましい。
或いは、用いるGaとTeの化合物は、GaTeとGa2 Te3 の混合物またはGaTeとGa2 Te3 の固溶体のような、2種類以上のGaとTeの化合物の混合物または固溶体であってもよい。
【0015】
上に述べてきたように、本発明は発光ダイオード用途のGa1-X AlX As(0<x<1)からなるエピタキシャル薄膜の液相エピタキシャル成長方法に用いることが出来る。
同様に、本発明は発光ダイオード用途のGaAsあるいはGaPからなるエピタキシャル薄膜の液相エピタキシャル成長方法にも用いることが出来る。もちろん、発光ダイオード用途以外のGaAs、Ga1-X AlX As、GaPからなるエピタキシャル薄膜の液相エピタキシャル成長方法に用いることも可能である。或いは、本発明は、不純物としてTeを添加した上記以外の薄膜を積層する III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法に用いることも可能である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる液相エピタキシャル成長方法の実施例を、赤色発光するGa1-x Alx As発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの作製例をもとに説明する。
【0017】
【実施例】
液相エピタキシャル成長に用いる成長装置を図2に示す。
先ず、基板ホルダ1にp型のGaAs単結晶基板2を載置した。p型エピタキシャル薄膜の成長に用いる第1の溶液として、原料溶液溜3に、溶媒となるGa100g、およびアンドープGaAs多結晶6.2g、Al0.2g、Zn0.1gを載置した。次に、n型エピタキシャル薄膜の成長に用いる第2の溶液として、原料溶液溜4に、Ga100g、およびアンドープGaAs多結晶2.5g、Al0.4g、GaTe2mgを載置した。GaTeは64.67wt.%Teの化合物であり、GaTe2mg中にはTeが約1.3mg含まれている。
この成長装置を透明石英ガラスからなる反応管(図示せず)内に載置した。成長装置は反応管の外部に設けた抵抗加熱のヒーターにより、温度を制御することが出来るようになっている。
【0018】
成長を行うにあたり、まず成長装置を水素気流中で900℃まで昇温した。この温度で2時間保持することにより、Ga溶媒中に原料を均一に溶解した。その後、850℃まで降温し、第1の溶液すなわちZnを入れたp型結晶成長用溶液5と基板2を接触させ、続いて0.5℃/minの冷却速度で810℃まで冷却し、p型のGaAlAs薄膜を基板2上に成長させた。
【0019】
次に、810℃において溶液ホルダ7をスライドさせ、第2の溶液すなわちGaTeを入れたn型結晶成長用溶液6を基板2の上まで移動させた。その後、0.5℃/minの冷却速度で780℃まで冷却しn型GaAlAs結晶を基板2上に成長させた。
【0020】
上記の実施例に示した方法により、基板2上に、p型でxがおよそ0.35すなわちGa0.65Al0.35Asの組成のエピタキシャル薄膜、およびn型でxがおよそ0.65すなわちGa0.35Al0.65Asの組成のエピタキシャル薄膜が順次積層された。
このエピタキシャルウェーハの、n型のGa1-x Alx As薄膜中のTe不純物の濃度をキャリア濃度測定により測定した。ここでn型のGa1-x Alx As薄膜中のTe不純物の濃度は、キャリア濃度とほぼ対応している。図3は上記の実施例に示した方法により、液相エピタキシャル成長を10回行い、得られたn型のGaAlAs薄膜のキャリア濃度をヒストグラムにしたものである。図3よりキャリア濃度が4〜6×1017cm-3の範囲に集中していることがわかる。
【0021】
比較のため、Te源としてTeの単体元素を1.3mg使用し、他は上記の実施例と同条件としたエピタキシャル成長を行った結果を図4に示した。キャリア濃度は0.7〜6×1017cm-3の間でバラツキがあり、GaTeの場合よりも低い。
このように、Te源としてGaTeを用いることで、再現性良く III−V族化合物半導体結晶中にTeをドーピングできることが確認できた。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、不純物としてTeを添加した薄膜を積層する III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法において、Te源としてGaTeやGa2 Te3 等のGaとTeの化合物を用いることにより、エピタキシャル成長の開始前にTeが蒸発により減少することを防止することが出来る。また、GaTeやGa2 Te3 等のGaとTeの化合物は組成が均一であり、液相エピタキシャル成長の際に添加するTeの量を正確に制御できる。
従って、本発明によれば、エピタキシャル薄膜中のTe不純物の濃度を再現性良く制御することが出来る。
更に、上記実施例において用いたGaTeあるいはGa2 Te3 等のGaとTeの化合物は、エピタキシャル薄膜をなす III−V化合物半導体の構成元素からなる化合物であり、薄膜の純度を損ねることがないという効果も有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】Ga−Te系の状態図である。
【図2】本実施例に用いる成長装置の概略構成図である。
【図3】本発明の実施例に係わるn型エピタキシャル薄膜のキャリア濃度のヒストグラムを示す図である。
【図4】比較例に係わる従来方法におけるn型エピタキシャル薄膜のキャリア濃度のヒストグラムを示す図である。
【符号の説明】
1 基板ホルダ
2 p型GaAs単結晶基板
3 原料溶液溜
4 原料溶液溜
5 p型結晶成長用溶液
6 n型結晶成長用溶液
7 溶液ホルダ
Claims (1)
- 不純物としてTeを添加した薄膜を積層する III−V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長方法であって、III−V族化合物半導体がGa1-xAlxAs(0<x<1)であり、Te源としてGaTeを用いることを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
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JP22166995A JP4211897B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP22166995A JP4211897B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液相エピタキシャル成長方法 |
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JPH0967190A JPH0967190A (ja) | 1997-03-11 |
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ID=16770418
Family Applications (1)
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JP22166995A Expired - Lifetime JP4211897B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 液相エピタキシャル成長方法 |
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Families Citing this family (2)
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CN103397386A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 | 一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺 |
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-
1995
- 1995-08-30 JP JP22166995A patent/JP4211897B2/ja not_active Expired - Lifetime
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